晶片封裝體及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)于一種晶片封裝技術(shù)，特別為有關(guān)于一種晶片封裝體及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過程中的重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中，使其免受外界環(huán)境污染外，還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。
[0003]—般的晶片封裝體中，通常將導(dǎo)電層與信號(hào)接墊的表面接觸，以形成外部電性連接的導(dǎo)電路徑。
[0004]然而，上述信號(hào)接墊與導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電性不佳，且結(jié)構(gòu)強(qiáng)度不足，進(jìn)而影響晶片封裝體的品質(zhì)。
[0005]因此，有必要尋求一種新穎的晶片封裝體及其制造方法，其能夠解決或改善上述的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括:一基底，其具有一第一表面及與其相對(duì)的一第二表面;一介電層，設(shè)置于基底的第一表面上，其中介電層內(nèi)包括一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)；一第一開口，貫穿基底，并露出導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)的一表面;一第二開口，與第一開口連通，且貫穿導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)；以及一重布線層，順應(yīng)性設(shè)置于第一開口的一側(cè)壁及導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)的表面上，并填入第二開口。
[0007]本發(fā)明還提供一種晶片封裝體的制造方法，包括:提供一基底，其具有一第一表面及與其相對(duì)的一第二表面，基底的第一表面上具有一介電層，其中介電層內(nèi)包括一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu);形成一第一開口，第一開口貫穿基底且露出導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)的一表面；以及形成一第二開口，第二開口與第一開口連通，且貫穿導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)；以及在第一開口的一側(cè)壁及導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)的表面上順應(yīng)性形成一重布線層，且重布線層填入第二開口。
[0008]本發(fā)明不僅能夠增加重布線層與導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)的接觸面積，還能夠增加重布線層與導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)之間的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，因此能夠提升晶片封裝體的可靠度或品質(zhì)。
【附圖說明】
[0009]圖1A至IE是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。
[0010]圖2及3是繪示出根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的晶片封裝體的剖面示意圖。
[0011]其中，附圖中符號(hào)的簡單說明如下:
[0012]100、180:基底；100a、180a:第一表面；100b、180b:第二表面;110:元件區(qū)；120:晶片區(qū)；130:介電層；140:虛線；160:導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)；160a、160b、160c:導(dǎo)電墊；200:光學(xué)元件；220:蓋板；240:間隔層；260、380:空腔；280:第一開口； 300:絕緣層；320:第二開口 ;340:重布線層;360:鈍化保護(hù)層;400:導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
【具體實(shí)施方式】
[0013]以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。
[0014]本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝微機(jī)電系統(tǒng)晶片。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無源元件(active or passive elements)、數(shù)字電路或模擬電路(digital or analog circuits)等集成電路的電子元件(electronic components )，例如是有關(guān)于光電元件(optoelectronic devices)、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System，MEMS)、生物辨識(shí)元件(b1metric device)、微流體系統(tǒng)(micro fluidic systems)、或利用熱、光線、電容及壓力等物理量變化來測量的物理感測器(Physical Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級(jí)封裝(wafer scale package，WSP)制程對(duì)影像感測元件、發(fā)光二極管(I ight-emittingd i odes，LEDs )、太陽能電池(so Iar ce 11 s )、射頻元件(RF c ir cu i t s )、加速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、指紋辨識(shí)器(fingerprint recognit1n device)、微制動(dòng)器(micro actuators)、表面聲波元件(surface acoustic wave devices)、壓力感測器(process sensors)或噴墨頭(ink printer heads)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。
[0015]其中上述晶圓級(jí)封裝制程主要是指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱之為晶圓級(jí)封裝制程。另外，上述晶圓級(jí)封裝制程亦適用于通過堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(mult1-layerintegrated circuit devices)的晶片封裝體。
[0016]請(qǐng)參照?qǐng)D1E，其繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的剖面示意圖。為了說明本發(fā)明實(shí)施例，此處使用背照式(backside illuminat1n，BSI)感測裝置作為范例。然而，本發(fā)明實(shí)施例不限定于任何特定的應(yīng)用。在本實(shí)施例中，晶片封裝體包括一基底180、一介電層 130、一第一開口 280、一第二開口 320及一重布線層(redistribut1n layer，RDL)340?；?80具有一第一表面180a及與其相對(duì)的一第二表面180b。在一實(shí)施例中，基底180可為一硅基底或其他適合的基底。
[0017]介電層130設(shè)置于基底180的第一表面180a上，且介電層130內(nèi)包括一個(gè)或一個(gè)以上的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)160。在本實(shí)施例中，介電層130可由一層或多層介電材料(例如，二氧化硅、氮化物、氧化物、氮氧化物貨其他適合的介電材料)所構(gòu)成。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)160可包括單一導(dǎo)電墊或一個(gè)以上垂直堆疊的導(dǎo)電墊，且可由導(dǎo)電材料(例如，銅、鋁或其合金)所構(gòu)成。為簡化圖式，此處僅以三個(gè)垂直堆疊的導(dǎo)電墊160a、160b及160c作為范例說明，且僅繪示出單一介電層130內(nèi)的兩個(gè)導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)160作為范例說明。導(dǎo)電墊160a、導(dǎo)電墊160b及導(dǎo)電墊160c可通過介電層130互相絕緣，且通過導(dǎo)電插塞(未繪示)互相電性連接。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電墊160a、導(dǎo)電墊160b及導(dǎo)電墊160c依序沿著自第二表面180b朝第一表面180a的方向垂直堆疊。
[0018]第一開口 280自基底180的第二表面180b朝第一表面180a延伸而貫穿基底180，并進(jìn)一步延伸至介電層130內(nèi)，因而露出導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)160中的導(dǎo)電墊160a的一表面。在一實(shí)施例中，第一開口 280的側(cè)壁傾斜于基底180的第一表面180a。在其他實(shí)施例中，第一開口 280的側(cè)壁可大致上垂直于基底180的第一表面180a。
[0019]第二開口320自導(dǎo)電墊160a的表面(S卩，第一開口280的底部)延伸而貫穿導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)160中的所有導(dǎo)電墊160a、160b及160c，因而露出導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)160的內(nèi)部。在一實(shí)施例中，第二開口320的側(cè)壁大致上垂直于基底180的第一表面180a。在其他實(shí)施例中，第二開口320的側(cè)壁可傾斜于基底180的第一表面180a。在本實(shí)施例中，第二開口 320與第一開口 280連通，且第二開口 320的直徑小于第一開口 280的直徑。
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