本公開涉及一種用于處理基板的裝置和方法。

背景技術(shù)：

通常，在半導(dǎo)體器件的制造方法中，在諸如硅晶片的基板上執(zhí)行諸如光刻工藝、蝕刻工藝、離子注入工藝和沉積工藝等各種工藝。并且，當(dāng)執(zhí)行每種工藝時(shí)，均產(chǎn)生像粒子、有機(jī)污染物、金屬雜質(zhì)等的各種物質(zhì)。這些物質(zhì)導(dǎo)致基板中出現(xiàn)缺陷，并影響半導(dǎo)體器件的性能和良品率，因而需要清洗工藝來去除這些物質(zhì)。

清洗工藝包括去除基板中污染物的化學(xué)處理工藝、使用純水去除殘留在基板上的化學(xué)物質(zhì)的濕法清洗工藝，以及通過提供干燥流體來干燥殘留在基板上的純水的干燥工藝。

以前，通過將氮?dú)夤?yīng)至殘留有純水的基板上來執(zhí)行干燥工藝。然而，隨著形成在基板上的圖案的線寬變窄以及縱橫比變大，圖案之間的純水不能很好地去除。為此，利用諸如異丙醇的有機(jī)溶劑替換基板上的純水，該異丙醇具有比純水更高的揮發(fā)性和相對(duì)較低的表面張力；然后通過提供熱氮?dú)鈦砀稍锘濉?/p>

然而，即使使用有機(jī)溶劑，這種干燥方法也會(huì)導(dǎo)致具有精細(xì)電路圖案的半導(dǎo)體器件中出現(xiàn)諸如傾斜現(xiàn)象的圖案塌陷，該精細(xì)電路圖案具有30nm或更細(xì)的線寬。這歸因于有機(jī)溶劑的表面張力。表面張力越大，越傾斜。因此，近年來，隨著基板上的圖案變得更加精細(xì)，降低工藝流體的表面張力更加重要。

圖1是示出了異丙醇的表面張力根據(jù)溫度的曲線圖。參見圖1，隨著液態(tài)異丙醇溫度升高，表面張力減小。因此，優(yōu)選在將異丙醇加熱到盡可能高的溫度的狀態(tài)下，將異丙醇供應(yīng)至基板。

另一方面，通常在大氣壓下將異丙醇供應(yīng)到基板上。而且，被供應(yīng)以替換殘留在基板上純水的異丙醇應(yīng)處于液態(tài)。因此，以液相供應(yīng)到基板的異丙醇的溫度低于異丙醇在大氣壓下的沸點(diǎn)。

也就是說，當(dāng)異丙醇被加熱以降低異丙醇的表面張力時(shí)，異丙醇在大氣壓下的沸點(diǎn)在約80℃時(shí)獲得，由此當(dāng)將異丙醇加熱到更高的溫度時(shí)，異丙醇被汽化。因此，這不可能以液態(tài)供應(yīng)異丙醇，這樣，異丙醇在大氣壓下不能被加熱至沸點(diǎn)(約80℃)。如上所述，對(duì)于降低供應(yīng)到基板上的液態(tài)異丙醇的表面張力存在限制。其結(jié)果是，基板圖案上的傾斜現(xiàn)象難以避免。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)施例提供了一種基板處理裝置和方法，其中該基板處理裝置和方法可使用具有表面張力比常規(guī)有機(jī)溶劑的表面張力低的有機(jī)溶劑來處理基板，該常規(guī)有機(jī)溶劑的表面張力是以大氣壓下的沸點(diǎn)加熱該有機(jī)溶劑而具有的表面張力。

實(shí)施例提供了一種基板處理裝置和方法，其中該基板處理裝置和方法可避免損傷基板圖案。

本發(fā)明構(gòu)思的目的不限于以上所述。本領(lǐng)域技術(shù)人員可從下面的描述中了解本發(fā)明構(gòu)思的其它目的。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供一種基板處理裝置。

基板處理裝置包括：支撐單元，用于支撐基板；噴射單元，用于將有機(jī)溶劑噴射到支撐在支撐單元上的基板上；和溶劑供應(yīng)單元，用于將有機(jī)溶劑以液體狀態(tài)供應(yīng)至所述噴射單元，所述有機(jī)溶劑的溫度高于所述有機(jī)溶劑在大氣壓下的沸點(diǎn)。

在示例性實(shí)施例中，溶劑供應(yīng)單元包括：包括內(nèi)部空間的箱，所述內(nèi)部空間中填充有所述有機(jī)溶劑；加熱構(gòu)件，用于加熱所述箱中的有機(jī)溶劑；加壓構(gòu)件，用于控制所述內(nèi)部空間的壓強(qiáng)；和連接管，用于連接所述箱和所述噴射單元。

在示例性實(shí)施例中，所述溶劑供應(yīng)單元還包括控制器。所述控制器控制所述加熱構(gòu)件以使所述有機(jī)溶劑的溫度被加熱到目標(biāo)溫度，所述目標(biāo)溫度高于有機(jī)溶劑在大氣壓下的沸點(diǎn)，且所述控制器控制所述加壓構(gòu)件以使所述有機(jī)溶劑在所述目標(biāo)溫度時(shí)保持在液態(tài)。

在示例性實(shí)施例中，所述加壓構(gòu)件包括氣體供應(yīng)管，所述氣體供應(yīng)管用于將氣體供應(yīng)到所述內(nèi)部空間。

在示例性實(shí)施例中，所述箱包括循環(huán)管線，所述循環(huán)管線用于使容納在其內(nèi)的液體循環(huán)，其中所述加熱構(gòu)件設(shè)置在所述循環(huán)管線中。

在示例性實(shí)施例中，所述有機(jī)溶劑是異丙醇。

在示例性實(shí)施例中，所述氣體是惰性氣體。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種用于處理基板的方法。

在示例性實(shí)施例中，所述方法包括通過將有機(jī)溶劑以液體狀態(tài)供應(yīng)至所述基板來處理所述基板，其中，所述有機(jī)溶劑以比所述有機(jī)溶劑在大氣壓下的沸點(diǎn)高的溫度被供應(yīng)。

在示例性實(shí)施例中，該方法包括：有機(jī)溶劑供應(yīng)步驟，用于將所述有機(jī)溶劑供應(yīng)到箱的內(nèi)部空間；加壓步驟，用于提高所述內(nèi)部空間的壓強(qiáng)；和加熱步驟，用于將容納在所述內(nèi)部空間中的有機(jī)溶劑加熱到目標(biāo)溫度，所述目標(biāo)溫度高于所述有機(jī)溶劑在大氣壓下的沸點(diǎn)；其中，在所述加熱步驟中，容納在所述內(nèi)部空間中的所述有機(jī)溶劑在目標(biāo)溫度下被加熱以保持液相。

在示例性實(shí)施例中，在所述有機(jī)溶劑供應(yīng)步驟中，所述有機(jī)溶劑被供應(yīng)到所述內(nèi)部空間的一部分中，且在所述加壓步驟中，氣體被供應(yīng)到所述內(nèi)部空間的剩余空間以使所述內(nèi)部空間的壓強(qiáng)高于所述大氣壓。

在示例性實(shí)施例中，在所述加壓步驟中，所述有機(jī)溶劑被供應(yīng)到所述內(nèi)部空間，且所述內(nèi)部空間的壓強(qiáng)被維持為高于所述大氣壓。

在示例性實(shí)施例中，所述氣體是惰性氣體。

在示例性實(shí)施例中，所述有機(jī)溶劑是異丙醇。

在示例性實(shí)施例中，所述用于處理基板的方法是使用所述有機(jī)溶劑替換所述基板上液體的工藝。

在示例性實(shí)施例中，所述基板上的液體是純水。

根據(jù)實(shí)施例，可使用具有表面張力比常規(guī)有機(jī)溶劑的表面張力低的有機(jī)溶劑來處理基板，該常規(guī)有機(jī)溶劑的表面張力是以大氣壓下的沸點(diǎn)加熱該有機(jī)溶劑而具有的表面張力。

根據(jù)實(shí)施例，可避免損傷基板圖案。

本發(fā)明構(gòu)思的目的不限于以上所述的優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將從下面的描述以及本申請(qǐng)中了解本發(fā)明構(gòu)思的其它目的。

附圖說明

圖1是示出了異丙醇的表面張力根據(jù)溫度的曲線圖。

圖2是示意性地示出了基板處理裝置的俯視圖。

圖3是示意性地示出了根據(jù)一實(shí)施例的基板處理裝置的視圖。

圖4是圖3的基板處理裝置的溶劑供應(yīng)單元的視圖。

圖5至圖8是依次示出了根據(jù)一實(shí)施例的基板處理工藝的視圖。

圖9是示出了根據(jù)一實(shí)施例的基板處理工藝的步驟的流程圖。

圖10是示出了箱內(nèi)部被加壓的變形示例的視圖。

具體實(shí)施方式

下文中，將參照附圖更全面地描述各示例性實(shí)施例，附圖中示出了一些示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式體現(xiàn)且不應(yīng)被解釋為限于本文所陳述的實(shí)施例。當(dāng)然，這些實(shí)施例被提供以便該公開將是徹底且完整的，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。因此，附圖中的特征被放大以突出明確的解釋。

下文中，將參照?qǐng)D2至圖9對(duì)本發(fā)明的示例進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖2是示意性地示出了基板處理裝置1的俯視圖。參見圖2，基板處理裝置1包括索引模塊100和工藝處理模塊200。索引模塊100包括裝載端口120和傳輸框架140。裝載端口120、傳輸框架140和工藝處理模塊200順序地排成一排。下文中，裝載端口120、傳輸框架140以及工藝處理模塊200排列的方向稱為第一方向12。此外，從正面看時(shí)與第一方向12垂直的方向稱為第二方向14，且與包括第一方向12和第二方向14的平面垂直的方向稱為第三方向16。

載體130位于裝載端口120上，該載體存儲(chǔ)基板w。提供有多個(gè)裝載端口120，且該些裝載端口120沿第二方向14排成一列。圖1中，描述的是提供了四個(gè)裝載端口120。然而，裝載端口120的數(shù)量可根據(jù)需求增加或減少，該需求諸如為工藝處理模塊200的工藝效率和占地面積(footprint)。在載體130中，設(shè)置有多個(gè)插槽(未描述)以支撐基板w的邊緣。多個(gè)插槽沿第三方向16設(shè)置，且多個(gè)基板w沿第三方向16彼此豎直地堆疊放置在載體內(nèi)。前開式晶圓盒(foup)可用作載體130。

工藝處理模塊200包括緩沖單元220、傳輸腔室240和工藝腔室260。傳輸腔室240設(shè)置成其長(zhǎng)度方向與第一方向12平行。工藝腔室260沿第二方向14分別設(shè)置在傳輸腔室240的一側(cè)和另一側(cè)。工藝腔室260對(duì)稱地設(shè)置在傳輸腔室240的一側(cè)和另一側(cè)。一些工藝腔室260沿傳輸腔室240的長(zhǎng)度方向放置。另外，一些工藝腔室260彼此豎直地堆疊放置。也就是說，在傳輸腔室240的一側(cè)，工藝腔室260可以以a×b(a和b是1或更大的自然數(shù))陣列布置。這里，a是沿第一方向12設(shè)置的工藝腔室260的數(shù)量，b是沿第三方向16設(shè)置的工藝腔室260的數(shù)量。當(dāng)在傳輸腔室240的一側(cè)設(shè)置四個(gè)或六個(gè)工藝腔室260時(shí)，工藝腔室260可以以2×2或3×2陣列布置。工藝腔室260的數(shù)量可增加或減少。與上述不同的是，工藝腔室260可僅設(shè)置在傳輸腔室240的一側(cè)。另外，與上述不同的是，工藝腔室260可在傳輸腔室240的兩側(cè)均設(shè)置為單層。

緩沖單元220布置在傳輸框架140和傳輸腔室240之間。在傳輸腔室240和傳輸框架140之間傳輸基板w之前，緩沖單元220為基板w提供臨時(shí)停留的空間。緩沖單元220的內(nèi)部設(shè)置有放置基板的插槽(未描述)，且插槽(未描述)設(shè)置有多個(gè)并沿第三方向16彼此間隔開。緩沖單元220面向傳輸框架140的一側(cè)以及緩沖單元220面向傳輸腔室240的另一側(cè)是開放的。

傳輸框架140將基板w在緩沖單元220與位于裝載端口120上的載體130之間傳送。在傳輸框架140中，設(shè)置有索引軌道142和索引機(jī)械手144。索引軌道142設(shè)置成長(zhǎng)度方向與第二方向14平行。索引機(jī)械手144安裝在索引軌道142上，并沿索引軌道142在第二方向14上線性移動(dòng)。索引機(jī)械手144包括基部144a、主體144b和索引臂144c?；?44a沿索引軌道142可移動(dòng)地安裝。主體144b耦合到基部144a。主體144b設(shè)置為可在基部144a上沿第三方向16移動(dòng)。而且，主體144b設(shè)置為在基部144a上可旋轉(zhuǎn)。索引臂144c耦合到主體144b，并設(shè)置成前后移動(dòng)到主體144b。提供有多個(gè)索引臂144c，且這些索引臂144c被獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)。索引臂144c沿第三方向16豎直地布置，即彼此間隔開。某些索引臂144c可在將基板w從工藝處理模塊200傳輸?shù)捷d體130時(shí)使用，而某些索引臂144c可在將基板w從載體130傳輸?shù)焦に囂幚砟K200時(shí)使用。以這種方式，在索引機(jī)械手144裝載或卸載基板w時(shí)，可防止來自處理工藝之前的基板上的顆粒粘附到處理工藝之后的基板上。

傳輸腔室240將基板w在工藝腔室260和緩沖單元220之間、以及工藝腔室260之間傳輸。傳輸腔室240中設(shè)置有導(dǎo)軌242和主機(jī)械手244。導(dǎo)軌242放置成長(zhǎng)度方向與第一方向12平行。主機(jī)械手244安裝在導(dǎo)軌242上，并在導(dǎo)軌242上沿第一方向12線性移動(dòng)。主機(jī)械手244包括基部244a、主體244b和主臂244c?；?44a沿導(dǎo)軌242可移動(dòng)地安裝。主體244b耦合到基部244a。主體244b設(shè)置成可在基部244a上沿第三方向16移動(dòng)。此外，主體244b設(shè)置成在基部244a上可旋轉(zhuǎn)。主臂244c耦合到主體244b，并設(shè)置成前后移動(dòng)到主體244b。提供有多個(gè)主臂244c，且它們?cè)O(shè)置成被獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)。主臂244c沿第三方向16豎直地布置，即彼此間隔開。將基板w從緩沖單元220傳輸?shù)焦に嚽皇?60時(shí)使用的主臂244c，與將基板w從工藝腔室260傳輸?shù)骄彌_單元220時(shí)使用的主臂244c可以是不同的。

在工藝腔室260中，設(shè)置有對(duì)基板w執(zhí)行清洗工藝的基板處理裝置300。設(shè)置在每個(gè)工藝腔室260中的基板處理裝置300可基于清洗工藝的種類而具有不同結(jié)構(gòu)。設(shè)置在每個(gè)工藝腔室260中的基板處理裝置300也可具有相同結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，工藝腔室260可被分成多個(gè)組，設(shè)置在同一組工藝腔室260中的基板處理裝置300可具有相同結(jié)構(gòu)，設(shè)置在不同組工藝腔室260中的基板處理裝置300可具有不同結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)工藝腔室260被分成兩組時(shí)，第一組工藝腔室260設(shè)置在傳輸腔室240的一側(cè)，而第二組工藝腔室260設(shè)置在傳輸腔室240的另一側(cè)。在一實(shí)施例中，第一組工藝腔室260和第二組工藝腔室260在傳輸腔室240的一側(cè)和另一側(cè)均按此順序堆疊。工藝腔室260可根據(jù)使用的化學(xué)品的種類或清洗工藝的種類分為若干組。

下面將描述用于處理基板w的基板處理裝置300的示例。圖3是示出了基板處理裝置300的實(shí)施例的視圖。

參見圖3，基板處理裝置300包括腔室310、杯狀物320、支撐單元340、升降單元360、噴射單元380和溶劑供應(yīng)單元500。

腔室310在其內(nèi)部設(shè)置有空間。杯狀物320放置在腔室310的內(nèi)部。杯狀物320設(shè)置有執(zhí)行基板處理工藝的處理空間，并具有開放的上側(cè)。杯狀物320包括內(nèi)部收集容器322、中部收集容器324和外部收集容器326。每個(gè)收集容器322、324、326收集工藝中所使用的處理液體中彼此不同的化學(xué)品。內(nèi)部收集容器322設(shè)置成圍繞支撐單元340的環(huán)形形狀。中部收集容器324設(shè)置成圍繞內(nèi)部收集容器322的環(huán)形形狀。外部收集容器326設(shè)置成圍繞中部收集容器324的環(huán)形形狀。內(nèi)部收集容器322的內(nèi)部空間322a、內(nèi)部收集容器322與中部收集容器324之間的內(nèi)部空間324a、以及中部收集容器324與外部收集容器326之間的內(nèi)部空間326a可分別用作化學(xué)品流入到內(nèi)部收集容器322、中部收集容器324和外部收集容器326中的入口。在收集容器322、324、326中，分別連接有豎直向下延伸到底部的收集管線322b、324b、326b。收集管線322b、324b、326b分別排出通過收集容器322、324、326流入的化學(xué)品。排出的化學(xué)品可通過外部的處理液體再生系統(tǒng)(未描述)再次使用。

支撐單元340置于杯狀物320的內(nèi)部。支撐單元340在基板處理工藝期間支撐并旋轉(zhuǎn)基板w。支撐單元340包括旋轉(zhuǎn)頭342、支撐銷344卡盤銷346、支撐軸348和馬達(dá)349。旋轉(zhuǎn)頭342具有通常設(shè)置為俯視觀察時(shí)為圓形的上表面。在旋轉(zhuǎn)頭342的底部，固定地連接有可由馬達(dá)349旋轉(zhuǎn)的支撐軸348。當(dāng)馬達(dá)348旋轉(zhuǎn)時(shí)，旋轉(zhuǎn)頭342旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)頭342包括支撐銷344和卡盤銷346以支撐基板。提供有多個(gè)支撐銷344。多個(gè)支撐銷344在旋轉(zhuǎn)頭342上表面的邊緣上彼此間隔開，并從旋轉(zhuǎn)頭342向上突出。支撐銷344通常布置成具有環(huán)形形狀。支撐銷344支撐基板w的背面，以使基板w的背面與旋轉(zhuǎn)頭342的上表面間隔開。提供有多個(gè)卡盤銷346?？ūP銷346布置成距旋轉(zhuǎn)頭342中心的距離比支撐銷344距旋轉(zhuǎn)頭342中心的距離更遠(yuǎn)。卡盤銷346設(shè)置成從旋轉(zhuǎn)頭342向上突出?？ūP銷346支撐基板w的外側(cè)部(邊)，使得當(dāng)支撐單元340旋轉(zhuǎn)時(shí)，基板w不會(huì)從正常位置偏離到側(cè)向?？ūP銷346設(shè)置為沿旋轉(zhuǎn)頭342的半徑方向在待機(jī)位置和支撐位置之間線性移動(dòng)。待機(jī)位置距旋轉(zhuǎn)頭342中心的距離比支撐位置距旋轉(zhuǎn)頭342中心的距離遠(yuǎn)。當(dāng)將基板w裝載到支撐單元340上以及從支撐單元340卸載基板w時(shí)，以及當(dāng)處理基板w時(shí)，卡盤銷346置于支撐位置上。支撐位置上的卡盤銷346與基板的外側(cè)部相接觸。

升降單元360線性地向上和向下移動(dòng)杯狀物320。升降單元360可移動(dòng)杯狀物320的多個(gè)收集容器322、324、326。盡管未描述，但升降單元360可獨(dú)立地移動(dòng)收集容器322、324、326。當(dāng)杯狀物320上下移動(dòng)時(shí)，杯狀物320相對(duì)于支撐單元340的高度改變。升降單元360包括支架362、移動(dòng)軸364和驅(qū)動(dòng)器366。支架362固定地安裝在杯狀物320的外壁上。由驅(qū)動(dòng)器366上下移動(dòng)的移動(dòng)軸364固定耦合到支架362。當(dāng)基板w被放置在支撐單元340上或者基板w從支撐單元340升起時(shí)，杯狀物320下降使得支撐單元340從杯狀物320突出。另外，在工藝期間，控制杯狀物320的高度，使得處理液根據(jù)供應(yīng)到基板w上的化學(xué)品的種類流入到預(yù)定的收集容器320中。在一示例中，當(dāng)使用第一化學(xué)品處理基板w時(shí)，基板w被放置在與內(nèi)部收集容器322的內(nèi)部空間322a相對(duì)應(yīng)的高度上。另外，當(dāng)使用第二化學(xué)品和第三化學(xué)品處理基板w時(shí)，基板w分別被放置在與內(nèi)部空間324a和內(nèi)部空間326a相對(duì)應(yīng)的高度上，內(nèi)部空間324a在內(nèi)部收集容器322和中部收集容器324之間，內(nèi)部空間326a在中部收集容器324和外部收集容器326之間。與以上不同的是，升降單元360可上下移動(dòng)支撐單元340，而不是杯狀物320。

噴射單元380將化學(xué)品供應(yīng)到基板w上?；瘜W(xué)品可以是清洗劑、沖洗劑或有機(jī)溶劑。過氧化氫(h2o2)溶液或者混合有氨(nh4oh)、鹽酸(hcl)或者硫酸(h2so4)的過氧化氫溶液、或者氫氟酸溶液可用作清洗劑。沖洗劑沖洗清洗劑。沖洗劑可以是純水。在噴射沖洗劑后，可以噴射有機(jī)溶劑。有機(jī)溶劑替換了液態(tài)沖洗劑。在一示例中，有機(jī)溶劑替換了純水。異丙醇、乙基乙二醇溶液或氣體、1-丙醇、四氫呋喃(tetrahydraulicfranc)、4-羥基、4-甲基、2-戊酮、1-丁醇、2-丁醇、甲醇、乙醇、正丙醇以及二甲基乙基(dimethylethe)可用作有機(jī)溶劑。

噴射單元380可以是可旋轉(zhuǎn)的?？商峁┮粋€(gè)或多個(gè)噴射單元380。噴射單元380包括噴嘴支撐件382、支架386、驅(qū)動(dòng)器388和噴嘴400。支架386設(shè)置成使其長(zhǎng)度方向與第三方向16平行，且驅(qū)動(dòng)器388耦合在支架386的底部。噴嘴支撐件382垂直地耦合到支架386的一端，該端與支架386的耦合到驅(qū)動(dòng)器388的另一端相對(duì)。噴嘴400安裝在噴嘴支撐件382一端的底部。噴嘴400由驅(qū)動(dòng)器388移動(dòng)到處理位置和待機(jī)位置。處理位置是噴嘴400位于杯狀物320豎直上方的位置，而待機(jī)位置是噴嘴400未在杯狀物320的豎直上方的位置。

圖4是圖3的基板處理裝置的溶劑供應(yīng)單元的視圖。

溶劑供應(yīng)單元500將液態(tài)的有機(jī)溶劑供應(yīng)到噴射單元380。溶劑供應(yīng)單元500包括中央供應(yīng)管510、箱520、加熱構(gòu)件530、加壓構(gòu)件540、連接管550和控制器600。

中央供應(yīng)管510自中央供應(yīng)單元(未示出)向箱520提供有機(jī)溶劑。供應(yīng)有機(jī)溶劑時(shí)的壓強(qiáng)可大于大氣壓p1。例如，有機(jī)溶劑的供應(yīng)壓強(qiáng)可為7atm～8atm。中央供應(yīng)管510可設(shè)置有閥512。閥512控制供應(yīng)到箱520中的有機(jī)溶劑。例如，當(dāng)有機(jī)溶劑被供應(yīng)到箱520的一部分空間時(shí)，可閉合閥512?？商娲兀部芍钡接袡C(jī)溶劑被供應(yīng)到箱520的整個(gè)空間時(shí)才閉合閥512。

箱520包括殼體522和循環(huán)管線524。有機(jī)溶劑容納在箱520的內(nèi)部空間中。循環(huán)管線524的一端和另一端均連接到箱520，以使箱520中的有機(jī)溶劑循環(huán)。

加熱構(gòu)件530加熱容納在箱520中的有機(jī)溶劑。加熱構(gòu)件530可設(shè)置在循環(huán)管線524上。加熱構(gòu)件530加熱沿循環(huán)管線524循環(huán)的液態(tài)有機(jī)溶劑。加熱構(gòu)件530將有機(jī)溶劑加熱至比有機(jī)溶劑在大氣壓p1下的沸點(diǎn)tb高的溫度。在一示例中，如果有機(jī)溶劑是異丙醇，則其被加熱到高于約80℃的目標(biāo)溫度tt，80℃是異丙醇在大氣壓p1下的沸點(diǎn)tb。作為一示例，目標(biāo)溫度tt可以為85℃。目標(biāo)溫度tt是有機(jī)溶劑可保持液相而不被蒸發(fā)的溫度。加熱構(gòu)件530僅在這樣的目標(biāo)溫度tt范圍內(nèi)加熱有機(jī)溶劑。也就是說，加熱構(gòu)件530僅在有機(jī)溶劑不蒸發(fā)的溫度范圍內(nèi)加熱。目標(biāo)溫度tt是考慮了箱520內(nèi)部空間的壓強(qiáng)而設(shè)定的。在這點(diǎn)上，稍后將描述加壓構(gòu)件540。

加壓構(gòu)件540調(diào)節(jié)箱520內(nèi)部空間的壓強(qiáng)。加壓構(gòu)件540使箱520內(nèi)部空間的壓強(qiáng)升高。加壓構(gòu)件540包括氣體供應(yīng)管542。氣體供應(yīng)管542將氣體供應(yīng)到箱520的內(nèi)部空間。氣體供應(yīng)管542可設(shè)置有用于調(diào)節(jié)氣體供應(yīng)的氣體閥544。供應(yīng)氣體時(shí)的壓強(qiáng)可設(shè)置為大于大氣壓p1。為了裝置的穩(wěn)定性，該氣體可以是不與有機(jī)溶劑反應(yīng)的氣體。在一示例中，該氣體可以是惰性氣體。該氣體可以是氮?dú)狻?/p>

在一示例中，從中央供應(yīng)管510供應(yīng)的有機(jī)溶劑填充了箱520的一部分內(nèi)部空間，接著通過氣體供應(yīng)管線542將氣體供應(yīng)到箱520的內(nèi)部空間。隨著氣體填充箱520的內(nèi)部空間，箱520的內(nèi)部空間中的壓強(qiáng)升高。升高的內(nèi)部壓強(qiáng)保持為比大氣壓p1高的壓強(qiáng)p2。例如，其可保持為1.3至1.5個(gè)大氣壓。

連接管550連接箱520和噴射單元380。箱520內(nèi)部空間中的有機(jī)溶劑通過連接管550移動(dòng)到噴射單元380。加熱到目標(biāo)溫度(tt)的液態(tài)有機(jī)溶劑流入連接管(550)。傳輸?shù)挠袡C(jī)溶劑通過噴射單元380噴射到基板上。

控制器600控制加壓構(gòu)件540和加熱構(gòu)件530?？刂破?00控制加熱構(gòu)件530以使有機(jī)溶劑的溫度被加熱到比大氣壓p1下的沸點(diǎn)tb高的目標(biāo)溫度tt，且加壓構(gòu)件540被控制以使有機(jī)溶劑在目標(biāo)溫度tt時(shí)保持液態(tài)。也就是說，考慮到箱520內(nèi)的壓強(qiáng)和有機(jī)溶劑的沸點(diǎn)，控制器600設(shè)定了目標(biāo)溫度tt以使有機(jī)溶劑可保持在液態(tài)而不被蒸發(fā)。然后，有機(jī)溶劑在目標(biāo)溫度tt內(nèi)被加熱。

下文中，將參照?qǐng)D5到圖9描述根據(jù)實(shí)施例的基板處理工藝。箭頭指示有機(jī)溶劑的流動(dòng)。

根據(jù)一實(shí)施例的基板處理方法包括有機(jī)溶劑供應(yīng)步驟s100、加壓步驟s200、加熱步驟s300和噴射步驟s400(參見圖9)。

參見圖5，在有機(jī)溶劑供應(yīng)步驟s100中，通過中央供應(yīng)管510將有機(jī)溶劑自中央供應(yīng)裝置供應(yīng)到箱520的內(nèi)部空間。供應(yīng)的有機(jī)溶劑可僅填充箱520的一部分內(nèi)部空間。

參見圖6，在加壓步驟s200中，通過氣體供應(yīng)管542將氣體供應(yīng)到箱520的內(nèi)部空間。在通過中央供應(yīng)管510填充了預(yù)定量的有機(jī)溶劑之后，閉合閥512，并通過氣體供應(yīng)管542供應(yīng)氣體。該氣體可以是不與有機(jī)溶劑反應(yīng)的惰性氣體。該氣體可以是氮?dú)?。?20的剩余壓力內(nèi)部空間填充有氣體，以使內(nèi)部空間的壓強(qiáng)p2高于大氣壓p1。其結(jié)果是，有機(jī)溶劑的沸點(diǎn)升高超過大氣壓p1下的沸點(diǎn)tb。因此，即使被加熱到比大氣壓p1下的沸點(diǎn)tb還高的溫度，也可保持液相。

參見圖7，在加熱步驟s300中，對(duì)箱520的內(nèi)部空間的有機(jī)溶劑進(jìn)行加熱。當(dāng)壓強(qiáng)高于大氣壓p1時(shí)，步驟s300通過循環(huán)管線524加熱有機(jī)溶劑并使有機(jī)溶劑循環(huán)。有機(jī)溶劑通過設(shè)置在循環(huán)管線524中的諸如加熱器的加熱構(gòu)件530而被加熱。有機(jī)溶劑的待加熱到的目標(biāo)溫度tt高于其在大氣壓p1下的沸點(diǎn)tb。然而，考慮到有機(jī)溶劑的沸點(diǎn)取決于箱520的內(nèi)部壓強(qiáng)且該內(nèi)部壓強(qiáng)高于大氣壓p1，設(shè)定了液態(tài)有機(jī)溶劑不被蒸發(fā)的目標(biāo)溫度tt，并在該目標(biāo)溫度tt內(nèi)加熱對(duì)象。

參見圖8，在噴射步驟s400中，通過噴射單元將加熱到目標(biāo)溫度tt的液態(tài)有機(jī)溶劑供應(yīng)到基板上。在基板上，諸如純水的沖洗劑殘留在基板上。液態(tài)有機(jī)溶劑替換了純水。替代的有機(jī)溶劑通過后續(xù)處理工藝被干燥。由于噴射的液態(tài)有機(jī)溶劑具有比常規(guī)液態(tài)有機(jī)溶劑高的溫度，所以表面張力比常規(guī)液態(tài)有機(jī)溶劑的表面張力低。因此，可在對(duì)基板圖案損傷(例如傾斜)最小的情況下清洗基板。

在以上實(shí)施例中，通過在箱的一部分內(nèi)部空間中填充有機(jī)溶劑，并向剩余部分的內(nèi)部空間供應(yīng)氣體來提高箱的內(nèi)部空間的壓強(qiáng)。然而，本文不限于此，可使用任何方法，只要該方法增加了箱內(nèi)空間的壓強(qiáng)。

例如，參見圖10，可通過中央供應(yīng)管1510以比大氣壓p1高的壓強(qiáng)p2供應(yīng)有機(jī)溶劑，來將有機(jī)溶劑供應(yīng)到箱1520的內(nèi)部空間。此時(shí)，氣體供應(yīng)管線可被省略。以這種方式，箱1520內(nèi)空間的壓強(qiáng)可保持為比大氣壓p1高的壓強(qiáng)p2。

具體地，在加壓步驟s200中，從中央供應(yīng)管1510連續(xù)而不中斷地供應(yīng)有機(jī)溶劑，以使有機(jī)溶劑填充到箱1520的內(nèi)部空間中。閥可被省略。此時(shí)，箱1520內(nèi)的空間被設(shè)定到比大氣壓p1高的壓強(qiáng)。例如，供應(yīng)有機(jī)溶劑的壓強(qiáng)p2可被無改變地傳輸?shù)较?520中。也就是說，箱1520內(nèi)的供應(yīng)壓強(qiáng)達(dá)到了供應(yīng)有機(jī)溶劑的壓強(qiáng)p2。

在以上實(shí)施例中，加熱構(gòu)件設(shè)置在循環(huán)管線中，但本文不限于此，任何的方法可被使用，只要其是加熱箱內(nèi)有機(jī)溶劑的方法。此外，循環(huán)管線可被省略。

前述實(shí)施例是本發(fā)明的示例。此外，以上內(nèi)容僅僅示出并描述了優(yōu)選實(shí)施例，而實(shí)施例可包括各種組合、變化和環(huán)境。也就是說，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離所附權(quán)利要求及其等同物所限定的本質(zhì)、精神和范圍的情況下，可在這些實(shí)施例中進(jìn)行替換、修改和變化。此外，并不旨在將本申請(qǐng)的范圍限于這些具體實(shí)施例或其具體特征或優(yōu)點(diǎn)。而是，旨在將本申請(qǐng)的范圍僅限于現(xiàn)在所附的權(quán)利要求及其等同物。