本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種薄膜晶體管的制作方法、薄膜晶體管及顯示器。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展和用戶對顯示設(shè)備的外觀、性能等各方面的要求越來越高，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)柔性顯示器應(yīng)運(yùn)而生。薄膜晶體管在生產(chǎn)中需要經(jīng)過氫化處理，以采用低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)薄膜晶體管的陣列結(jié)構(gòu)顯示面板為例，多晶硅薄膜晶體管在生產(chǎn)中經(jīng)過氫化處理，提高了多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率，修補(bǔ)了缺陷，使多晶硅薄膜晶體管具有較高的載流子遷移率，從而成為了制作小尺寸高解析度面板的首選。具體的，一般采用多晶硅薄膜晶體管的電容絕緣層和層間絕緣層作補(bǔ)氫層，并采用590℃，10min的高溫退火工藝實(shí)現(xiàn)陣列基板的氫化處理。在液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)和剛性AMOLED領(lǐng)域中，采用LTPS的陣列結(jié)構(gòu)顯示面板及其制造工藝已日趨成熟，但多晶硅薄膜晶體管在柔性AMOLED顯示器的制造和應(yīng)用中仍不成熟。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了提高柔性效果，一般將電容絕緣層和層間絕緣層設(shè)計(jì)為厚度較小的無機(jī)層，氫化處理需要依靠無機(jī)層提供氫原子，較薄的無機(jī)層本身可以提供的氫原子量相對較少，高溫氫化過程中部分氫原子向外擴(kuò)散而未起到氫化的作用，參加氫化過程的氫原子量不足導(dǎo)致氫化效果不佳，即無法在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證多晶硅薄膜晶體管的氫化處理效果，生產(chǎn)的多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率低，顯示設(shè)備顯示效果不佳。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種多晶硅薄膜晶體管的制作方法、多晶硅薄膜晶體管及顯示器，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中無法在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證多晶硅薄膜晶體管的氫化處理效果，生產(chǎn)的多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率低，顯示設(shè)備顯示效果不佳的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，包括：

在基板上依次形成主動層、柵極絕緣層、柵極及電容絕緣層，所述柵極絕緣層隔絕所述主動層與所述柵極；

在所述電容絕緣層之背離所述基板一側(cè)形成阻氫層，所述阻氫層覆蓋所述電容絕緣層；

氫化處理所述柵極絕緣層及所述主動層。

進(jìn)一步，所述氫化處理的溫度不大于500℃，所述氫化處理的時長不超過60分鐘。

進(jìn)一步，所述阻氫層為導(dǎo)電材料，并且在所述“氫化處理所述柵極絕緣層及所述主動層”之后，所述方法還包括：圖形化所述阻氫層形成電容上電極。

進(jìn)一步，所述“氫化處理所述柵極絕緣層及所述主動層”之后，所述方法還包括：沉積導(dǎo)電材料于所述阻氫層之背離所述基板一側(cè)，并圖形化所述導(dǎo)電材料形成電容上電極。

進(jìn)一步，形成所述電容上電極后，在所述電容上電極之背離所述基板一側(cè)表面形成層間絕緣層，并在所述層間絕緣層表面形成源極和漏極。

本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管，包括基板及依次層疊設(shè)置于所述基板一側(cè)的主動層、柵極絕緣層、柵極及電容絕緣層，所述薄膜晶體管還包括阻氫層，所述阻氫層位于所述電容絕緣層之背離所述基板一側(cè)，并覆蓋所述電容絕緣層，所述阻氫層用于阻擋氫化處理時所述電容絕緣層提供的氫離子向外擴(kuò)散。

進(jìn)一步，所述薄膜晶體管還包括層疊設(shè)置于所述阻氫層之背離所述基板一側(cè)的電容上電極、層間絕緣層、源極及漏極，所述層間絕緣層隔離所述電容上電極與所述源極及漏極于所述層間絕緣層的兩側(cè)。

進(jìn)一步，所述層間絕緣層為有機(jī)材料膜層。

進(jìn)一步，所述阻氫層為無機(jī)材料膜層或金屬材料膜層。

本發(fā)明還提供一種顯示器，包括以上任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。

本發(fā)明的有益效果如下：電容絕緣層提供氫原子用于氫化處理主動層和柵極絕緣層，阻氫層阻擋高溫氫化過程中向外擴(kuò)散的氫原子，提高氫原子的利用率，增加參加氫化處理主動層和柵極絕緣層的氫原子，提高氫化效果，當(dāng)薄膜晶體管應(yīng)用于AMOLED柔性顯示器時，基板為柔性基板，氫化效率的提高可以減少需要提供的總的氫原子的量，即降低了提供氫原子的電容絕緣層的厚度，電容絕緣層的厚度越小，柔性顯示器的柔性越好，從而在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證薄膜晶體管的氫化處理效果，生產(chǎn)的薄膜晶體管的電子遷移率高，顯示設(shè)備顯示效果良好。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的明顯變形方式。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的薄膜晶體管的制作方法流程圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的薄膜晶體管的制作方法S102步驟的示意圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的薄膜晶體管的制作方法S103步驟的示意圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管的制作方法流程圖。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請一并參閱圖1、圖2及圖3，本發(fā)明實(shí)施例一提供的薄膜晶體管的制作方法流程包括：

S101，在基板10上依次形成主動層20、柵極絕緣層30、柵極60及電容絕緣層40。

基板10為薄膜晶體管整體結(jié)構(gòu)的承載體，一般使用塑料材料或玻璃材料制作基板10，本實(shí)施例中，為了提高柔性顯示效果，適用于AMOLED柔性顯示器，基板10為柔性基板，一種較佳的實(shí)施方式中使用塑料材料制作基板10，塑料材料材質(zhì)柔軟易于彎曲，且材料成本低。

本實(shí)施例中，在基板10上形成主動層20之前，先在基板10表面形成阻隔層90，阻隔層90位于基板10于主動層20之間。阻隔層90為電絕緣性良好的材料采用化學(xué)氣相沉積或物理沉積等方法形成。阻隔層90又稱緩沖層，用于防止玻璃中的金屬離子(鋁、鋇、鈉等)在熱工藝中擴(kuò)散到主動層20，通過調(diào)節(jié)阻隔層90厚度或沉積條件可以改善多晶硅表面的質(zhì)量，有利于降低熱傳導(dǎo)，減緩加熱后的硅冷卻速率，利于硅的結(jié)晶。

進(jìn)一步的，主動層20形成于阻隔層90的表面，具體的，主動層20采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)形成薄膜于阻隔層90表面，再圖像化薄膜形成主動層20。本實(shí)施例中采用多晶硅材料形成主動層20，以制作導(dǎo)電性和柔軟性均較佳的多晶硅薄膜晶體管，但本發(fā)明不限于多晶硅薄膜晶體管。多晶硅材料具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，故多晶硅薄膜形成的主動層20單向?qū)щ娦粤己茫⒂糜谶B接后續(xù)需要制作的源極802及漏極804，使源極802與漏極804電連接。

本實(shí)施例中，柵極絕緣層30形成于主動層20表面，具體的，柵極絕緣層30采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積SiO₂形成。進(jìn)一步的，柵極絕緣層30背離主動層20一側(cè)的表面還形成有柵極60，使用金屬材料濺射或沉積于柵極絕緣層30表面形成金屬膜層，并采用光刻等刻蝕方法圖案化該金屬層形成柵極60。柵極絕緣層30位于柵極60與主動層20之間，隔絕柵極60與主動層20，防止柵極60與主動層20短路。

進(jìn)一步的，電容絕緣層40采用化學(xué)氣相沉積或物理沉積形成于柵極60表面，一方面，電容絕緣層40用于隔絕柵極60與后續(xù)制作的位于柵極60之上的電容上電極502，另一方面，電容絕緣層40作為補(bǔ)氫層為后續(xù)氫化處理過程提供氫原子。

S102，在電容絕緣層40之背離基板10一側(cè)形成阻氫層50，阻氫層50覆蓋電容絕緣層40。

本實(shí)施例中，阻氫層50為致密的無機(jī)材料膜層或金屬膜層，如Al₂O₃等。阻氫層50采用化學(xué)氣相沉積或物理沉積或?yàn)R射的方法形成于電容絕緣層40表面，并完全覆蓋電容絕緣層40。

S103，氫化處理柵極絕緣層30及主動層20。

具體的，氫化處理的溫度不大于500℃，氫化處理的時長不超過60分鐘。一種較佳的實(shí)施方式中，選擇400℃的氫化溫度處理柵極絕緣層30及主動層20六十分鐘。多晶硅晶粒間存在粒界態(tài)，多晶硅(主動層20)與氧化層(柵極絕緣層30)間存在界面態(tài)，影響多晶硅薄膜晶體管的電性。氫化處理利用氫原子填補(bǔ)多晶硅原子的未結(jié)合鍵、粒界態(tài)、氧化層缺陷以及界面態(tài)，從而減少不穩(wěn)態(tài)數(shù)目，提升電子遷移率、導(dǎo)電特性及閾值電壓均勻性。

電容絕緣層40為氫化處理提供氫原子，減小電容絕緣層40的厚度可以提高柔性顯示器的柔軟性，但減少了電容絕緣層40可以提供的氫原子數(shù)量。阻氫層50防止氫原子向外擴(kuò)散，阻氫層50阻擋高溫氫化過程中向外擴(kuò)散的氫原子，提高氫原子的利用率，增加參加氫化處理主動層20和柵極絕緣層30的氫原子，提高氫化效果，在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證多晶硅薄膜晶體管的氫化處理效果，生產(chǎn)的多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率高，顯示設(shè)備顯示效果良好。

本實(shí)施例中，阻氫層50為導(dǎo)電材料，如金屬等，并且在氫化處理之后，圖形化阻氫層50形成電容上電極502。具體的，圖形化阻氫層50的方式采用光刻或其他刻蝕方式。電容上電極502與柵極60之間通過電容絕緣層40隔開，防止電容上電極502與絕緣層短路。阻氫層50在圖形化之前完全覆蓋電容絕緣層40，起到阻擋電容絕緣層40提供的氫原子向外擴(kuò)散的作用，阻氫層50圖形化后形成電容上電極502，多晶硅薄膜晶體管在制造過程中未添加其他膜層，制造的多晶硅薄膜晶體管厚度小，柔軟易彎折，提高AMOLED顯示器的柔性的同時提高多晶硅薄膜晶體管的氫化處理效果。

本實(shí)施例中，形成電容上電極502后，在電容上電極502之背離基板10一側(cè)表面鋪設(shè)有機(jī)材料形成層間絕緣層70，并在層間絕緣層70表面形成源極802及漏極804。有機(jī)材料柔軟、彎折性好，由于電容絕緣層40提供的氫原子已足夠完成對主動層20和柵極絕緣層30的氫化處理，相比現(xiàn)有技術(shù)中層間絕緣層70和電容絕緣層40均采用無機(jī)材料以起到提供氫原子的作用，本實(shí)施例提供的多晶硅薄膜晶體管的層間絕緣層70無需提供氫原子，故可以采用彎折特性更好的有機(jī)材料，在滿足充分的氫化處理的前提下大大提高了AMOLED顯示器的柔性。源極802及漏極804形成于層間絕緣層70的表面，層間絕緣層70隔絕電容上電極502與源極802及漏極804，防止源極802及漏極804與電容上電極502短路。進(jìn)一步的，源極802及漏極804依次穿過層間絕緣層70、電容絕緣層40及柵極絕緣層30，連接主動層20，以實(shí)現(xiàn)源極與漏極的電連接。

電容絕緣層40提供氫原子用于氫化處理主動層20和柵極絕緣層30，阻氫層50阻擋高溫氫化過程中向外擴(kuò)散的氫原子，提高氫原子的利用率，增加參加氫化處理主動層20和柵極絕緣層30的氫原子，提高氫化效果，在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證薄膜晶體管的氫化處理效果，生產(chǎn)的薄膜晶體管的電子遷移率高，顯示設(shè)備顯示效果良好。

請參閱圖4，本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管的制作方法流程包括：

S201，在基板10上依次形成主動層20、柵極絕緣層30、柵極60及電容絕緣層40。

基板10為薄膜晶體管整體結(jié)構(gòu)的承載體，一般使用塑料材料或玻璃材料制作基板10，本實(shí)施例中，為了提高柔性顯示效果，適用于AMOLED柔性顯示器，基板10為柔性基板，一種較佳的實(shí)施方式中使用塑料材料制作基板10，塑料材料材質(zhì)柔軟易于彎曲，且材料成本低。

本實(shí)施例中，在基板10上形成主動層20之前，先在基板10表面形成阻隔層90，阻隔層90位于基板10于主動層20之間。阻隔層90為電絕緣性良好的材料采用化學(xué)氣相沉積或物理沉積等方法形成。阻隔層90又稱緩沖層，用于防止玻璃中的金屬離子(鋁、鋇、鈉等)在熱工藝中擴(kuò)散到主動層20，通過調(diào)節(jié)阻隔層90厚度或沉積條件可以改善多晶硅表面的質(zhì)量；有利于降低熱傳導(dǎo)，減緩加熱后的硅冷卻速率，利于硅的結(jié)晶。

進(jìn)一步的，主動層20形成于阻隔層90的表面，具體的，主動層20采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)形成薄膜于阻隔層90表面，再圖像化薄膜形成主動層20。本實(shí)施例中采用多晶硅材料形成主動層20，以制作導(dǎo)電性和柔軟性均較佳的多晶硅薄膜晶體管，但本發(fā)明不限于多晶硅薄膜晶體管。多晶硅材料具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，故多晶硅薄膜形成的主動層20單向?qū)щ娦粤己?，并用于連接后續(xù)需要制作的源極802及漏極804，使源極于漏極電連接。

本實(shí)施例中，柵極絕緣層30形成于主動層20表面，具體的，柵極絕緣層30采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積SiO₂形成。進(jìn)一步的，柵極絕緣層30背離主動層20一側(cè)的表面還形成有柵極60，使用金屬材料濺射或沉積于柵極絕緣層30表面形成金屬膜層，并采用光刻等刻蝕方法圖案化該金屬層形成柵極60。柵極絕緣層30位于柵極60與主動層20之間，隔絕柵極60與主動層20，防止柵極60與主動層20短路。

進(jìn)一步的，電容絕緣層40采用化學(xué)氣相沉積或物理沉積形成于柵極60表面，一方面，電容絕緣層40用于隔絕柵極60與后續(xù)制作的位于柵極60之上的電容上電極502，另一方面，電容絕緣層40作為補(bǔ)氫層為后續(xù)氫化處理過程提供氫原子。

S202，在電容絕緣層40之背離基板10一側(cè)形成阻氫層50，阻氫層50覆蓋電容絕緣層40。

本實(shí)施例中，阻氫層50為致密的無機(jī)材料膜層或金屬膜層，如Al₂O₃等。阻氫層50采用化學(xué)氣相沉積或物理沉積或?yàn)R射的方法形成于電容絕緣層40表面，并完全覆蓋電容絕緣層40。

S203，氫化處理柵極絕緣層30及主動層20。

具體的，氫化處理的溫度不大于500℃，氫化處理的時長不超過60分鐘。一種較佳的實(shí)施方式中，選擇400℃的氫化溫度處理柵極絕緣層30及主動層20六十分鐘。多晶硅晶粒間存在粒界態(tài)，多晶硅(主動層20)與氧化層(柵極絕緣層30)間存在界面態(tài)，影響多晶硅薄膜晶體管的電性。氫化處理利用氫原子填補(bǔ)多晶硅原子的未結(jié)合鍵、粒界態(tài)、氧化層缺陷以及界面態(tài)，從而減少不穩(wěn)態(tài)數(shù)目，提升電子遷移率、導(dǎo)電特性及閾值電壓均勻性。

電容絕緣層40為氫化處理提供氫原子，減小電容絕緣層40的厚度可以提高柔性顯示器的柔軟性，但減少了電容絕緣層40可以提供的氫原子數(shù)量。阻氫層50防止氫原子向外擴(kuò)散，阻氫層50阻擋高溫氫化過程中向外擴(kuò)散的氫原子，提高氫原子的利用率，增加參加氫化處理主動層20和柵極絕緣層30的氫原子，提高氫化效果，在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證多晶硅薄膜晶體管的氫化處理效果，生產(chǎn)的多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率高，顯示設(shè)備顯示效果良好。

S204，沉積導(dǎo)電材料于阻氫層50之背離基板10一側(cè)，并圖形化所述導(dǎo)電材料形成電容上電極402。

本實(shí)施例中，圖形化的方式采用光刻或其他刻蝕方式。電容上電極402與柵極60之間通過電容絕緣層40和阻氫層50隔開，防止電容上電極402與絕緣層短路。阻氫層50在制造過程中起到阻擋電容絕緣層40提供的氫原子向外擴(kuò)散的作用，不影響多晶硅薄膜晶體管其它膜層的結(jié)構(gòu)和特性，制造方式簡單，柔性好，對多晶硅薄膜晶體管的整體制程的影響小，制造的多晶硅薄膜晶體管厚度小，柔軟易彎折，提高AMOLED顯示器的柔性的同時提高多晶硅薄膜晶體管的氫化處理效果。

本實(shí)施例中，形成電容上電極402后，在電容上電極402之背離基板10一側(cè)表面鋪設(shè)有機(jī)材料形成層間絕緣層70，并在層間絕緣層70表面形成源極802及漏極804。有機(jī)材料柔軟、彎折性好，由于電容絕緣層40提供的氫原子已足夠完成對主動層20和柵極絕緣層30的氫化處理，相比現(xiàn)有技術(shù)中層間絕緣層70和電容絕緣層40均采用無機(jī)材料以起到提供氫原子的作用，本實(shí)施例提供的多晶硅薄膜晶體管的層間絕緣層70無需提供氫原子，故可以采用彎折特性更好的有機(jī)材料，在滿足充分的氫化處理的前提下大大提高了AMOLED顯示器的柔性。源極802及漏極804形成于層間絕緣層70的表面，層間絕緣層70隔絕電容上電極402與源極802及漏極804，防止源極802及漏極804與電容上電極402短路。進(jìn)一步的，源極802及漏極804依次穿過層間絕緣層70、阻氫層50、電容絕緣層40及柵極絕緣層30，連接主動層20，以實(shí)現(xiàn)源極與漏極的電連接。

電容絕緣層40提供氫原子用于氫化處理主動層20和柵極絕緣層30，阻氫層50阻擋高溫氫化過程中向外擴(kuò)散的氫原子，提高氫原子的利用率，增加參加氫化處理主動層20和柵極絕緣層30的氫原子，提高氫化效果，在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證多晶硅薄膜晶體管的氫化處理效果，生產(chǎn)的多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率高，顯示設(shè)備顯示效果良好。

請參閱圖5，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管包括基板10及依次層疊設(shè)置于基板10一側(cè)的主動層20、柵極絕緣層30、柵極60及電容絕緣層40，本實(shí)施例中采用多晶硅材料形成主動層20，以制作導(dǎo)電性和柔軟性均較佳的多晶硅薄膜晶體管，但本發(fā)明不限于多晶硅薄膜晶體管。薄膜晶體管還包括阻氫層50，阻氫層50位于電容絕緣層40之背離基板10一側(cè)，并覆蓋電容絕緣層40，阻氫層50用于阻擋氫化處理時電容絕緣層40提供的氫離子向外擴(kuò)散。一種較佳的實(shí)施方式中，阻氫層50為無機(jī)材料膜層或金屬材料膜層，如Al₂O₃等。阻氫層50采用化學(xué)氣相沉積或物理沉積或?yàn)R射的方法形成于電容絕緣層40表面，并完全覆蓋電容絕緣層40。電容絕緣層40為氫化處理提供氫原子，減小電容絕緣層40的厚度可以提高柔性顯示器的柔軟性，但減少了電容絕緣層40可以提供的氫原子數(shù)量。阻氫層50防止氫原子向外擴(kuò)散，阻氫層50阻擋高溫氫化過程中向外擴(kuò)散的氫原子，提高氫原子的利用率，增加參加氫化處理主動層20和柵極絕緣層30的氫原子，提高氫化效果，在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證薄膜晶體管的氫化處理效果，生產(chǎn)的薄膜晶體管的電子遷移率高，顯示設(shè)備顯示效果良好。

本實(shí)施例中，薄膜晶體管還包括層疊設(shè)置于阻氫層50之背離基板10一側(cè)的電容上電極402、層間絕緣層70及源極802及漏極804，層間絕緣層70隔離電容上電極402與源極802及漏極804于層間絕緣層70的兩側(cè)。具體的，電容上電極402與柵極60之間通過電容絕緣層40和阻氫層50隔開，防止電容上電極402與絕緣層短路。進(jìn)一步的，在電容上電極402之背離基板10一側(cè)表面設(shè)有層間絕緣層70，并在層間絕緣層70表面形成源極802及漏極804。一種較佳的實(shí)施方式中，層間絕緣層70為有機(jī)材料膜層，有機(jī)材料柔軟、彎折性好，由于電容絕緣層40提供的氫原子已足夠完成對主動層20和柵極絕緣層30的氫化處理，相比現(xiàn)有技術(shù)中層間絕緣層70和電容絕緣層40均采用無機(jī)材料以起到提供氫原子的作用，本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的層間絕緣層70無需提供氫原子，故可以采用彎折特性更好的有機(jī)材料，在滿足充分的氫化處理的前提下大大提高了AMOLED顯示器的柔性。源極802及漏極804形成于層間絕緣層70的表面，層間絕緣層70隔絕源極802及漏極804與電容上電極402，防止源極802及漏極804與電容上電極402短路。進(jìn)一步的，源極802及漏極804依次穿過層間絕緣層70、電容絕緣層40及柵極絕緣層30，連接主動層20，以實(shí)現(xiàn)源極與漏極的電連接。

電容絕緣層40提供氫原子用于氫化處理主動層20和柵極絕緣層30，阻氫層50阻擋高溫氫化過程中向外擴(kuò)散的氫原子，提高氫原子的利用率，增加參加氫化處理主動層20和柵極絕緣層30的氫原子，提高氫化效果，在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證薄膜晶體管的氫化處理效果，生產(chǎn)的薄膜晶體管的電子遷移率高，顯示設(shè)備顯示效果良好。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示器，包括以上所述的薄膜晶體管。具體的，顯示器為AMOLED柔性顯示器。薄膜晶體管位于顯示器的陣列基板，通過控制薄膜晶體管的通斷狀態(tài)控制每個像素電極的驅(qū)動電壓，從而控制每個像素單元的有機(jī)發(fā)光體的發(fā)光狀態(tài)，控制顯示器顯示圖像。

電容絕緣層40提供氫原子用于氫化處理主動層20和柵極絕緣層30，阻氫層50阻擋高溫氫化過程中向外擴(kuò)散的氫原子，提高氫原子的利用率，增加參加氫化處理主動層20和柵極絕緣層30的氫原子，提高氫化效果，在提高AMOLED顯示器的柔性的同時保證薄膜晶體管的氫化處理效果，生產(chǎn)的薄膜晶體管的電子遷移率高，顯示設(shè)備顯示效果良好。

以上所揭露的僅為本發(fā)明幾種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。