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一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置和一種對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)及方法與流程

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一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置和一種對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)及方法與流程

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其涉及一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置和一種對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)及方法。



背景技術(shù):

在半導(dǎo)體ic集成電路制造過(guò)程中,一個(gè)完整的芯片通常需要經(jīng)過(guò)多次光刻曝光才能制作完成。除了第一次光刻外,其余層次的光刻在曝光前都要將該層次的圖形與以前層次曝光留下的圖形進(jìn)行精確定位,這樣才能保證每一層圖形之間有正確的相對(duì)位置,即套刻精度。

現(xiàn)有的基于成像的工件對(duì)準(zhǔn)方式只能獲取單個(gè)像面的光強(qiáng)信息,景深較小,如果想要獲得不同焦面處的標(biāo)記信息,只能采用逐次調(diào)焦,掃描成像的方式。掃描過(guò)程通常需要一定的時(shí)間,因此,獲取信息的時(shí)效性較差,對(duì)于位置、形貌等處于快速運(yùn)動(dòng)變化中的物體或標(biāo)記無(wú)法進(jìn)行有效的探測(cè)。另外,調(diào)焦使用的調(diào)焦裝置結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,掃描成像時(shí)易引入對(duì)準(zhǔn)誤差。

現(xiàn)有的接近式工件對(duì)準(zhǔn)中也有利用微透鏡將基板上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記成像至掩模面,用ccd相機(jī)觀察掩模面標(biāo)記和基片標(biāo)記通過(guò)微透鏡的所形成的像,來(lái)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。在該裝置中,需要在對(duì)準(zhǔn)時(shí),在基板與 掩模版之間添加一組微透鏡陣列,對(duì)準(zhǔn)完成后,還需要將微透鏡陣列移出才能進(jìn)行曝光,從而增加了裝置與工藝流程的復(fù)雜性。再者,對(duì)于不同間距的基板和掩模,需要設(shè)計(jì)不同類型的微透鏡陣列,增加了成本。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置,包括

一照明光源,提供照明光;

一成像透鏡,使照明光向測(cè)量對(duì)象的方向照射,并改變從測(cè)量對(duì)象上反射出的光線的方向;

一微透鏡陣列,位于所述成像透鏡與所述探測(cè)裝置之間,其被調(diào)整后使透過(guò)所述成像透鏡的光分別入射至探測(cè)裝置探測(cè)面的不同位置處,;

一信號(hào)探測(cè)裝置,接收透過(guò)所述成像透鏡及微透鏡陣列向所述信號(hào)探測(cè)裝置方向發(fā)射的光線并成像;

一運(yùn)算單元,與所述信號(hào)探測(cè)裝置電路連接,根據(jù)所述信號(hào)探測(cè)裝置的成像信息,計(jì)算得到位于不同高度的所述測(cè)量對(duì)象的位置信息,所述位置信息是通過(guò)在后端解調(diào)處理中,利用傅里葉切片成像原理,恢復(fù)不同景深的標(biāo)記圖像獲得的。

作為優(yōu)選,所述標(biāo)記圖像通過(guò)如下公式獲得:

其中,pα為所求景深位置的圖像,為縮放尺度,為二維傅里葉逆變換,為四維傅里葉變換,為切片矩陣,其將四維函數(shù)降維為二維,為所求景深處變換矩陣的逆矩陣,βα為切片算子。

作為優(yōu)選,所述信號(hào)探測(cè)裝置具有探測(cè)面,且所述信號(hào)探測(cè)裝置在所述探測(cè)面上成像。

作為優(yōu)選,所述信號(hào)探測(cè)裝置為ccd相機(jī)或者cmos相機(jī)。

本發(fā)明還提供一種對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),包括

如上所述的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置;

至少兩個(gè)移動(dòng)平臺(tái),每個(gè)所述移動(dòng)平臺(tái)上各放置一個(gè)所述測(cè)量對(duì)象;

一控制系統(tǒng),分別與所述運(yùn)算單元和所述移動(dòng)平臺(tái)電路連接,根據(jù)所述運(yùn)算單元的計(jì)算結(jié)果移動(dòng)所述移動(dòng)平臺(tái),直至所有移動(dòng)平臺(tái)上測(cè)量對(duì)象對(duì)準(zhǔn)。

本發(fā)明還提供一種對(duì)準(zhǔn)方法,包括如下步驟:

步驟一:提供如上所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),在所述測(cè)量對(duì)象上設(shè)有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;

步驟二:由所述對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置將所有所述測(cè)量對(duì)象上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記成像并計(jì)算位置信息;

步驟三:由控制系統(tǒng)根據(jù)所述位置信息使所述移動(dòng)平臺(tái)移動(dòng)直至所有所述測(cè)量對(duì)象上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。

作為優(yōu)選,步驟二中由所述對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置將所有所述測(cè)量對(duì)象上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記成像并計(jì)算位置信息的過(guò)程具體為:所述照明光源提供的 照明光經(jīng)過(guò)所述成像透鏡、到達(dá)所有測(cè)量對(duì)象上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處,并由該處反射形成反射光,所述反射光依次經(jīng)過(guò)所述成像透鏡、微透鏡陣列到達(dá)所述信號(hào)探測(cè)裝置并成像,所述信號(hào)探測(cè)裝置將成像信息發(fā)送至所述運(yùn)算單元,所述運(yùn)算單元計(jì)算不同測(cè)量對(duì)象上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置信息。

作為優(yōu)選,步驟二中所述位置信息是通過(guò)在后端解調(diào)處理中,利用傅里葉切片成像原理,恢復(fù)不同景深的標(biāo)記圖像獲得的。

作為優(yōu)選,所述標(biāo)記圖像通過(guò)如下公式獲得:

其中,pα為所求景深位置的圖像,為縮放尺度,為二維傅里葉逆變換,為四維傅里葉變換,為切片矩陣,其將四維函數(shù)降維為二維,為所求景深處變換矩陣的逆矩陣,βα為切片算子。

本發(fā)明還提供一種光刻方法,提供如上所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),使用如上所述的對(duì)準(zhǔn)方法使掩膜版與基板對(duì)準(zhǔn),并進(jìn)行曝光。

本發(fā)明還提供一種鍵合方法,提供如上所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),使用如上所述的對(duì)準(zhǔn)方法使所有的鍵合對(duì)象對(duì)準(zhǔn),并進(jìn)行鍵合。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明在提供的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置中,在成像透鏡與探測(cè)裝置之間設(shè)置了微透鏡陣列,調(diào)整微透鏡陣列即可使不同焦距處的測(cè)量對(duì)象的光線到達(dá)探測(cè)裝置探測(cè)面的不同位置上,這樣在信號(hào)探測(cè)裝置上可以形成位于不同景深的測(cè)量對(duì)象的圖像,將這些不同景深的測(cè)量對(duì)象的圖像經(jīng)過(guò)運(yùn)算單元運(yùn)算后即 可得到不同景深的測(cè)量對(duì)象所在的位置,該位置包括水平坐標(biāo)和垂直坐標(biāo),這樣在對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)中,可使用控制系統(tǒng)根據(jù)運(yùn)算得到的測(cè)量對(duì)象所在的位置控制移動(dòng)平臺(tái)移動(dòng),使得所有的測(cè)量對(duì)象對(duì)準(zhǔn)。該裝置和方法能夠只需成像一次即可計(jì)算得到不同景深測(cè)量對(duì)象所在的位置,無(wú)需多次掃描成像,因此操作簡(jiǎn)單方便,省時(shí)省力。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置的工作原理圖;

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一探測(cè)器在理想焦面外時(shí)探測(cè)面和瞳面上的光線分布關(guān)系;

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一探測(cè)器在理想焦面內(nèi)時(shí)探測(cè)面和瞳面上的光線分布關(guān)系;

圖5為本發(fā)明實(shí)施例一不同焦面處光強(qiáng)分布坐標(biāo)轉(zhuǎn)換圖;

圖6為本發(fā)明實(shí)施例一對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置理想焦面和實(shí)際物面成像規(guī)律示意圖;

圖7為本發(fā)明實(shí)施例一提供的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖;

圖8為本發(fā)明實(shí)施例一對(duì)準(zhǔn)方法流程圖;

圖9為本發(fā)明實(shí)施例一提供的包含有對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的光刻系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖;

圖10為本發(fā)明實(shí)施例一中測(cè)量對(duì)象示意圖;

圖11為本發(fā)明實(shí)施例二中測(cè)量對(duì)象示意圖;

圖12為本發(fā)明實(shí)施例三中測(cè)量對(duì)象示意圖。

圖中:1-照明光源、2-成像透鏡、21-瞳面、22-理想焦面、23-實(shí)際物面、3-信號(hào)探測(cè)裝置、31-探測(cè)面、4-運(yùn)算單元、5-微透鏡陣列、6-移動(dòng)平臺(tái)、61-上層移動(dòng)平臺(tái)、62-下層移動(dòng)平臺(tái)、7-測(cè)量對(duì)象、71-掩膜版、72-基板、73-工件上部分、74-工件下部分、75-薄膜導(dǎo)線、751-電線一、76-印刷電路板、761-電線二、77-套刻工件一、78-套刻工件二、8-控制系統(tǒng)、9-光刻機(jī);

m1-套刻外框標(biāo)記、m2-套刻內(nèi)標(biāo)記、m3-上部分對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、m4-下部分對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。

實(shí)施例一

請(qǐng)參照?qǐng)D1與圖2,本發(fā)明提供一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置,該裝置放置于與測(cè)量對(duì)象7對(duì)應(yīng)之處,用于對(duì)準(zhǔn)測(cè)量測(cè)量對(duì)象7,按照光路的走向,該裝置依次包括

一照明光源1,為對(duì)準(zhǔn)測(cè)量提供照明光;

一成像透鏡2,將照明光束投射至測(cè)量對(duì)象7,并收集測(cè)量對(duì)象反射的反射光線;

一微透鏡陣列5,位于所述成像透鏡2與所述信號(hào)探測(cè)裝置3之間,用來(lái)調(diào)整通過(guò)成像透鏡的入射光線(入射光場(chǎng)),將光線調(diào)制后, 成像至信號(hào)探測(cè)裝置;;一信號(hào)探測(cè)裝置3,本實(shí)施例中,信號(hào)探測(cè)裝置3為ccd相機(jī)或者cmos相機(jī),該信號(hào)探測(cè)裝置3上具有用于成像的探測(cè)面31;

一運(yùn)算單元4,與所述信號(hào)探測(cè)裝置3電路連接。

請(qǐng)參照?qǐng)D2,對(duì)于該對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置,光路的走向?yàn)?,照明光?發(fā)出照明光,照明光通過(guò)成像透鏡2、到達(dá)測(cè)量對(duì)象7上,然后測(cè)量對(duì)象7將上述到達(dá)測(cè)量對(duì)象7的照明光反射形成反射光,然后依次通過(guò)成像透鏡2、微透鏡陣列5、信號(hào)探測(cè)裝置3并在探測(cè)面31上成像,通過(guò)微透鏡陣列5對(duì)成像光線進(jìn)行調(diào)制,使得不同焦面處的圖像,按照一定規(guī)律分布在探測(cè)面31,最終通過(guò)運(yùn)算單元對(duì)探測(cè)器上的圖像分布進(jìn)行解調(diào),可還原出不同焦面處的被測(cè)對(duì)象圖像??傮w效果相當(dāng)于每個(gè)微透鏡的景深進(jìn)行疊加形成的圖像的景深大于單個(gè)成像透鏡2形成的圖像的景深,此外由于每個(gè)微透鏡的焦面相異,在探測(cè)面31上形成的圖像為每個(gè)微透鏡所對(duì)應(yīng)的景深范圍內(nèi)形成的圖像拼接形成的。

而運(yùn)算單元4根據(jù)探測(cè)面31上顯示的圖像,可以計(jì)算不同焦面上的物體的位置信息,具體原理如下:

請(qǐng)參照?qǐng)D3和圖4,由于測(cè)量對(duì)象7上的不同焦面與探測(cè)面31的距離不同,在沒(méi)有微透鏡陣列5的作用情況下,若探測(cè)面31不位于成像的最佳焦面,即理想焦面22,分為兩種情況,一種探測(cè)面31位于理想焦面22之內(nèi),另一種即位于理想焦面22之外,請(qǐng)參照?qǐng)D3,在成像透鏡2的瞳面上建立uv坐標(biāo)系,在探測(cè)面31上建立xy坐 標(biāo)系,當(dāng)探測(cè)面31位于理想焦面22之內(nèi)時(shí),在探測(cè)面31上的光線分布與成像透鏡2的瞳面光線的分布呈正線性關(guān)系,而在圖4中,探測(cè)面31位于理想焦面22之外時(shí),上述兩種光線分布呈負(fù)線性關(guān)系,基于上述原理,可通過(guò)計(jì)算探測(cè)面31上的光強(qiáng)分布,來(lái)獲取不同焦面處的圖像。

根據(jù)上述成像理論,通過(guò)成像透鏡2的瞳面,最終入射到探測(cè)面31的光強(qiáng)可表示為:

其中:x,y為探測(cè)面31上的坐標(biāo),u,v為瞳面坐標(biāo),f為探測(cè)面31至瞳面的距離,θ為入射光線相對(duì)于成像面的角度,cos4θ代表由角度引起的光強(qiáng)衰減因子,lf(x,y,u,v)為關(guān)于探測(cè)面31坐標(biāo)、瞳面坐標(biāo)的四維光線分布函數(shù)。

在得到上述探測(cè)面31的光強(qiáng)分布后,可根據(jù)不同焦面處的光強(qiáng)分布得到其它焦面處的光強(qiáng)分布,具體請(qǐng)參照?qǐng)D5,在成像面上建立x’y’平面坐標(biāo)系,與該平面相交于x’點(diǎn)的光線,將與xy平面即探測(cè)面31相交于u+(x’-u)f/f’;同理,與成像面上相交于y’點(diǎn)的光線,將與探測(cè)面31相交于v+(v’-u)f/f’;因此:

基于上述原理,在圖6中,實(shí)際物面23并不位于理想焦面22處,因此當(dāng)光線從實(shí)際物面23處反射并依次通過(guò)成像物鏡2、微透鏡陣列5入射到探測(cè)面31上的圖像,與光線從理想焦面22處反射并依次通過(guò)成像透鏡2、微透鏡陣列5入射到探測(cè)面31上的圖像分布之間 存在一定的規(guī)律,上述規(guī)律可以通過(guò)傅里葉切片成像原理得到所求焦面位置的圖像:

其中,pα為所求該焦面位置的圖像,為縮放尺度,為二維傅里葉逆變換,為四維傅里葉變換,為切片矩陣,其將四維函數(shù)降維為二維,為所求景深處變換矩陣的逆矩陣,βα為切片算子,作用于頻域,用來(lái)從光場(chǎng)的頻譜中提取出某焦距處圖像的傅里葉頻譜。。

運(yùn)算單元4通過(guò)解調(diào),將探測(cè)面31上調(diào)制的圖像分布還原成所求該焦面位置的圖像,進(jìn)而可計(jì)算得到該焦面位置圖像上的點(diǎn)的平面坐標(biāo)。

本發(fā)明還提供一種對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),請(qǐng)參照?qǐng)D7,包括

如上所述的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置;

至少兩個(gè)移動(dòng)平臺(tái)6,每個(gè)所述移動(dòng)平臺(tái)6上各放置一個(gè)所述測(cè)量對(duì)象7;

一控制系統(tǒng)8,分別與所述運(yùn)算單元4和所述移動(dòng)平臺(tái)6電路連接,根據(jù)所述運(yùn)算單元4的計(jì)算結(jié)果,計(jì)算兩個(gè)測(cè)量對(duì)象7對(duì)準(zhǔn)時(shí),每個(gè)測(cè)量對(duì)象7需要移動(dòng)的距離,然后控制所述移動(dòng)平臺(tái)6的移動(dòng),直至所有移動(dòng)平臺(tái)6上測(cè)量對(duì)象7對(duì)準(zhǔn)。

請(qǐng)參照?qǐng)D8和圖1,本發(fā)明還提供一種對(duì)準(zhǔn)方法,包括如下步驟:

步驟一:提供如上所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),在所述測(cè)量對(duì)象7上設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;

步驟二:將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記移動(dòng)至對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的視場(chǎng)范圍內(nèi),打開(kāi)照明光 源1,由所述對(duì)準(zhǔn)測(cè)量裝置將所有所述測(cè)量對(duì)象7上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記成像并計(jì)算位置信息,具體為所述照明光源1提供的照明光經(jīng)過(guò)所述成像透鏡2到達(dá)所有測(cè)量對(duì)象上7的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處,并由該處反射形成反射光,所述反射光依次經(jīng)過(guò)所述成像透鏡2、所述微透鏡陣列5、到達(dá)所述信號(hào)探測(cè)裝置3并成像。由于每個(gè)測(cè)量對(duì)象7上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記皆位于不同的高度,則其具有不同的實(shí)際物面23,相對(duì)于成像透鏡2來(lái)說(shuō),其位于不同焦面處,此外每個(gè)微透鏡的焦面也不同,則光線經(jīng)過(guò)成像透鏡2和每個(gè)微透鏡后成像的理想焦面22也不同,則在探測(cè)面31上形成的圖像為具有不同理想焦面22和不同實(shí)際物面23的圖像拼接形成,收集處于探測(cè)面31上受微透鏡調(diào)制分布圖像,所述運(yùn)算單元4根據(jù)前述傅里葉切片成像原理而解調(diào)計(jì)算得到位于不同焦面上的多幅清晰標(biāo)記的圖像,并計(jì)算對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的實(shí)際平面坐標(biāo),尤其是對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中心的實(shí)際平面坐標(biāo);

步驟三:由控制系統(tǒng)8根據(jù)所述運(yùn)算單元4的計(jì)算結(jié)果,計(jì)算兩個(gè)測(cè)量對(duì)象7對(duì)準(zhǔn)時(shí),每個(gè)測(cè)量對(duì)象7需要移動(dòng)的距離,然后控制所述移動(dòng)平臺(tái)6的移動(dòng),直至所有移動(dòng)平臺(tái)6上測(cè)量對(duì)象7對(duì)準(zhǔn)。

請(qǐng)參照?qǐng)D9與圖7,在光刻中,需要將掩膜版71與基板72對(duì)準(zhǔn)后才能進(jìn)行光刻,在掩膜版71上設(shè)置有掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,在基板72上設(shè)置有基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,使用如圖10所示的光刻系統(tǒng)中,將掩膜版71放置在上層移動(dòng)平臺(tái)61(或者掩膜臺(tái))上,基板72放置在下層移動(dòng)平臺(tái)62(或者工件臺(tái))上,使用上述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和對(duì)準(zhǔn)方法將掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)后,進(jìn)行光刻。

較佳地,請(qǐng)參照?qǐng)D10,還可在掩膜版71上設(shè)置套刻外框標(biāo)記m1和套刻內(nèi)標(biāo)記m2,使用上述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)方法,將套刻外框標(biāo)記m1和套刻內(nèi)標(biāo)記m2對(duì)準(zhǔn),保證了套刻精度。

由此可見(jiàn),使用上述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和對(duì)準(zhǔn)方法只需成像一次至信號(hào)探測(cè)裝置3上,即可得到不同微透鏡焦面對(duì)應(yīng)景深所形成的圖像,然后通過(guò)運(yùn)算單元4根據(jù)上述圖像計(jì)算不同焦面上圖像中的點(diǎn)的坐標(biāo),無(wú)需多次掃描成像,無(wú)需在基板和掩膜版之間加入微透鏡陣列,因此結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化、操作方便,省時(shí)省力。

實(shí)施例二

本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于,請(qǐng)參照?qǐng)D11,將對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)用于鍵合硅片或者工件中,則提供了一種鍵合方法,將工件上部分73和工件下部分74分別放置兩個(gè)高度不同的移動(dòng)平臺(tái)6上,兩個(gè)待鍵合的硅片上皆形成有用于鍵合的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,為上部分對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記m3和下部分對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記m4,然后使用上述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)將上部分對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記m3和下部分對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記m4,然后進(jìn)行鍵合,使得工件上部分73和工件下部分74連接固定。

實(shí)施例三

本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于,測(cè)量對(duì)象7如圖12所示,測(cè)量對(duì)象7為兩個(gè)需要連接固定的工件,一個(gè)工件為帶有導(dǎo)線接口的薄膜導(dǎo)線75,另一個(gè)可以是帶有焊點(diǎn)的印刷電路板76,使用上述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)將薄膜導(dǎo)線75上的電線一751和印刷電路板76上的電線二761對(duì)準(zhǔn),然后按照工藝要求將薄膜導(dǎo)線75和印刷電路板76連接固定。

本發(fā)明對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行了描述,但本發(fā)明不僅限于上述實(shí)施例。顯然本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包括這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。

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