技術總結
本發(fā)明實施例公開了一種芯片及其制造方法，該制造方法包括：提供一超薄芯片，超薄芯片的功能面上具有多個電極，在超薄芯片的功能面上形成鈍化層，鈍化層具有與多個電極分別對應設置的多個第一開口；在鈍化層上形成掩膜層，掩膜層具有與多個第一開口分別對應設置的多個第二開口，第二開口大于第一開口；在第二開口中形成導電凸點；去除掩膜層。本發(fā)明實施例中，通過設置鈍化層和掩膜層，將導電凸點形成在第一開口和第二開口中，實現(xiàn)了精確控制導電凸點的形狀；形成導電凸點時，任意相鄰兩個電極上的導電凸點之間采用掩膜層進行間隔，則形成的導電凸點不易擠壓而變形避免了相鄰導電凸點之間的短路現(xiàn)象，便于一次性、高精度的成型導電凸點。

技術研發(fā)人員：高國華;朱桂林
受保護的技術使用者：通富微電子股份有限公司
文檔號碼：201611256205
技術研發(fā)日：2016.12.30
技術公布日：2017.05.31