技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種氮化物納米帶的制備方法，包括：刻蝕硅襯底，得到圖形化硅襯底；在圖形化硅襯底的壁面上生長氮化物外延層；對粘連在一起的圖形化硅襯底與氮化物外延層結(jié)構(gòu)，進行腐蝕去除圖形化硅襯底，得到氮化物納米帶。本發(fā)明對Si襯底的晶向沒有苛刻的要求，在Si(100)和Si(111)襯底上皆可進行降低生產(chǎn)成本，采用圖形化襯底生長氮化物，生長氮化物的尺寸可控。

技術(shù)研發(fā)人員：袁國棟;王琦;張璐;劉文強;王軍喜
受保護的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.26
技術(shù)公布日：2017.07.14