本揭露實施例是有關(guān)于一種制造半導(dǎo)體裝置的方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體裝置通常是通過放置多個集成電路(integratedcircuits,ics)于如硅的半導(dǎo)體晶圓上方的矩陣圖案內(nèi)而制得，而各集成電路由多個元件形成，且具有特定功能。

放置在晶圓基板上的多個晶片透過呈現(xiàn)柵格圖案的切割區(qū)域(切割線)彼此隔開。在透過半導(dǎo)體制程形成多個晶片于單個基板上方之后，透過沿著切割區(qū)域?qū)⒒迩懈畛蓚€別的晶片，以將基板分離成個別的半導(dǎo)體裝置。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)一些實施例，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含：接收半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其具有晶片區(qū)域、圍繞晶片區(qū)域的密封環(huán)區(qū)域及圍繞密封環(huán)區(qū)域定義的切割區(qū)域，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含于晶片區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體晶片；以及模塑化合物設(shè)置圍繞半導(dǎo)體晶片且分布于晶片區(qū)域、密封環(huán)區(qū)域及切割區(qū)域內(nèi)；形成絕緣膜于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的晶片區(qū)域及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的密封環(huán)區(qū)域上；形成密封環(huán)于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的密封環(huán)區(qū)域上且側(cè)向鄰接絕緣膜，其中密封環(huán)具有露出側(cè)表面背對絕緣膜；以及形成保護層，其定義出位于密封環(huán)的露出側(cè)表面上方的大致平滑斜側(cè)表面。

附圖說明

為讓本揭露的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下：

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖；

圖2-5繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的一種制造半導(dǎo)體裝置于各個階段的剖面圖；

圖6-9繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的一種制造半導(dǎo)體裝置于各個階段的剖面圖；

圖10繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的密封環(huán)及絕緣結(jié)構(gòu)的sem影像。

具體實施方式

以下提供本揭露的多種不同的實施例或?qū)嵗?，以實現(xiàn)所提供的標的的不同技術(shù)特征。下述具體實例的元件和設(shè)計用以簡化本揭露。當然，這些僅為示例，而非用以限定本揭露。舉例而言，說明書中揭示形成第一特征結(jié)構(gòu)于第二特征結(jié)構(gòu)的上方，其包括第一特征結(jié)構(gòu)與第二特征結(jié)構(gòu)形成而直接接觸的實施例，亦包括于第一特征結(jié)構(gòu)與第二特征結(jié)構(gòu)之間另有其他特征結(jié)構(gòu)的實施例，亦即，第一特征結(jié)構(gòu)與第二特征結(jié)構(gòu)并非直接接觸。此外，本揭露于各個實例中可能用到重復(fù)的參考符號及/或用字。這些重復(fù)符號或用字是為了簡化與清晰的目的，并非用以限定各個實施例及/或所述結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。

另外，空間相對用語，如“下”、“上”等，是用以方便描述一元件或特征與其他元件或特征在附圖中的相對關(guān)系。這些空間相對用語旨在包含除了附圖中所示的方位以外，裝置在使用或操作時的不同方位。裝置可被另外定位(例如旋轉(zhuǎn)90度或其他方位)，而本文所使用的空間相對敘述亦可相對應(yīng)地進行解釋。

如上所述，在透過半導(dǎo)體制程形成多個晶片于單個基板上方之后，透過沿著切割區(qū)域?qū)⒒迩懈畛蓚€別的晶片，以將基板分離成個別的半導(dǎo)體裝置。假如模塑化合物及絕緣層(例如聚酰亞胺層)位于切割區(qū)域，可進行激光預(yù)切割制程，以切割絕緣層，從而暴露出模塑化合物的一部分，然后進行模切制程，以切割模塑化合物。然而激光預(yù)切割制程是昂貴的。

本揭露提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其不在切割線區(qū)域形成絕緣層，以除去對于激光預(yù)切割制程的需求，從而降低生產(chǎn)成本。此外，此制造半導(dǎo)體裝置的方法可避免在制程期間的各種分層(剝離)，特別是使用化學(xué)物的濕制程，如光阻剝離制程或蝕刻制程。此制造半導(dǎo)體裝置的方法的實施例將于以下詳加敘述。

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的上視圖。圖2-5繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的一種制造半導(dǎo)體裝置50于各個階段的剖面圖。

圖2繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的沿著圖1剖面線段2-2’的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的剖面圖。如圖1及圖2所示，示出了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100。參照圖1的上視圖，在實際應(yīng)用中，其可為多個晶片區(qū)域(在此僅顯示一個)被定義在一個晶圓上，而這些晶片區(qū)域通過多個環(huán)形密封環(huán)區(qū)域(未繪示)彼此隔開。此外，提供呈現(xiàn)柵格圖案的多個切割線/區(qū)域(未繪示)，以虛擬地使晶圓上鄰近的晶片彼此分離。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100具有晶片區(qū)域100a、圍繞晶片區(qū)域100a的密封環(huán)區(qū)域100b及圍繞密封環(huán)區(qū)域100b定義的切割區(qū)域100c。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包含半導(dǎo)體晶片(晶粒)110及模塑化合物120設(shè)置圍繞半導(dǎo)體晶片110，如圖1所示。如圖2所示，半導(dǎo)體晶片110位于晶片區(qū)域100a內(nèi)。模塑化合物120分布于晶片區(qū)域100a、密封環(huán)區(qū)域100b及切割區(qū)域100c內(nèi)。在一些實施例中，半導(dǎo)體晶片110具有一上表面與模塑化合物120的一上表面共平面。

在一些實施例中，如圖2所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包含導(dǎo)電圖案130位于密封環(huán)區(qū)域100b內(nèi)。在一些實施例中，導(dǎo)電圖案130與半導(dǎo)體晶片110是隔開的。在一些實施例中，導(dǎo)電圖案130具有一上表面與模塑化合物120的一上表面共平面。在一些實施例中，導(dǎo)電圖案130包含銅。在一些實施例中，如圖1所示，導(dǎo)電圖案130包含矩形環(huán)狀輪廓，其連續(xù)地圍繞半導(dǎo)體晶片110。在一些實施例中，如圖1所示，導(dǎo)電圖案130的一側(cè)與半導(dǎo)體晶片110的一側(cè)大致平行。

在一些實施例中，如圖2所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包含通孔140位于晶片區(qū)域100a內(nèi)。在一些實施例中，通孔140設(shè)置用以連接其他元件(未繪示)。在一些實施例中，通孔140為貫通集成扇出型孔(throughinfo(integratedfan-out)via,tiv)。在一些實施例中，通孔140被側(cè)向地安排在半導(dǎo)體晶片110與導(dǎo)電圖案130之間。在一些實施例中，通孔140包含銅。在一些實施例中，如圖1所示，安排多個圓形通孔140圍繞半導(dǎo)體晶片110，而其進一步被環(huán)形導(dǎo)電圖案130所圍繞。

如圖2所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包含載體基板150位于半導(dǎo)體晶片110及模塑化合物120的下方。在一些實施例中，載體基板150亦位于導(dǎo)體圖案130及通孔140的下方。在一些實施例中，載體基板150設(shè)置用以在一系列的制程中，如微影及蝕刻制程、電鍍制程及/或安裝制程，支撐半導(dǎo)體晶片110及模塑化合物120。在一些實施例中，載體基板150由玻璃、石英或任何其他合適的材料制成。

如圖2所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包含絕緣層160，其被安排在半導(dǎo)體晶片110/模塑化合物120與載體基板150之間。在一些實施例中，絕緣層160包含聚酰亞胺樹脂。

在一些實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包含離型層170位于絕緣層160與載體基板150之間。在一些實施例中，離型層170設(shè)置用以從絕緣層160分離載體基板150。在一些實施例中，離型層170為光熱轉(zhuǎn)換(lighttoheatconversion,lthc)層。

如圖3所示，形成絕緣膜200于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的晶片區(qū)域100a及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的密封環(huán)區(qū)域100b上。此外，形成密封環(huán)300于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的密封環(huán)區(qū)域100b上。此密封環(huán)300被形成側(cè)向鄰接絕緣膜200，且具有露出側(cè)表面300a背對絕緣膜200。在一些實施例中，形成密封環(huán)300于導(dǎo)電圖案130的上方，且接觸導(dǎo)電圖案130。

在一些實施例中，形成絕緣膜200包含形成多個絕緣層彼此堆疊且呈現(xiàn)階梯狀構(gòu)造，如第一絕緣層210、第二絕緣層220及第三絕緣層230，如圖3所示。在一些實施例中，密封環(huán)300包含多個導(dǎo)電層/特征彼此連接，如第一導(dǎo)電層/特征310、第二導(dǎo)電層/特征320及第三導(dǎo)電層/特征330，如圖3所示。在一些實施例中，形成密封環(huán)300包含形成密封環(huán)300的階梯狀部分(如第一、第二及第三導(dǎo)電特征310、320及330)側(cè)向鄰接呈現(xiàn)階梯狀構(gòu)造的絕緣層(如第一、第二及第三絕緣層210、220及230)。形成絕緣膜200及密封環(huán)300的實施例將于以下詳加敘述。

在一些實施例中，第一絕緣層210形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的晶片區(qū)域100a及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的密封環(huán)區(qū)域100b上方。在一些實施例中，毯覆式形成(如旋轉(zhuǎn)涂布)第一絕緣材料(未繪示)于晶片區(qū)域100a及密封環(huán)區(qū)域100b上方，然后圖案化，如使用微影(包含曝光及顯影)制程，以形成第一絕緣層210。在一些實施例中，第一絕緣層210包含聚酰亞胺樹脂。

在一些實施例中，形成第一絕緣層210還包含形成第一絕緣層210于導(dǎo)電圖案130上方并接觸導(dǎo)電圖案130。在一些實施例中，相較于模塑化合物120，導(dǎo)電圖案130具有較強的光反射，而使得曝光制程的制程窗較大。因此，導(dǎo)電圖案130可幫助形成第一絕緣層210的小開口(例如直徑小于或等于10微米)。

在一些實施例中，第一導(dǎo)電層310形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的晶片區(qū)域100a及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的密封環(huán)區(qū)域100b上方，且側(cè)向鄰接第一絕緣層210的周邊部分(未標示)。在一些實施例中，形成于密封環(huán)區(qū)域100b上方的第一導(dǎo)電層310作為密封環(huán)300的一部分，而形成于晶片區(qū)域100a上方的第一導(dǎo)電層310作為互連結(jié)構(gòu)(未標示)的一部分。在一些實施例中，毯覆式形成(如電鍍)第一導(dǎo)電材料(未繪示)于第一絕緣層210上方，然后圖案化(如使用微影及蝕刻制程)，以形成第一導(dǎo)電層310。在一些實施例中，第一導(dǎo)電層310包含銅。

在一些實施例中，第二絕緣層220形成于第一絕緣層210上方，但仍暴露出第一導(dǎo)電特征310的一側(cè)表面，此側(cè)表面背對第一絕緣層210。在一些實施例中，毯覆式形成(如旋轉(zhuǎn)涂布)第二絕緣材料(未繪示)于第一絕緣層210及第一導(dǎo)電層310上方，然后圖案化(如使用微影(包含曝光及顯影)制程)，以形成第二絕緣層220。在一些實施例中，第二絕緣層220包含聚酰亞胺樹脂。

在一些實施例中，第二導(dǎo)電層320形成于第二絕緣層220的周邊部分的上方，且側(cè)向鄰接第二絕緣層220的周邊部分，但仍暴露出第二導(dǎo)電特征320的一側(cè)表面，此側(cè)表面背對第二絕緣層220。在一些實施例中，第二導(dǎo)電層320形成于第二絕緣層220的周邊部分及第一導(dǎo)電特征310的上方，且接觸第二絕緣層220的周邊部分及第一導(dǎo)電特征310。在一些實施例中，形成于密封環(huán)區(qū)域100b上方的第二導(dǎo)電層320作為密封環(huán)300的一部分，而形成于晶片區(qū)域100a上方的第二導(dǎo)電層320作為互連結(jié)構(gòu)(未標示)的一部分。在一些實施例中，毯覆式形成(如電鍍)第二導(dǎo)電材料(未繪示)于第二絕緣層220及第一導(dǎo)電特征310上方，然后圖案化(如使用微影及蝕刻制程)，以形成第二導(dǎo)電層320。在一些實施例中，第二導(dǎo)電層320包含銅。

在一些實施例中，第三絕緣層230形成于第二絕緣層220上方，但仍暴露出第二導(dǎo)電特征320的一側(cè)表面，此側(cè)表面背對第二絕緣層220。在一些實施例中，毯覆式形成(如旋轉(zhuǎn)涂布)第三絕緣材料(未繪示)于第二絕緣層220及第二導(dǎo)電層320上方，然后圖案化(如使用微影(包含曝光及顯影)制程)，以形成第三絕緣層230。在一些實施例中，第三絕緣層230包含聚酰亞胺樹脂。

在一些實施例中，第三導(dǎo)電層330形成于第三絕緣層230的周邊部分的上方，且側(cè)向鄰接第三絕緣層230的周邊部分。在一些實施例中，第三導(dǎo)電層330形成于第三絕緣層230的周邊部分及第二導(dǎo)電層320的上方，且接觸第三絕緣層230的周邊部分及第二導(dǎo)電層320。在一些實施例中，形成于密封環(huán)區(qū)域100b上方的第三導(dǎo)電層330作為密封環(huán)300的一部分，而形成于晶片區(qū)域100a上方的第三導(dǎo)電層330作為互連結(jié)構(gòu)(未標示)的一部分。在一些實施例中，毯覆式形成(如電鍍)第三導(dǎo)電材料(未繪示)于第三絕緣層230及第二導(dǎo)電層320上方，然后圖案化(如使用微影及蝕刻制程)，以形成第三導(dǎo)電層330。在一些實施例中，第三導(dǎo)電層330包含銅。

如圖4所示，在形成絕緣膜200及密封環(huán)300之后，形成保護層240，其定義出位于密封環(huán)300的露出側(cè)表面300a上方的大致平滑斜側(cè)表面240a。在一些實施例中，大致平滑斜側(cè)表面240a形成于第一及第二導(dǎo)電特征310及320的露出側(cè)表面的上方。在一些實施例中，形成保護層240包含形成保護層240，其定義出位于密封環(huán)300的階梯狀部分上方的大致平滑斜側(cè)表面240a。在此的用語“大致平滑斜側(cè)表面”是指在放大的剖面圖中，此斜側(cè)表面的輪廓沒有突兀的起伏，例如，如圖10所示。在一些實施例中，形成保護層240接觸第一導(dǎo)電特征310及第二導(dǎo)電特征320。在一些實施例中，形成保護層240更接觸第三導(dǎo)電層330。在一些實施例中，保護層240由與絕緣膜200相同的材料制成。在一些實施例中，保護層240由與第一絕緣層210、第二絕緣層220或第三絕緣層230相同的材料制成。在一些實施例中，保護層240包含聚酰亞胺樹脂。在一些實施例中，毯覆式形成(如旋轉(zhuǎn)涂布)保護材料(未繪示)于絕緣膜200及密封環(huán)300上方，然后圖案化(如使用微影(包含曝光及顯影)制程)，以形成保護層240。

在一些實施例中，由于保護層240、密封環(huán)300的階梯狀部分及呈現(xiàn)階梯狀構(gòu)造的絕緣膜200，使得在絕緣膜200與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100之間(如第一絕緣層210與導(dǎo)電圖案130之間)或保護層240與導(dǎo)電圖案130之間沒有發(fā)生分層。并且，在第一及第二絕緣層210、220之間、第二及第三絕緣層220、230之間或第三絕緣層230與保護層240之間也沒有分層。在一些實施例中，密封環(huán)300及導(dǎo)電圖案130構(gòu)成完整的壁，以提供優(yōu)異的防潮性。

如圖5所示，在形成保護層240之后，形成多個凸塊下金屬(under-bump-metallugies,ubms)400于第三導(dǎo)電層330上方且接觸第三導(dǎo)電層330。在一些實施例中，在形成凸塊下金屬400之后，形成球520及裝置540分別接觸凸塊下金屬400。在一些實施例中，這些球520構(gòu)成球柵陣列(ballgridarray,bga)，而此球520亦可稱為球柵陣列焊墊。在一些實施例中，裝置540為集成被動元件(integratedpassivedevice,ipd)。

在一些實施例中，在形成球520及裝置540之后，移除載體基板150。在一些實施例中，使用去接合制程(如激光制程)，移除載體基板150。詳細而言，如圖4及圖5所示，進行去接合制程，以移除離型層170，從而自載體基板150分離出絕緣層160及其上方的結(jié)構(gòu)。

在一些實施例中，在進行去接合制程之后，進行激光鉆孔制程，以形成貫通孔(未標示)貫穿絕緣層160，從而露出通孔140，如圖5所示。在一些實施例中，如圖4及圖5所示，在進行激光鉆孔制程之后，進行切割制程，以沿著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的切割區(qū)域100c切割模塑化合物120。由于沒有絕緣層位于圖4的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的切割區(qū)域100c上方，因此不需要激光預(yù)切割制程。

圖6-9繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的一種制造半導(dǎo)體裝置90于各個階段的剖面圖。圖6-9的實施例與圖2-5的實施例的差異在于，圖2-5的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包含導(dǎo)電圖案130。圖6-9的實施例與圖2-5的實施例相同或相類似，因此在此省略。

類似于圖2-5的實施例，在一些實施例中，如圖9所示，由于保護層240、密封環(huán)300的階梯狀部分及呈現(xiàn)階梯狀構(gòu)造的絕緣膜200，使得在絕緣膜200與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100之間(如第一絕緣層210與模塑化合物120之間)或保護層240與模塑化合物120之間沒有發(fā)生分層。并且，在第一及第二絕緣層210、220之間、第二及第三絕緣層220、230之間或第三絕緣層230與保護層240之間也沒有分層。

本揭露更提供一種半導(dǎo)體裝置。如圖5或圖9所示，半導(dǎo)體裝置50或90包含半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100、絕緣結(jié)構(gòu)200’及密封環(huán)300。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100具有晶片區(qū)域100a及密封環(huán)區(qū)域100b圍繞晶片區(qū)域100a。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包含半導(dǎo)體晶片110及模塑化合物120圍繞半導(dǎo)體晶片110，如圖1所示。如圖5或圖9所示，半導(dǎo)體晶片110位于晶片區(qū)域100a內(nèi)。模塑化合物120位于晶片區(qū)域100a及密封環(huán)區(qū)域100b內(nèi)。在一些實施例中，半導(dǎo)體晶片110具有一上表面與模塑化合物120的一上表面共平面。

絕緣結(jié)構(gòu)200’設(shè)置于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的晶片區(qū)域100a及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的密封環(huán)區(qū)域100b上。絕緣結(jié)構(gòu)200’具有大致平滑斜露出側(cè)表面240a且覆蓋密封環(huán)300。在此的用語“大致平滑斜露出側(cè)表面”是指在剖面圖中，此斜露出側(cè)表面的輪廓沒有明顯的起伏，如圖10所示。在一些實施例中，絕緣結(jié)構(gòu)200’的大致平滑斜露出側(cè)表面240a自半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的密封環(huán)區(qū)域100b往半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的晶片區(qū)域100a向上傾斜延伸。在一些實施例中，絕緣結(jié)構(gòu)200’由多個絕緣層構(gòu)成，如第一絕緣層210、第二絕緣層220、第三絕緣層230及保護層240。在一些實施例中，第一絕緣層210、第二絕緣層220、第三絕緣層230及保護層240包含聚酰亞胺樹脂。在一些實施例中，第一絕緣層210、第二絕緣層220、第三絕緣層230及保護層240由相同材料制成。

密封環(huán)300設(shè)置于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的密封環(huán)區(qū)域100b的上方，且被絕緣結(jié)構(gòu)200’所覆蓋。在一些實施例中，如圖5或圖9所示，密封環(huán)300包含多個z型或l型部分310、320及330彼此連接。在一些實施例中，密封環(huán)300為階梯狀。在一些實施例中，密封環(huán)300自半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的密封環(huán)區(qū)域100b往半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的晶片區(qū)域100a向上傾斜延伸。

在一些實施例中，如圖5或圖9所示，密封環(huán)300具有階梯狀外側(cè)表面300a。在此的用語，密封環(huán)300的“外側(cè)表面300a”，是指密封環(huán)300中背對晶片區(qū)域100a的側(cè)表面。圖10繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的密封環(huán)300及絕緣結(jié)構(gòu)200’的sem影像。如圖10所示，密封環(huán)300具有階梯狀外側(cè)表面300a，而絕緣結(jié)構(gòu)200’具有大致平滑斜露出側(cè)表面240a。

在一些實施例中，如圖9所示，密封環(huán)300接觸模塑化合物120。在一些實施例中，如圖5所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包含導(dǎo)電圖案130位于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的密封環(huán)區(qū)域100b內(nèi)且接觸密封環(huán)300。在一些實施例中，導(dǎo)電圖案130具有一上表面與模塑化合物120的一上表面共平面。在一些實施例中，導(dǎo)電圖案130包含銅。在一些實施例中，如圖1所示，導(dǎo)電圖案130是環(huán)形的，并且圍繞半導(dǎo)體晶片110。在一些實施例中，如圖1所示，導(dǎo)電圖案130的一側(cè)與半導(dǎo)體晶片110的一側(cè)大致或完全平形。

在一些實施例中，絕緣結(jié)構(gòu)200’接觸導(dǎo)電圖案130，如圖5或圖10所示。在一些實施例中，如圖10所示，位于導(dǎo)電圖案130上方且接觸導(dǎo)電圖案130的絕緣結(jié)構(gòu)200’的厚度t1大于位于密封環(huán)300上方且接觸密封環(huán)300的絕緣結(jié)構(gòu)200’的厚度t2。

在一些實施例中，如圖5或圖9所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包含通孔140位于晶片區(qū)域100a內(nèi)。在一些實施例中，通孔140設(shè)置用以連接其他元件(未繪示)。在一些實施例中，通孔140為貫通集成扇出型孔(throughinfo(integratedfan-out)via,tiv)。在一些實施例中，通孔140包含銅。在一些實施例中，如圖1所示，安排多個圓形通孔140圍繞半導(dǎo)體晶片110，而其進一步被環(huán)形導(dǎo)電圖案130所圍繞。

在一些實施例中，如圖5或圖9所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包含絕緣層160位于半導(dǎo)體晶片110及模塑化合物120的下方。在一些實施例中，絕緣層160包含聚酰亞胺樹脂。在一些實施例中，絕緣層160包含貫通孔(未標示)，以露出通孔140的一部分。

在一些實施例中，如圖5或圖9所示，半導(dǎo)體裝置50或90還包含多個凸塊下金屬(under-bump-metallugies,ubms)400位于絕緣結(jié)構(gòu)200’的上方。在一些實施例中，半導(dǎo)體裝置50或90還包含球520及裝置540分別接觸凸塊下金屬400。

在一些實施例中，如圖5或圖9所示，半導(dǎo)體裝置50或90還包含互連結(jié)構(gòu)(未標示)位于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的晶片區(qū)域100a的上方，且被絕緣結(jié)構(gòu)200’所覆蓋。在一些實施例中，球520透過互連結(jié)構(gòu)電性連接半導(dǎo)體晶片110及通孔140。

根據(jù)一些實施例，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法包含：接收半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其具有晶片區(qū)域、圍繞晶片區(qū)域的密封環(huán)區(qū)域及圍繞密封環(huán)區(qū)域定義的切割區(qū)域，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含于晶片區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體晶片；以及模塑化合物設(shè)置圍繞半導(dǎo)體晶片且分布于晶片區(qū)域、密封環(huán)區(qū)域及切割區(qū)域內(nèi)；形成絕緣膜于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的晶片區(qū)域及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的密封環(huán)區(qū)域上；形成密封環(huán)于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的密封環(huán)區(qū)域上且側(cè)向鄰接絕緣膜，其中密封環(huán)具有露出側(cè)表面背對絕緣膜；以及形成保護層，其定義出位于密封環(huán)的露出側(cè)表面上方的大致平滑斜側(cè)表面。

在一些實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包含導(dǎo)電圖案位于密封環(huán)區(qū)域內(nèi)，且形成密封環(huán)包含形成密封環(huán)于導(dǎo)電圖案上且接觸導(dǎo)電圖案。

在一些實施例中，還包含沿著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的切割區(qū)域切割，并且不進行激光預(yù)切割制程。

在一些實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包含載體基板位于半導(dǎo)體晶片及模塑化合物下方，且此方法還包含在形成保護層之后及沿著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的切割區(qū)域切割之前，移除載體基板。

在一些實施例中，形成絕緣膜包含形成呈現(xiàn)階梯狀構(gòu)造的多個絕緣層，且形成密封環(huán)包含形成密封環(huán)的階梯狀部分側(cè)向鄰接呈現(xiàn)階梯狀構(gòu)造的絕緣層，且形成保護層包含形成保護層，其定義出位于密封環(huán)的階梯狀部分上方的大致平滑斜側(cè)表面。

根據(jù)一些實施例，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法包含：接收半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其具有晶片區(qū)域、圍繞晶片區(qū)域的密封環(huán)區(qū)域及圍繞密封環(huán)區(qū)域的切割區(qū)域，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含于晶片區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體晶片；以及模塑化合物位于晶片區(qū)域、密封環(huán)區(qū)域及切割區(qū)域內(nèi)且圍繞半導(dǎo)體晶片；形成第一絕緣層于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的晶片區(qū)域及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的密封環(huán)區(qū)域上；形成第一導(dǎo)電特征于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的密封環(huán)區(qū)域上且側(cè)向鄰接第一絕緣層的周邊部分；形成第二絕緣層于第一絕緣層上，但仍暴露出第一導(dǎo)電特征的背對第一絕緣層的側(cè)表面；形成第二導(dǎo)電特征于第二絕緣層的周邊部分上方且側(cè)向鄰接第二絕緣層的周邊部分，但仍暴露出第二導(dǎo)電特征的背對第二絕緣層的側(cè)表面；以及形成保護層，其定義出位于第一及第二導(dǎo)電特征的露出側(cè)表面上方的大致平滑斜側(cè)表面。

在一些實施例中，還包含：形成第三絕緣層于第二絕緣層上，但仍暴露出第二導(dǎo)電特征的背對第二絕緣層的側(cè)表面；形成第三導(dǎo)電特征于第三絕緣層的周邊部分上方且側(cè)向鄰接第三絕緣層的周邊部分。

在一些實施例中，還包含沿著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的切割區(qū)域切割，并且不進行激光預(yù)切割制程。

在一些實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包含導(dǎo)電圖案位于密封環(huán)區(qū)域內(nèi)，且形成第一絕緣層包含形成第一絕緣層于導(dǎo)電圖案上且接觸導(dǎo)電圖案。

根據(jù)一些實施例，半導(dǎo)體裝置包含半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、密封環(huán)及絕緣結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含晶片區(qū)域及密封環(huán)區(qū)域圍繞晶片區(qū)域。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含半導(dǎo)體晶片位于晶片區(qū)域內(nèi)；以及模塑化合物位于晶片區(qū)域及密封環(huán)區(qū)域內(nèi)，且圍繞半導(dǎo)體晶片。密封環(huán)位于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的密封環(huán)區(qū)域上方。絕緣結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的晶片區(qū)域及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的密封環(huán)區(qū)域上方，其中絕緣結(jié)構(gòu)包含大致平滑斜露出側(cè)表面且覆蓋密封環(huán)。

在一些實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包含導(dǎo)電圖案位于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的密封環(huán)區(qū)域內(nèi)，且接觸密封環(huán)。

在一些實施例中，導(dǎo)電圖案為環(huán)形且圍繞半導(dǎo)體晶片。

在一些實施例中，導(dǎo)電圖案具有一上表面與模塑化合物的一上表面共平面。

在一些實施例中，絕緣結(jié)構(gòu)接觸導(dǎo)電圖案。

在一些實施例中，位于導(dǎo)電圖案上方且接觸導(dǎo)電圖案的絕緣結(jié)構(gòu)具有一厚度大于位于密封環(huán)上方且接觸密封環(huán)的絕緣結(jié)構(gòu)的一厚度。

在一些實施例中，密封環(huán)接觸模塑化合物。

在一些實施例中，密封環(huán)為階梯狀。

在一些實施例中，密封環(huán)具有階梯狀外側(cè)表面。

在一些實施例中，密封環(huán)自半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的密封環(huán)區(qū)域往半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的晶片區(qū)域向上傾斜延伸。

在一些實施例中，大致平滑斜露出側(cè)表面自半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的密封環(huán)區(qū)域往半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的晶片區(qū)域向上傾斜延伸。

以上扼要地提及多種實施例的特征，因此熟悉此技藝的人士可較好了解本揭露的各方面。熟悉此技藝的人士應(yīng)意識到，為了落實相同的目的及/或達到在此提出的實施例的相同優(yōu)點，其可輕易使用本揭露以做為設(shè)計或修改其他制程及結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。熟悉此技藝的人士亦應(yīng)了解的是，這些均等的構(gòu)造不背離本揭露的精神及范圍，以及其人可在此進行各種改變、取代、及替代而不背離本揭露的精神及范圍。