本發(fā)明系關(guān)于一種封裝支架結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別關(guān)于一種用于容置發(fā)光裝置的封裝支架結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管具有反應(yīng)時間短、使用壽命長、體積小、高抗震性及低功率消耗等優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用于家用及各種設(shè)備中的指示器或光源。為提高發(fā)光二極管的使用壽命、改變發(fā)光角度，發(fā)光二極管多會經(jīng)過一封裝制程以形成發(fā)光裝置。

在封裝制程中，發(fā)光裝置通常系于一支架上進行固晶、焊線、封膠及下料(單粒化)等步驟后所形成。然而，在習(xí)知的支架設(shè)計上，每相鄰的兩個殼體之間至少包含一個系桿(tiebar)，致使支架的空間利用率過低，進而造成封裝單元的密度過低，最終影響到發(fā)光裝置的生產(chǎn)速度并降低材料利用率。

有鑒于此，如何提供一封裝支架結(jié)構(gòu)及其制造方法，以改善上述的缺失，為業(yè)界待解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，本發(fā)明系提供一種封裝支架結(jié)構(gòu)及其制造方法，其可提高封裝支架中封裝單元的密度，藉此增加發(fā)光裝置的生產(chǎn)數(shù)量，并同時減少封裝支架的材料使用(移除)量，以提高利用率。

為達上述目的，本發(fā)明所揭露的封裝支架結(jié)構(gòu)系包含一框架部及至少二殼體。該框架部包括多個封裝單元，該等封裝單元各包括至少二支撐部、至少二引腳部及至少一空乏區(qū)，該二支撐部系從該框架部延伸出；該二殼體設(shè)置于該等封裝單元的其中之一中，該二殼體的其中之一系局部地包覆該二支撐部及該二引腳部；其中，該空乏區(qū)設(shè)置于該二支撐部與該二引腳部之間而使之相互分離。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，該支撐部將設(shè)置于殼體的相對外側(cè)邊，為參考用，(x、y)系表示矩陣排列的平面坐標，x為列軸，y為行軸，于同一殼體中的支撐部將設(shè)置于同一列軸或行軸上。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，該等封裝單元以陣列狀的方式設(shè)置于該框架部上。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，各該支撐部及各該引腳部的延伸出的方向為相互垂直。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，各該引腳部包含一電極子部及一彎折子部，該彎折子部從該電極子部延伸出。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，各該殼體局部地包覆該電極子部、且局部地包覆該彎折子部。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，該二殼體為一第一殼體及一第二殼體。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，該第二殼體將設(shè)置于第一殼體的行軸方向。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，該第一殼體與該第二殼體位于同一外側(cè)邊的支撐部之間定義有一第一距離，該第一殼體所包覆的該二引腳部或該第二殼體所包覆的該二引腳部之間定義有一第二距離，該第一距離小于或等于該第二距離。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，該空乏區(qū)包含一第一空乏區(qū)、一第二空乏區(qū)及一第三空乏區(qū)。

為較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，該第二空乏區(qū)設(shè)置于該第一空乏區(qū)及該第三空乏區(qū)之間。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，該第一空乏區(qū)的面積小于或等于該第二空乏區(qū)或該第三空乏區(qū)。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，該第一空乏區(qū)、該第二空乏區(qū)及該第三空乏區(qū)將設(shè)置于同一行軸上。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，該第一殼體設(shè)置于該第一空乏區(qū)與該第二空乏區(qū)之間，而該第二殼體設(shè)置于該第二空乏區(qū)及該第三空乏區(qū)之間。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，該第一殼體所包覆的該彎折子部設(shè)置于該第二空乏區(qū)中，該第二殼體所包覆的該彎折子部設(shè)置于該第三空乏區(qū)中，且該第一殼體及該第二殼體所包覆的該等彎折子部的延伸方向為相同。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)之中，該第一殼體所包覆的該彎折子部設(shè)置于該第一空乏區(qū)中，而該第二殼體所包覆的該彎折子部設(shè)置于該第三空乏區(qū)中，且該第一殼體及該第二殼體所包覆的該等彎折子部的延伸方向為相反。

為達上述目的，本發(fā)明另揭露的封裝支架結(jié)構(gòu)的制造方法系包含：提供一框架部，其中，該框架部包括多個封裝單元設(shè)置于該框架部中，該等封裝單元各包括至少二支撐部、至少二引腳部及至少一空乏區(qū)，該二支撐部及該二引腳部系從該框架部延伸出，該空乏區(qū)設(shè)置于該二支撐部與該二引腳部之間而使之相互分離；以及在該等封裝單元的其中一者中，設(shè)置一第一殼體及一第二殼體，該第一殼體及該第二殼體的其中之一系局部地包覆該二支撐部及該二引腳部。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)的制造方法之中，該空乏區(qū)包含一第一空乏區(qū)、一第二空乏區(qū)及一第三空乏區(qū)，而該第二空乏區(qū)設(shè)置于該第一空乏區(qū)及該第三空乏區(qū)之間。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)的制造方法之中，該二殼體為一第一殼體及一第二殼體，該第一殼體設(shè)置于該第一空乏區(qū)與該第二空乏區(qū)之間，而該第二殼體設(shè)置于該第二空乏區(qū)及該第三空乏區(qū)之間。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)的制造方法之中，該等封裝單元各包含一鏈接桿，該連結(jié)桿系設(shè)置于該第二空乏區(qū)中，并與該第一殼體所包覆的該二引腳部相互連結(jié)。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)的制造方法更包含：移除該連接桿，以分離該第一殼體所包覆的該二引腳部于該第二空乏區(qū)中，以及同時分離該第二殼體所包覆的該二引腳部于該第三空乏區(qū)中。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)的制造方法之中，該第一殼體及該第二殼體所包覆的該二引腳部則各別與該框架部連接。

較佳地，該封裝支架結(jié)構(gòu)的制造方法之中，于該第一殼體及該第二殼體設(shè)置完成之后，同時將該框架部與該第一殼體及該第二殼體所包覆的該二引腳部分離。

藉此，本發(fā)明的封裝支架結(jié)構(gòu)及其制造方法至少可提供以下有益效果：

1.封裝支架結(jié)構(gòu)的框架部可不具有額外的連結(jié)桿，因此可節(jié)省設(shè)置連結(jié)桿所需的材料用量及體積，以提高框架部的材料利用率；

2.不同殼體的支撐部之間的第一距離可小于或等于引腳部之間的第二距離，以使各封裝單元的尺寸更為縮減，進而使框架部能設(shè)置較多封裝單元；以及

3.各封裝單元之中可供至少二殼體設(shè)置，且殼體之間可較密集地排列，使得封裝支架結(jié)構(gòu)可包含更多殼體，提高空間利用率。藉此，藉由該封裝支架結(jié)構(gòu)可制造出更多發(fā)光裝置，增加發(fā)光裝置的產(chǎn)量。

為讓上述目的、技術(shù)特征及優(yōu)點能更明顯易懂，下文系以較佳的實施例配合所附圖式進行詳細說明。

附圖說明

圖1a為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖1b為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)的另一示意圖(殼體未顯示)；

圖2a為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)制造時，其框架部的示意圖(連結(jié)桿尚未移除)；

圖2b為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)制造時，其框架部被填充塑料體的示意圖(連結(jié)桿尚未移除)；

圖2c為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)制造時，其框架部的連結(jié)桿被移除的示意圖；

圖2d為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)制造時，其引腳部被彎折的示意圖；

圖2e為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)制造時，進行固晶步驟的示意圖；

圖2f為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)制造時，進行密封步驟的示意圖；

圖2g為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)所制成的發(fā)光裝置的示意圖；

圖3a為依據(jù)本發(fā)明的第2較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)的框架部的示意圖；

圖3b為依據(jù)本發(fā)明的第2較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)，其框架部被填充塑料體的示意圖；

圖3c為依據(jù)本發(fā)明的第2較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)的示意圖；以及

圖3d為依據(jù)本發(fā)明的第2較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)的另一示意圖。

符號說明

1、2封裝支架結(jié)構(gòu)

10、10’、20’框架部

20殼體

100封裝單元

110支撐部

120引腳部

121電極子部

122彎折子部

130空乏區(qū)

131第一空乏區(qū)

132第二空乏區(qū)

133第三空乏區(qū)

210第一殼體

220第二殼體

211、221底部

212、222側(cè)部

213、223凹槽

300連結(jié)桿

400發(fā)光二極管芯片

410頂面

420導(dǎo)線

500密封元件

600發(fā)光裝置

d1第一距離

d2第二距離

x行軸

y列軸

具體實施方式

請參閱圖1a所示，其為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)1的局部示意圖(俯視圖)。封裝支架結(jié)構(gòu)1包含一框架部10及二殼體20，各元件的技術(shù)內(nèi)容說明如下。

配合參閱圖1b(其顯示圖1a的框架部10，而殼體20未有顯示)，框架部10可為一金屬板(如純金屬、合金及金屬復(fù)合層板等)經(jīng)沖壓或沖切等方式而形成，框架部10包含多個封裝單元100，該些封裝單元100是以陣列狀的方式設(shè)置，也就是，至少沿著列軸(例如圖所示的x方向)或行軸方向(例如圖所示的y方向)相鄰地排列于框架部10中。如圖1a所示者，其中兩個封裝單元100沿著列軸方向相鄰排列。

于本實施例中，每一個封裝單元100包含至少二支撐部110、至少二引腳部120及至少一空乏區(qū)130。本實施例系以一個封裝單元100包含四支撐部110及四引腳部120為例，且其中較上方的二支撐部110及二引腳部120可為第一組，而較下方的另二支撐部110及另二引腳部120可為第二組。在每一組中，二支撐部110系沿著列軸方向、以彼此相對方式、從框架部10朝著后述的殼體20延伸出，故支撐部110大致成一突片狀；二引腳部120設(shè)置于二支撐部110之間，且各包含一電極子部121及一彎折子部122，彎折子部122從電極子部121延伸出，且大致成一l形狀，也就是，先沿著行軸方向延伸、再沿著列軸方向延伸。因此，支撐部110的延伸方向與引腳部120的彎折子部122的延伸方向部分地相互垂直。

空乏區(qū)130則設(shè)置于每一組的二支撐部110與二引腳部120之間，以使支撐部110與引腳部120相互分離，進而電性隔離?？辗^(qū)130又包含一第一空乏區(qū)131、一第二空乏區(qū)132及一第三空乏區(qū)133，沿著行軸方向依序設(shè)置(第二空乏區(qū)132設(shè)置于該第一空乏區(qū)131及第三空乏區(qū)133之間)。第二空乏區(qū)132部分地設(shè)置于第一組的二支撐部110與二引腳部120之間、且部分地設(shè)置于支撐部110與引腳部120的一側(cè)(另一側(cè)則設(shè)置有第二空乏區(qū)132)，而第三空乏區(qū)133部分地設(shè)置于第二組的二支撐部110與二引腳部120之間、且部分地設(shè)置于支撐部110與引腳部120的一側(cè)(另一側(cè)則設(shè)置有第二空乏區(qū)132)。第一組的引腳部120的彎折子部122是朝著第二空乏區(qū)132延伸，以設(shè)置于第二空乏區(qū)132之中，而第二組的引腳部120的彎折子部122是朝著第三空乏區(qū)133延伸，以設(shè)置于第三空乏區(qū)133之中。因此外觀上，第一組的彎折子部122與第二組的彎折子部122的延伸的方向為相同，可稱為順向排列。

此外，由于第一空乏區(qū)131之中并未設(shè)置有彎折子部122，第一空乏區(qū)131的面積較佳地小于或等于(即不大于)第二、第三空乏區(qū)132、133的面積，以減小封裝單元100的面積；也就是，沿著行軸方向，第一空乏區(qū)131的尺寸不大于第二、第三空乏區(qū)132、133的尺寸。第三空乏區(qū)133的面積(尺寸)亦可小于或等于第二空乏區(qū)132的面積(尺寸)。

關(guān)于殼體20的技術(shù)內(nèi)容，該二殼體20可為第一殼體210及第二殼體220，且第一殼體210設(shè)置于第一空乏區(qū)131及第二空乏區(qū)132之間，而第二殼體220設(shè)置于第二空乏區(qū)132及第三空乏區(qū)133之間。此外，第一殼體210局部地包覆第一組的二支撐部110及二引腳部120，而第二殼體220局部地包覆第二組的二支撐部110及二引腳部120。

具體而言，以第一殼體210為例，二支撐部110的末端嵌入第一殼體210的相對兩外側(cè)邊而被第一殼體210包覆，使得第一殼體210固定于框架部10上而不脫落；引腳部120的電極子部121及彎折子部122則局部地被第一殼體210包覆，第一殼體210具有一凹槽213，以使電極子部121的表面局部地暴露出，作為后續(xù)發(fā)光半導(dǎo)體芯片固定所需的工作表面。第二殼體220亦具有上述第一殼體210的配置。

另一方面，位于第一殼體210與第二殼體220的同一外側(cè)邊的二個支撐部110之間定義有一第一(最短)距離d1，而第一殼體210或第二殼體220所包覆的二個引腳部120之間定義有一第二(最短)距離d2，第一距離d1較佳地小于或等于第二距離d2，而不大于第二距離d2，以使封裝單元100的尺寸更為縮減。

藉此，封裝支架結(jié)構(gòu)1的每一個封裝單元100可具有較小的尺寸，使得封裝支架結(jié)構(gòu)1可包含更多封裝單元100。此外，第一殼體210及第二殼體220可經(jīng)由第二空乏區(qū)132而直接地鄰接，不被框架部10原具有的連結(jié)桿300(詳如后述)阻隔。如此，第一殼體210及第二殼體220可較密集地排列，使得封裝支架結(jié)構(gòu)1可包含更多殼體20。與習(xí)知相比，封裝支架結(jié)構(gòu)1所包含的殼體20的排列密度可提高60％～70％。

接著說明該封裝支架結(jié)構(gòu)1的制造方法(其技術(shù)內(nèi)容可作為封裝支架結(jié)構(gòu)1的進一步揭露)，該制造方法可包含三個步驟：如圖2a所示的第一步驟中，提供一框架部10’；接著，如圖2b所示的第二步驟中，形成殼體20于框架部10’中；爾后，如圖2c所示的第三步驟中，移除框架部10’的特定部分，以形成封裝支架結(jié)構(gòu)1。

詳言之，如圖2a所示，一框架部10’被提供，其相似于圖1b所示的框架部10，包含已預(yù)形成的多個封裝單元100，而每個封裝單元100除了包含支撐部110、引腳部120及空乏區(qū)130外，尚包含一連結(jié)桿300。該連結(jié)桿300設(shè)置于第二空乏區(qū)132中(第二空乏區(qū)132因此被分隔成兩部分)，并與第一組的二引腳部120的末端相互連結(jié)；連結(jié)桿300的兩端還連結(jié)至框架部10’；第二組的二引腳部120的末端則連結(jié)框架部10’。易言之，在此步驟中，框架部10’、支撐部110及引腳部120尚未分離，亦尚未電性隔離。

接著，如圖2b所示，對框架部10’進行塑料體的填充，以形成(即設(shè)置)第一殼體210及第二殼體220。所形成的第一殼體210及第二殼體220局部地包覆支撐部110及引腳部120，但不會包覆到連結(jié)桿300。

塑料體的填充可透過射出模塑(injectionmolding)或傳遞模塑(transfermolding)等方式來達成。該塑料體可選用熱固性塑料或熱塑性塑料，而熱固性塑料可例如為環(huán)氧樹脂系組合物、硅酮系組合物或前述樹脂組合物的任意組合等；熱塑性塑料可例如為聚鄰苯二甲酰胺(polyphthalamide,ppa)系組合物、聚對苯二甲酸環(huán)已二甲醇酯(polycyclohexylenedimethyleneterephthalate,pct)系組合物、不飽和聚酯樹脂(unsatuatedpolyester,up)系組合物或前述樹脂組合物的任意組合等。塑料體中還可混合反射填料，例如為二氧化鈦(tio2)、二氧化硅(sio2)、氧化鋯(zro2)、氮化硼(bn)或前述的任意混合等。較佳地，塑料體在填充、固化而形成殼體20后，可對后述的發(fā)光二極管芯片400的射出光具有大于70％的折射率，或更佳的大于90％折射率。

爾后，如圖2c所示，透過例如沖壓等方式，將連結(jié)桿300完全地移除(虛線示意移除的部分)，使得第一殼體210所包覆的二彎折子部122在第二空乏區(qū)132中相互分離；并同時移除位于第二殼體220所包覆的二彎折子部122的末端、與二彎折子部122連結(jié)的框架部10’的部分，使得第二殼體220所包覆的二彎折子部122在第三空乏區(qū)133中相互分離。如此，第一殼體210與第二殼體220經(jīng)由第二空乏區(qū)132而直接地鄰接(即沒有連結(jié)桿300的阻隔)，密集地排列，以形成如圖1a所示的封裝支架結(jié)構(gòu)1。

除了上述步驟外，該制造方法尚可包含一彎折步驟。具體而言，如圖2d所示，將第一殼體210所包覆的彎折子部122朝向第一殼體210的底部211或側(cè)部212彎折，并將第二殼體220所包覆的彎折子部122朝向第二殼體220的底部221或側(cè)部222彎折，以完成另一種型態(tài)的封裝支架結(jié)構(gòu)1，以作為側(cè)射型(side-view)的發(fā)光裝置使用。

在完成封裝支架結(jié)構(gòu)1后，接著，可利用該封裝支架結(jié)構(gòu)1以形成至少一發(fā)光裝置600。具體而言，如圖2e所示，首先，進行固晶及電性連接步驟，可使用具導(dǎo)電或不具導(dǎo)電性的固晶材料將一發(fā)光二極管芯片400固定于電極子部121的表面，該電極子部121系經(jīng)由凹槽213、223所暴露出，并藉由至少兩條導(dǎo)線420將發(fā)光二極管芯片400由其頂面410與電極子部121電性連接。

該發(fā)光二極管芯片400系以水平式芯片為例，但亦可采用垂直式芯片或倒覆式芯片(圖未示)。在使用垂直式芯片的情況下，具導(dǎo)電性的固晶材料可將發(fā)光二極管芯片400固定于電極子部121上并與其中的一電極子部121電性連接，并藉由至少另一條導(dǎo)線420由發(fā)光二極管芯片400的頂面410與另一電極子部121電性連接；而在使用倒覆式芯片的情況下，具導(dǎo)電性的電性材料可將發(fā)光二極管芯片400底部的電極與電極子部121電性連接，亦可完成固晶及電性連接步驟。

隨后進行密封步驟，如圖2f所示，藉由填入一密封元件500至殼體20的凹槽213、223中，覆蓋發(fā)光二極管芯片400及電極子部121的暴露表面，然后烘烤密封元件500，使密封元件500固化以保護發(fā)光二極管芯片400、導(dǎo)線420及電極子部121，以形成發(fā)光裝置600。

密封元件500可由高透明度的樹脂組合物來制成，例如較佳系采用環(huán)氧系樹脂組合物或硅氧烷系樹脂組合物。密封元件500可包含熒光體混合于樹脂組合物中，該熒光體的材料種類，可選自由下述所構(gòu)成的群組中的一或多者：sr5(po4)3cl:eu²⁺、(sr,ba)mgal10o17:eu²⁺、(sr,ba)3mgsi2o8:eu²⁺、sral2o4:eu²⁺、srbasio4:eu²⁺、cds:in、cas:ce³⁺、y3(al,gd)5o12:ce²⁺、ca3sc2si3o12:ce³⁺、srsion:eu²⁺、zns:al³⁺,cu⁺、cas:sn²⁺、cas:sn²⁺,f、caso4:ce³⁺,mn²⁺、lialo2:mn²⁺、bamgal10o17:eu²⁺,mn²⁺、zns:cu⁺,cl^-、ca3wo6:u、ca3sio4cl2:eu²⁺、srxbayclzal2o4-z/2:ce³⁺,mn²⁺(x:0.2、y:0.7、z:1.1)、ba2mgsi2o7:eu²⁺、ba2sio4:eu²⁺、ba2li2si2o7:eu²⁺、zno:s、zno:zn、ca2ba3(po4)3cl:eu²⁺、baal2o4:eu²⁺、srga2s4:eu²⁺、zns:eu²⁺、ba5(po4)3cl:u、sr3wo6:u、caga2s4:eu²⁺、srso4:eu²⁺,mn²⁺、zns:p、zns:p^3-,cl^-、zns:mn²⁺、cas:yb²⁺,cl、gd3ga4o12:cr³⁺、caga2s4:mn²⁺、na(mg,mn)2lisi4o10f2:mn、zns:sn²⁺、y3al5o12:cr³⁺、srb8o13:sm²⁺、mgsr3si2o8:eu²⁺,mn²⁺、α-sro·3b2o3:sm²⁺、zns-cds、znse:cu⁺,cl、znga2s4:mn²⁺、zno:bi³⁺、bas:au,k、zns:pb²⁺、zns:sn²⁺,li⁺、zns:pb,cu、catio3:pr³⁺、catio3:eu³⁺、y2o3:eu³⁺、(y,gd)2o3:eu³⁺、cas:pb²⁺,mn²⁺、ypo4:eu³⁺、ca2mgsi2o7:eu²⁺,mn²⁺、y(p,v)o4:eu³⁺、y2o2s:eu³⁺、sral4o7:eu³⁺、cayalo4:eu³⁺、lao2s:eu³⁺、liw2o8:eu³⁺,sm³⁺、(sr,ca,ba,mg)10(po4)6cl2:eu²⁺,mn²⁺、ba3mgsi2o8:eu²⁺,mn²⁺、zns:mn²⁺,te²⁺、mg2tio4:mn⁴⁺、k2sif6:mn⁴⁺、srs:eu²⁺、na1.23k0.42eu0.12tisi4o11、na1.23k0.42eu0.12tisi5o13:eu³⁺、cds:in,te、caalsin3:eu²⁺、casin3:eu²⁺、(ca,sr)2si5n8:eu²⁺、以及eu2w2o7。另外，密封元件500亦可包含其他種添加物，例如光擴散劑、增稠劑、抗氧化劑等。

于密封步驟完成后，可選擇地對發(fā)光裝置600進行電性檢測，藉由將檢測儀器的探針與彎折子部122相接觸并提供電子信號，點亮發(fā)光二極管芯片400進行亮度及色溫測試，可排除不良品或未達標準的發(fā)光裝置600。此外，電性檢測亦可于密封步驟前進行，不以此為限。

隨后進行使發(fā)光裝置600的單?；襟E，如圖2g所示，也就是藉由施加外力使發(fā)光裝置600從支撐部110上脫離成可單獨使用者。此外，亦可采用切割的方式將支撐部110截斷來進行發(fā)光裝置600的單?；?，切割的手段并無限制，可采用刀具沖壓或激光切割的方式進行。

以上是封裝支架結(jié)構(gòu)1的技術(shù)內(nèi)容的說明，接著將說明依據(jù)本發(fā)明另一實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)的技術(shù)內(nèi)容，而各實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)的技術(shù)內(nèi)容(包含制造方法)應(yīng)可互相參考，故相同部分將省略或簡化描述。

請參閱圖3a所示，其為依據(jù)本發(fā)明的第2較佳實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)的框架部20’的示意圖?？蚣懿?0’與前述框架部10’不同處主要在于：框架部20’的引腳部120是對向排列，故框架部20’于第二空乏區(qū)132中不需設(shè)有連結(jié)桿。

詳言之，框架部20’的第一組(較上方者)的引腳部120的彎折子部122是朝著與第二空乏區(qū)132相反的方向延伸(也就是朝著圖3c所示的第一空乏區(qū)131的方向延伸)，第二組(較下方者)的引腳部120的彎折子部122亦是朝著與第二空乏區(qū)132相反的方向延伸(也就是朝著圖3c所示的第三空乏區(qū)133的方向延伸)，而第一組的電極子部121與第二組的電極子部121將經(jīng)由第二空乏區(qū)132而直接地鄰接。因此外觀上，第一組的彎折子部122與第二組的彎折子部122的延伸的方向為相對(相反)，可稱為對向或反向排列。如此，第二空乏區(qū)132并不需要連結(jié)桿來連結(jié)彎折子部122，可使每一個封裝單元100的尺寸更為縮減；換言之，整體上框架部20’可包含更多封裝單元100。

接著，如圖3b所示，對框架部20’進行塑料體的填充，以形成第一殼體210及第二殼體220。所形成的第一殼體210及第二殼體220局部地包覆支撐部110及引腳部120。

另一方面，位于第一殼體210與第二殼體220的同一外側(cè)邊的支撐部110之間定義有一第一(最短)距離d1，而第一殼體210或第二殼體220所包覆的引腳部120之間定義有一第二(最短)距離d2，第一距離d1較佳地小于或等于第二距離d2，而不大于第二距離d2，以使封裝單元的尺寸更為縮減。

爾后，如圖3c所示，透過例如沖壓等方式，移除位于第一殼體210所包覆的二彎折子部122的上端、與二彎折子部122連接的框架部20’的部分，使得第一殼體210所包覆的二彎折子部122在第一空乏區(qū)131中相互分離；并同時移除位于第二殼體220所包覆的二彎折子部122的下端、與二彎折子部122連接的框架部20’的部分，使得第二殼體220所包覆的二彎折子部122在第三空乏區(qū)133中相互分離。如此，第一殼體210所包覆的二彎折子部122將會設(shè)置于第一空乏區(qū)131中，第二殼體220所包覆的二彎折子部122將會設(shè)置于第三空乏區(qū)133中，以形成本發(fā)明另一實施例的封裝支架結(jié)構(gòu)2。

與習(xí)知相比，封裝支架結(jié)構(gòu)2所包含的第一殼體210及第二殼體220可排列更為相近，使得殼體的排列密度可提高50％～100％。

此外，封裝支架結(jié)構(gòu)2的彎折子部122尚可被彎折。詳言之，如圖3d所示，將第一殼體210所包覆的彎折子部122朝向第一殼體210的底部211或者側(cè)部212彎折，并將第二殼體220所包覆的彎折子部122朝向第二殼體220的底部221或者側(cè)部222彎折，以完成另一種型態(tài)的封裝支架結(jié)構(gòu)2，作為側(cè)射型的發(fā)光裝置使用。

在完成封裝支架結(jié)構(gòu)2后，接著，可進一步利用該封裝支架結(jié)構(gòu)2以形成至少一發(fā)光裝置(圖未示)，其形成步驟(如固晶、密封、單?；?可參考圖2e～圖2g的說明，于此不再贅述。

綜合上述，本發(fā)明所提供的封裝支架結(jié)構(gòu)可縮減封裝單元的面積(尺寸)、提高殼體的排列密度，進而增加發(fā)光裝置的總產(chǎn)量。

上述的實施例僅用來例舉本發(fā)明的實施態(tài)樣，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù)特征，并非用來限制本發(fā)明的保護范疇。本領(lǐng)域技術(shù)人員可輕易完成的改變或均等性的安排均屬于本發(fā)明所主張的范圍，本發(fā)明的權(quán)利保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求為準。