1.一種具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片，其特征在于，所述具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片至少包括：
芯片；
形成于所述芯片上表面的連接層；
形成于所述連接層上的凸塊，且所述凸塊通過(guò)所述連接層實(shí)現(xiàn)與所述芯片的電性連接；以及
形成于所述連接層上表面且包圍部分凸塊的鈍化層，從而形成凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片，其特征在于，所述連接層至少包括：
形成于所述芯片上表面的多個(gè)焊盤；
覆蓋于所述芯片上表面以及每個(gè)焊盤兩端的介質(zhì)層；以及
形成于所述介質(zhì)層上表面的絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片，其特征在于，所述凸塊形成于每個(gè)焊盤的上表面并覆蓋部分絕緣層，且所述凸塊通過(guò)所述焊盤實(shí)現(xiàn)與所述芯片的電性連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片，其特征在于，所述凸塊至少包括：
形成于每個(gè)焊盤上表面且覆蓋部分絕緣層的金屬柱；以及
形成于所述金屬柱上表面的金屬帽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片，其特征在于，所述鈍化層包圍所述金屬柱。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片，其特征在于，所述金屬柱采用Cu或Ni金屬材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片，其特征在于，所述金屬帽采用錫、銅、鎳、銀錫銅合金或者錫基合金中的一種材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片，其特征在于，所述介質(zhì)層采用低k介電材料。
9.一種具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片的制備方法，其特征在于，所述具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片的制備方法至少包括如下步驟：
提供一晶圓片，所述晶圓片至少包括若干個(gè)芯片；
于所述晶圓片的上表面形成覆蓋所有芯片上表面的連接層；
于所述連接層上形成凸塊，且所述凸塊通過(guò)所述連接層實(shí)現(xiàn)與所述芯片的電性連接；
于所述連接層的上表面形成包圍部分凸塊的鈍化層；
對(duì)形成所述鈍化層后的晶圓片進(jìn)行切割分片，以形成若干個(gè)具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片的制備方法，其特征在于，于所述晶圓片的上表面形成覆蓋所有芯片上表面的連接層，具體方法為：
于所述晶圓片的上表面形成多個(gè)焊盤；
于所述晶圓片的上表面形成覆蓋所有芯片上表面以及每個(gè)焊盤兩端的介質(zhì)層；
于所述介質(zhì)層的上表面形成絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片的制備方法，其特征在于，所述凸塊形成于每個(gè)焊盤的上表面并覆蓋部分絕緣層，且所述凸塊通過(guò)所述焊盤實(shí)現(xiàn)與所述芯片的電性連接，其中，所述凸塊的具體形成方法為：
于所述絕緣層和所述焊盤的上表面形成金屬種子層；
于所述金屬種子層上形成具有開口的光刻掩膜層，所述開口暴露所述焊盤及部分絕緣層上方的金屬種子層；
于所述開口內(nèi)的金屬種子層上形成金屬柱；
于所述金屬柱的上表面形成金屬帽；
去除所述光刻掩膜層及其下方的金屬種子層，以形成由所述金屬柱和所述金屬帽組成的凸塊。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有凸塊保護(hù)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片的制備方法，其特征在于，于所述連接層的上表面形成包圍部分凸塊的鈍化層，具體方法為：
于所述連接層的上表面形成包裹所述凸塊的鈍化層材料；
根據(jù)實(shí)際需要的芯片厚度對(duì)所述晶圓片的下表面進(jìn)行研磨；
對(duì)所述鈍化層材料的上表面進(jìn)行研磨，直至暴露部分凸塊，從而形成包圍部分凸塊的鈍化層。