1.一種芯片的制造方法，其特征在于，包括：
提供一超薄芯片，所述超薄芯片的功能面上具有多個(gè)電極，在所述超薄芯片的功能面上形成鈍化層，所述鈍化層具有與所述多個(gè)電極分別對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)第一開(kāi)口；
在所述鈍化層上形成掩膜層，所述掩膜層具有與所述多個(gè)第一開(kāi)口分別對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口大于所述第一開(kāi)口；
在所述第二開(kāi)口中形成導(dǎo)電凸點(diǎn)；
去除所述掩膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二開(kāi)口中形成導(dǎo)電凸點(diǎn)的具體執(zhí)行過(guò)程為：采用電鍍工藝在所述第二開(kāi)口中形成導(dǎo)電凸點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，形成掩膜層之前，還包括：在所述鈍化層上形成導(dǎo)電種子層；以及，去除所述掩膜層之后，還包括：去除暴露的所述導(dǎo)電種子層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電種子層包括依次層疊形成的鈦金屬層和銅金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述鈦金屬層的厚度為100nm，所述銅金屬層的厚度為300～500nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電凸點(diǎn)包括依次層疊形成的鎳金屬層和焊盤，其中，所述焊盤的組成材料包括錫或錫銀合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述鎳金屬層的厚度為2～3μm；所述焊盤的厚度為6～15μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述超薄芯片包括相對(duì)的功能面和非功能面，該制造方法還包括：采用研磨工藝對(duì)所述超薄芯片的非功能面進(jìn)行研磨減薄。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括：切割以形成多個(gè)芯片。
10.一種芯片，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的芯片制造方法進(jìn)行制造。