本發(fā)明涉及二極管領(lǐng)域，具體涉及一種二極管的封裝方法及二極管。

背景技術(shù)：

隨著電子產(chǎn)品向小型化、集成化、普及化發(fā)展，對于電子產(chǎn)品內(nèi)部所使用到的二極管也隨之小型化。

目前二極管采用傳統(tǒng)封裝方式，例如：通過打錢(英文全稱：Wire bond，縮寫：WB)方式將芯片(英文全稱：Chip)封裝成具有一定功能的二極管。

但是，對于某些二極管所集成的小型化的電子產(chǎn)品，采用傳統(tǒng)的打線方式封裝出的二極管，占用空間大，封裝效率低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供了一種二極管的封裝方法及二極管，用于解決現(xiàn)有二極管的占用空間大，封裝效率低的問題。

本發(fā)明第一方面提供一種二極管的封裝方法，包括：

提供載體，并在所述載體的至少一個面上覆蓋表面金屬層；

在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜；

對所述表面金屬層的非線路圖形區(qū)域進(jìn)行電鍍，形成至少兩個焊盤；

在至少一個焊盤上焊接芯片形成二極管模板；

采用復(fù)合材料對所述二極管模板進(jìn)行塑封處理；

在所述至少兩個焊盤的垂直方向上鉆盲孔，并將所述盲孔處理成金屬化盲孔，其中，若焊盤上焊接芯片，則對應(yīng)的金屬化盲孔的底部焊接芯片，若焊盤上沒有焊接芯片，則對應(yīng)的金屬化盲孔的底部焊接焊盤；

對所述金屬化盲孔經(jīng)過圖形制作形成線路閉合回路，封裝出二極管。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜包括：

在所述表面金屬層上涂覆抗蝕膜；

經(jīng)過曝光和顯影步驟，將所述非線路圖形區(qū)域的抗蝕膜去除，使保留的抗蝕膜覆蓋所述線路圖形區(qū)域。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述在至少一個焊盤上焊接芯片形成二極管模板之前，所述封裝方法還包括：

去除所述線路圖形區(qū)域的抗蝕膜。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述在至少一個焊盤上焊接芯片形成二極管模板包括：

在所述至少一個焊盤上放置芯片，并采用錫膏、鍍錫、金屬鍵合、導(dǎo)電膠粘接中的至少一種方式將所述芯片焊接在所述至少一個焊盤上，形成所述二極管模板。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述至少兩個焊盤的垂直方向上鉆盲孔包括：

采用激光盲孔的方式在所述至少兩個焊盤的垂直方向上鉆盲孔。

所述將所述盲孔處理成金屬化盲孔包括：

采用化學(xué)沉銅，電鍍銅、濺射銅、導(dǎo)電銅膠中的至少一種方式將所述盲孔處理成所述金屬化盲孔。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述對所述金屬化盲孔經(jīng)過圖形制作形成線路閉合回路之后，所述封裝方法還包括：

將所述復(fù)合材料加入模具，并進(jìn)行塑封處理，切割掉多余的復(fù)合材料。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述封裝方法還包括：

在至少一個焊盤上焊接目標(biāo)電子元器件，其中，所述目標(biāo)電子元器件包括電阻、電容中的至少一個。

本發(fā)明第二方面提供一種二極管的封裝方法，包括：

提供載體，在所述載體的至少一個面上覆蓋表面金屬層；

在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜；

在所述表面金屬層的非線路圖形區(qū)域進(jìn)行電鍍，形成至少一個焊盤；

將芯片層壓于形成焊盤的所述載體之間形成二極管模板，其中，所述芯片與所述焊盤焊接；

采用復(fù)合材料對所述二極管模板進(jìn)行塑封處理，封裝出二極管。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜包括：

在所述表面金屬層上涂覆抗蝕膜；

經(jīng)過曝光和顯影步驟，將所述非線路圖形區(qū)域的抗蝕膜去除，使保留的抗蝕膜覆蓋所述線路圖形區(qū)域。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述將芯片層壓于形成焊盤的所述載體之間形成二極管模板之前，所述封裝方法還包括：

去除所述線路圖形區(qū)域的抗蝕膜。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述將芯片層壓于形成焊盤的所述載體之間形成二極管模板包括：

在所述芯片的表面涂覆金屬保護(hù)層，并將所述芯片與形成焊盤的所述載體進(jìn)行層壓，其中，所述金屬保護(hù)層用于保護(hù)所述芯片在層壓時不受損。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述將芯片層壓于形成焊盤的所述載體之間形成二極管模板之后，所述封裝方法還包括：

去除所述金屬保護(hù)層。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述封裝方法還包括：

在至少一個焊盤上焊接目標(biāo)電子元器件，其中，所述目標(biāo)電子元器件包括電阻、電容中的至少一個。

本發(fā)明第三方面提供一種二極管的封裝方法，包括：

提供載體，在所述載體的至少一個面上覆蓋表面金屬層；

在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜；

在所述表面金屬層的非線路圖形區(qū)域進(jìn)行電鍍，形成至少一個第一焊盤；

在所述至少一個第一焊盤上焊接芯片形成二極管模板；

采用復(fù)合材料對所述二極管模板進(jìn)行塑封處理；

在所述芯片上進(jìn)行電鍍，形成至少一個第二焊盤，封裝出二極管。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述封裝方法還包括：

在所述至少一個第一焊盤上焊接目標(biāo)電子元器件，其中，所述目標(biāo)電子元器件包括電阻、電容中的至少一個。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜包括：

在所述表面金屬層上涂覆抗蝕膜；

經(jīng)過曝光和顯影步驟，將所述非線路圖形區(qū)域的抗蝕膜去除，使保留的抗蝕膜覆蓋所述線路圖形區(qū)域。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，在所述至少一個第一焊盤上焊接芯片形成二極管模板之前，所述封裝方法還包括：

去除所述線路圖形區(qū)域的抗蝕膜。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述至少一個第一焊盤上焊接芯片形成二極管模板包括：

在所述至少一個第一焊盤上放置芯片，并采用錫膏、鍍錫、金屬鍵合、導(dǎo)電膠粘接中的至少一種方式將所述芯片焊接在所述至少一個第一焊盤上，形成所述二極管模板。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，采用復(fù)合材料對所述二極管模板進(jìn)行塑封處理之后，所述封裝方法還包括：

將所述復(fù)合材料加入模具，并進(jìn)行塑封處理，切割掉多余的復(fù)合材料。

本發(fā)明第四方面提供一種二極管，其特征在于，所述二極管為利用上述第一方面或者第一方面中的任意一種封裝方法或者第二方面或者第二方面中的任意一種封裝方法或者第三方面或者第三方面中的任意一種封裝方法所封裝出的二極管。

從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實施例具有以下優(yōu)點：

與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，取代傳統(tǒng)打線的方式來封裝二極管，利用盲孔連接或者焊接的方式將芯片與焊盤焊接，并將芯片封裝成具有一定功能的二極管，封裝出的二極管占用空間小，整個工藝流程簡單，有效提高二極管的封裝效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例中二極管的封裝方法的一個實施例示意圖；

圖2a為本發(fā)明實施例中在載體上覆蓋表面金屬層的一個結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為本發(fā)明實施例中在表面金屬層上覆蓋抗蝕膜的一個結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2c為本發(fā)明實施例中在焊盤上焊接芯片的一個結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2d為本發(fā)明實施例中對二極管模板進(jìn)行塑封處理的一個結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2e為本發(fā)明實施例中形成金屬化盲孔的一個結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例中二極管的封裝方法的另一個實施例示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例中二極管的封裝方法的另一個實施例示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例中二極管的一個結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例中二極管的另一個結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例中二極管的另一個結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明實施例提供了一種二極管的封裝方法及二極管，用于解決現(xiàn)有二極管的占用空間大，封裝效率低的問題。

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

請參閱圖1，本發(fā)明實施例中二極管的封裝方法的一個實施例示意圖，該實施例的具體流程如下：

步驟101、提供載體，并在所述載體的至少一個面上覆蓋表面金屬層。

在封裝二極管之前，首先提供封裝二極管的載體，其中，該載體具有可剝離性，方便后續(xù)剝離，因此載體可看作是二極管封裝過程中的一種介質(zhì)，并在載體的至少一個面上覆蓋表面金屬層，其中，要覆蓋表面金屬層的載體面可根據(jù)實際需求進(jìn)行選擇，此處不做具體限定。一般情況下，該表面金屬層具體為銅箔層，當(dāng)然，也可以是其他金屬材質(zhì)層，此處不做具體限定。

步驟102、在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜。

本發(fā)明實施例中，該表面金屬層所在的區(qū)域包括線路圖形區(qū)域和非線路圖形區(qū)域，其中，需要在該線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜，由于抗蝕膜是一種高分子的化合物，它通過曝光(例如：紫外線的照射)后能夠產(chǎn)生聚合反應(yīng)形成一種穩(wěn)定的物質(zhì)附著于線路圖形區(qū)域，達(dá)到阻擋電鍍和蝕刻的功能，從而起到保護(hù)線路圖形區(qū)域的作用，在實際應(yīng)用中，該線路圖形區(qū)域的位置與具體產(chǎn)品的形態(tài)、結(jié)構(gòu)以及線路設(shè)計等相關(guān)，此處不做具體贅述。

需要說明的是，該抗蝕膜可以為干膜，也可以是濕膜，還可以是其他具有抗蝕刻性的材料，此處不做具體限定。

在實際應(yīng)用中，在該表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜的方式有很多種，其中，在一些可能的實現(xiàn)方式中，在表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜包括：在所述表面金屬層上涂覆抗蝕膜；經(jīng)過曝光和顯影步驟，將所述非線路圖形區(qū)域的抗蝕膜去除，使保留的抗蝕膜覆蓋所述線路圖形區(qū)域。

步驟103、對所述表面金屬層的非線路圖形區(qū)域進(jìn)行電鍍，形成至少兩個焊盤。

本發(fā)明實施例中，表面金屬層的非線路圖形區(qū)域是絕緣隔熱的，在表面金屬層的非線路圖像區(qū)域電鍍出至少兩個焊盤，焊盤的材質(zhì)為銅、鎳、金、銀、錫、鉛中的至少一種或者其合金中的至少一種。其中，焊盤的高度與位置與實際產(chǎn)品相關(guān)，此處不做具體限定。

步驟104、在至少一個焊盤上焊接芯片形成二極管模板。

在實際應(yīng)用中，二極管的焊盤之間可能是水平位置關(guān)系，也可能是垂直位置關(guān)系，在一些可能的實現(xiàn)方式中，在至少一個焊盤上焊接芯片形成二極管模板之前，需要去除所述線路圖形區(qū)域的抗蝕膜，方便在該焊盤上焊接芯片，其中，該芯片在與焊盤焊接的上表面和/或下表面攜帶有焊盤。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，在至少一個焊盤上焊接芯片形成二極管模板包括：在所述至少一個焊盤上放置芯片，并采用錫膏、鍍錫、金屬鍵合、導(dǎo)電膠粘接中的至少一種方式將所述芯片焊接在所述至少一個焊盤上，形成所述二極管模板。

需要說明的是，除上述錫膏、鍍錫、金屬鍵合、導(dǎo)電膠粘接等至少一種焊接方式或者其組合方式外，還可以是其他焊接方式，此處不做具體限定。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，該芯片自帶焊盤，通過芯片自帶的焊盤與該至少一個焊盤進(jìn)行有效貼合。

步驟105、采用復(fù)合材料對所述二極管模板進(jìn)行塑封處理。

本發(fā)明實施例中，需要采用復(fù)合材料對二極管模板進(jìn)行塑封處理，從而達(dá)到保護(hù)焊盤與芯片的作用，其中，該復(fù)合材料為固體塑封材料、粉末塑封材料、液體樹脂、半固化樹脂、純膠中的至少一種或者其組合材料。

步驟106、在所述至少兩個焊盤的垂直方向上鉆盲孔，并將所述盲孔處理成金屬化盲孔。

本發(fā)明實施例中，若焊盤上焊接芯片，則對應(yīng)的金屬化盲孔的底部焊接芯片，若焊盤上沒有焊接芯片，則對應(yīng)的金屬化盲孔的底部焊接焊盤。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，在所述至少兩個焊盤的垂直方向上鉆盲孔包括：采用激光盲孔的方式在所述至少兩個焊盤的垂直方向上鉆盲孔。

所述將所述盲孔處理成金屬化盲孔包括：采用化學(xué)沉銅，電鍍銅、濺射銅、導(dǎo)電銅膠中的至少一種方式或者其組合方式將所述盲孔處理成所述金屬化盲孔。

步驟107、對所述金屬化盲孔經(jīng)過圖形制作形成線路閉合回路，封裝出二極管。

本發(fā)明實施例中，對該金屬化盲孔經(jīng)過圖形制作形成閉合回路，形成電感，從而封裝出二極管。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，對所述金屬化盲孔經(jīng)過圖形制作形成線路閉合回路之后，將所述復(fù)合材料加入模具，并進(jìn)行塑封處理，切割掉多余的復(fù)合材料。

在實際應(yīng)用中，通過對該復(fù)合材料加入模具后，按照該模具的大小進(jìn)行塑封處理，并根據(jù)二極管的大小結(jié)構(gòu)切割掉多余的復(fù)合材料，從而完成二極管的封裝，其中，該復(fù)合材料是樹脂、純膠或者半固化片(英文全稱：polypropylene，縮寫：PP)中的至少一種或者其組成材料。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，還可以在焊盤上焊接目標(biāo)電子元器件，其中，所述目標(biāo)電子元器件包括電阻、電容中的至少一個。

在實際應(yīng)用中，在封裝二極管的過程中，通過在焊盤上焊接電阻，電容，連接器，發(fā)條等電子元器件，從而有效提高二極管的集成度，另外，該目標(biāo)電子元器件與實際產(chǎn)品有關(guān)，可根據(jù)實際產(chǎn)品確定電子元器件以及電子元器件的個數(shù)等，此處不做具體限定。

為便于更好的理解本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案，下面通過一個具體的實施例介紹二極管的封裝過程。

請參閱圖2a，提供載體10，并在該載體10的一個面上覆蓋表面金屬層11形成覆銅板，其中，該覆銅板作為封裝二極管的一個基板，且該載體具有可剝離性，用于當(dāng)完成二極管的封裝后，剝離掉該載體。由于銅金屬的成本低，因此，該表面金屬層一般為銅箔層，當(dāng)然，還可以是其他金屬層，此處不做具體限定。

請參閱圖2b，當(dāng)加工出覆銅板之后，在該表面金屬層11上覆蓋抗蝕膜12，其中，該抗蝕膜可以是干膜，也可以是濕膜，還可以是其他抗蝕性的材料，由于抗蝕膜具有感光和抗腐蝕的作用，經(jīng)過曝光和顯影步驟，使得線路圖形轉(zhuǎn)移到抗蝕膜上，將該表面金屬層11上的非線路圖形區(qū)域的抗蝕膜12去掉，從而只保留線路圖形區(qū)域的抗蝕膜12，然后在該表面金屬層的非線路圖形區(qū)域電鍍出兩個焊盤13，其中，焊盤的大小、高度、材料與實際產(chǎn)品相關(guān)，此處不做具體限定，另外，電鍍的方式可以是物理電鍍或者化學(xué)沉銅電鍍，具體電鍍的原理是通過在非線路圖形區(qū)域的表面金屬層上鍍上一薄層金屬或者合金，利用電解作用使金屬或者合金的表面附著一層金屬膜的工藝。

請參閱圖2c，去掉表面金屬層11的線路圖形區(qū)域的抗蝕膜12，并在該兩個焊盤13中的其中一個焊盤13上焊接芯片14，其中，該芯片自帶焊盤，圖2c中未示出。在實際應(yīng)用中，采用錫膏、鍍錫、金屬鍵合、導(dǎo)電膠粘接中的至少一種方式或者組合方式將芯片14焊接在一個焊盤上，從而形成二極管模板。在實際應(yīng)用中，還可以在其他焊盤上焊接電阻、電容、發(fā)條等電子元器件，從而有效提高二極管的集成度。

請參閱圖2d，對該二極管模板用復(fù)合材料15進(jìn)行塑封處理，起到保護(hù)焊盤和芯片的作用，其中，該復(fù)合材料可以是固體或者液體塑封材料，例如：純膠或者半固化片等。

請參閱圖2e，為了線路之間的連接，需要在該焊盤13的垂直方向上鉆盲孔16，在實際應(yīng)用中，可以采用激光盲孔的方式鉆盲孔16，由于二極管模板本身是絕緣隔熱的，可以對該盲孔進(jìn)行沉銅和電鍍，將所鉆的盲孔金屬化，并對該金屬化盲孔經(jīng)過圖形制作形成線路閉合回路，形成電感，然后將該復(fù)合材料加入模具，并進(jìn)行塑封處理，根據(jù)二極管的所需尺寸，切割掉多余的復(fù)合材料，需要說明的是，還可以采用機械的方式鏟平所述復(fù)合材料，或者采用打磨的方式磨平所述復(fù)合材料，此處不做具體限定。然后去除載體10，從而完成二極管的封裝。

請參閱圖3，本發(fā)明實施例中二極管的封裝方法的另一個實施例示意圖，該實施例的具體流程如下：

步驟301、提供載體，在所述載體的至少一個面上覆蓋表面金屬層。

步驟302、在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜包括：

在所述表面金屬層上涂覆抗蝕膜；

經(jīng)過曝光和顯影步驟，將所述非線路圖形區(qū)域的抗蝕膜去除，使保留的抗蝕膜覆蓋所述線路圖形區(qū)域。

步驟303、在所述表面金屬層的非線路圖形區(qū)域進(jìn)行電鍍，形成至少一個焊盤。

需要說明的是，步驟301至步驟303與圖1所示的步驟101至步驟103相同或者相似，具體可參閱步驟101至步驟103的描述，此處不再贅述。

步驟304、將芯片層壓于形成焊盤的所述載體之間形成二極管模板，其中，所述芯片與所述焊盤焊接。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，在至少一個焊盤上焊接目標(biāo)電子元器件，其中，所述目標(biāo)電子元器件包括電阻、電容中的至少一個。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，將芯片層壓于形成焊盤的所述載體之間形成二極管模板之前，去除所述線路圖形區(qū)域的抗蝕膜。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，將芯片層壓于形成焊盤的所述載體之間形成二極管模板包括：在所述芯片的表面涂覆金屬保護(hù)層，并將所述芯片與形成焊盤的所述載體進(jìn)行層壓，其中，所述金屬保護(hù)層用于保護(hù)所述芯片在層壓時不受損。

在實際應(yīng)用中，該金屬保護(hù)層一般為銅箔層，當(dāng)然，還可以是其他材料，此處不做具體限定。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述將芯片層壓于形成焊盤的所述載體之間形成二極管模板之后，去除所述金屬保護(hù)層。

步驟305、采用復(fù)合材料對所述二極管模板進(jìn)行塑封處理，封裝出二極管。

需要說明的是，步驟305和圖1所示的步驟105相同或者相似，具體可參閱步驟105的描述，此處不做具體限定。

請參閱圖4，本發(fā)明實施例中二極管的封裝方法的另一個實施例示意圖，該實施例的具體流程如下：

步驟401、提供載體，在所述載體的至少一個面上覆蓋表面金屬層。

步驟402、在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜。

步驟403、在所述表面金屬層的非線路圖形區(qū)域進(jìn)行電鍍，形成至少一個第一焊盤。

步驟404、在所述至少一個第一焊盤上焊接芯片形成二極管模板。

步驟405、采用復(fù)合材料對所述二極管模板進(jìn)行塑封處理。

步驟406、在所述芯片上進(jìn)行電鍍，形成至少一個第二焊盤，封裝出二極管。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，在所述至少一個第一焊盤上焊接目標(biāo)電子元器件，其中，所述目標(biāo)電子元器件包括電阻、電容中的至少一個。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜包括：

在所述表面金屬層上涂覆抗蝕膜；

經(jīng)過曝光和顯影步驟，將所述非線路圖形區(qū)域的抗蝕膜去除，使保留的抗蝕膜覆蓋所述線路圖形區(qū)域。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，在所述至少一個第一焊盤上焊接芯片形成二極管模板之前，所述封裝方法還包括：

去除所述線路圖形區(qū)域的抗蝕膜。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述在所述至少一個第一焊盤上焊接芯片形成二極管模板包括：

在所述至少一個第一焊盤上放置芯片，并采用錫膏、鍍錫、金屬鍵合、導(dǎo)電膠粘接中的至少一種方式將所述芯片焊接在所述至少一個第一焊盤上，形成所述二極管模板。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，采用復(fù)合材料對所述二極管模板進(jìn)行塑封處理之后，所述封裝方法還包括：

將所述復(fù)合材料加入模具，并進(jìn)行塑封處理，切割掉多余的復(fù)合材料。

需要說明的是，步驟401至步驟406與圖1和圖3所示的步驟存在相同或者相似的特征，具體可參閱圖1和圖3所示的步驟，此處不再贅述。

與圖3所示實施例不同的是，圖4所示的實施例中，并不是采用層壓的方式將芯片壓合在兩個焊盤之間，而是先在一個焊盤上焊接芯片，再在芯片上焊接另一個焊盤，從而封裝出二極管，從而有效減少了層壓可能對芯片造成的損壞。

與圖1所示實施例不同的是，圖3和圖4所述的實施例所封裝出的二極管的兩個焊盤分別位于芯片垂直方向上的上、下兩側(cè)，在實際應(yīng)用中，焊盤的位置與設(shè)計結(jié)構(gòu)與實際所需的二極管有關(guān)，此處不做具體限定。

在實際應(yīng)用中，本發(fā)明實施例還提供一種二極管，該二極管為通過上述圖1或者圖3或者圖4所示的封裝方法封裝出的二極管。

如圖5所示，為圖1所示的方法封裝出的二極管，該二極管有兩個焊盤，分別位于同一水平面或者不同水平面上，其中，一個焊盤201上焊接芯片21，其中，芯片21也自帶焊盤，即在芯片需要焊接焊盤的位置自帶焊盤，一個焊盤202上沒有焊接芯片，當(dāng)然，在實際應(yīng)用中，還可以在二極管上焊接更多的芯片，此處不做具體限定，通過復(fù)合材料23進(jìn)行塑封處理，并在芯片21和焊盤202的垂直方向上采用激光盲孔的方式鉆出盲孔，并對盲孔金屬化從而形成金屬化盲孔22，并對金屬化盲孔做圖形處理，實現(xiàn)線路的連通，然后再次通過復(fù)合材料23進(jìn)行塑封處理。

如圖6所示，為圖1所示的部分方法封裝出的二極管，與圖5所示的二極管不同的是，芯片貼合二極管的兩個焊盤。其中，二極管的一個焊盤201和另一個焊盤202位于同一水平面上，在焊盤201和焊盤202上焊接芯片21，芯片可以貼合部分焊盤，也可以貼合全部焊盤，具體和芯片的大小有關(guān)，此處不做具體限定，其中，芯片21自帶焊盤，圖6中未示出，芯片自帶的焊盤與焊盤201和焊盤202有效貼合，當(dāng)然，在實際應(yīng)用中，還可以在二極管的其他焊盤上焊接更多的芯片或者其他電阻、電容等電子元器件，在芯片21和焊盤201以及焊盤202的兩側(cè)采用復(fù)合材料23進(jìn)行塑封處理，封裝出二極管。

如圖7所示，為圖3或者圖4所示的方法封裝出的二極管，該二極管有兩個焊盤，與圖5和圖6所示的二極管不同的是，焊盤301和焊盤302處于完全垂直的位置關(guān)系，在兩個焊盤之間層壓芯片31，其中，芯片31自帶焊盤，芯片31的個數(shù)不做限定，在芯片31和焊盤的兩側(cè)采用復(fù)合材料32進(jìn)行塑封處理。

經(jīng)試驗數(shù)據(jù)表明，圖1，圖3以及圖4所示的封裝方法所封裝出的二極管比傳統(tǒng)方法封裝出的二極管在高度上明顯降低，而且使用的成本也明顯降低，如下表，為一個測試數(shù)據(jù)表：

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的系統(tǒng)，裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應(yīng)過程，在此不再贅述。

在本申請所提供的幾個實施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)，裝置和方法，可以通過其它的方式實現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機械或其它的形式。

所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實現(xiàn)。

所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產(chǎn)品存儲在一個存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計算機設(shè)備(可以是個人計算機，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質(zhì)包括：U盤、移動硬盤、只讀存儲器(ROM，Read-Only Memory)、隨機存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

以上所述，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。