本發(fā)明涉及芯片封裝技術領域，尤其是涉及一種聲波元件封裝結構及其制造方法。

背景技術：

聲波元件主要應用于手機等通訊產(chǎn)品中，為迎合通訊產(chǎn)品便攜的要求和輕薄化的趨勢，聲波元件需要尺寸小、厚度薄。現(xiàn)有技術中，聲波元件的典型封裝結構及制造方法如下：將聲波元件用錫球?qū)аb焊接在陶瓷基板上；然后采用膜材料包覆該聲波元件，形成空腔結構；再于膜材料表面涂覆金屬層，金屬層在陶瓷基板表面接地，起到電磁屏蔽作用。現(xiàn)有技術存在以下缺陷：1、受到錫球焊接、膜材料包覆、涂覆金屬層的工藝限制，封裝結構的尺寸和厚度無法進一步減??；2、需要采用膜材料包覆整個聲波元件形成封裝空腔，導致膜材料用量大，由于膜材料比較昂貴，造成封裝成本高。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明公開了一種聲波元件封裝結構，可以進一步減小封裝尺寸、降低材料成本；

同時，本發(fā)明還公開了一種該聲波元件封裝結構的制造方法，旨在提高制造效率，降低材料成本和制造成本。

本發(fā)明的技術方案如下：

一種聲波元件封裝結構，包括：

聲波元件，其包括設有電路的第一表面，所述第一表面上設有傳感器及設于所述傳感器外側的若干第一焊盤，所述第一焊盤外圍由第一膜圍墻圍合；及

基板，其包括第二表面和第三表面，所述第二表面上設有與所述第一焊盤對應的第二焊盤；及

設于所述聲波元件外表面及第一膜圍墻側面和基板側面的金屬屏蔽層，所述金屬屏蔽層于所述基板側面接地；

所述第一焊盤與對應的第二焊盤通過金球焊接；所述第一膜圍墻與所述第一表面和第二表面形成氣密性空腔。

還包括設于所述第三表面上的用于連接PCB板的SMD墊。

作為優(yōu)選，還包括設于所述傳感器與所述第一焊盤之間的第二膜圍墻。

一種聲波元件封裝結構的制造方法，其特征在于，包括步驟：

S1、在聲波元件上壓合膜；

S2、在膜上設置底片，通過曝光顯影顯露膜的預定去除區(qū)；

S3、根據(jù)曝光顯影去掉預定去除區(qū)的膜，使膜在聲波元件上形成預定的第一膜圍墻和第二膜圍墻，并顯露出聲波元件上的傳感器和第一焊盤；

S4、將帶有第二焊盤的基板通過金球與聲波元件焊接固定，第一膜圍墻與聲波元件和基板接合形成氣密性空腔；

S5、在聲波元件外表面及第一膜圍墻側面和基板側面鍍金屬屏蔽層，并將所述金屬屏蔽層于所述基板側面接地。

所述步驟S1中采用整片聲波晶片與整片膜壓合，并在所述步驟S3與步驟S4之間還包括步驟

S301、將所述整片聲波晶片切割形成單個聲波元件。

所述基板為與多個所述聲波元件對應焊接固定的整板，并在所述步驟S4與步驟S5之間還包括步驟

S401、將所述整板與單個聲波元件對應分割。

所述聲波元件上的第一焊盤和所述基板上的第二焊盤通過所述金球以超聲波熱壓的方式焊接固定。

所述金屬屏蔽層采用濺鍍的方式鍍附于所述聲波元件外表面及第一膜圍墻側面和基板側面。

本發(fā)明公開的聲波元件封裝結構及其制造方法中，聲波元件使用金球?qū)аb焊接在基板上，焊接需要的焊盤小，可減小封裝尺寸，且無需使用昂貴的陶瓷基板， 聲波晶片外表面由金屬屏蔽層覆蓋，從而簡化了聲波元件封裝結構及制程，降低了材料成本和制造成本。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的聲波元件封裝結構在一實施例中的結構示意圖；

圖2至圖7是本發(fā)明的聲波元件封裝結構在一實施例中的制造工藝流程示意圖。

主要元件符號說明

聲波元件 1

第一焊盤 2

金球 3

空腔 4

第二焊盤 5

第一圍墻 6

基板 7

SMD墊 8

第二圍墻 9

金屬屏蔽層 10

底片 11

膜 12

傳感器 13

如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發(fā)明。

具體實施方式

請參閱圖1所示，是本發(fā)明的聲波元件封裝結構在一實施例中的結構示意圖。所述聲波元件封裝結構包括：

聲波元件1，其包括設有電路的第一表面，所述第一表面上設有傳感器13及設于所述傳感器13外側的若干第一焊盤2，所述第一焊盤2外圍由第一膜圍墻6圍合；及

基板7，其包括第二表面和第三表面，所述第二表面上設有與所述第一焊盤2對應的第二焊盤5；及

設于所述聲波元件1外表面及第一膜圍墻6的側面和基板7側面的金屬屏蔽層10，所述金屬屏蔽層10于所述基板7側面接地，起到電磁屏蔽作用；

所述第一焊盤2與對應的第二焊盤5通過金球3焊接；所述第一膜圍墻6與所述第一表面和第二表面形成氣密性空腔4，例如，在具體實施中，第一膜圍墻6在第一焊盤2外部圍合成一環(huán)形，環(huán)形的上下兩端由第一表面和第二表面封閉，形成氣密性空腔4，將傳感器13及第一焊盤2封閉其中；所述空腔4用于供所述傳感器13活動使用，所述第一膜圍墻6用于防止水汽等進入所述空腔4內(nèi)部。

在具體實施中，還可以包括設于所述第三表面上的SMD墊8，用于與PCB板進行電連接。

作為優(yōu)選，還包括設于所述傳感器與所述第一焊盤2之間的第二膜圍墻9，進一步起到隔絕作用。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的聲波元件封裝結構具有以下優(yōu)點：

1)聲波元件使用金球?qū)аb焊接在基板上，焊接需要的焊盤小，有利于減小封裝尺寸；

2)膜材料僅選擇性覆蓋聲波元件的線路區(qū)，以膜圍墻的形式形成空腔，不必全包覆，因此可減少膜材料的用量；

3)聲波元件的外表面無膜材料覆蓋，而是鍍附屏蔽金屬層，不僅減小了封裝厚度，還可改善封裝散熱。

參閱圖2至圖7，是本發(fā)明的聲波元件封裝結構在一實施例中的制造工藝流程示意圖。所述聲波元件封裝結構的制造方法包括步驟：

S1、在聲波元件上壓合膜12；

S2、在膜12上設置底片，通過曝光顯影顯露膜12的預定去除區(qū)；

S3、根據(jù)曝光顯影去掉預定去除區(qū)的膜，使膜在聲波元件1上形成預定的第一膜圍墻6，并顯露出聲波元件1上的傳感器和第一焊盤2，從而實現(xiàn)膜材料在聲波元件線路區(qū)的選擇性覆蓋；

S4、將帶有第二焊盤5的基板7通過金球3與聲波元件1焊接固定，第一膜圍墻6與聲波元件1和基板7接合形成氣密性空腔4，相應的，第二膜圍墻9與聲波元件1和基板7接合，在氣密性空腔4內(nèi)形成一較小的空腔；

S5、在聲波元件1的外表面及第一膜圍墻6側面和基板7側面鍍金屬屏蔽層10，并將所述金屬屏蔽層10于所述基板7側面接地。

在具體實施中，為實現(xiàn)連續(xù)加工、減少裝夾次數(shù)，所述步驟S1中采用整片聲波晶片與整片膜壓合，并在所述步驟S3與步驟S4之間還包括步驟

S301、將所述整片聲波晶片切割形成單個聲波元件。

同理，為減少裝夾次數(shù)、提高加工效率，所述基板7為與多個所述聲波元件1對應焊接固定的整板，并在所述步驟S4與步驟S5之間還包括步驟

S401、將所述整板與單個聲波元件對應分割。

所述聲波元件1上的第一焊盤2和所述基板7上的第二焊盤5通過所述金球3以超聲波熱壓的方式焊接固定。

所述金屬屏蔽層10采用濺鍍的方式鍍附于所述聲波元件1外表面及第一膜圍墻6側面和基板7側面。

以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發(fā)明的技術方案進行修改或等同替換，而不脫離本發(fā)明技術方案的精神和范圍。