技術(shù)編號(hào)：12614496
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種QLED及其制備方法。背景技術(shù)無機(jī)納米晶的量子點(diǎn)發(fā)光材料具有出射光顏色飽和、波長(zhǎng)可調(diào)的優(yōu)點(diǎn)，而光致、電致發(fā)光量子產(chǎn)率高，適合制備高性能顯示器件。此外，從制備工藝角度看，量子點(diǎn)發(fā)光材料可以在非真空條件下采用旋涂、印刷、打印設(shè)備等溶液加工方式制備成膜。所以，以量子點(diǎn)薄膜制備的量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)成為下一代顯示技術(shù)的有力競(jìng)爭(zhēng)者。通常的，QLED器件包括電極1、空穴注入、傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸、注入層和電極2。根據(jù)電極1和電極2的相對(duì)位置，即背電極和頂電極，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。