本發(fā)明涉及一種基板處理裝置及基板處理方法，尤其涉及一種能夠簡(jiǎn)化裝置的構(gòu)成并減少設(shè)置空間，且能夠提升基板處理速率的基板處理裝置和基板處理方法。

背景技術(shù)：

通常，半導(dǎo)體通過依次執(zhí)行用于形成膜、形成圖案、形成金屬布線等的一系列的單位工序而被制造。所述單位工序通常在工藝腔室內(nèi)部進(jìn)行。

作為關(guān)于用于制造上述半導(dǎo)體基板的基板處理裝置的現(xiàn)有技術(shù)的一示例，圖1示出韓國(guó)授權(quán)專利第10-1074083號(hào)中公開的基板處理裝置。圖1中示出的基板處理裝置1由裝載部(loadport)10、前端模塊(efem)20和工序處理部30構(gòu)成。

所述裝載部10沿著第一方向11布置在前端模塊20的前方，并包括多個(gè)支撐部6。各個(gè)支撐部6中置有用于收納將要提供到工序的基板w以及完成工藝處理的基板w的載體4。

所述前端模塊20包括：框架21，布置在裝載部10和工藝處理部30之間；移送機(jī)器人25，布置在框架21的內(nèi)部，并在裝載部10與工藝處理部30之間移送所述基板w。

所述工藝處理部30包括裝載鎖腔室40、轉(zhuǎn)移腔室50和多個(gè)工藝腔室60。

如上所述地構(gòu)成的現(xiàn)有基板處理裝置通過在工藝腔室60中維持所需要的真空度，并為了基板的裝載、工藝處理及卸載而移送基板。其需要在前端模塊20與工藝腔室60之間配備專門的裝載鎖腔室40和轉(zhuǎn)移腔室50，因此導(dǎo)致裝置具有如下的缺點(diǎn)：構(gòu)造復(fù)雜，裝置的設(shè)置所占空間較大，難以將各種處理裝置配置于預(yù)定的空間。

并且，因?yàn)樵谇岸四K20和工藝腔室60之間依次移送基板的步驟中會(huì)消耗較多的時(shí)間，因此存在基板處理速度變慢的問題。

并且，現(xiàn)有的基板處理裝置是用于維持工藝腔室60的真空度的單元，并且是在轉(zhuǎn)移腔室50和各個(gè)工藝腔室60之間的連接部分別配備有閘閥g的結(jié)構(gòu)。因此用于維持工藝腔室60所需的真空度的裝置的構(gòu)成復(fù)雜，并且因?yàn)閷ｉT地控制閘閥g，于是存在裝置的維持和管理不容易的問題。

并且，現(xiàn)有的基板處理裝置中，為了實(shí)現(xiàn)裝載所述基板時(shí)外部空氣流入到工藝腔室側(cè)的量的最小化，構(gòu)成為將吹掃氣體供應(yīng)到整個(gè)工藝腔室，從而導(dǎo)致吹掃氣體的供應(yīng)量過多，因此存在需要較高成本的缺點(diǎn)。

另外，作為關(guān)于基板處理裝置的現(xiàn)有技術(shù)，韓國(guó)授權(quán)專利第10-1406172號(hào)中公開了一種進(jìn)行回流工序的基板處理裝置。回流(reflow)工序?yàn)槿缦碌墓ば颍簩⑿枰缓附?soldering)的焊料供應(yīng)到基板而作為半導(dǎo)體的后續(xù)工序，并通過加熱所述焊料而借助于焊球(solderball)電連接電子部件或布線。

在進(jìn)行上述回流工序時(shí)，為了維持焊球的質(zhì)量，工藝腔室內(nèi)部所要求的氧氣(o2)的濃度管理非常重要，為此，在現(xiàn)有的基板處理裝置中，在工藝腔室的前端配備有裝載鎖腔室。但是在專門地配備上述裝載鎖腔室的情況下，會(huì)導(dǎo)致裝置的構(gòu)成復(fù)雜且體積增大，因此存在無法緊湊地實(shí)現(xiàn)基板處理裝置的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明為了解決上述問題而提出，其目的在于提供如下的基板處理裝置及基板處理方法：通過在工藝腔室一體地構(gòu)成裝載鎖部，簡(jiǎn)化裝置的構(gòu)造并減少設(shè)置空間，并可以通過減少基板的移送步驟而提高基板處理速度。

為了實(shí)現(xiàn)如上所述的目的，本發(fā)明提供一種基板處理裝置，其特征在于，包括：用于在真空狀態(tài)下處理基板的多個(gè)腔室，其中，所述多個(gè)腔室中，在第一腔室100一體地配備有用于在與前端模塊之間裝載及卸載所述基板的裝載鎖部100a，在布置有所述裝載鎖部100a的第一腔室100的第一空間s1和配備于所述第一空間s1的下側(cè)而與所述多個(gè)腔室連通的第一腔室100的第二空間s2在空間上彼此隔離的狀態(tài)下，進(jìn)行所述基板的裝載和卸載。

所述的基板處理裝置還包括：基座140，配備于所述第一腔室100的內(nèi)部而使所述基板得到安置；基座升降驅(qū)動(dòng)部150，通過驅(qū)動(dòng)而使所述基座140能夠進(jìn)行上下移動(dòng)，其中，在所述基座140借助于所述基座升降驅(qū)動(dòng)部150的驅(qū)動(dòng)而向上方移動(dòng)而緊貼到配備于所述第一空間s1與第二空間s2的交界的墊片部115的狀態(tài)下，進(jìn)行所述基板的裝載和卸載。

所述的基板處理裝置還包括：基板升降驅(qū)動(dòng)部160，配備有沿上下方向貫通所述基座140的多個(gè)升降銷161以及提供驅(qū)動(dòng)以使所述升降銷161上下移動(dòng)的基板升降缸體162，從而支撐所述基板以使該基板能夠升降。

在所述裝載鎖部100a的一側(cè)面配備有用于開閉開口部114的閘閥110，所述開口部114用于使基板出入，在所述裝載鎖部100a連接設(shè)置有用于使所述第一空間s1的真空度與所述第二空間s2的真空度相同的吸入部120。

在基板被裝載到所述裝載鎖部100a之后，當(dāng)借助于所述吸入部120的驅(qū)動(dòng)而使所述第一空間s1的真空度達(dá)到所述第二空間s2的真空度時(shí)，安置有所述基板的基座140借助于所述基座升降驅(qū)動(dòng)部150的驅(qū)動(dòng)而下降移動(dòng)至所述第二空間s2。

所述多個(gè)腔室沿著圓周方向而以預(yù)定的間距布置，在所述多個(gè)腔室之間包括為了移送所述基板而旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)臺(tái)700。

所述轉(zhuǎn)臺(tái)700包括：驅(qū)動(dòng)部710，用于提供旋轉(zhuǎn)力；多個(gè)臂部720，以所述驅(qū)動(dòng)部710的旋轉(zhuǎn)軸711為中心而以放射狀連接，且數(shù)量與所述多個(gè)腔室的數(shù)量相同，其中，在所述臂部720配備有用于支撐所述基板的兩端的基板支撐部730。

所述基板支撐部730由第一基板支撐突起731和第二基板支撐突起732構(gòu)成，所述第一基板支撐突起731和第二基板支撐突起732在所述臂部720的兩側(cè)部底面以彼此相向的彎曲的形態(tài)形成，并在上表面放置基板w而提供支撐。

在所述多個(gè)腔室中進(jìn)行基板的處理的期間內(nèi)，所述多個(gè)臂部720位于所述多個(gè)腔室之間的區(qū)域。

在所述多個(gè)腔室中的除了所述第一腔室100之外的其余腔室中配備有：蓋部220，用于在進(jìn)行基板處理工序的過程中密封各個(gè)腔室的內(nèi)部；蓋升降驅(qū)動(dòng)部230，驅(qū)動(dòng)所述蓋部220以使蓋部220能夠上下移動(dòng)。

在所述第一腔室110的第二空間s2以及當(dāng)所述蓋部220上升移動(dòng)時(shí)開放的所述多個(gè)腔室的內(nèi)部空間中配備有彼此連通的基板移送空間600c，所述轉(zhuǎn)臺(tái)700可旋轉(zhuǎn)地配備于所述基板移送空間600c。

在所述第一腔室100的第二空間s2進(jìn)行基板的冷卻工序，在除了所述第一腔室100之外的其余腔室中的一部分腔室中進(jìn)行基板的加熱工序。

為了實(shí)現(xiàn)如上所述的目的，本發(fā)明還提供一種基板處理方法，利用基板處理裝置而執(zhí)行，該基板處理裝置包括用于在真空狀態(tài)下處理基板的多個(gè)腔室，該方法包括以下步驟：第一步驟，在配備于所述多個(gè)腔室中的第一腔室100的上部的裝載鎖部110a的第一空間s1與配備于所述第一空間s1的下側(cè)的第一腔室100的第二空間s2在空間上彼此隔離的狀態(tài)下，將基板裝載到所述裝載鎖部110a；第二步驟，通過排出所述第一空間s1內(nèi)的空氣而使所述第一空間s1的真空度與所述第二空間s2的真空度相同；第三步驟，將位于所述第一空間s1的基板移送至所述第二空間s2；第四步驟，將位于所述第二空間s2的基板依次移送至所述多個(gè)腔室而執(zhí)行基板處理工序。

所述第一步驟在支撐所述基板的基座140向上方移動(dòng)而緊貼到配備于所述第一空間s1與第二空間s2的交界的墊片部115的狀態(tài)下執(zhí)行。

在所述第一步驟中，在所述基板被裝載之前，將吹掃氣體供應(yīng)到所述第一空間s1。

所述第三步驟借助于支撐所述基板的基座140的下降移動(dòng)而執(zhí)行。

所述第四步驟借助于在所述多個(gè)腔室之間移送所述基板的轉(zhuǎn)臺(tái)700的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)而執(zhí)行。

所述的基板處理方法還包括如下的第五步驟：使依次經(jīng)過所述多個(gè)腔室的基板回歸到所述第一腔室100，在所述第一空間s1與第二空間s2在空間上彼此隔離的狀態(tài)下，使位于第一空間s1的基板被卸載到第一腔室100的外部。

所述第五步驟在支撐所述基板的基座140向上方移動(dòng)而緊貼到配備于所述第一空間s1與第二空間s2的交界的墊片部115的狀態(tài)下執(zhí)行。

在所述第五步驟中，依次經(jīng)過所述多個(gè)腔室的基板在所述第一腔室100的第二空間s2中執(zhí)行冷卻工序。

根據(jù)本發(fā)明，可以實(shí)現(xiàn)如下的基板處理裝置：通過在用于處理基板的多個(gè)腔室中的第一腔室與前端模塊efem之間一體地形成用于裝載和卸載基板的裝載鎖部，簡(jiǎn)化基板處理裝置的構(gòu)造，從而可以減少設(shè)置空間，并可以省略配備于現(xiàn)有基板處理裝置的裝載鎖腔室和轉(zhuǎn)移腔室的構(gòu)造，并維持在基板處理中所需的真空度，同時(shí)易于管理氧濃度。

并且，在布置有第一腔室的裝載鎖部的第一空間與配備于其下側(cè)的第一腔室的第二空間在空間上彼此隔離的狀態(tài)下進(jìn)行基板的裝載和卸載步驟，從而可以防止第一空間和第二空間之間的流體的逆流，因此可以使進(jìn)行基板處理的多個(gè)腔室內(nèi)部的真空度和氧濃度的管理變得容易，并可以提高基板處理的可靠度。

并且，可以維持現(xiàn)有基板處理裝置的布局，并通過只改變第一腔室的結(jié)構(gòu)而將裝載鎖部一體地形成于第一腔室，因此可以減少基板處理裝置的制造成本。

并且，在前端模塊(efem)和第一腔室的裝載鎖部之間進(jìn)行基板的裝載和卸載，因此相比現(xiàn)有技術(shù)，可以大幅度簡(jiǎn)化基板的移送步驟，因此可以提高基板處理的速度并提高產(chǎn)率。

并且，在裝載所述基板之前，只在裝載鎖的第一空間供應(yīng)吹掃氣體并進(jìn)行排氣，因此相比現(xiàn)有技術(shù)，可以減少吹掃氣體的消耗量。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的基板處理裝置的構(gòu)成的平面圖。

圖2是概略地示出根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的構(gòu)成的平面圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的立體圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的平面圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的分解立體圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的主要部分分解立體圖。

圖7是用于說明在根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置中的轉(zhuǎn)臺(tái)移送基板的過程的立體圖。

圖8是沿著圖4的a-a線的剖視圖。

圖9是示出基板被裝載到裝載鎖部的步驟的圖。

圖10是示出基板移交給升降銷的步驟的圖。

圖11是示出基板被置于基座上，且在裝載鎖部中施加真空的步驟的圖。

圖12是示出基板和基座下降到第一腔室的下部的步驟的圖。

圖13和圖14是示出基板被移交到轉(zhuǎn)臺(tái)的步驟的圖。

圖15是示出基板借助于轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)而被移送到第二腔室的步驟的圖。

圖16是示出在第二腔室中進(jìn)行工序的步驟的圖。

符號(hào)說明

1：基板處理裝置2：前端模塊(efem)

2a：基板堆載部2b：基板移送部

100：第一腔室100a：第一腔室的上部腔室(裝載鎖部)

100b：第一腔室的下部腔室100c：第一腔室驅(qū)動(dòng)部

110：閘閥114：開口部

120：吸入部130：吹掃氣體供應(yīng)部

140：基座150：基座升降驅(qū)動(dòng)部

160：基板升降驅(qū)動(dòng)部170：基板吸附部

200：第二腔室200a：第二腔室的上部腔室

200b：第二腔室的下部腔室200c：第二腔室驅(qū)動(dòng)部

210：外殼220：蓋部

230：蓋升降驅(qū)動(dòng)部240：工藝氣體供應(yīng)部

250：基座260：基板升降驅(qū)動(dòng)部

270：基板吸附部280：排氣部

300：第三腔室400：第四腔室

500：第五腔室600：主體

600a：上部主體600b：下部主體

600c：基板移送空間700：轉(zhuǎn)臺(tái)

710：驅(qū)動(dòng)部720：臂部

730：基板支撐部800：移送機(jī)器人

s1：第一空間s2：第二空間

w：基板

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的構(gòu)成和作用進(jìn)行詳細(xì)的說明。

參照?qǐng)D2，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的基板處理裝置1包括以主體600的中央為基準(zhǔn)而以圓形布置的第一至第五腔室100、200、300、400、500。

一實(shí)施例中，在所述基板處理裝置1中可以進(jìn)行回流工序，在所述第一腔室100中進(jìn)行基板的裝載和卸載，并且進(jìn)行經(jīng)過第二至第五腔室200、300、400、500而被加熱處理的基板的冷卻，在所述第二至第五腔室200、300、400、500中可以進(jìn)行伴隨基板的加熱處理的工序。所述第五腔室500可以構(gòu)成為，在第一腔室100中的冷卻之前進(jìn)行冷卻工序。

在所述第一腔室100的一側(cè)連接設(shè)置有包括基板堆載部2a和基板移送部2b的前端模塊2(efem；equipmentfrontendmodule)。

所述前端模塊2起到如下的功能：利用配備于基板移送部2b的移送機(jī)器人800(參照?qǐng)D13)而將被堆載到基板堆載部2a的未處理基板裝載到基板處理裝置1的第一腔室100，或者將在基板處理裝置1中處理完畢的基板從第一腔室100卸載而堆載到基板堆載部2a。

如上所述，在本發(fā)明中，在前端模塊2和基板處理裝置1的第一腔室100之間進(jìn)行基板裝載和卸載操作，因此相比現(xiàn)有技術(shù)中的在前端模塊和工藝腔室之間專門配備有裝載鎖腔室和轉(zhuǎn)移腔室的結(jié)構(gòu)，可以簡(jiǎn)化裝置的構(gòu)成因此可以減少用于設(shè)置裝置的占有空間(footprint)，并且可以減少用于移送基板的移送裝置之間的接手/移交步驟和時(shí)間，因此可以增大基板處理速度。

以下，參照?qǐng)D3至圖8而對(duì)本發(fā)明的基板處理裝置1的構(gòu)成和作用進(jìn)行說明。

所述第一至第五腔室100、200、300、400、500分別包括上部腔室100a、200a、300a、400a、500a以及分別配備于其下側(cè)的下部腔室100b、200b、300b、400b、500b。并且，在所述下部腔室100b、200b、300b、400b、500b的下側(cè)配備有用于在第一至第五腔室100、200、300、400、500中執(zhí)行基板的移送和處理操作的驅(qū)動(dòng)部100c、200c、300c、400c、500c。

在所述上部腔室100a、200a、300a、400a、500a和下部腔室100b、200b、300b、400b、500b之間配備有主體600，所述主體600由與上部腔室100a、200a、300a、400a、500a的下端結(jié)合的上部主體600a以及與下部腔室100b、200b、300b、400b、500b的上端結(jié)合的下部主體600b構(gòu)成。

所述上部主體600a的底面與下部主體600b的上表面之間沿著上下方向隔離而形成有基板移送空間600c，所述基板移送空間600c與第一至第五腔室100、200、300、400、500連通而提供在各個(gè)腔室100、200、300、400、500之間移送所述基板w的通道。

所述第一腔室100的上部腔室100a起到在與所述前端模塊2之間裝載及卸載基板的裝載鎖100a的功能。并且，起到如下的功能：將裝載到第一腔室100的下部腔室100b的基板從裝載鎖部100a移送至第二腔室200的通道功能；將在第五腔室500中完成處理的基板移送到裝載鎖部100a的通道的功能；以及在卸載之前對(duì)基板進(jìn)行冷卻的工藝腔室功能。

在所述上部腔室100a的一側(cè)面形成有用于使被裝載及卸載的基板出入的開口部114，所述開口部114被閘閥110開閉，所述閘閥110可以由柱體111、負(fù)載112、和移動(dòng)塊113構(gòu)成。因此，當(dāng)負(fù)載112借助于柱體111的單向驅(qū)動(dòng)而移動(dòng)至柱體111的外側(cè)時(shí)，移動(dòng)塊113堵住開口部114而使裝載鎖部100a的內(nèi)部成為密閉的狀態(tài)，并當(dāng)負(fù)載112借助于柱體111的逆向驅(qū)動(dòng)而移動(dòng)至柱體111的內(nèi)側(cè)時(shí)，移動(dòng)塊113位于開口部114的上側(cè)而使開口部114成為開放的狀態(tài)。

另外，在所述裝載鎖部100a連接設(shè)置有用于在其內(nèi)部空間施加真空的吸入部120。

在所述裝載鎖部100a連接設(shè)置有用于將吹掃氣體供應(yīng)到其內(nèi)部空間的吹掃氣體供應(yīng)部130(參照?qǐng)D8)。一實(shí)施例中，所述吹掃氣體可以使用作為惰性氣體的氮?dú)?。所述吹掃氣體供應(yīng)部130在基板被裝載之前，將吹掃氣體供應(yīng)到裝載鎖部100a，從而使裝載鎖部100a內(nèi)部的第一空間s1的壓力上升，從而起到在裝載基板時(shí)最小化通過開口部114的外部空氣流入的作用。

并且，在所述裝載鎖部100a連接設(shè)置有：用于測(cè)量裝載鎖100a內(nèi)部第一空間s1的真空度的真空計(jì)(未示出)；以及用于測(cè)量所述第一空間s1的氧濃度的氧濃度傳感器(未示出)。

所述吸入部120可以被控制為驅(qū)動(dòng)到由所述真空計(jì)測(cè)量的真空度達(dá)到所要求的真空度為止。一實(shí)施例中，所述吸入部120可以被控制為一直驅(qū)動(dòng)到由真空計(jì)測(cè)量的真空度與第二空間s2的真空度相同。

在所述第一腔室100的內(nèi)部配備有：基座140，用于放置基板；以及基座升降驅(qū)動(dòng)部150，通過驅(qū)動(dòng)而使所述基座140能夠向上下進(jìn)行移動(dòng)。

在所述基座140的內(nèi)部可以配備有用于冷卻基板的冷卻單元(未示出)。

另外，在所述第一腔室100的內(nèi)壁形成有墊片部115，所述墊片部115從裝載鎖部100a的下端部位置向內(nèi)側(cè)突出，當(dāng)所述基座140上升而緊貼到所述墊片部115時(shí)，所述第一腔室100的內(nèi)部空間以基座140為基準(zhǔn)，形成有在上側(cè)和下側(cè)在空間上彼此隔離的第一空間s1和第二空間s2(參照?qǐng)D9)。所述第一空間s1是裝載鎖部100a內(nèi)部的密封空間，所述第二空間s2是與所述基板移送空間600c連通的空間。

在所述裝載鎖部100a中，基板的裝載及卸載在基座140上升移動(dòng)而緊貼到墊片部115的狀態(tài)(即，第一空間s1和第二空間s2在空間上彼此隔離的狀態(tài))下進(jìn)行。這是為了防止在執(zhí)行基板的裝載和卸載的期間內(nèi)，通過開口部114流入第一空間s1的外部的空氣逆流到第二空間s2，從而破壞第二空間s2、與此連通的基板移送空間600c以及第二至第五腔室200、300、400、500內(nèi)部的真空狀態(tài)。

并且，通過如上所述地使基板的裝載和卸載在第一空間s1和第二空間s2在空間上彼此隔離的狀態(tài)下進(jìn)行，可以最小化外部空氣的流入量，因此可以在基板處理裝置1中容易地管理工序中所需的氧濃度。

參照?qǐng)D6和圖8，所述基座升降驅(qū)動(dòng)部150可以由支撐基座140的底面的多個(gè)基座支撐部151以及通過驅(qū)動(dòng)而使所述基座支撐部151升降的基座升降缸體152構(gòu)成。

另外，在所述基座140的下側(cè)配備有為了通過支撐基板而使其在基座140的上側(cè)升降的基板升降驅(qū)動(dòng)部160。所述基板升降驅(qū)動(dòng)部160可以由沿著上下方向貫通形成于基座140的孔141的多個(gè)升降銷161以及通過驅(qū)動(dòng)而使所述升降銷161進(jìn)行上下移動(dòng)的基板升降缸體162構(gòu)成。所述基板升降驅(qū)動(dòng)部160起到如下的作用，當(dāng)裝載和卸載基板時(shí)，在移送機(jī)器人800和基座140之間接手/移交基板的功能；以及當(dāng)將基板從第一腔室100移送至第二腔室200時(shí)，在基座140和轉(zhuǎn)臺(tái)700之間接手/移交所述基板的功能。在下文中具體說明其作用。

并且，在所述基座140的下側(cè)配備有用于將基板穩(wěn)定地吸附到基座140的上表面而進(jìn)行支撐的基板吸附部170。

所述基板吸附部170可以由真空管171以及真空泵172構(gòu)成。所述真空管171的上端連接到形成于基座140的槽142，所述真空泵172用于通過所述真空管171施加真空。因此，基板的底面可以借助于基板吸附部170的驅(qū)動(dòng)而緊貼到基座140的上表面，從而得到穩(wěn)定的支撐。

所述第二至第五腔室200、300、400、500可以由相同的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，因此，下文中以第二腔室200為中心對(duì)構(gòu)成及作用進(jìn)行說明。

參照?qǐng)D6和圖8，第二腔室200的上部腔室200a包括：外殼210；蓋部220，在外殼210的下部可升降地配備，從而開閉所述基板移送空間600c和第二腔室200的內(nèi)部空間之間；蓋升降驅(qū)動(dòng)部230，通過驅(qū)動(dòng)而使所述蓋部220進(jìn)行上下移動(dòng)；工藝氣體供應(yīng)部240，用于將工藝氣體供應(yīng)到第二腔室200的內(nèi)部。

所述蓋升降驅(qū)動(dòng)部230可以包括：多個(gè)支撐銷231，下端固定于蓋部220，并且向圓周方向相隔而得到配備；升降板232，固定有所述多個(gè)支撐銷231的上端；蓋升降缸體233，通過驅(qū)動(dòng)而使所述升降板232進(jìn)行上下移動(dòng)。

并且，在所述工藝氣體供應(yīng)部240連接有向上部腔室200a的內(nèi)側(cè)延伸的工藝氣體供應(yīng)管241。

并且，在所述上部腔室200a可以配備有用于進(jìn)行基板的熱處理的加熱單元(未示出)。

在所述第二腔室200的下部腔室200b配備有用于放置基板的基座250，在基座250的下側(cè)配備有通過支撐而使基板在基座250的上側(cè)升降的基板升降驅(qū)動(dòng)部260。所述基板升降驅(qū)動(dòng)部260可以由沿著上下方向貫通形成于基座250的孔251的多個(gè)升降銷261以及通過驅(qū)動(dòng)而使所述升降銷261進(jìn)行上下移動(dòng)的基板升降缸體262構(gòu)成。

并且，在所述基座250的下側(cè)配備有用于將基板穩(wěn)定地吸附到基座250的上表面而進(jìn)行支撐的基板吸附部270。所述基板吸附部270可以由真空管271以及真空泵272構(gòu)成。所述真空管271的上端連接到形成于基座250的槽252，所述真空泵272用于通過所述真空管271施加真空。

并且，在所述下部腔室200b配備有排氣部280，所述排氣部280由排氣管281和排氣泵282構(gòu)成，并用于在完成工序后排出工藝氣體和殘留物。

參照?qǐng)D5、圖7和圖8，配備有用于在第一至第五腔室100、200、300、400、500之間移送所述基板的轉(zhuǎn)臺(tái)700。

所述轉(zhuǎn)臺(tái)700包括：驅(qū)動(dòng)部710，用于提供旋轉(zhuǎn)力；多個(gè)臂部720，以所述驅(qū)動(dòng)部710的旋轉(zhuǎn)軸711為中心而以放射狀連接，且配備數(shù)量與所述多個(gè)腔室相同。在所述臂部720的底面配備有用于支撐兩端的基板支撐部730。

所述基板支撐部730可以由用于支撐所述基板的一側(cè)端的第一基板支撐突起731以及用于支撐所述基板的另一側(cè)端的第二基板支撐突起732構(gòu)成。所述第一基板支撐突起731和第二基板支撐突起732可以形成為如下的結(jié)構(gòu)：在所述臂部720的兩側(cè)部底面彼此相向地彎曲成“l(fā)”字形態(tài)，從而使基板w能夠放置于所述彎曲的上表面而得到支撐。

因此，在基板w借助于上述基板升降驅(qū)動(dòng)部260的升降銷261而上升至預(yù)定高度的狀態(tài)下，如圖7所示，在轉(zhuǎn)臺(tái)700旋轉(zhuǎn)到基板w的位置側(cè)之后，如果使所述升降銷261再次下降，則基板w可以被置于轉(zhuǎn)臺(tái)700的基板支撐部730上，在此狀態(tài)下，轉(zhuǎn)臺(tái)700轉(zhuǎn)動(dòng)移動(dòng)至要進(jìn)行下一工序的腔室，從而實(shí)現(xiàn)基板的移送。

并且，在所述多個(gè)腔室中執(zhí)行基板的處理的期間內(nèi)，所述多個(gè)臂部720位于所述多個(gè)腔室之間的區(qū)域而待機(jī)(參照?qǐng)D5)。

以下，參照?qǐng)D9至圖16而對(duì)如上所述地構(gòu)成的基板處理裝置1中的基板處理方法進(jìn)行說明。

圖9和圖10表示基板w被裝載到裝載鎖部100a的第一步驟。

在基板w被裝載之前，基座140借助于基座升降驅(qū)動(dòng)部150的驅(qū)動(dòng)而上升至能夠緊貼到墊片部115的位置，在此狀態(tài)下，吹掃氣體借助于吹掃氣體供應(yīng)部130而被供應(yīng)到第一空間s1的內(nèi)部。

然后，開口部114借助于閘閥110的驅(qū)動(dòng)而被開放。當(dāng)開口部114被開放時(shí)，如圖9所示，基板w借助于配備在前端模塊2的移送機(jī)器人800而通過開口部114，并被裝載到裝載鎖部100a內(nèi)部的第一空間s1。

然后，如圖10所示，升降銷161借助于基板升降驅(qū)動(dòng)部160的驅(qū)動(dòng)而進(jìn)行上升移動(dòng)，并抬起基板w而支撐，在基板w被移交給升降銷161后，移送機(jī)器人800通過開口部114而回歸到裝載鎖100a的外部，且開口部114借助于閘閥110的驅(qū)動(dòng)而被關(guān)閉。并且，基板w借助于升降銷161的下降移動(dòng)而被安置于基座140上。

圖11表示在裝載鎖100a內(nèi)部的第一空間s1密封的狀態(tài)下，排出第一空間s1內(nèi)的空氣而使第一空間s1的真空度達(dá)到第二空間s2的真空度的第二步驟。

此時(shí)，借助于吸入部120的驅(qū)動(dòng)而吸入第一空間s1的空氣并排出到外部。在此情況下，可以通過控制而使所述吸入部120被驅(qū)動(dòng)到第一空間s1的真空度達(dá)到第二空間s2的真空度的時(shí)間點(diǎn)為止。

圖12表示使位于第一空間s1的基板w移動(dòng)至第二空間s1的第三步驟。

當(dāng)完成所述第二步驟而成為第一空間s1和第二空間s2的真空度相同的狀態(tài)時(shí)，基座140和放置于其上表面的基板w借助于基座升降驅(qū)動(dòng)部150的驅(qū)動(dòng)而向第二空間s2進(jìn)行下降移動(dòng)。

圖13至圖16表示使位于第二空間s2的基板w依次移動(dòng)至第二至第五腔室200、300、400、500而進(jìn)行基板處理工序的第四步驟。

當(dāng)完成所述第三步驟而使放置有基板w的基座140位于第二空間s2時(shí)，如圖13所示，升降銷161上升移動(dòng)而將基板w抬升到轉(zhuǎn)臺(tái)700的臂部720與基板支撐部730之間的高度。

然后，轉(zhuǎn)臺(tái)700如圖7的(b)所示地旋轉(zhuǎn)而使基板w的兩側(cè)端位于轉(zhuǎn)臺(tái)700的臂部720、基板支撐部730的第一基板支撐突起731和第二基板支撐突起732之間。

然后，如圖14所示，升降銷161進(jìn)行下降移動(dòng)而將基板w移交到轉(zhuǎn)臺(tái)700的基板支撐部730上。

然后，如圖15所示，配備于第二腔室200的蓋部220進(jìn)行上升移動(dòng)而使第二腔室200的內(nèi)部空間成為與基板移送空間600c連通的狀態(tài)，然后轉(zhuǎn)臺(tái)700通過該連通的空間旋轉(zhuǎn)而將基板w移動(dòng)至第二腔室200的內(nèi)部。

然后，如圖16所示，升降銷261借助于配備在第二腔室200的基板升降驅(qū)動(dòng)部260的驅(qū)動(dòng)而進(jìn)行上升移動(dòng)，從而接手(接收)基板w，在基板w被移交給升降銷261后，接手基板w的轉(zhuǎn)臺(tái)700的臂部720旋轉(zhuǎn)至第二腔室200和第三腔室300之間的區(qū)域，然后停止。

然后，升降銷261進(jìn)行下降移動(dòng)而將基板w放置于基座250上，然后蓋部220進(jìn)行下降移動(dòng)而使第二腔室200的內(nèi)部成為密封的狀態(tài)，然后進(jìn)行基板處理工序。在完成第二腔室200中的工序后，工藝氣體的殘留物通過排氣部280被排出到外部。然后，第二腔室200的蓋部220進(jìn)行上升移動(dòng)，并經(jīng)過如上所述的步驟而使基板w從第二腔室200移動(dòng)至第三腔室300，并依次進(jìn)行后續(xù)的工序。

如果通過反復(fù)進(jìn)行上述過程而在第二至第五腔室200、300、400、500中完成一系列的基板處理工序，則基板w再次回歸到第一腔室100的第二空間s2，并在所述第二空間s2中進(jìn)行基板的冷卻工序。

然后，基座140進(jìn)行上升移動(dòng)以緊貼到基座部115，并在第一空間s1和第二空間s2在空間上彼此隔離的狀態(tài)下，執(zhí)行位于所述第一空間s1的基板被卸載到第一腔室100的外部的第五步驟。

如上所述，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，在不脫離權(quán)利要求書中請(qǐng)求保護(hù)的本發(fā)明的技術(shù)思想的情況下，在本發(fā)明的所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有基本知識(shí)的人員可以進(jìn)行顯而易見的變形實(shí)施，這種變形實(shí)施屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。