本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種消除雙晶等晶粒異常的晶圓裂片裝置。

背景技術(shù)：

LED的生產(chǎn)流程包括外延和芯片兩個(gè)制程，其中外延制程主要是在一襯底上通過(guò)氣相沉積法將不同材料沉積于襯底上形成外延片，而芯片制程則是在外延片上制作透明導(dǎo)電層、電極等結(jié)構(gòu)，并且通過(guò)劃片機(jī)臺(tái)、裂片機(jī)臺(tái)將一晶圓分割成多個(gè)晶粒，供后續(xù)的封裝使用。

劃片機(jī)臺(tái)通常采用激光在晶圓的表面或者晶圓內(nèi)部于相鄰晶粒之間切割形成縱橫交錯(cuò)的多條切割道，然后裂片機(jī)臺(tái)沿該切割線將晶圓劈裂形成多個(gè)獨(dú)立的晶粒。而劃片機(jī)臺(tái)若未能將相鄰晶粒分割并形成相應(yīng)的切割道，將形成雙晶現(xiàn)象，進(jìn)而影響后續(xù)的裂片操作?，F(xiàn)有技術(shù)中，通常由工作人員通過(guò)肉眼分辨是否存在雙晶現(xiàn)象，并通過(guò)吹氣方式消除雙晶，該方法導(dǎo)致檢測(cè)效率和精度均較低，無(wú)法滿足現(xiàn)代化生產(chǎn)作業(yè)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，為解決上述的問(wèn)題，本實(shí)用新型在現(xiàn)有的裂片機(jī)上增設(shè)加熱平臺(tái)和離子風(fēng)機(jī)，以消除雙晶現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化操作，具體技術(shù)方案如下：

一種晶圓裂片裝置，至少包括：晶圓，所述晶圓具有復(fù)數(shù)條切割道；加工平臺(tái)，所述晶圓置于所述加工平臺(tái)上；劈裂機(jī)構(gòu)，所述劈裂機(jī)構(gòu)位于所述加工平臺(tái)上方；圖像獲取機(jī)構(gòu)，所述圖像獲取機(jī)構(gòu)位于所述加工平臺(tái)的下方；其特征在于：所述裂片裝置還包括用于加熱晶圓以消除雙晶的加熱平臺(tái)，位于所述加熱平臺(tái)一側(cè)還具有對(duì)所述晶圓進(jìn)行吹掃的風(fēng)機(jī)，以及在所述加工平臺(tái)和加熱平臺(tái)之間轉(zhuǎn)移所述晶圓的轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述風(fēng)機(jī)可選用離子風(fēng)機(jī)。

優(yōu)選的，所述加工平臺(tái)的上方還具有對(duì)所述晶圓提供照明的第一光源，所述第一光源位于所述劈裂機(jī)構(gòu)的一側(cè)。

優(yōu)選的，所述加工平臺(tái)的下方還具有對(duì)所述晶圓提供照明的第二光源，所述第二光源位于所述圖像獲取機(jī)構(gòu)的一側(cè)。

優(yōu)選的，所述加工平臺(tái)的上方和下方分別具有對(duì)晶圓提供照明的第一光源和第二光源，所述第一光源和第二光源分別位于所述劈裂機(jī)構(gòu)和圖像獲取機(jī)構(gòu)的一側(cè)。

優(yōu)選的，所述第一光源和第二光源相同或不同，所述第一光源和第二光源均為白光光源；或者所述第一光源為白光光源，所述第二光源為紅外光源。

優(yōu)選的，所述加工平臺(tái)至少包括兩個(gè)相對(duì)移動(dòng)的受臺(tái)，所述晶圓置于所述受臺(tái)上，并且所述切割道對(duì)應(yīng)于所述兩個(gè)受臺(tái)之間的空隙。

優(yōu)選的，所述劈裂機(jī)構(gòu)至少包括一劈刀，所述劈刀沿所述切割道劈裂所述晶圓。

優(yōu)選的，所述圖像獲取機(jī)構(gòu)為電荷耦合元件。

優(yōu)選的，所述轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)為機(jī)械手。

本實(shí)用新型通過(guò)在現(xiàn)有的裂片機(jī)上增設(shè)加熱平臺(tái)和離子風(fēng)機(jī)，利用冷熱沖擊將檢測(cè)到的具有雙晶現(xiàn)象等異常的晶圓及時(shí)進(jìn)行處理，以消除異常，從而進(jìn)一步提高裂片良率。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型之晶圓結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型之晶圓裂片裝置部分結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)注：10. 晶圓；11：切割道；20. 加工平臺(tái)；30. 劈裂機(jī)構(gòu)；40. 圖像獲取機(jī)構(gòu)；50.加熱平臺(tái)；60. 轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)；70. 風(fēng)機(jī)。

具體實(shí)施方式

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。

實(shí)施例1

參看附圖1~2，一種晶圓裂片裝置，至少包括：晶圓10，其具有復(fù)數(shù)條切割道11；加工平臺(tái)20，晶圓10置于加工平臺(tái)20上；劈裂機(jī)構(gòu)30，劈裂機(jī)構(gòu)30位于加工平臺(tái)20上方；圖像獲取機(jī)構(gòu)40，其位于加工平臺(tái)20的下方；裂片裝置還包括用于加熱晶圓10以消除雙晶的加熱平臺(tái)50，位于加熱平臺(tái)50一側(cè)還具有對(duì)晶圓10進(jìn)行吹掃的風(fēng)機(jī)70，以及在加工平臺(tái)20和加熱平臺(tái)50之間轉(zhuǎn)移晶圓10的轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)60，風(fēng)機(jī)70可選用離子風(fēng)機(jī)。

具體地，加工平臺(tái)20至少包括兩個(gè)相對(duì)移動(dòng)的受臺(tái)，晶圓10置于受臺(tái)上，并且切割道11對(duì)應(yīng)于兩個(gè)受臺(tái)之間的空隙。劈裂機(jī)構(gòu)30至少包括一劈刀，劈刀沿切割道11劈裂晶圓10。加工平臺(tái)20的上方還具有對(duì)晶圓10提供照明的第一光源80，第一光源80位于劈裂機(jī)構(gòu)30的一側(cè)，可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置于劈裂機(jī)構(gòu)30的任何一側(cè)?；蛘?，于加工平臺(tái)20的下方設(shè)置對(duì)晶圓10提供照明的第二光源90，第二光源90位于圖像獲取機(jī)構(gòu)40的一側(cè)，同樣可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置于圖像獲取機(jī)構(gòu)40的任何一側(cè)。本實(shí)施例中，于加工平臺(tái)20的上方和下方分別設(shè)置有對(duì)晶圓10提供照明的第一光源80和第二光源90，第一光源80和第二光源90分別位于劈裂機(jī)構(gòu)30和圖像獲取機(jī)構(gòu)40的一側(cè)。第一光源80和第二光源90相同或不同，第一光源80和第二光源90均為白光光源；或者第一光源80為白光光源，第二光源90為紅外光源。圖像獲取機(jī)構(gòu)40為電荷耦合元件（英文Charge-coupled Device，簡(jiǎn)稱CCD），轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)60可選為機(jī)械手。

本實(shí)用新型在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，晶圓10經(jīng)過(guò)激光表面切割或者隱形切割后形成縱橫交錯(cuò)的復(fù)數(shù)條切割道11，首先，將具有切割道11的晶圓10置于加工平臺(tái)20上；然后，第一光源80和第二光源90分別照明晶圓10的兩個(gè)表面，圖像獲取機(jī)構(gòu)40掃描晶圓10并生產(chǎn)一晶圓圖像，根據(jù)晶圓圖像上的圖像灰階度判斷晶圓10是否存在雙晶區(qū)域，若無(wú)雙晶區(qū)域或者雙晶區(qū)域的比例（雙晶區(qū)域的比例=雙晶區(qū)域/非雙晶區(qū)域）較小，例如小于5%，則繼續(xù)進(jìn)行劈裂操作；若該比例大于等于5%時(shí)，則轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)60將該晶圓10轉(zhuǎn)移至加熱平臺(tái)50，并于30~50℃加熱2~5min，同時(shí)使用離子風(fēng)機(jī)70吹掃，以消除雙晶現(xiàn)象，消除雙晶現(xiàn)象后的晶圓10再由轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)60轉(zhuǎn)移至加工平臺(tái)20上，隨后劈裂機(jī)構(gòu)30沿切割道11劈裂晶圓10。

本實(shí)用新型于裂片前通過(guò)CCD掃描晶圓以判斷晶圓是否存在雙晶區(qū)域或者雙晶區(qū)域的比例，如果雙晶區(qū)域的比例大于等于5%，則通過(guò)加熱平臺(tái)加熱和離子風(fēng)機(jī)吹掃消除雙晶，之后再進(jìn)行裂片操作，該種晶圓雙晶現(xiàn)象檢測(cè)和消除的方法可以大大提高晶圓裂片的良率。另外，通過(guò)在現(xiàn)有的裂片機(jī)上增設(shè)加熱平臺(tái)和離子風(fēng)機(jī)，由于在進(jìn)行裂片操作時(shí)，晶圓表面覆蓋有保護(hù)膜，當(dāng)進(jìn)行加熱晶圓時(shí)，保護(hù)膜收縮，對(duì)晶圓產(chǎn)生一定的力，進(jìn)而在離子風(fēng)機(jī)的風(fēng)力沖擊下，利用冷熱沖擊將檢測(cè)到的具有雙晶現(xiàn)象等異常的晶圓及時(shí)進(jìn)行處理，以消除異常，從而進(jìn)一步提高裂片良率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，上述具體實(shí)施方案為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，本實(shí)用新型的范圍不限于該實(shí)施例，凡依本實(shí)用新型所做的任何變更，皆屬本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。