本發(fā)明涉及真空取放技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種無損傷硅片吸盤。

背景技術(shù)：

在太陽能硅片工藝處理步驟中，需要先進行插片步驟，即將多片硅片相互間隔地放置在石墨支架上，然后進行工藝處理，再將工藝處理完后的硅片從支架內(nèi)取出(取片步驟)以備后續(xù)的工藝操作。在現(xiàn)有技術(shù)中，仍采用由人工操作真空吸筆來完成硅片的插片和取片工作，由于硅片間距為毫米級，硅片材質(zhì)較脆且厚度很薄，采用傳統(tǒng)工藝容易導(dǎo)致工作效率低、碎片率高、硅片表面容易擦傷或污染等缺點，有鑒于此，實有必要開發(fā)一種無損傷硅片吸盤，用以解決上述問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足之處，本發(fā)明的目的是提供一種無損傷硅片吸盤，其在提高工作效率的同時，還能夠避免硅片表面的劃傷及污染，同時還能降低碎片率，降低生產(chǎn)成本。

為了實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的上述目的和其他優(yōu)點，提供了一種無損傷硅片吸盤，包括：

與硅片相接觸的吸取部；以及

與吸取部一體成型的根部，

其中，吸取部與硅片相接觸面上開設(shè)有至少兩個吸嘴，無損傷硅片吸盤的內(nèi)部開設(shè)有通往根部并連通外界的氣路，氣路與吸嘴相連通。

優(yōu)選的是，根部上開設(shè)有貫穿其主體的安裝孔，該安裝孔與氣路不連通。

優(yōu)選的是，根部的厚度大于吸取部的厚度，吸取部關(guān)于根部偏置設(shè)置使得吸嘴旁側(cè)有足夠容納硅片的空間。

優(yōu)選的是，氣路在無損傷硅片吸盤內(nèi)部的延伸方向與無損傷硅片吸盤的長度方向相一致。

優(yōu)選的是，氣路的出口設(shè)于根部的端部，且氣路的出口處設(shè)有沿無損傷硅片吸盤的長度伸展方向凸起的氣管安裝部。

優(yōu)選的是，吸取部的端部設(shè)有導(dǎo)引頭，該導(dǎo)引頭呈沿無損傷硅片吸盤的長度伸展方向厚度逐漸變薄的楔形結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的是，導(dǎo)引頭的導(dǎo)引角α大小為5°～15°。

優(yōu)選的是，導(dǎo)引頭的兩側(cè)窄邊處設(shè)有左導(dǎo)引斜面與右導(dǎo)引斜面，左導(dǎo)引斜面與無損傷硅片吸盤的長度方向夾角β大小為25°～45°，右導(dǎo)引斜面與無損傷硅片吸盤的長度方向夾角θ大小為25°～45°。

優(yōu)選的是，根部的厚度為3.5～5.0mm，吸取部的厚度為2.0～2.8mm。

優(yōu)選的是，該無損傷硅片吸盤由陶瓷材料制成。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果是：

1、避免了人工與硅片接觸，提高了工作效率的同時防止了在工藝處理過程中對硅片表面造成污染；

2、由于吸取部的端部設(shè)有導(dǎo)引頭，該導(dǎo)引頭呈沿無損傷硅片吸盤的長度伸展方向厚度逐漸變薄的楔形結(jié)構(gòu)，從而使得該吸盤在逐漸深入到硅片中時，能夠避免硅片表面的劃傷，同時能夠防止硅片受到壓迫而破碎；

3、由于氣路的出口處設(shè)有沿無損傷硅片吸盤的長度伸展方向凸起的氣管安裝部，從而便于氣管與無損傷硅片吸盤的對接。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明所述的無損傷硅片吸盤的立體圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明所述的無損傷硅片吸盤的主視圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明所述的無損傷硅片吸盤的右視圖；

圖4為圖2中沿a-a方向的剖視圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步的詳細說明，本發(fā)明的前述和其它目的、特征、方面和優(yōu)點將變得更加明顯，以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說明書文字能夠據(jù)以實施。在附圖中，為清晰起見，可對形狀和尺寸進行放大，并將在所有圖中使用相同的附圖標記來指示相同或相似的部件。在說明書中，諸如“前部”、“后部”、“上部”、“下部”、“頂部”和“底部”及其衍生詞的相對術(shù)語應(yīng)當被解釋為是指如然后所述的或如在被討論的附圖中所示出的取向。這些相對術(shù)語是為了說明方便起見并且通常并不旨在需要具體取向。涉及附接、聯(lián)接等的術(shù)語(例如，“連接”和“附接”)是指這些結(jié)構(gòu)通過中間結(jié)構(gòu)彼此直接或間接固定或附接的關(guān)系、以及可動或剛性附接或關(guān)系，除非以其他方式明確地說明。

參照圖1及圖2，無損傷硅片吸盤11包括：根部111及吸取部112，其中，吸取部112與硅片相接觸，根部111與吸取部112一體成型，吸取部112與硅片相接觸面上開設(shè)有至少兩個吸嘴1121，該無損傷硅片吸盤11的內(nèi)部開設(shè)有通往根部111并連通外界的氣路113，氣路113與吸嘴1121相連通。參照圖3及圖4，在優(yōu)選的實施方式中，吸嘴1121設(shè)有三個，且三個吸嘴1121非共線布置，氣路113上連通地設(shè)有分別通往三個吸嘴1121的第一支路1131、第二支路1132及第三支路1133。

參照圖1及圖3，根部111上開設(shè)有貫穿其主體的安裝孔1111，該安裝孔1111與氣路113不連通。

參照圖2，根部111的厚度大于吸取部112的厚度，吸取部112關(guān)于根部111偏置設(shè)置使得吸嘴1121旁側(cè)有足夠容納硅片的空間。

具體地，根部111的厚度為3.5～5.0mm，吸取部112的厚度為2.0～2.8mm。在一實施方式中，根部111的厚度為3.850mm，根部111的誤差精度為0.005mm，吸取部112的厚度為2.00毫米，吸取部112的誤差精度為0.01mm。在另一實施方式中，根部111的厚度為4.000mm，根部111的誤差精度為0.005mm，吸取部112的厚度為2.80毫米，吸取部112的誤差精度為0.01mm。在另一實施方式中，根部111的厚度為4.078mm，根部111的誤差精度為0.005mm，吸取部112的厚度為2.50毫米，吸取部112的誤差精度為0.01mm。在另一實施方式中，根部111的厚度為4.200mm，根部111的誤差精度為0.005mm，吸取部112的厚度為2.50毫米，吸取部112的誤差精度為0.01mm。在另一實施方式中，根部111的厚度為4.760mm，根部111的誤差精度為0.005mm，吸取部112的厚度為2.5毫米，吸取部112的誤差精度為0.01mm。

參照圖4，氣路113在無損傷硅片吸盤11內(nèi)部的延伸方向與無損傷硅片吸盤11的長度方向相一致。

參照圖1，氣路113的出口設(shè)于根部111的端部，且氣路113的出口處設(shè)有沿無損傷硅片吸盤11的長度伸展方向凸起的氣管安裝部1112。

參照圖1及圖2，吸取部112的端部設(shè)有導(dǎo)引頭1122，該導(dǎo)引頭1122呈沿無損傷硅片吸盤11的長度伸展方向厚度逐漸變薄的楔形結(jié)構(gòu)。具體地，導(dǎo)引頭1122的導(dǎo)引角α大小為5°～15°。在優(yōu)選的實施方式中，導(dǎo)引頭1122的導(dǎo)引角α大小為8°。

參照圖3，導(dǎo)引頭1122的兩側(cè)窄邊處設(shè)有左導(dǎo)引斜面1122a與右導(dǎo)引斜面1122b，左導(dǎo)引斜面1122a與無損傷硅片吸盤11的長度方向夾角β大小為25°～45°，右導(dǎo)引斜面1122b與無損傷硅片吸盤11的長度方向夾角θ大小為25°～45°。在優(yōu)選的實施方式中，左導(dǎo)引斜面1122a與無損傷硅片吸盤11的長度方向夾角β大小為30°，右導(dǎo)引斜面1122b與無損傷硅片吸盤11的長度方向夾角θ大小為30°。

進一步地，上述無損傷硅片吸盤11由陶瓷材料制成。

這里說明的設(shè)備數(shù)量和處理規(guī)模是用來簡化本發(fā)明的說明的。對本發(fā)明的應(yīng)用、修改和變化對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是顯而易見的。

盡管本發(fā)明的實施方案已公開如上，但其并不僅限于說明書和實施方式中所列運用，它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領(lǐng)域，對于熟悉本領(lǐng)域的人員而言，可容易地實現(xiàn)另外的修改，因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限于特定的細節(jié)和這里示出與描述的圖例。