本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法。

背景技術(shù)：

所有的計(jì)算和通信系統(tǒng)都需要功率傳輸系統(tǒng)。功率傳輸系統(tǒng)會(huì)將電源的高電壓轉(zhuǎn)換成系統(tǒng)中離散器件所需的許多不同的低電壓。功率傳輸系統(tǒng)的效率決定了向下轉(zhuǎn)換的電力損失，而功率傳輸軌數(shù)決定了可支持的離散電壓供應(yīng)或器件的數(shù)量。

目前的功率傳輸技術(shù)面臨著如下挑戰(zhàn)：

一、隨著工藝節(jié)點(diǎn)的收縮，器件電壓減小，功率傳輸?shù)男蕰?huì)隨之降低，使功率消耗更大。

二、添加更多的功率傳輸軌道需要復(fù)制更多的功率傳輸組件，會(huì)增加元件數(shù)量、增大電路板尺寸、增加電路板的層數(shù)、加大系統(tǒng)體積、成本和重量。

三、由于再布線層的線距、線寬的限制，需要增加封裝尺寸。

因此，如何提高功率傳輸效率，增加不同電壓軌道的可用數(shù)量，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個(gè)重要技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，用于解決現(xiàn)有功率傳輸系統(tǒng)的功率傳輸效率低，不同電壓軌道的可用數(shù)量少的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，所述封裝結(jié)構(gòu)包括用電芯片及連接于所述用電芯片下方的功率傳輸芯片；所述功率傳輸芯片用于將外部電源的電壓轉(zhuǎn)換成所述用電芯片所需的多個(gè)電壓，并提供多條對(duì)接所述用電芯片的供電軌道；所述封裝方法包括如下步驟：

提供一載體，并在所述載體上形成粘附層；

將所述功率傳輸芯片的有源元件與無(wú)源元件放置于所述粘附層上，其中，所述有源元件及無(wú)源元件具有焊盤(pán)的一面與所述粘附層接觸；

在所述粘附層上形成覆蓋所述有源元件與無(wú)源元件的塑封層，并對(duì)所述塑封層進(jìn)行研磨，以減薄所述塑封層；

去除所述載體及粘附層，暴露出所述焊盤(pán)；

形成多個(gè)上下貫穿所述塑封層的通孔，并在所述通孔中填充導(dǎo)電材料，得到導(dǎo)電柱；

在所述塑封層與所述焊盤(pán)相同一側(cè)的表面上形成所述功率傳輸芯片的再布線層；所述再布線層的導(dǎo)電部分與所述導(dǎo)電柱及所述焊盤(pán)連接，實(shí)現(xiàn)所述有源元件與無(wú)源元件之間的電連接，并提供多條對(duì)接所述用電芯片的供電軌道；

通過(guò)多個(gè)第一凸塊結(jié)構(gòu)將所述用電芯片與所述再布線層連接，實(shí)現(xiàn)所述用電芯片與多條所述供電軌道的對(duì)接；

在所述塑封層與所述焊盤(pán)相對(duì)一側(cè)的表面上形成多個(gè)與所述導(dǎo)電柱連接的第二凸塊結(jié)構(gòu)。

可選地，所述外部電源的電壓高于所述用電芯片所需的電壓。

可選地，所述有源元件包括控制器及降壓變換器；所述無(wú)源元件包括電容、電感和電阻。

可選地，通過(guò)多個(gè)第一凸塊結(jié)構(gòu)將所述用電芯片與所述再布線層連接之后，還包括通過(guò)底部填充膠填滿所述用電芯片與所述在布線層之間間隙的步驟，以及通過(guò)塑封材料將所述用電芯片周?chē)牟襟E。

可選地，所述再布線層包括介電層及形成于所述介電層中的至少一層金屬連線及至少一層導(dǎo)電栓；所述金屬連線通過(guò)所述導(dǎo)電栓實(shí)現(xiàn)與所述有源元件、無(wú)源元件及導(dǎo)電柱的電連接，且當(dāng)所述介電層中形成有多層金屬連線時(shí)，多層金屬連線之間通過(guò)所述導(dǎo)電栓實(shí)現(xiàn)層間電連接。

可選地，所述第一凸塊結(jié)構(gòu)包括微凸塊。

可選地，所述第二凸塊結(jié)構(gòu)包括球柵陣列焊球。

可選地，所述用電芯片為專用集成電路。

可選地，形成所述塑封層的方法包括壓縮成型、傳遞模塑、液封成型、真空層壓、旋涂中的任意一種或多種。

可選地，形成所述通孔的方法包括激光打孔、機(jī)械鉆孔、反應(yīng)離子刻蝕、納米壓印中的任意一種或多種。

可選地，形成所述導(dǎo)電柱的方法包括電鍍、化學(xué)鍍、絲印、引線鍵合中的一種或多種。

如上所述，本發(fā)明提供了一種新的封裝方法，使用三維芯片堆疊技術(shù)將用電芯片與功率傳輸芯片集成在一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，具有以下有益效果：

(1)采用現(xiàn)有的有源元件和無(wú)源元件形成有源2.5D中介板，然后通過(guò)微凸塊或其它凸塊結(jié)構(gòu)將用電芯片集成在有源2.5D中介板上，得到三維堆疊結(jié)構(gòu)；其中，所述用電芯片可以是專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit，簡(jiǎn)稱ASIC)。

(2)在三維堆疊結(jié)構(gòu)中，有源2.5D中介板作為功率傳輸功率芯片，緊密集成于在用電芯片下方，解決了功率傳輸?shù)膯?wèn)題。

(3)整個(gè)系統(tǒng)電路板的功率傳輸系統(tǒng)由所述功率傳輸芯片實(shí)現(xiàn)，所述功率傳輸芯片包括控制器、降壓變換器(buck converter)、電容器(CAP(3T))，電感(L(2T))和電阻，從而消除了系統(tǒng)板上所有的無(wú)源元件。

(4)所述功率傳輸芯片中的降壓變換器可以產(chǎn)生成千上萬(wàn)低電壓功率傳輸軌道(供電軌道)，這些低電壓功率傳輸軌道通過(guò)微凸塊對(duì)接用電芯片。

(5)本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)由于集成了包含無(wú)源元件的功率傳輸芯片，可以消除封裝基板例如PCB板上的寄生電阻，從而提高了功率傳輸效率，改善了功率控制的響應(yīng)時(shí)間。

(6)通過(guò)減少壓降和噪聲提高了保真度，從而改善了響應(yīng)時(shí)間。由于需要更少的設(shè)計(jì)余量，可以獲得更好的保真度性能改善。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為本發(fā)明的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法的工藝流程圖。

圖2顯示為本發(fā)明的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法提供一載體的示意圖。

圖3顯示為本發(fā)明的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法在所述載體上形成粘附層的示意圖。

圖4顯示為本發(fā)明的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法將所述功率傳輸芯片的有源元件與無(wú)源元件放置于所述粘附層上的示意圖。

圖5顯示為本發(fā)明的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法在所述粘附層上形成塑封層的示意圖。

圖6顯示為本發(fā)明的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法去除所述載體及粘附層的示意圖。

圖7顯示為本發(fā)明的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法在所述塑封層中形成導(dǎo)電柱的示意圖。

圖8顯示為本發(fā)明的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法形成所述功率傳輸芯片的再布線層的示意圖。

圖9顯示為本發(fā)明的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法通過(guò)多個(gè)第一凸塊結(jié)構(gòu)將所述用電芯片與所述再布線層連接，并通過(guò)底部填充膠填滿所述用電芯片與所述在布線層之間間隙的示意圖。

圖10顯示為本發(fā)明的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法通過(guò)塑封材料將所述用電芯片周?chē)氖疽鈭D。

圖11顯示為本發(fā)明的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法形成多個(gè)與所述導(dǎo)電柱連接的第二凸塊結(jié)構(gòu)的示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

S1～S8 步驟

1 載體

2 粘附層

3 功率傳輸芯片

301 有源元件

302 無(wú)源元件

3021 電容

3022 電感

303 焊盤(pán)

304 塑封層

305 導(dǎo)電柱

306 再布線層

3061 介電層

3062 金屬連線

3063 導(dǎo)電栓

4 第一凸塊結(jié)構(gòu)

5 用電芯片

6 底部填充膠

7 塑封材料

8 第二凸塊結(jié)構(gòu)

具體實(shí)施方式

以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖1至圖11。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

本發(fā)明提供一種集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法。請(qǐng)參閱圖11，所述封裝結(jié)構(gòu)包括用電芯片5及連接于所述用電芯片5下方的功率傳輸芯片3；所述功率傳輸芯片3用于將外部電源的電壓轉(zhuǎn)換成所述用電芯片5所需的多個(gè)電壓，并提供多條對(duì)接所述用電芯片5的供電軌道。本發(fā)明的封裝方法利用所述功率傳輸芯片3作為有源2.5D中介板，通過(guò)微凸塊或其它凸塊結(jié)構(gòu)將用電芯片5集成在有源2.5D中介板上，得到三維堆疊芯片結(jié)構(gòu)。整個(gè)系統(tǒng)電路板的功率傳輸系統(tǒng)由所述功率傳輸芯片實(shí)現(xiàn)，可以消除封裝基板上的寄生電阻，從而提高功率傳輸效率，改善功率控制的響應(yīng)時(shí)間，提高保真度。

本實(shí)施例中，所述功率傳輸芯片包括有源元件301、無(wú)源元件302、塑封層304、導(dǎo)電柱305以及再布線層306。

請(qǐng)參閱圖1，顯示為本發(fā)明的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法的工藝流程圖，包括如下步驟：

S1：提供一載體，并在所述載體上形成粘附層；

S2：將所述功率傳輸芯片的有源元件與無(wú)源元件放置于所述粘附層上，其中，所述有源元件及無(wú)源元件具有焊盤(pán)的一面與所述粘附層接觸；

S3：在所述粘附層上形成覆蓋所述有源元件與無(wú)源元件的塑封層，并對(duì)所述塑封層進(jìn)行研磨，以減薄所述塑封層；

S4：去除所述載體及粘附層，暴露出所述焊盤(pán)；

S5：形成多個(gè)上下貫穿所述塑封層的通孔，并在所述通孔中填充導(dǎo)電材料，得到導(dǎo)電柱；

S6：在所述塑封層與所述焊盤(pán)相同一側(cè)的表面上形成所述功率傳輸芯片的再布線層；所述再布線層的導(dǎo)電部分與所述導(dǎo)電柱及所述焊盤(pán)連接，實(shí)現(xiàn)所述有源元件與無(wú)源元件之間的電連接，并提供多條對(duì)接所述用電芯片的供電軌道；

S7：通過(guò)多個(gè)第一凸塊結(jié)構(gòu)將所述用電芯片與所述再布線層連接，實(shí)現(xiàn)所述用電芯片與多條所述供電軌道的對(duì)接；

S8：在所述塑封層與所述焊盤(pán)相對(duì)一側(cè)的表面上形成多個(gè)與所述導(dǎo)電柱連接的第二凸塊結(jié)構(gòu)。

首先請(qǐng)參閱圖2及圖3，執(zhí)行步驟S1：提供一載體1，并在所述載體1上形成粘附層2。

具體的，所述載體的材料可以選自玻璃、硅、氧化硅、金屬或陶瓷中的一種或多種，或其他類似物。所述載體1可以為平板型，例如為具有一定厚度的玻璃圓形平板。

具體的，所述粘附層2的作用是粘附固定放置于其上的元件，后續(xù)去除所述載體1時(shí)，所述粘附層2也一并被去除。

作為示例，所述粘附層2可以是UV膠帶或熱材料，其中，所述UV膠帶在特定波長(zhǎng)的光照下，粘附強(qiáng)度會(huì)降低，使得載體易于剝離。所述熱材料在一定加熱溫度下，粘附強(qiáng)度會(huì)降低，使得載體易于剝離。當(dāng)然，所述粘附層2也可以采用UV膠與熱材料的結(jié)合。

然后請(qǐng)參閱圖4，執(zhí)行步驟S2：將所述功率傳輸芯片3的有源元件301與無(wú)源元件302放置于所述粘附層2上，其中，所述有源元件301及無(wú)源元件302具有焊盤(pán)303的一面與所述粘附層接觸。

通常，所述有源元件301具有焊盤(pán)303的一面稱之為正面，與之相對(duì)的另一面稱之為背面。對(duì)于所述無(wú)源元件302，也是如此。本實(shí)施例中，是將有源元件301及無(wú)源元件302正面朝下放置于所述粘附層2上，從而粘貼固定于所述載體上。

具體的，首先在包含多個(gè)裸片(Die)的晶片背面貼上粘片膜(Die Attach Film，簡(jiǎn)寫(xiě)DFA)，或者不貼粘片膜，然后劃片得到多個(gè)獨(dú)立的裸片(即所述有源元件301或無(wú)源元件302)，接著拾取裸片，放置于所述粘附層2上，使所述裸片臨時(shí)固定于所述載體1上。粘片膜可以是UV膜，在切割晶片后采用特定波長(zhǎng)的光照/對(duì)膜加熱可以降低膜的粘附強(qiáng)度，使得芯片很容易從膜上取下。

具體的，所述功率傳輸芯片3的作用是將外部電源的電壓轉(zhuǎn)換成所述用電芯片5所需的多個(gè)電壓，并提供多條對(duì)接所述用電芯片5的供電軌道。作為示例，所述外部電源的電壓高于所述用電芯片所需的電壓，以下將稱外部電源的電壓為高電壓，稱用電芯片所需的電壓為低電壓。

作為示例，所述有源元件301包括控制器及降壓變換器；所述無(wú)源元件302包括電容3021、電感3021和電阻(未圖示)。在所述功率傳輸芯片中，降壓變換器可以高電壓變換為成千上萬(wàn)的低電壓，這些低電壓可通過(guò)后續(xù)形成的導(dǎo)電柱、再布線層構(gòu)成多個(gè)供電軌道，并通過(guò)后續(xù)形成的第一凸塊結(jié)構(gòu)與頂部用電芯片對(duì)接。

接著請(qǐng)參閱圖5，執(zhí)行步驟S3：在所述粘附層2上形成覆蓋所述有源元件301與無(wú)源元件302的塑封層304，并對(duì)所述塑封層進(jìn)行研磨，以減薄所述塑封層。

具體的，形成所述塑封層304的方法包括壓縮成型、傳遞模塑、液封成型、真空層壓、旋涂中的任意一種或多種，或其它適宜的方法。塑封材料包括環(huán)氧類樹(shù)脂、液體型熱固性環(huán)氧樹(shù)脂、塑料等合適的材料。

本實(shí)施例中，在形成所述塑封層之后，減薄所述塑封層直至露出所述有源元件及無(wú)源元件的背面。由于所述有源元件及無(wú)源元件的背面沒(méi)有焊盤(pán)，也可以在有源元件及無(wú)源元件的背面保留一定厚度的塑封材料，此處不應(yīng)過(guò)分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

作為示例，研磨過(guò)程可以采用機(jī)械研磨工藝、化學(xué)拋光工藝、蝕刻工藝、其任意組合和/或類似工藝。

再請(qǐng)參閱圖6，執(zhí)行步驟S4：去除所述載體1及粘附層2，暴露出所述焊盤(pán)303。

具體的，可以采用機(jī)械研磨、化學(xué)拋光、刻蝕、紫外線剝離、機(jī)械剝離中的一種或多種去除所述載體1；優(yōu)選地，本實(shí)施例中，可以通過(guò)去除所述粘附層2以剝離所述載體1。

再請(qǐng)參閱圖7，執(zhí)行步驟S5：形成多個(gè)上下貫穿所述塑封層的通孔，并在所述通孔中填充導(dǎo)電材料，得到導(dǎo)電柱305。

具體的，所述通孔(Through Active-interposer Via，簡(jiǎn)稱TAV)可以通過(guò)激光打孔、機(jī)械鉆孔、反應(yīng)離子刻蝕、納米壓印中的任意一種或多種，或其他適宜的方法制作。通孔填充材料可以是焊料或銅。TAV填充可通過(guò)電鍍、化學(xué)鍍、絲印、引線鍵合中的任意一種或多種，或其他合適的金屬沉積工藝形成。

再請(qǐng)參閱圖8，執(zhí)行步驟S6：在所述塑封層304與所述焊盤(pán)303相同一側(cè)的表面上形成所述功率傳輸芯片3的再布線層306；所述再布線層306的導(dǎo)電部分與所述導(dǎo)電柱305及所述焊盤(pán)303連接，實(shí)現(xiàn)所述有源元件301與無(wú)源元件302之間的電連接，并提供多條對(duì)接所述用電芯片5的供電軌道。

具體的，所述再布線層包括介電層3061及形成于所述介電層中的至少一層金屬連線3062及至少一層導(dǎo)電栓3063；所述金屬連線3062通過(guò)所述導(dǎo)電栓3063實(shí)現(xiàn)與所述有源元件301、無(wú)源元件302及導(dǎo)電柱305的電連接，且當(dāng)所述介電層3061中形成有多層金屬連線3062時(shí)，多層金屬連線3062之間通過(guò)所述導(dǎo)電栓3063實(shí)現(xiàn)層間電連接。

作為示例，所述金屬連線3062的材料包括Cu、Al、Ag、Au、Sn、Ni、Ti、Ta中的一種或多種，或其他適合的導(dǎo)電金屬材料。例如，所述金屬連線3062可以為Cu線，制作Cu線的種子層可以為T(mén)i/Cu層。形成所述金屬連線182的方法可以包括電解鍍、化學(xué)鍍、絲網(wǎng)印刷中的一種或多種，或其他適合的金屬沉積工藝。可以先通過(guò)激光鉆孔、機(jī)械鉆孔、反應(yīng)離子刻蝕、納米壓印或其他適合的開(kāi)孔方法在所述介電層3061內(nèi)形成通孔，然后再所述通孔內(nèi)填充金屬材料即可形成所述導(dǎo)電栓3063；所述導(dǎo)電栓3063的材料可以為焊料或Cu，填充方法可以為電解鍍、化學(xué)鍍、絲網(wǎng)印刷、引線鍵合或其他適合在通孔中填充導(dǎo)電材料的方法。

再請(qǐng)參閱圖9，執(zhí)行步驟S7：通過(guò)多個(gè)第一凸塊結(jié)構(gòu)4將所述用電芯片5與所述再布線層連接，實(shí)現(xiàn)所述用電芯片5與多條所述供電軌道的對(duì)接。

具體的，所述用電芯片包括但不限于專用集成電路裸芯(ASIC Die)。所述第一凸塊結(jié)構(gòu)4可以采用微凸塊(mico-bump)或其他合適的凸塊結(jié)構(gòu)。

作為示例，可以采用超聲鍵合、熱壓鍵合或普通的回流焊等工藝將所述用電芯片5經(jīng)由多個(gè)第一凸塊結(jié)構(gòu)4焊接于所述再布線層306上。

本實(shí)施例中，通過(guò)多個(gè)第一凸塊結(jié)構(gòu)將所述用電芯片與所述再布線層連接之后，還包括通過(guò)底部填充膠填滿所述用電芯片5與所述在布線層306之間間隙的步驟。底部填充膠簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是底部填充之義，常規(guī)定義是一種用化學(xué)膠水(主要成份是環(huán)氧樹(shù)脂)對(duì)芯片進(jìn)行底部填充，利用加熱的固化形式，將芯片底部空隙大面積(一般覆蓋80％以上)填滿，從而達(dá)到加固的目的，增強(qiáng)封裝結(jié)構(gòu)的抗跌落性能。

作為示例，底部填充方法可以為毛細(xì)填充(capillary underfill)或成型填充(Molding UnderFill，簡(jiǎn)稱MUF)。其中，毛細(xì)填充是利用毛細(xì)作用使得膠水迅速流過(guò)芯片底部，其毛細(xì)流動(dòng)的最小空間是10um。這也符合了焊接工藝中焊盤(pán)和焊錫球之間的最低電氣特性要求，因?yàn)槟z水是不會(huì)流過(guò)低于4um的間隙，所以保障了焊接工藝的電氣安全特性。

再請(qǐng)參閱圖10，還包括通過(guò)塑封材料7將所述用電芯片5周?chē)牟襟E。

最后請(qǐng)參閱圖11，執(zhí)行步驟S8：在所述塑封層與所述焊盤(pán)相對(duì)一側(cè)的表面上形成多個(gè)與所述導(dǎo)電柱連接的第二凸塊結(jié)構(gòu)8。

作為示例，所述第二凸塊結(jié)構(gòu)包括球柵陣列(Ball Grid Array，BGA)焊球。

具體的，所述封裝結(jié)構(gòu)可以通過(guò)所述第二凸塊結(jié)構(gòu)與封裝基板結(jié)合，所述封裝基板可以是PCB板(Printed Circuit Board，印制電路板)或其它合適的封裝件。外部電源電壓可以通過(guò)所述封裝基板施加到所述功率傳輸芯片上，并通過(guò)所述功率傳輸芯片轉(zhuǎn)換成用電芯片所需的多個(gè)電壓，這些轉(zhuǎn)換后的電壓進(jìn)而通過(guò)所述功率傳輸芯片中的多條供電軌道施加到用電芯片上。本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)由于集成了包含無(wú)源元件的功率傳輸芯片，可以消除封裝基板例如PCB板上的寄生電阻，從而提高功率傳輸效率，改善功率控制的響應(yīng)時(shí)間，提高保真度。

綜上所述，本發(fā)明提供了一種新的封裝方法，使用三維芯片堆疊技術(shù)將用電芯片與功率傳輸芯片集成在一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，具有以下有益效果：(1)采用現(xiàn)有的有源元件和無(wú)源元件形成有源2.5D中介板，然后通過(guò)微凸塊或其它凸塊結(jié)構(gòu)將用電芯片集成在有源2.5D中介板上，得到三維堆疊結(jié)構(gòu)；其中，所述用電芯片可以是專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit，簡(jiǎn)稱ASIC)。(2)在三維堆疊結(jié)構(gòu)中，有源2.5D中介板作為功率傳輸功率芯片，緊密集成于在用電芯片下方，解決了功率傳輸?shù)膯?wèn)題。(3)整個(gè)系統(tǒng)電路板的功率傳輸系統(tǒng)由所述功率傳輸芯片實(shí)現(xiàn)，所述功率傳輸芯片包括控制器、降壓變換器(buck converter)、電容器(CAP(3T))，電感(L(2T))和電阻，從而消除了系統(tǒng)板上所有的無(wú)源元件。(4)所述功率傳輸芯片中的降壓變換器可以產(chǎn)生成千上萬(wàn)低電壓功率傳輸軌道(供電軌道)，這些低電壓功率傳輸軌道通過(guò)微凸塊對(duì)接用電芯片。(5)本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)由于集成了包含無(wú)源元件的功率傳輸芯片，可以消除封裝基板例如PCB板上的寄生電阻，從而提高了功率傳輸效率，改善了功率控制的響應(yīng)時(shí)間。(6)通過(guò)減少壓降和噪聲提高了保真度，從而改善了響應(yīng)時(shí)間。由于需要更少的設(shè)計(jì)余量，可以獲得更好的保真度性能改善。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。