1.一種集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括用電芯片及連接于所述用電芯片下方的功率傳輸芯片；所述功率傳輸芯片用于將外部電源的電壓轉(zhuǎn)換成所述用電芯片所需的多個(gè)電壓，并提供多條對(duì)接所述用電芯片的供電軌道；所述封裝方法包括如下步驟：
提供一載體，并在所述載體上形成粘附層；
將所述功率傳輸芯片的有源元件與無(wú)源元件放置于所述粘附層上，其中，所述有源元件及無(wú)源元件具有焊盤(pán)的一面與所述粘附層接觸；
在所述粘附層上形成覆蓋所述有源元件與無(wú)源元件的塑封層，并對(duì)所述塑封層進(jìn)行研磨，以減薄所述塑封層；
去除所述載體及粘附層，暴露出所述焊盤(pán)；
形成多個(gè)上下貫穿所述塑封層的通孔，并在所述通孔中填充導(dǎo)電材料，得到導(dǎo)電柱；
在所述塑封層與所述焊盤(pán)相同一側(cè)的表面上形成所述功率傳輸芯片的再布線(xiàn)層；所述再布線(xiàn)層的導(dǎo)電部分與所述導(dǎo)電柱及所述焊盤(pán)連接，實(shí)現(xiàn)所述有源元件與無(wú)源元件之間的電連接，并提供多條對(duì)接所述用電芯片的供電軌道；
通過(guò)多個(gè)第一凸塊結(jié)構(gòu)將所述用電芯片與所述再布線(xiàn)層連接，實(shí)現(xiàn)所述用電芯片與多條所述供電軌道的對(duì)接；
在所述塑封層與所述焊盤(pán)相對(duì)一側(cè)的表面上形成多個(gè)與所述導(dǎo)電柱連接的第二凸塊結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：所述外部電源的電壓高于所述用電芯片所需的電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：所述有源元件包括控制器及降壓變換器；所述無(wú)源元件包括電容、電感和電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：通過(guò)多個(gè)第一凸塊結(jié)構(gòu)將所述用電芯片與所述再布線(xiàn)層連接之后，還包括通過(guò)底部填充膠填滿(mǎn)所述用電芯片底部與所述在布線(xiàn)層之間間隙的步驟，以及通過(guò)塑封材料將所述用電芯片周?chē)牟襟E。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：所述再布線(xiàn)層包括介電層及形成于所述介電層中的至少一層金屬連線(xiàn)及至少一層導(dǎo)電栓；所述金屬連線(xiàn)通過(guò)所述導(dǎo)電栓實(shí)現(xiàn)與所述有源元件、無(wú)源元件及導(dǎo)電柱的電連接，且當(dāng)所述介電層中形成有多層金屬連線(xiàn)時(shí)，多層金屬連線(xiàn)之間通過(guò)所述導(dǎo)電栓實(shí)現(xiàn)層間電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：所述第一凸塊結(jié)構(gòu)包括微凸塊；所述第二凸塊結(jié)構(gòu)包括球柵陣列焊球。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：所述用電芯片為專(zhuān)用集成電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：形成所述塑封層的方法包括壓縮成型、傳遞模塑、液封成型、真空層壓、旋涂中的任意一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：形成所述通孔的方法包括激光打孔、機(jī)械鉆孔、反應(yīng)離子刻蝕、納米壓印中的任意一種或多種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：形成所述導(dǎo)電柱的方法包括電鍍、化學(xué)鍍、絲印、引線(xiàn)鍵合中的一種或多種。