本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)：

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，有源式液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display，AMLCD)是目前最廣泛使用的平板顯示器之一，液晶面板是有源式液晶顯示器的核心組成部分。傳統(tǒng)的液晶面板通常是由一彩色濾光片(Color Filter，CF)基板、一薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列基板以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構(gòu)成，其工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。其中薄膜晶體管陣列基板上制備TFT陣列，用于驅(qū)動(dòng)液晶的旋轉(zhuǎn)，控制每個(gè)像素的顯示。

薄膜晶體管具有多種結(jié)構(gòu)，目前，主流的AMLCD多采用底柵型TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，如圖1所示，為現(xiàn)有一種底柵型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，所述底柵型TFT陣列基板包括玻璃基板100、設(shè)于玻璃基板100上的柵極200、設(shè)于柵極200與玻璃基板100上的柵極絕緣層(GI)300、設(shè)于柵極絕緣層300上的有源層(active layer)400、設(shè)于有源層400與柵極絕緣層300上的間隔的源極510和漏極520、設(shè)于源極510、漏極520、有源層400與柵極絕緣層300上的鈍化層(PV)600。該底柵型TFT陣列基板的制作方法包括：

步驟101、提供一玻璃基板100，在所述玻璃基板100上沉積第一金屬層(M1)，對(duì)第一金屬層進(jìn)行圖案化處理，得到柵極200；在柵極200與玻璃基板100上沉積形成柵極絕緣層300；

步驟102、在所述柵極絕緣層300上依次沉積未摻雜非晶硅層(a-si)與硼離子摻雜非晶硅層，采用灰階光罩(gray tone Mask)或半色調(diào)光罩(half tone Mask)等高階光罩對(duì)未摻雜非晶硅層與硼離子摻雜非晶硅層進(jìn)行圖案化處理，得到有源層400，其中，硼離子摻雜非晶硅層經(jīng)圖案化后形成有源層400的N型歐姆接觸層410；

步驟103、在所述有源層400及柵極絕緣層300上沉積第二金屬層(M2)，對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理，得到源極510與漏極520；

步驟104、在所述源極510、漏極520、有源層400與柵極絕緣層300上沉積形成鈍化層600。

另外，底柵型TFT陣列基板制作過程中，在形成鈍化層600之后，為實(shí)現(xiàn)漏極520與像素電極的連接，還需要在所述鈍化層600上形成對(duì)應(yīng)于所述漏極520上方的過孔。

現(xiàn)在主流的AMLCD采用底柵型TFT陣列基板主要出于下面考量：一方面底柵型TFT的柵極200可以作為遮光層，屏蔽來自于背光(back light)模組的光線對(duì)于有源層400的照射，從而避免產(chǎn)生光電流影響器件穩(wěn)定性；另一方面柵極絕緣層300/非晶硅層/硼離子摻雜非晶硅層的薄膜沉積順序合理，界面影響小，蝕刻方便。

然而，在形成過孔的制程中，很容易發(fā)生因?yàn)殡s質(zhì)(particle)等因素造成的過孔異?；蚺c像素電極橋接不良，從而降低產(chǎn)品良率。另外主流AMLCD中黑色矩陣(Black Matrix，BM)和彩色濾光層通常制作在CF基板側(cè)，這樣不僅會(huì)使CF基板制程復(fù)雜，更因?yàn)橐紤]CF基板與TFT陣列基板對(duì)組時(shí)的偏移量而不得不加寬黑色矩陣，從而使產(chǎn)品的開口率下降。

COA(Color Filter on Array)技術(shù)是將彩色濾光層即R、G、B色阻直接制備在的陣列基板上的技術(shù)，而BOA(Black Matrix on Array)技術(shù)是將黑色矩陣直接制備在的陣列基板上的技術(shù)。因?yàn)镃OA顯示面板中RGB色阻制作在TFT陣列基板之上，不存在彩膜基板與陣列基板的對(duì)位問題，所以可以降低顯示面板制備過程中對(duì)盒制程的難度，避免了對(duì)盒時(shí)的誤差，然而現(xiàn)有COA型陣列基板中，彩色濾光層通常設(shè)于TFT器件與像素電極之間，從而通常需要在彩色濾光層上設(shè)置開口(OPEN)以實(shí)現(xiàn)層間的連接，這在后續(xù)制程中很容易導(dǎo)致氣泡(bubble)的產(chǎn)生。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板的制作方法，可以提高TFT器件的電學(xué)性能及性能穩(wěn)定性，提升顯示面板的品質(zhì)，且縮減了所使用的光罩和制程，制作方法簡(jiǎn)單，節(jié)約生產(chǎn)成本。

本發(fā)明的目的還在于提供一種陣列基板，制作方法簡(jiǎn)單，TFT器件電學(xué)性能及性能穩(wěn)定高，可提升顯示面板的品質(zhì)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供一襯底基板，在所述襯底基板上涂布一層黑色光阻材料，經(jīng)曝光顯影后，得到黑色矩陣；然后在黑色矩陣、及襯底基板上沉積形成隔離層；

步驟S2、在所述隔離層上依次沉積第二金屬層、及離子摻雜非晶硅層，對(duì)所述第二金屬層、及離子摻雜非晶硅層進(jìn)行圖案化處理，由所述第二金屬層得到間隔的源極和漏極，由所述離子摻雜非晶硅層得到位于所述源極和漏極上的歐姆接觸層，所述歐姆接觸層的尺寸小于所述源極和漏極的尺寸而露出所述漏極的部分上表面；

步驟S3、在經(jīng)過步驟S2的襯底基板上沉積透明導(dǎo)電膜，對(duì)所述透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化處理，得到像素電極，所述像素電極位于所述漏極、及隔離層上，與所述歐姆接觸層露出的漏極相接觸；

步驟S4、在經(jīng)過步驟S3的襯底基板上沉積非晶硅層，對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行圖案化處理，得到半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層位于所述歐姆接觸層、及隔離層上，與所述歐姆接觸層共同構(gòu)成有源層；

步驟S5、在經(jīng)過步驟S4的襯底基板上依次沉積柵極絕緣層、第一金屬層，對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖案化處理，得到對(duì)應(yīng)位于所述有源層上方的柵極；

步驟S6、在所述柵極絕緣層、及柵上沉積鈍化層；

步驟S7、在所述鈍化層上形成彩色濾光膜層。

所述步驟S2中對(duì)所述第二金屬層、及離子摻雜非晶硅層采用一道光罩進(jìn)行圖案化處理，其具體過程為：在所述離子摻雜非晶硅層上涂布光阻材料，使用所述光罩對(duì)該光阻材料進(jìn)行曝光顯影后，得到光阻層，以該光阻層為遮蔽層，首先對(duì)所述離子摻雜非晶硅層進(jìn)行干法蝕刻，得到歐姆接觸層，然后對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行濕法蝕刻，得到源極和漏極。

所述離子摻雜非晶硅層與所述非晶硅層均采用化學(xué)氣相沉積法制備；

所述離子摻雜非晶硅層與所述非晶硅層在制備方法上的區(qū)別為：沉積所述離子摻雜非晶硅層時(shí)在化學(xué)氣相沉積過程中通入硼烷氣體。

所述隔離層、柵極絕緣層、及鈍化層均采用化學(xué)氣相沉積法制備；

所述隔離層、柵極絕緣層、及鈍化層均為氮化硅層、氧化硅層、或氮化硅層與氧化硅層的堆棧組合。

所述第二金屬層與所述第一金屬層均采用物理氣相沉積法制備；

所述第二金屬層與所述第一金屬層的材料均為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種。

本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上的黑色矩陣、設(shè)于所述黑色矩陣、及襯底基板上的隔離層、設(shè)于所述隔離層上的源極和漏極、設(shè)于所述源極和漏極上的歐姆接觸層、設(shè)于所述漏極、及隔離層上的像素電極、設(shè)于所述歐姆接觸層、及隔離層上的半導(dǎo)體層、設(shè)于所述像素電極、半導(dǎo)體層、及隔離層上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上的柵極、設(shè)于所述柵極絕緣層、及柵極上的鈍化層、以及設(shè)于所述鈍化層上的彩色濾光膜層；

其中，所述歐姆接觸層的尺寸小于所述源極和漏極的尺寸而露出所述漏極的部分上表面；所述像素電極與所述歐姆接觸層露出的漏極相接觸；所述半導(dǎo)體層與所述歐姆接觸層分別通過非晶硅材料層和離子摻雜非晶硅材料層形成，所述半導(dǎo)體層與所述歐姆接觸層共同構(gòu)成有源層。

所述歐姆接觸層與所述源極和漏極通過一道光罩經(jīng)圖案化處理形成，其中所述歐姆接觸層通過干法蝕刻形成，所述源極和漏極通過濕法蝕刻形成。

所述歐姆接觸層與所述半導(dǎo)體層均采用化學(xué)氣相沉積法制備；

所述歐姆接觸層與所述半導(dǎo)體層在制備方法上的區(qū)別為：制備所述歐姆接觸層時(shí)在化學(xué)氣相沉積過程中通入硼烷氣體。

所述隔離層、柵極絕緣層、及鈍化層均采用化學(xué)氣相沉積法制備；

所述隔離層、柵極絕緣層、及鈍化層均為氮化硅層、氧化硅層、或氮化硅層與氧化硅層的堆棧組合。

所述源極、漏極、及柵極均采用物理氣相沉積法制備；

所述源極、漏極、及柵極的材料均為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明的陣列基板的制作方法，先在襯底基板上制作黑色矩陣，再在黑色矩陣上方制作頂柵型的TFT器件，最后在TFT器件上方制作彩色濾光層，其中，像素電極直接設(shè)于漏極上與漏極相接觸，而不用通過在絕緣層上設(shè)置過孔而進(jìn)行連接，這也省略了彩色濾光層上開口的設(shè)置，可以有效減小COA型陣列基板上氣泡的產(chǎn)生，再者，黑色矩陣可以作為遮光層用于防止顯示面板中背光模組的光線對(duì)有源層的照射，從而提高器件的穩(wěn)定性，再者，最上層的彩色濾光層可以將整個(gè)陣列基板的表面平坦化，這樣便于顯示面板中盒厚(cell gap)的控制，也不會(huì)導(dǎo)致液晶倒向變亂的情況出現(xiàn)，從而提升了顯示面板的品質(zhì)，再者，構(gòu)成有源層的歐姆接觸層與源極和漏極共同采用一道光罩圖案化形成，而半導(dǎo)體層通過另一道光罩圖案化形成，從而不需要采用高階光罩來制作有源層上的溝道區(qū)，相當(dāng)于利用一道普通光罩工序即完成了有源層的制作，達(dá)到縮短生產(chǎn)周期、節(jié)約成本的目的，并且這也不會(huì)存在因蝕刻形成溝道區(qū)而需加厚半導(dǎo)體層的問題，進(jìn)而可以制作出較薄的半導(dǎo)體層，從而提高TFT器件的電學(xué)性能。本發(fā)明的陣列基板，制作方法簡(jiǎn)單，TFT器件電學(xué)性能好、性能穩(wěn)定，可提升顯示面板的品質(zhì)。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有一種底柵型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的流程示意圖；

圖3-4為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的步驟S1的示意圖；

圖5-6為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的步驟S2的示意圖；

圖7為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的步驟S3的示意圖；

圖8-9為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的步驟S4的示意圖；

圖10-11為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的步驟S5的示意圖；

圖12為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的步驟S6的示意圖；

圖13為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的步驟S7的示意圖暨本發(fā)明的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟S1、如圖3-4所示，提供一襯底基板10，在所述襯底基板10上涂布一層黑色光阻材料，經(jīng)曝光顯影后，得到黑色矩陣20；然后在黑色矩陣20、及襯底基板10上沉積形成隔離層30。

具體地，所述隔離層30用于隔離黑色矩陣20的光阻材料對(duì)后續(xù)制成的TFT器件的污染，需要注意的是由于黑色矩陣20為光阻材料，在后續(xù)制程中應(yīng)盡量采用低溫制程，避免因光阻熱穩(wěn)定性差而造成的邊緣效應(yīng)(side effect)。

具體地，所述隔離層30采用采用化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)制備；所述隔離層30為氮化硅(SiNx)層、氧化硅(SiO₂)層、或氮化硅層與氧化硅層的堆棧組合，本實(shí)施例中優(yōu)選為氮化硅層。

步驟S2、如圖5-6所示，在所述隔離層30上依次沉積第二金屬層40’、及離子摻雜非晶硅層51’，對(duì)所述第二金屬層40’、及離子摻雜非晶硅層51’進(jìn)行圖案化處理，由所述第二金屬層40’得到間隔的源極41和漏極42，由所述離子摻雜非晶硅層51’得到位于所述源極41和漏極42上的歐姆接觸層51，所述歐姆接觸層51的尺寸小于所述源極41和漏極42的尺寸而露出所述漏極42的部分上表面。

具體地，所述第二金屬層40’采用物理氣相沉積法(Physical Vapor Deposition，PVD)制備；所述第二金屬層40’的材料為鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)中的一種或多種。

具體地，所述步驟S2中對(duì)所述第二金屬層40’、及離子摻雜非晶硅層51’采用一道光罩進(jìn)行圖案化處理，其具體過程為：在所述離子摻雜非晶硅層51’上涂布光阻材料，使用該光罩對(duì)該光阻材料進(jìn)行曝光顯影后，得到光阻層，以該光阻層為遮蔽層，首先對(duì)所述離子摻雜非晶硅層51’進(jìn)行干法蝕刻，得到歐姆接觸層51，然后對(duì)所述第二金屬層40’進(jìn)行濕法蝕刻，得到源極41和漏極42；由于干法蝕刻相對(duì)于濕法蝕刻在橫向上蝕刻的程度較大，因此，通過干法蝕刻得到的歐姆接觸層51比通過濕法蝕刻得到的源極41和漏極42，在尺寸上要小一些，從而能夠漏出漏極42的上表面的一部分，以利于后續(xù)所述漏極42與像素電極進(jìn)行連接。

步驟S3、如圖7所示，在經(jīng)過步驟S2的襯底基板10上沉積透明導(dǎo)電膜，對(duì)所述透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化處理，得到像素電極60，所述像素電極60位于所述漏極42、及隔離層30上，與所述歐姆接觸層51露出的漏極42相接觸。

具體地，所述透明導(dǎo)電膜采用物理氣相沉積法制備；所述透明導(dǎo)電膜的材料為氧化銦錫(ITO)。

步驟S4、如圖8-9所示，在經(jīng)過步驟S3的襯底基板10上沉積非晶硅層52’，對(duì)所述非晶硅層52’進(jìn)行圖案化處理，得到半導(dǎo)體層52，所述半導(dǎo)體層52位于所述歐姆接觸層51、及隔離層30上，與所述歐姆接觸層51共同構(gòu)成有源層50。

具體地，所述步驟S2中形成的離子摻雜非晶硅層51’與所述步驟S4中形成非晶硅層52’均采用化學(xué)氣相沉積法制備。

具體地，所述離子摻雜非晶硅層51’與所述非晶硅層52’在制備方法上的區(qū)別為：沉積所述離子摻雜非晶硅層51’時(shí)在化學(xué)氣相沉積過程中通入硼烷氣體，其中，所述硼烷氣體具體為乙硼烷氣體，所述歐姆接觸層51為N型歐姆接觸層。

步驟S5、如圖10-11所示，在經(jīng)過步驟S4的襯底基板10上依次沉積柵極絕緣層70、第一金屬層80’，對(duì)所述第一金屬層80’進(jìn)行圖案化處理，得到對(duì)應(yīng)位于所述有源層50上方的柵極80。

具體地，所述柵極絕緣層70采用化學(xué)氣相沉積法制備。

具體地，所述柵極絕緣層70為氮化硅層、氧化硅層、或氮化硅層與氧化硅層的堆棧組合。

具體地，所述第一金屬層80’采用物理氣相沉積法制備；所述第一金屬層80’的材料為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種。

步驟S6、如圖12所示，在所述柵極絕緣層70、及柵極80上沉積鈍化層90。

具體地，所述鈍化層90采用化學(xué)氣相沉積法制備；所述鈍化層90為氮化硅層、氧化硅層、或氮化硅層與氧化硅層的堆棧組合。

步驟S7、如圖13所示，在所述鈍化層90上形成彩色濾光膜層95。

具體地，所述彩色濾光膜層95包括紅色色阻單元、綠色色阻單元、及藍(lán)色色阻單元，所述彩色濾光膜層95通過光阻涂布、曝光、及顯影工藝所形成。

本發(fā)明的陣列基板的制作方法，像素電極60直接形成于漏極42上與漏極42相接觸，而不用通過在柵極絕緣層70等絕緣層上設(shè)置過孔而進(jìn)行連接，這也省略了彩色濾光層95上開口的設(shè)置，可以有效減小COA型陣列基板上氣泡的產(chǎn)生，再者，黑色矩陣20可以作為遮光層用于防止顯示面板中背光模組的光線對(duì)有源層50的照射，從而提高器件的穩(wěn)定性，再者，最上層的彩色濾光層95可以將整個(gè)陣列基板的表面平坦化，這樣便于顯示面板中盒厚的控制，也不會(huì)導(dǎo)致液晶倒向變亂的情況出現(xiàn)，從而提升了顯示面板的品質(zhì)，再者，構(gòu)成有源層50的歐姆接觸層51與源極41和漏極42共同采用一道光罩圖案化形成，而半導(dǎo)體層52通過另一道光罩圖案化形成，從而不需要采用高階光罩來制作有源層50上的溝道區(qū)，相當(dāng)于利用一道普通光罩工序即完成了有源層50的制作，從而達(dá)到了縮短生產(chǎn)周期、節(jié)約成本的目的，并且這也不會(huì)存在因蝕刻形成溝道區(qū)而需加厚半導(dǎo)體層52的問題，進(jìn)而可以制作出較薄的半導(dǎo)體層52，從而提高TFT器件的電學(xué)性能。

基于上述的陣列基板的制作方法，請(qǐng)參閱圖13，本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括襯底基板10、設(shè)于所述襯底基板10上的黑色矩陣20、設(shè)于所述黑色矩陣20、及襯底基板10上的隔離層30、設(shè)于所述隔離層30上的間隔的源極41和漏極42、設(shè)于所述源極41和漏極42上的歐姆接觸層51、設(shè)于所述漏極42、及隔離層30上的像素電極60、設(shè)于所述歐姆接觸層51、及隔離層30上的半導(dǎo)體層52、設(shè)于所述像素電極60、半導(dǎo)體層52、及隔離層30上的柵極絕緣層70、設(shè)于所述柵極絕緣層70上的柵極80、設(shè)于所述柵極絕緣層70、及柵極80上的鈍化層90、以及設(shè)于所述鈍化層90上的彩色濾光膜層95；

其中，所述歐姆接觸層51的尺寸小于所述源極41和漏極42的尺寸而露出所述漏極42的部分上表面；所述像素電極60與所述歐姆接觸層51露出的漏極42相接觸；所述半導(dǎo)體層52與所述歐姆接觸層51分別通過非晶硅材料層和離子摻雜非晶硅材料層形成，所述半導(dǎo)體層52與所述歐姆接觸層51共同構(gòu)成有源層50。

具體地，所述歐姆接觸層51與所述源極41和漏極42通過一道光罩經(jīng)圖案化處理形成，其中所述歐姆接觸層51通過干法蝕刻形成，所述源極41和漏極42通過濕法蝕刻形成。

具體地，所述歐姆接觸層51與所述半導(dǎo)體層52均采用化學(xué)氣相沉積法制備；所述歐姆接觸層51與所述半導(dǎo)體層52在制備方法上的區(qū)別為：制備所述歐姆接觸層51時(shí)在化學(xué)氣相沉積過程中通入硼烷氣體，具體為乙硼烷氣體。

具體地，所述隔離層30、柵極絕緣層70、及鈍化層90均采用化學(xué)氣相沉積法制備；所述隔離層30、柵極絕緣層70、及鈍化層90均為氮化硅層、氧化硅層、或氮化硅層與氧化硅層的堆棧組合。

具體地，所述源極41、漏極42、及柵極80均采用物理氣相沉積法制備；所述源極41、漏極42、及柵極80的材料均為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種。

具體地，所述像素電極60采用物理氣相沉積法制備；所述像素電極60的材料為氧化銦錫。

綜上所述，本發(fā)明的陣列基板的制作方法，先在襯底基板上制作黑色矩陣，再在黑色矩陣上方制作頂柵型的TFT器件，最后在TFT器件上方制作彩色濾光層，其中，像素電極直接設(shè)于漏極上與漏極相接觸，而不用通過在絕緣層上設(shè)置過孔而進(jìn)行連接，這也省略了彩色濾光層上開口的設(shè)置，可以有效減小COA型陣列基板上氣泡的產(chǎn)生，再者，黑色矩陣可以作為遮光層用于防止顯示面板中背光模組的光線對(duì)有源層的照射，從而提高器件的穩(wěn)定性，再者，最上層的彩色濾光層可以將整個(gè)陣列基板的表面平坦化，這樣便于顯示面板中盒厚的控制，也不會(huì)導(dǎo)致液晶倒向變亂的情況出現(xiàn)，從而提升了顯示面板的品質(zhì)，再者，構(gòu)成有源層的歐姆接觸層與源極和漏極共同采用一道光罩圖案化形成，而半導(dǎo)體層通過另一道光罩圖案化形成，從而不需要采用高階光罩來制作有源層上的溝道區(qū)，相當(dāng)于利用一道普通光罩工序即完成了有源層的制作，達(dá)到縮短生產(chǎn)周期、節(jié)約成本的目的，并且這也不會(huì)存在因蝕刻形成溝道區(qū)而需加厚半導(dǎo)體層的問題，進(jìn)而可以制作出較薄的半導(dǎo)體層，從而提高TFT器件的電學(xué)性能。本發(fā)明的陣列基板，制作方法簡(jiǎn)單，TFT器件電學(xué)性能好、性能穩(wěn)定，可提升顯示面板的品質(zhì)。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。