本發(fā)明涉及三極管領(lǐng)域，具體涉及一種三極管的封裝方法及三極管。

背景技術(shù)：

隨著電子產(chǎn)品向小型化、集成化、普及化發(fā)展，對(duì)于電子產(chǎn)品內(nèi)部所使用到的三極管也隨之小型化。

目前三極管采用傳統(tǒng)封裝方式，例如：通過打錢(英文全稱：Wire bond，縮寫：WB)方式將芯片(英文全稱：Chip)封裝成具有一定功能的三極管。

但是，對(duì)于某些三極管所集成的小型化的電子產(chǎn)品，采用傳統(tǒng)的打線方式封裝出的三極管，占用空間大，封裝效率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種三極管的封裝方法及三極管，用于解決現(xiàn)有三極管的占用空間大，封裝效率低的問題。

本發(fā)明第一方面提供一種三極管的封裝方法，包括：

提供載體，并在所述載體的至少一個(gè)面上覆蓋表面金屬層；

在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜；

對(duì)所述表面金屬層的非線路圖形區(qū)域進(jìn)行電鍍，形成至少一個(gè)第一焊盤；

在所述至少一個(gè)第一焊盤上焊接芯片；

在所述芯片上焊接至少兩個(gè)第二焊盤形成三極管模板；

采用復(fù)合材料對(duì)所述三極管模板進(jìn)行塑封處理；

在所述第二焊盤和至少一個(gè)第一焊盤的垂直方向上鉆盲孔，并將所述盲孔處理成金屬化盲孔；

對(duì)所述金屬化盲孔經(jīng)過圖形制作形成線路閉合回路，封裝出三極管。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜包括：

在所述表面金屬層上涂覆抗蝕膜；

經(jīng)過曝光和顯影步驟，將所述非線路圖形區(qū)域的抗蝕膜去除，使保留的抗蝕膜覆蓋所述線路圖形區(qū)域。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述至少一個(gè)第一焊盤上焊接芯片之前，所述封裝方法還包括：

去除所述線路圖形區(qū)域的抗蝕膜。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述至少一個(gè)第一焊盤上焊接芯片包括：

在所述至少一個(gè)第一焊盤上放置芯片，并采用錫膏、鍍錫、金屬鍵合、導(dǎo)電膠粘接中的至少一種方式將所述芯片焊接在所述至少一個(gè)第一焊盤上。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述芯片上焊接第二焊盤形成三極管模板包括：

對(duì)所述芯片的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行電鍍，形成第二焊盤。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述第二焊盤和至少一個(gè)第一焊盤的垂直方向上鉆盲孔包括：

采用激光盲孔的方式在所述第二焊盤和至少一個(gè)第一焊盤的垂直方向上鉆盲孔。

所述將所述盲孔處理成金屬化盲孔包括：

采用化學(xué)沉銅，電鍍銅、濺射銅、導(dǎo)電銅膠中的至少一種方式將所述盲孔處理成所述金屬化盲孔。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述對(duì)所述金屬化盲孔經(jīng)過圖形制作形成線路閉合回路之后，所述封裝方法還包括：

將所述復(fù)合材料加入模具，并進(jìn)行塑封處理，切割掉多余的復(fù)合材料。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述封裝方法還包括：

在至少一個(gè)第一焊盤上焊接目標(biāo)電子元器件，其中，所述目標(biāo)電子元器件包括電阻、電容中的至少一個(gè)。

本發(fā)明第二方面提供一種三極管，所述三極管為利用上述第一方面或者第一方面中的任意一種封裝方法所封裝出的三極管。

從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)：

與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，取代傳統(tǒng)打線的方式來封裝三極管，利用焊接或者盲孔連接的方式將芯片與焊盤焊接，并將芯片封裝成具有一定功能的三極管，封裝出的三極管占用空間小，整個(gè)工藝流程簡單，有效提高三極管的封裝效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中三極管的封裝方法的一個(gè)實(shí)施例示意圖；

圖2a為本發(fā)明實(shí)施例中在載體上覆蓋表面金屬層的一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為本發(fā)明實(shí)施例中在表面金屬層上覆蓋抗蝕膜的一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2c為本發(fā)明實(shí)施例中在第一焊盤上焊接芯片的一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2d為本發(fā)明實(shí)施例中在芯片上焊接第二焊盤的一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2e為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)三極管模板進(jìn)行塑封處理的一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2f為本發(fā)明實(shí)施例中形成金屬化盲孔的一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中三極管的一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例中三極管的另一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種三極管的封裝方法及三極管，用于解決現(xiàn)有三極管的占用空間大，封裝效率低的問題。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的內(nèi)容以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例中三極管的封裝方法的一個(gè)實(shí)施例示意圖，該實(shí)施例的具體流程如下：

步驟101、提供載體，并在所述載體的至少一個(gè)面上覆蓋表面金屬層。

在封裝三極管之前，首先提供封裝三極管的載體，其中，該載體具有可剝離性，方便后續(xù)剝離，因此載體可看作是三極管封裝過程中的一種介質(zhì)，并在載體的至少一個(gè)面上覆蓋表面金屬層，其中，要覆蓋表面金屬層的載體面可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，此處不做具體限定。一般情況下，該表面金屬層具體為銅箔層，當(dāng)然，也可以是其他金屬材質(zhì)層，此處不做具體限定。

步驟102、在所述表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜。

本發(fā)明實(shí)施例中，該表面金屬層所在的區(qū)域包括線路圖形區(qū)域和非線路圖形區(qū)域，其中，需要在該線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜，由于抗蝕膜是一種高分子的化合物，它通過曝光(例如：紫外線的照射)后能夠產(chǎn)生聚合反應(yīng)形成一種穩(wěn)定的物質(zhì)附著于線路圖形區(qū)域，達(dá)到阻擋電鍍和蝕刻的功能，從而起到保護(hù)線路圖形區(qū)域的作用，在實(shí)際應(yīng)用中，該線路圖形區(qū)域的位置與具體產(chǎn)品的形態(tài)、結(jié)構(gòu)以及線路設(shè)計(jì)等相關(guān)，此處不做具體贅述。

需要說明的是，該抗蝕膜可以為干膜，也可以是濕膜，還可以是其他具有抗蝕刻性的材料，此處不做具體限定。

在實(shí)際應(yīng)用中，在該表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜的方式有很多種，其中，在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在表面金屬層的線路圖形區(qū)域覆蓋抗蝕膜包括：在所述表面金屬層上涂覆抗蝕膜；經(jīng)過曝光和顯影步驟，將所述非線路圖形區(qū)域的抗蝕膜去除，使保留的抗蝕膜覆蓋所述線路圖形區(qū)域。

步驟103、對(duì)所述表面金屬層的非線路圖形區(qū)域進(jìn)行電鍍，形成至少一個(gè)第一焊盤。

本發(fā)明實(shí)施例中，表面金屬層的非線路圖形區(qū)域是絕緣隔熱的，在表面金屬層的非線路圖像區(qū)域電鍍出至少一個(gè)第一焊盤，第一焊盤的材質(zhì)為銅、鎳、金、銀、錫、鉛中的至少一種或者其合金中的至少一種。其中，第一焊盤的高度與位置與實(shí)際產(chǎn)品相關(guān)，此處不做具體限定。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的第一焊盤用于區(qū)別下述的第二焊盤，該第一焊盤和下述的第二焊盤的材質(zhì)可相同，也可以不同，此處不做具體限定。

步驟104、在所述至少一個(gè)第一焊盤上焊接芯片。

在實(shí)際應(yīng)用中，三極管的焊盤之間可能是水平位置關(guān)系，也可能是垂直位置關(guān)系，在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在至少一個(gè)第一焊盤上焊接芯片之前，需要去除所述線路圖形區(qū)域的抗蝕膜，方便在該第一焊盤上焊接芯片，其中，該芯片在與焊盤焊接的上表面和/或下表面攜帶有焊盤。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在至少一個(gè)第一焊盤上焊接芯片包括：在所述至少一個(gè)第一焊盤上放置芯片，并采用錫膏、鍍錫、金屬鍵合、導(dǎo)電膠粘接中的至少一種方式將所述芯片焊接在所述至少一個(gè)第一焊盤上。

需要說明的是，除上述錫膏、鍍錫、金屬鍵合、導(dǎo)電膠粘接等至少一種焊接方式或者其組合方式外，還可以是其他焊接方式，此處不做具體限定。

步驟105、在所述芯片上焊接第二焊盤形成三極管模板。

在該至少一個(gè)第一焊盤上焊接芯片之后，在該芯片上繼續(xù)焊接第二焊盤，從而形成三極管模板，其中，該第二焊盤的的材質(zhì)為銅、鎳、金、銀、錫、鉛中的至少一種或者其合金中的至少一種。其中，第二焊盤的高度與位置與實(shí)際產(chǎn)品相關(guān)，此處不做具體限定。若第一焊盤至少有兩個(gè)，則需要在芯片上焊接至少一個(gè)第二焊盤，若第一焊盤至少有一個(gè)，則需要在芯片上焊接至少兩個(gè)第二焊盤。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在所述芯片上焊接第二焊盤形成三極管模板包括：對(duì)所述芯片的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行電鍍，形成第二焊盤，從而形成所述三極管模板。其中，所述目標(biāo)區(qū)域的設(shè)置與實(shí)際產(chǎn)品相關(guān)，所述電鍍的方式可以是物理電鍍或者化學(xué)沉銅電鍍等，另外，除了電鍍方式外，還可以采用錫膏、鍍錫、金屬鍵合、導(dǎo)電膠粘接中的至少一種方式將第二焊盤焊接在所述芯片的目標(biāo)區(qū)域，當(dāng)然，還可以是其他焊接方式，此處不做具體限定。

步驟106、采用復(fù)合材料對(duì)所述三極管模板進(jìn)行塑封處理。

本發(fā)明實(shí)施例中，需要采用復(fù)合材料對(duì)三極管模板進(jìn)行塑封處理，從而達(dá)到保護(hù)第一焊盤、第二焊盤與芯片的作用，其中，該復(fù)合材料為固體塑封材料、粉末塑封材料、液體樹脂、半固化樹脂、純膠中的至少一種或者其組合材料。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，采用復(fù)合材料對(duì)所述三極管模板進(jìn)行塑封處理包括：

將所述復(fù)合材料加入模具，并進(jìn)行塑封處理。

步驟107、在所述第二焊盤和至少一個(gè)第一焊盤的垂直方向上鉆盲孔，并將所述盲孔處理成金屬化盲孔。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在所述第二焊盤和至少一個(gè)第一焊盤的垂直方向上鉆盲孔包括：采用激光盲孔的方式在所述第二焊盤和至少一個(gè)第一焊盤的垂直方向上鉆盲孔。

所述將所述盲孔處理成金屬化盲孔包括：采用化學(xué)沉銅，電鍍銅、濺射銅、導(dǎo)電銅膠中的至少一種方式或者其組合方式將所述盲孔處理成所述金屬化盲孔。

步驟108、對(duì)所述金屬化盲孔經(jīng)過圖形制作形成線路閉合回路，封裝出三極管。

本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)該金屬化盲孔經(jīng)過圖形制作形成閉合回路，形成電感，從而封裝出三極管。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，對(duì)所述金屬化盲孔經(jīng)過圖形制作形成線路閉合回路之后，將所述復(fù)合材料加入模具，并進(jìn)行塑封處理，切割掉多余的復(fù)合材料。

在實(shí)際應(yīng)用中，通過對(duì)該復(fù)合材料加入模具后，按照該模具的大小進(jìn)行塑封處理，并根據(jù)二極管的大小結(jié)構(gòu)切割掉多余的復(fù)合材料，從而完成二極管的封裝，其中，該復(fù)合材料是樹脂、純膠或者半固化片中的至少一種或者其組成材料。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，還可以在焊盤上焊接目標(biāo)電子元器件，其中，所述目標(biāo)電子元器件包括電阻、電容中的至少一個(gè)。

在實(shí)際應(yīng)用中，在封裝三極管的過程中，通過在至少一個(gè)第一焊盤上焊接電阻，電容，連接器，發(fā)條等電子元器件，從而有效提高三極管的集成度，另外，該目標(biāo)電子元器件與實(shí)際產(chǎn)品有關(guān)，可根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品確定電子元器件以及電子元器件的個(gè)數(shù)等，此處不做具體限定。

為便于更好的理解本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，下面通過一個(gè)具體的實(shí)施例介紹三極管的封裝過程。

請(qǐng)參閱圖2a，提供載體10，并在該載體10的一個(gè)面上覆蓋表面金屬層11形成覆銅板，其中，該覆銅板作為封裝三極管的一個(gè)基板，且該載體具有可剝離性，用于當(dāng)完成三極管的封裝后，剝離掉該載體。由于銅金屬的成本低，因此，該表面金屬層一般為銅箔層，當(dāng)然，還可以是其他金屬層，此處不做具體限定。

請(qǐng)參閱圖2b，當(dāng)加工出覆銅板之后，在該表面金屬層11上覆蓋抗蝕膜12，其中，該抗蝕膜可以是干膜，也可以是濕膜，還可以是其他抗蝕性的材料，由于抗蝕膜具有感光和抗腐蝕的作用，經(jīng)過曝光和顯影步驟，使得線路圖形轉(zhuǎn)移到抗蝕膜上，將該表面金屬層11上的非線路圖形區(qū)域的抗蝕膜12去掉，從而只保留線路圖形區(qū)域的抗蝕膜12，然后在該表面金屬層的非線路圖形區(qū)域電鍍出至少一個(gè)第一焊盤13，其中，第一焊盤的大小、高度、材料與實(shí)際產(chǎn)品相關(guān)，此處不做具體限定，另外，電鍍的方式可以是物理電鍍或者化學(xué)沉銅電鍍，具體電鍍的原理是通過在非線路圖形區(qū)域的表面金屬層上鍍上一薄層金屬或者合金，利用電解作用使金屬或者合金的表面附著一層金屬膜的工藝。

請(qǐng)參閱圖2c，去掉表面金屬層11的線路圖形區(qū)域的抗蝕膜12，并在該至少一個(gè)第一焊盤13上焊接芯片14，其中，該芯片自帶焊盤，圖2c中未示出。在實(shí)際應(yīng)用中，采用錫膏、鍍錫、金屬鍵合、導(dǎo)電膠粘接中的至少一種方式或者組合方式將芯片14焊接在該至少一個(gè)第一焊盤13上。

請(qǐng)參閱圖2d，在該芯片14上焊接第二焊盤15形成三極管模板，其中，具體過程為：對(duì)該芯片14上的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行電鍍，該目標(biāo)區(qū)域的設(shè)置于實(shí)際產(chǎn)品相關(guān)，形成第二焊盤15，其中，電鍍的方式可以是物理電鍍或者化學(xué)沉銅電鍍等，此處不做具體限定。需要說明的是，如圖2d所示，若第一焊盤13至少有兩個(gè)，則需要在芯片上焊接至少一個(gè)第二焊盤15。若第一焊盤13至少有一個(gè)，則需要在芯片上焊接至少兩個(gè)第二焊盤15，與圖2d相似，圖未示出。

請(qǐng)參閱圖2e，采用復(fù)合材料16對(duì)所述三極管模板進(jìn)行塑封處理。具體過程為：將復(fù)合材料16加入模具，并進(jìn)行塑封處理，根據(jù)三極管的所需尺寸，切割掉多余的復(fù)合材料。其中，該復(fù)合材料可以是固體或者液體塑封材料，例如：純膠或者半固化片等。

請(qǐng)參閱圖2f，為了線路之間的連接，需要在該第二焊盤15和至少一個(gè)第一焊盤13的垂直方向上鉆盲孔17，在實(shí)際應(yīng)用中，可以采用激光盲孔的方式鉆盲孔17，由于三極管模板本身是絕緣隔熱的，可以對(duì)該盲孔進(jìn)行沉銅和電鍍，將所鉆的盲孔金屬化，并對(duì)該金屬化盲孔經(jīng)過圖形制作形成線路閉合回路，形成電感，然后將該復(fù)合材料加入模具，并進(jìn)行塑封處理，根據(jù)二極管的所需尺寸，切割掉多余的復(fù)合材料，需要說明的是，還可以采用機(jī)械的方式鏟平所述復(fù)合材料，或者采用打磨的方式磨平所述復(fù)合材料，此處不做具體限定。然后去除載體10，從而完成三極管的封裝。

在實(shí)際應(yīng)用中，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種三極管，該三極管為通過上述圖1所示的封裝方法封裝出的三極管。

如圖3所示，為圖1所示的封裝方法封裝出的三極管，該三極管至少有三個(gè)焊盤，其中，第一焊盤301位于下部，至少兩個(gè)第二焊盤302位于上部，在第一焊盤301上焊接芯片303，該芯片303的一面焊接有至少兩個(gè)該第二焊盤302，然后通過復(fù)合材料305進(jìn)行塑封處理，并在第一焊盤301和第二焊盤302的垂直方向上采用激光盲孔的方式鉆出盲孔，并對(duì)盲孔金屬化從而形成金屬化盲孔304，并對(duì)金屬化盲孔304做圖形處理，實(shí)現(xiàn)線路的連通。當(dāng)然，在實(shí)際應(yīng)用中，還可以在三極管上焊接更多的芯片或者電阻、電容等其他電子元器件，此處不做具體限定，然后再次通過復(fù)合材料305進(jìn)行塑封，用于保護(hù)第一焊盤301，第二焊盤302以及芯片303。

如圖4所述，為圖1所示的封裝方法封裝出的另一個(gè)三極管，其中，該三極管至少有三個(gè)焊盤，其中，至少兩個(gè)第一焊盤401位于同一水平面上，或者接近同一水平面上，在至少兩個(gè)第一焊盤401上焊接芯片402。在實(shí)際應(yīng)用中，還可以在其他第一焊盤上焊接更多的芯片，或者焊接電容、電阻等其他電子元器件，從而提高該三極管封裝的集成度。該芯片402的一面焊接有至少一個(gè)第二焊盤403，然后采用復(fù)合材料405進(jìn)行塑封處理，并在第一焊盤401和第二焊盤403的垂直方向上采用激光盲孔的方式鉆出盲孔，并對(duì)盲孔金屬化從而形成金屬化盲孔404，并對(duì)金屬化盲孔做圖形處理，實(shí)現(xiàn)線路的連通。然后再次通過復(fù)合材料405進(jìn)行塑封，用于保護(hù)第一焊盤401以及芯片402以及第二焊盤403。

需要說明的是，封裝三極管所需的第一焊盤和第二焊盤的大小可相同，也可以不同，三個(gè)焊盤不一定在同一條水平線上，此處不做具體限定。

經(jīng)試驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，圖1所示的封裝方法所封裝出的三極管比傳統(tǒng)方法封裝出的三極管在高度上明顯降低，而且使用的成本也明顯降低，如下表，為一個(gè)測試數(shù)據(jù)表：

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的系統(tǒng)，裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過程，在此不再贅述。

在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)，裝置和方法，可以通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。

所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上。可以根據(jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。

所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：U盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

以上所述，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。