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QLED及其制備方法與流程

文檔序號(hào):12614496閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種QLED,包括依次設(shè)置的第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和第二電極,所述發(fā)光層由量子點(diǎn)發(fā)光材料和混合傳輸材料制成,所述混合傳輸材料為空穴傳輸材料和電子傳輸材料,且所述空穴傳輸材料和電子傳輸材料在所述發(fā)光層中形成雙連續(xù)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),所述量子點(diǎn)發(fā)光材料分散在所述雙連續(xù)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中。

技術(shù)研發(fā)人員:陳崧;錢磊;楊一行;曹蔚然;向超宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者:TCL集團(tuán)股份有限公司
文檔號(hào)碼:201610942368
技術(shù)研發(fā)日:2016.11.01
技術(shù)公布日:2017.01.11

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