專利名稱：內(nèi)插器芯片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種安裝半導(dǎo)體芯片的內(nèi)插器芯片(interposer chip)及其制造方 法，并且具體而言，涉及一種用于其中多個(gè)半導(dǎo)體芯片密封在一個(gè)封裝中的SIP (系統(tǒng)級(jí)封 裝)結(jié)構(gòu)中的內(nèi)插器芯片及其制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件中，布線層形成在絕緣膜上。要求布線被形成為使得不會(huì)被剝離。在文獻(xiàn)1 (日本專利公布2000-269215)和文獻(xiàn)2(日本專利公布2004-282000)中 公開(kāi)了獲得堅(jiān)固半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的技術(shù)。此外，在文獻(xiàn)3(日本專利公布2007-142333)中公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件，其目的是 獲得一種半導(dǎo)體器件，在所述半導(dǎo)體器件中，下焊盤(pán)結(jié)構(gòu)對(duì)壓進(jìn)(tucking)方向、剝離方向 和水平方向上的力具有抵抗性。圖IA是示出文獻(xiàn)3中公開(kāi)的半導(dǎo)體器件的焊盤(pán)部的透視 平面圖，以及圖IB是示出圖1中沿著C-C'橫截面的截面圖。該半導(dǎo)體封裝包括在位于焊 盤(pán)104下方的下焊盤(pán)區(qū)域中布置的加強(qiáng)圖案(124、126、132、134、140、142和148)。加強(qiáng)圖 案的占用率在預(yù)定范圍內(nèi)，并且與預(yù)定芯片邊緣部垂直的方向上的加強(qiáng)圖案的占用率大于 與預(yù)定芯片邊緣部平行的方向上的加強(qiáng)圖案的占用率。通過(guò)這種方式，隨著半導(dǎo)體器件中的功能升級(jí)和增加，諸如系統(tǒng)LSI (大規(guī)模集 成)，制造工藝的數(shù)目就會(huì)增加，并且變得難以實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)率。由該觀點(diǎn)，SIP (系統(tǒng)級(jí)封裝) 成為焦點(diǎn)，其中，多個(gè)一般的半導(dǎo)體芯片密封在一個(gè)封裝中。在SIP中，使用內(nèi)插器芯片。提 供該內(nèi)插器芯片，用于改變從多個(gè)半導(dǎo)體芯片延伸的布線的次序(再布線)，并且具有用于 再布線的再布線層。

發(fā)明內(nèi)容
圖2A是示出SIP 30的平面圖，以及圖2B是示出SIP 30的截面圖。如圖2A和2B 所示，SIP 30包括引線框架(1、7)、第一半導(dǎo)體芯片2、第二半導(dǎo)體芯片5和內(nèi)插器芯片3。 第一半導(dǎo)體芯片2經(jīng)由固定材料4安裝在引線框架的島狀部1上。第二半導(dǎo)體芯片5經(jīng)由 內(nèi)插器芯片3安裝在島狀部1上。內(nèi)插器芯片3通過(guò)固定材料固定在島狀部1上，并且第 二半導(dǎo)體芯片5也通過(guò)固定材料安裝在內(nèi)插器芯片3上。即使省略了圖解，如上所述，在內(nèi) 插器芯片3中提供了再布線層。內(nèi)插器芯片3通過(guò)接合線6連接到第一半導(dǎo)體芯片2、第二 半導(dǎo)體芯片5和引線框架的引線端子7 (封裝引線端子)。此外，通過(guò)密封樹(shù)脂8來(lái)密封島 狀部1、第一半導(dǎo)體芯片2、內(nèi)插器芯片3和半導(dǎo)體芯片5。根據(jù)本發(fā)明人進(jìn)行研究的結(jié)果，表明了內(nèi)插器芯片3的布線會(huì)被剝離。此外，還表 明了這種剝離與固定材料4和密封樹(shù)脂8的結(jié)合有關(guān)。圖3A是示出半導(dǎo)體芯片3的截面圖。參考圖3A，將說(shuō)明剝離部。如圖3A所示，內(nèi) 插器芯片3包括基板11、在基板11上提供的層間絕緣膜12、在層間絕緣膜12上提供的布 線層13、覆蓋布線層13的覆蓋絕緣膜14和在覆蓋絕緣膜14上形成的鈍化膜15。布線層13包括阻擋金屬層(在圖3A中未示出)，并在阻擋金屬層處接觸層間絕緣膜12。在鈍化 膜15上，第二半導(dǎo)體芯片5通過(guò)固定材料4來(lái)固定。這里，布線層13從層間絕緣膜12剝 離的部分是第二半導(dǎo)體芯片5的邊緣的下部(圖中的剝離部)。圖3B示出該剝離部的電子 顯微照片。如圖3B所示，在層間絕緣膜12與布線層13(以符號(hào)X示出)之間形成空隙，并 且布線層13的阻擋金屬層16從層間絕緣膜12剝離。將說(shuō)明為什么布線層容易在半導(dǎo)體芯片的邊緣處剝離。圖4A至圖4D是示出在內(nèi) 插器芯片3上安裝第二半導(dǎo)體芯片5的過(guò)程。如圖4A所示，首先，用固定材料4將內(nèi)插器 芯片3固定在引線框架的島狀部1上。接下來(lái)，如圖4B所示，通過(guò)固定材料4將第二半導(dǎo)體芯片5固定在鈍化膜15上。 這里，使用樹(shù)脂材料作為固定材料4。固定材料4涂覆在鈍化膜15上。半導(dǎo)體芯片5布置 在涂覆的固定材料4上，并且以預(yù)定溫度來(lái)固化固定材料4。結(jié)果，第二半導(dǎo)體芯片5被固 定。在安裝第二半導(dǎo)體芯片5時(shí)，在第二半導(dǎo)體芯片5的邊緣處增加強(qiáng)定材料4的量。接下來(lái)，如圖4C所示，通過(guò)密封樹(shù)脂8密封島狀部1、內(nèi)插器芯片3和第二半導(dǎo)體 芯片5。在密封時(shí)，密封樹(shù)脂8在預(yù)定溫度處固化。在固化后冷卻密封樹(shù)脂8。當(dāng)固定材料4的固化溫度過(guò)度低于密封樹(shù)脂8的固化溫度時(shí)，顯示出很容易發(fā)生 布線層的剝離。當(dāng)固定材料4的固化溫度低時(shí)，應(yīng)考慮到當(dāng)在密封過(guò)程中對(duì)密封樹(shù)脂8進(jìn) 行加熱時(shí)，固定材料4通過(guò)加熱向圖中箭頭標(biāo)識(shí)Y所示的方向擴(kuò)展(參見(jiàn)圖4C)。另一方 面，在密封過(guò)程中冷卻時(shí)，應(yīng)考慮到，擴(kuò)展的固定材料4收縮。通過(guò)收縮，固定材料4將內(nèi)插 器芯片3的表面拉向圖4D中的箭頭標(biāo)識(shí)Z示出的方向。結(jié)果，布線層13很容易從層間絕 緣膜12剝離。由固定材料4產(chǎn)生的拉力在半導(dǎo)體芯片5的邊緣處大，因?yàn)楣潭ú牧?的量 增加了。從而，布線層13很容易在與半導(dǎo)體芯片5的邊緣相對(duì)應(yīng)的部分(圖4D中X示出 的部分)處剝離。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種內(nèi)插器芯片及其制造方法，其能夠防止內(nèi)插器芯片 3中布線的剝離。其間，在文獻(xiàn)3中，描述了用于加強(qiáng)結(jié)構(gòu)的目的，但是沒(méi)有描述關(guān)于內(nèi)插器芯片3 的內(nèi)容。另外，在文獻(xiàn)3中，描述了用于加強(qiáng)下焊盤(pán)結(jié)構(gòu)的技術(shù)，但是沒(méi)有描述用于防止半 導(dǎo)體芯片邊緣處的布線剝離的技術(shù)。也就是說(shuō)，當(dāng)用于剝離布線層的應(yīng)力施加在除焊盤(pán)之 外的區(qū)域時(shí)，在除焊盤(pán)之外的區(qū)域處不能防止布線層的剝離。此外，對(duì)于SIP的內(nèi)插器芯片 僅要求再布線層，并且提供用于加強(qiáng)的多層結(jié)構(gòu)是不利的。根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)插器芯片包括芯片安裝區(qū)，并且半導(dǎo)體芯片通過(guò)由樹(shù)脂制成的固 定材料安裝在芯片安裝區(qū)上。內(nèi)插器芯片包括絕緣膜和在絕緣膜上形成的布線層。加強(qiáng)區(qū) 提供在與芯片安裝區(qū)的邊緣相對(duì)應(yīng)的位置上，并且在加強(qiáng)區(qū)處增大了絕緣膜與布線層之間 的粘合力。根據(jù)本發(fā)明，由于絕緣膜與布線層之間的粘合力在芯片安裝區(qū)的邊緣處增加，所 以即使固定材料收縮也能夠防止布線層剝離。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括主基板、在主基板上安裝的第一半導(dǎo)體芯片和通過(guò) 內(nèi)插器芯片在主基板上安裝的第二半導(dǎo)體芯片。根據(jù)本發(fā)明的方法是內(nèi)插器芯片的制造方法。該內(nèi)插器芯片包括芯片安裝區(qū)，并 且半導(dǎo)體芯片通過(guò)由樹(shù)脂制成的固定材料安裝在芯片安裝區(qū)上。該方法包括形成絕緣膜；在絕緣膜上形成布線層；以及在與芯片安裝區(qū)的邊緣相對(duì)應(yīng)的位置處形成加強(qiáng)區(qū)。在加強(qiáng) 區(qū)處，增加了絕緣膜與布線層之間的粘合力。根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法包括利用固定材料在內(nèi)插器芯片上安裝半 導(dǎo)體芯片，通過(guò)加熱固化固定材料，通過(guò)由樹(shù)脂制成的密封材料來(lái)密封半導(dǎo)體芯片以及通 過(guò)加熱來(lái)固化密封材料。固定材料的固化溫度與密封材料的固化溫度不同。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法包括準(zhǔn)備主基板，在主基板上安 裝第一半導(dǎo)體芯片，以及經(jīng)由內(nèi)插器芯片在主基板上安裝第二半導(dǎo)體芯片。根據(jù)本發(fā)明，提供一種內(nèi)插器芯片及其制造方法，其能夠防止內(nèi)插器芯片中的布 線剝離。


從下面結(jié)合附圖對(duì)某些優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行的描述，本發(fā)明的上述和其他目的、優(yōu)點(diǎn) 和特征將變得更明顯，其中圖IA是示出現(xiàn)有技術(shù)的平面圖IB是示出現(xiàn)有技術(shù)的截面圖2A是示出SIP的平面圖2B是示出SIP的截面圖3A是示意性地示出內(nèi)插器芯片部的截面圖3B是內(nèi)插器芯片的電子顯微照片；
圖4A是示出安裝第二二半導(dǎo)體芯片過(guò)程的截面圖4B是示出安裝第二二半導(dǎo)體芯片過(guò)程的截面圖4C是示出安裝第二二半導(dǎo)體芯片過(guò)程的截面圖4D是示出安裝第二二半導(dǎo)體芯片過(guò)程的截面圖5A是示出根據(jù)第--實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的透視平面圖5B是示出根據(jù)第--實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的截面圖6A是示出根據(jù)第--實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖
圖6B是示出根據(jù)第--實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖
圖6C是示出根據(jù)第--實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖
圖6D是示出根據(jù)第--實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖
圖6E是示出根據(jù)第--實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖
圖7A是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的透視平面圖7B是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的截面圖8A是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖
圖8B是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖
圖8C是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖
圖8D是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖
圖8E是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖
圖9A是示出根據(jù)第三三實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的透視平面圖9B是示出根據(jù)第三三實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的截面圖IOA是示出根據(jù)第三實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖；圖IOB是示出根據(jù)第三實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖；圖IOC是示出根據(jù)第三實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖；圖IOD是示出根據(jù)第三實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖；圖IOE是示出根據(jù)第三實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖；以及圖IOF是示出根據(jù)第三實(shí)施例的內(nèi)插器芯片的制造方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施例)參考附圖，將說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例。如圖2A和圖2B所示的SIP，根據(jù)本 實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括引線框架(1，7)、第一半導(dǎo)體芯片2、第二半導(dǎo)體芯片5和內(nèi)插器 芯片3。由于半導(dǎo)體器件的全部構(gòu)造與圖2A和圖2B示出的SIP相同，所以將省略詳細(xì)的描 述。在本實(shí)施例中，內(nèi)插器芯片3的構(gòu)造是創(chuàng)新的。圖5A是示出內(nèi)插器芯片3的一部分的透視平面圖。圖5B是示出內(nèi)插器芯片3的 一部分的截面圖，并且示出沿著圖5A中的AA'的橫截面。如圖5B所示，內(nèi)插器芯片3具有基板31、層間絕緣膜32、布線層(34、36)、覆蓋絕 緣膜37和鈍化膜38。例如，使用硅基板作為基板31。層間絕緣膜32形成在基板31的主面上。例如，使用SiO2層等作為層間絕緣膜32。布線層(34、36)形成在層間絕緣膜32上。布線層(34、36)包括第一布線層34和 第二布線層36。作為第一布線層34，可以使用諸如鎢的、容易填充在通孔中的材料。作為第 二布線層36，可以使用諸如鋁的具有低電阻的材料，并且第二布線層36經(jīng)由阻擋金屬(Ti、 TiN等)層被形成在層間絕緣膜32和第一布線層34上。覆蓋絕緣膜37覆蓋布線層(34、36)。例如，使用等離子體氧化的氮化物膜作為覆 蓋絕緣膜37。鈍化膜38被提供在覆蓋絕緣膜37上，并且保護(hù)布線層(34、36)和覆蓋絕緣膜37。 例如，使用聚酰亞胺樹(shù)脂膜作為鈍化膜38。在鈍化膜38上，通過(guò)固定材料4來(lái)固定第二半導(dǎo)體芯片5。使用通過(guò)加熱而固化 的熱固樹(shù)脂作為固定材料4。在第二半導(dǎo)體芯片5的邊緣處，增加固定材料4的量。如圖5A所示，布線層(34、36)被布置成橫跨其上安裝有第二半導(dǎo)體芯片5的區(qū)域 (芯片安裝區(qū))。布線層(34、36)的主要部分是第二布線層36。第二布線層36包括阻擋金 屬層(Ti、TiN、[Ta、TaN]等)，并且經(jīng)由阻擋金屬層被形成在第一布線層34和層間絕緣膜 32上。阻擋金屬層與層間絕緣膜32之間的粘合力通常不太大。因而，如上所述，在第二半 導(dǎo)體芯片5的邊緣處，在密封過(guò)程之后冷卻時(shí)，布線層會(huì)由于固定材料4的收縮而剝離。在本實(shí)施例中，在提供布線層(34、36)的區(qū)域當(dāng)中，加強(qiáng)區(qū)被提供在與第二半導(dǎo)體芯片5的邊緣相對(duì)應(yīng)的位置上。加強(qiáng)區(qū)是布線層(34、36)與層間絕緣膜32之間的粘合 力大于周?chē)鷧^(qū)域中的粘合力的區(qū)域。如圖5B所示，在加強(qiáng)區(qū)中，多個(gè)通孔33(凸起)提供在層間絕緣膜32中。多個(gè)通孔33的底部被布置在層間絕緣膜中。即，多個(gè)通孔33沒(méi)有達(dá)到基板31。多個(gè)通孔33填充有第一布線層34。第一布線層34是導(dǎo)電層，并且由容易填充在通孔中的材料(例如，鎢 等)形成。在加強(qiáng)區(qū)中，第二布線層36被提供在第一布線層34上。因而，在加強(qiáng)區(qū)中，第 二布線層36沒(méi)有接觸層間絕緣膜32。在除了加強(qiáng)區(qū)之外的區(qū)域處，第二布線層36直接形 成在層間絕緣膜32上。由于多個(gè)通孔33填充有第一布線層34，所以布線層(34、36)不容易從層間絕緣 膜32剝離。此外，在加強(qiáng)區(qū)中，容易從層間絕緣膜32剝離的第二布線層36沒(méi)有直接接觸 層間絕緣膜32。從這些觀點(diǎn)，布線層(34、36)不容易從層間絕緣膜32剝離。隨后，將說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法。圖6A至圖6E是示出根據(jù) 本實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖。首先，如圖6A所示，在基板31上形成層間絕緣膜32。然后，在層間絕緣膜32中形 成多個(gè)通孔33。接下來(lái)，如圖6B所示，在層間絕緣膜32的整個(gè)表面上沉積第一布線層34。此時(shí)， 用第一布線層34填充多個(gè)通孔33。接下來(lái)，如圖6C所示，通過(guò)光致抗蝕劑層35來(lái)掩蔽加強(qiáng)區(qū)，并且蝕刻第一布線層 34。接下來(lái)，如圖6D所示，在整個(gè)表面上沉積第二布線層36，使得覆蓋第一布線層34。 之后，通過(guò)光致抗蝕劑來(lái)掩蔽需要的圖案，并且蝕刻第二布線層36。結(jié)果，布線層(34、36) 被形成為具有預(yù)定形狀。接下來(lái)，如圖6E所示，按順序沉積覆蓋絕緣膜37 (例如，等離子體氧化的氮化物 膜)和鈍化膜38，使得第二布線層36被覆蓋。此外，在覆蓋絕緣膜37和鈍化膜38中形成 開(kāi)口作為用于接合的窗口。結(jié)果，獲得內(nèi)插器芯片3。用于根據(jù)本實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法與圖4A至圖4D示出的制造半導(dǎo)體器 件的方法相似。即，第一半導(dǎo)體芯片2被布置在引線框架的島狀部上。另外，由上面提到的 方法獲得的內(nèi)插器芯片3經(jīng)由固定材料4被布置在該島狀部上。此外，第二半導(dǎo)體芯片5 經(jīng)由固定材料4被布置在鈍化膜38上。之后，通過(guò)密封樹(shù)脂8密封第一半導(dǎo)體芯片2和第 二半導(dǎo)體芯片5。此時(shí)，即使固定材料4的固化溫度與密封樹(shù)脂8的固化溫度不同，由于布線層(34、 36)在加強(qiáng)區(qū)中被牢固地附著到層間絕緣膜32，所以防止布線層(34、36)被剝離。也就是， 即使布線圖案被布置在半導(dǎo)體芯片下方，也能夠防止由固定材料4的密封應(yīng)力或拉力引起 的布線層剝離。(第二實(shí)施例)隨后，將說(shuō)明第二實(shí)施例。在本實(shí)施例中，布線層(34、36)的構(gòu)造和形成方法是由 第一實(shí)施例的構(gòu)造和形成方法變化而來(lái)的。由于其他點(diǎn)與第一實(shí)施例相同，所以將省略詳 細(xì)的描述。圖7A是示出根據(jù)本實(shí)施例的內(nèi)插器芯片3的透視平面圖，以及圖7B是示出沿著 圖7A中的AA'的橫截面的截面圖。如圖7A和圖7B所示，第一布線層34不僅提供在加強(qiáng) 區(qū)處，而且提供在除了加強(qiáng)區(qū)之外的區(qū)域處。第二布線層36被提供在第一布線層34上，并 且沒(méi)有接觸層間絕緣膜32。圖8A至圖8E是示出根據(jù)本實(shí)施例的內(nèi)插器芯片3的制造方法的截面圖。
首先，如圖8A所示，在基板31上形成層間絕緣膜32，并且多個(gè)通孔33被形成使得 不達(dá)到基板31。接下來(lái)，如圖8B所示，通過(guò)沉積用于填充通孔的材料(例如，鎢)來(lái)形成第一布線 層34。多個(gè)通孔33填充有第一布線層34。隨后，如圖8C所示，沉積以鋁作為例子的第二布線層36。接下來(lái)，如圖8D所示，用光致抗蝕劑35來(lái)掩蔽布線層(34、36)所需的部分，并且 在一個(gè)工藝中蝕刻第一布線層34和第二布線層36這二者。蝕刻之后，剝離光致抗蝕劑35， 并且獲得布線圖案。之后，如圖8E所示，沉積覆蓋絕緣膜37 (例如，等離子體氧化的氮化物膜)和鈍化 膜38，并且開(kāi)口被提供作為用于接合的窗口。結(jié)果，獲得了根據(jù)本實(shí)施例的內(nèi)插器芯片3。根據(jù)本實(shí)施例，容易剝離的第二布線層36不直接接觸層間絕緣膜32，在除了加強(qiáng) 區(qū)之外的位置中也不直接接觸層間絕緣膜32。因而，完全防止布線層的剝離。此外，在本實(shí)施例中，由于布線層的厚度大，所以蝕刻布線層的條件比第一實(shí)施例 更嚴(yán)格(例如，增加蝕刻時(shí)間)。因而，要求光致抗蝕劑35具有高抗蝕性。然而，通過(guò)增加 光致抗蝕劑35的厚度可以解決這個(gè)問(wèn)題。(第三實(shí)施例)隨后，將說(shuō)明第三實(shí)施例。在本實(shí)施例中，在加強(qiáng)區(qū)中的布線層的構(gòu)造是由上面提 到的實(shí)施例的布線層構(gòu)造改變而來(lái)的。由于其他點(diǎn)與上面提到的實(shí)施例相同，所以將省略 詳細(xì)的描述。圖9A是示出根據(jù)本實(shí)施例的內(nèi)插器芯片3的透視平面圖，以及圖9B是示出沿著 圖9A中的AA'的橫截面的截面圖。如圖9A和圖9B所示，在本實(shí)施例中，在加強(qiáng)區(qū)中沒(méi)有提供第二布線層36。在加強(qiáng) 區(qū)的外部，第二布線層36接觸第一布線層34。在加強(qiáng)區(qū)中，在第一布線層34上形成覆蓋絕 緣膜37和鈍化膜38。圖IOA至圖IOE是示出根據(jù)本實(shí)施例的內(nèi)插器芯片3的制造方法的截面圖。首先，如圖IOA所示，在基板31上形成層間絕緣膜32，并且多個(gè)通孔33被形成為 不達(dá)到基板31。接下來(lái)，如圖IOB所示，通過(guò)在整個(gè)表面上沉積用于通孔填充的材料(例如，鎢) 來(lái)形成第一布線層34。用第一布線層34填充多個(gè)通孔33。接下來(lái)，如圖IOC所示，用光致抗蝕劑35來(lái)掩蔽加強(qiáng)區(qū)，并且在沒(méi)有掩蔽的部分中 蝕刻第一布線層34。接下來(lái)，如圖IOD所示，剝離光致抗蝕劑35，并且沉積第二布線層36 (例如，Al)。接下來(lái)，如圖IOE所示，在利用光致抗蝕劑掩蔽加強(qiáng)區(qū)的情況下，蝕刻第二布線層 36。在蝕刻之后，剝離光致抗蝕劑以獲得布線圖案。由于第一布線層34是導(dǎo)電層，所以即 使第二布線層36從加強(qiáng)區(qū)被移除，電信號(hào)也能夠通過(guò)加強(qiáng)區(qū)。接下來(lái)，如圖IOF所示，形成覆蓋絕緣膜37和鈍化膜38，并且形成開(kāi)口作為用于接 合的窗口。結(jié)果，獲得了根據(jù)本實(shí)施例的內(nèi)插器芯片3。根據(jù)本實(shí)施例，在加強(qiáng)區(qū)中，沒(méi)有提供容易剝離的第二布線層36。第二布線層36 遠(yuǎn)離由固定材料4施加應(yīng)力的位置。因而，完全防止布線層的剝離。
此外，與上面提到的實(shí)施例相比，在加強(qiáng)區(qū)中，具有高導(dǎo)電性的材料不能用作第一 布線層36，并且整個(gè)布線層容易具有高電阻。然而，根據(jù)產(chǎn)品的操作速度，這是可接受的。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)插器芯片，包括芯片安裝區(qū)，半導(dǎo)體芯片經(jīng)由由樹(shù)脂制成的固定材料安裝在所述芯片安裝區(qū)上； 絕緣膜；布線層，所述布線層形成在所述絕緣膜上；以及加強(qiáng)區(qū)，所述加強(qiáng)區(qū)被提供在與所述芯片安裝區(qū)的邊緣相對(duì)應(yīng)的位置處，其中，所述加強(qiáng)區(qū)中的所述絕緣膜與所述布線層之間的粘合力大于周?chē)鷧^(qū)域中的粘合力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)插器芯片，其中，多個(gè)通孔被提供在所述加強(qiáng)區(qū)中的所述 絕緣膜中，并且所述多個(gè)通孔填充有所述布線層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)插器芯片，其中，所述布線層包括 第一布線層，所述第一布線層填充在所述多個(gè)通孔中；以及 第二布線層，所述第二布線層被提供成與所述第一布線層接觸，并且 其中，所述第二布線層被提供成不與所述加強(qiáng)區(qū)中的所述絕緣膜接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)插器芯片，其中，所述第二布線層被形成在所述加強(qiáng)區(qū)中 的所述第一布線層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)插器芯片，其中，所述第二布線層不被提供在所述加強(qiáng)區(qū) 中并且在所述加強(qiáng)區(qū)的外部與所述第一布線層接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)插器芯片，其中，所述第一布線層包括鎢成分，并且所述第 二布線層包括鋁成分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)插器芯片，其中，所述半導(dǎo)體芯片經(jīng)由由樹(shù)脂制成的密封 材料密封，并且所述密封材料和所述固定材料的固化溫度彼此不同。
8.一種半導(dǎo)體器件，包括 主基板；第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片安裝在所述主基板上；以及 第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片經(jīng)由內(nèi)插器芯片安裝在所述主基板上， 其中，所述內(nèi)插器芯片包括芯片安裝區(qū)，所述第二半導(dǎo)體芯片經(jīng)由由樹(shù)脂制成的固定材料安裝在所述芯片安裝區(qū)上；絕緣膜；布線層，所述布線層形成在所述絕緣膜上；以及加強(qiáng)區(qū)，所述加強(qiáng)區(qū)被提供在與所述芯片安裝區(qū)的邊緣相對(duì)應(yīng)的位置處，并且 其中，在所述加強(qiáng)區(qū)中的所述絕緣膜與所述布線層之間的粘合力大于周?chē)鷧^(qū)域中的粘 合力。
9.一種內(nèi)插器芯片的制造方法，所述內(nèi)插器芯片具有芯片安裝區(qū)，并且半導(dǎo)體芯片經(jīng) 由由樹(shù)脂制成的固定材料安裝在所述芯片安裝區(qū)上，所述方法包括形成絕緣膜；在所述絕緣膜上形成布線層；以及 在與所述芯片安裝區(qū)的邊緣相對(duì)應(yīng)的位置處形成加強(qiáng)區(qū)，其中，所述加強(qiáng)區(qū)是所述絕緣膜與所述布線層之間的粘合力大于周?chē)鷧^(qū)域中的粘合力的區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的內(nèi)插器芯片的制造方法，其中，所述形成布線層包括 在所述絕緣膜中形成多個(gè)通孔；以及沉積所述布線層，以便填充所述多個(gè)通孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的內(nèi)插器芯片的制造方法，其中，所述沉積所述布線層包括 形成第一布線層，以便填充所述多個(gè)通孔；以及形成第二布線層，以便與所述第一布線層接觸，并且與所述加強(qiáng)區(qū)中的所述絕緣膜不 接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的內(nèi)插器芯片的制造方法，其中，所述形成所述第一布線層 包括在所述絕緣膜的整個(gè)表面上沉積所述第一布線層；以及 蝕刻沉積的所述第一布線層，以具有預(yù)定形狀，以及 其中，所述形成所述第二布線層包括在所述蝕刻沉積的所述第一布線層之后，在所述絕緣膜的所述整個(gè)表面上沉積所述第 二布線層；以及蝕刻沉積的所述第二布線層，以具有預(yù)定形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的內(nèi)插器芯片的制造方法，其中，所述蝕刻所述第二布線層 包括，蝕刻所述第二布線層，使得所述第二布線層保留在所述第一布線層上。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的內(nèi)插器芯片的制造方法，其中，所述蝕刻所述第二布線層 包括，蝕刻所述第二布線層，使得所述第二布線層從所述加強(qiáng)區(qū)被移除，并且在所述加強(qiáng)區(qū) 的外部與所述第一布線層接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的內(nèi)插器芯片的制造方法，其中，所述蝕刻所述第一布線層 和所述蝕刻所述第二布線層在一個(gè)工藝中進(jìn)行。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的內(nèi)插器芯片的制造方法，其中，所述第一布線層包括鎢成 分，以及所述第二布線層包括鋁成分。
17.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括經(jīng)由由樹(shù)脂制成的固定材料在內(nèi)插器芯片上安裝半導(dǎo)體芯片； 在所述安裝之后，通過(guò)加熱來(lái)固化所述固定材料；在所述固化所述固定材料之后，通過(guò)由樹(shù)脂制成的密封材料來(lái)密封所述半導(dǎo)體芯片；以及通過(guò)加熱來(lái)固化所述密封材料， 其中，所述內(nèi)插器芯片包括芯片安裝區(qū)，所述半導(dǎo)體芯片安裝在所述芯片安裝區(qū)上； 絕緣膜；布線層，所述布線層形成在所述絕緣膜上；以及 加強(qiáng)區(qū)，所述加強(qiáng)區(qū)被提供在與所述芯片安裝區(qū)的邊緣相對(duì)應(yīng)的位置處， 其中，所述加強(qiáng)區(qū)中的所述絕緣膜與所述布線層之間的粘合力大于周?chē)鷧^(qū)域中的粘合 力，并且其中，所述固定材料的固化溫度和所述密封材料的固化溫度彼此不同。
18. 一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括 準(zhǔn)備主基板；在所述主基板上安裝第一半導(dǎo)體芯片；以及 經(jīng)由內(nèi)插器芯片在所述主基板上安裝第二半導(dǎo)體芯片， 其中，所述內(nèi)插器芯片包括芯片安裝區(qū)，半導(dǎo)體芯片經(jīng)由由樹(shù)脂制成的固定材料安裝在所述芯片安裝區(qū)上； 絕緣膜；布線層，所述布線層形成在所述絕緣膜上；以及 加強(qiáng)區(qū)，所述加強(qiáng)區(qū)被提供在與所述芯片安裝區(qū)的邊緣相對(duì)應(yīng)的位置處， 其中，所述加強(qiáng)區(qū)中的所述絕緣膜與所述布線層之間的粘合力大于周?chē)鷧^(qū)域中的粘合 力，以及
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種內(nèi)插器芯片及其制造方法，其能夠防止內(nèi)插器芯片中的布線剝離。內(nèi)插器芯片包括芯片安裝區(qū)，在所述芯片安裝區(qū)上通過(guò)由樹(shù)脂制成的固定材料來(lái)安裝半導(dǎo)體芯片。內(nèi)插器芯片具有絕緣膜和在絕緣膜上形成的布線層。在與芯片安裝區(qū)的邊緣相對(duì)應(yīng)的位置處，提供其中絕緣膜與布線層之間的粘合力增加的加強(qiáng)區(qū)。
文檔編號(hào)H01L21/768GK101996975SQ201010243268
公開(kāi)日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2010年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月19日
發(fā)明者外川隆一 申請(qǐng)人:瑞薩電子株式會(huì)社