本案是分案申請(qǐng)。該分案的母案是申請(qǐng)日為2012年5月23日、申請(qǐng)?zhí)枮?01280026880.9、發(fā)明名稱為“導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、包含導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)及裝置，及相關(guān)方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)案。

優(yōu)先權(quán)主張

本申請(qǐng)案主張針對(duì)“導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、包含導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)及裝置，及相關(guān)方法(CONDUCTIVE STRUCTURES,SYSTEMS AND DEVICES INCLUDING CONDUCTIVE STRUCTURES AND RELATED METHODS)”于2011年6月2日提出申請(qǐng)的第13/151,945號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案的申請(qǐng)日期的權(quán)益。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及具有延伸穿過(guò)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少一部分的觸點(diǎn)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、包含此些導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的裝置、包含此些裝置的系統(tǒng)、形成此些導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法及形成階梯狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電連接的方法。

背景技術(shù)：

存儲(chǔ)器裝置通常作為內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路而提供于計(jì)算機(jī)或其它電子裝置中。存在許多不同類型的存儲(chǔ)器裝置，包含隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)及非易失性存儲(chǔ)器。隨著電子系統(tǒng)的性能及復(fù)雜度增加，對(duì)存儲(chǔ)器系統(tǒng)中的額外存儲(chǔ)器的要求也增加。半導(dǎo)體工業(yè)中的趨勢(shì)是朝向可用于在單個(gè)芯片上制作高密度電路的較小存儲(chǔ)器裝置。晶體管裝置及電路的小型化可通過(guò)減小所有裝置特征的大小使得所得裝置占據(jù)晶片的較小表面積來(lái)實(shí)現(xiàn)。

為降低制作此些高密度存儲(chǔ)器陣列的成本，必須使部件計(jì)數(shù)保持在最小值。此意指能夠?qū)崿F(xiàn)單個(gè)芯片上的較高存儲(chǔ)器密度而不是堆疊單獨(dú)存儲(chǔ)器芯片。然而，隨著存儲(chǔ)器裝置的大小減小同時(shí)增加存儲(chǔ)器陣列中的存儲(chǔ)器單元的數(shù)目，操作每一存儲(chǔ)器裝置所需的連接的數(shù)目也增加。

舉例來(lái)說(shuō)，在非易失性(例如，NAND快閃存儲(chǔ)器)中，一種用以增加存儲(chǔ)器密度的方式是通過(guò)使用還稱作三維(3-D)陣列的垂直存儲(chǔ)器陣列。舉例來(lái)說(shuō)，頒予Kito等人的第2007/0252201號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)案中揭示此些垂直存儲(chǔ)器陣列。常規(guī)垂直存儲(chǔ)器陣列需要導(dǎo)電板與存取線(例如，字線)之間的電連接，使得可針對(duì)寫(xiě)入或讀取功能唯一地選擇所述陣列中的存儲(chǔ)器單元。一種類型的垂直存儲(chǔ)器陣列包含延伸穿過(guò)分層導(dǎo)電板(還稱作字線板或控制柵極板)中的孔的半導(dǎo)體柱，在所述柱與所述導(dǎo)電板的每一結(jié)處具有電介質(zhì)材料。因此，可沿每一柱形成多個(gè)晶體管。此結(jié)構(gòu)使得較大數(shù)目個(gè)晶體管能夠通過(guò)在裸片上向上(垂直地)構(gòu)建陣列而位于單位裸片面積上。然而，在此裝置中，每一存儲(chǔ)器單元必須包含多個(gè)導(dǎo)電連接(例如，字線、位線、選擇柵極等)以便讀取、寫(xiě)入及擦除每一個(gè)別存儲(chǔ)器單元或多個(gè)存儲(chǔ)器單元。在具有存儲(chǔ)器單元的高密度的此存儲(chǔ)器陣列中，可能難以按有效及高效方式給每一存儲(chǔ)器單元提供所述連接。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一方面，本申請(qǐng)涉及一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括：多種導(dǎo)電材料的經(jīng)堆疊塊體，其沿所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)橫向延伸，多種導(dǎo)電材料的所述塊體中的每種導(dǎo)電材料通過(guò)絕緣材料與多種導(dǎo)電材料的所述塊體中的鄰近導(dǎo)電材料至少部分地分離；及多個(gè)觸點(diǎn)，其包括第一觸點(diǎn)和其他觸點(diǎn)，多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)從所述多個(gè)觸點(diǎn)中的剩余觸點(diǎn)橫向偏移且延伸穿過(guò)多種導(dǎo)電材料的所述塊體中的相應(yīng)至少一種導(dǎo)電材料，其中所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)連通多種導(dǎo)電材料的所述塊體中的相應(yīng)至少一種導(dǎo)電材料，且與多種導(dǎo)電材料的所述塊體中的至少另一種導(dǎo)電材料分離，且其中所述其他觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)比所述多個(gè)觸點(diǎn)中的至少一個(gè)鄰近觸點(diǎn)延伸穿過(guò)多種導(dǎo)電材料的所述塊體中的至少一種其他導(dǎo)電材料。

另一方面，本申請(qǐng)涉及一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括：多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階，其沿所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)橫向延伸，所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的每一導(dǎo)電臺(tái)階通過(guò)絕緣材料與所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的鄰近導(dǎo)電臺(tái)階至少部分地分離；多個(gè)觸點(diǎn)，其包括：第一觸點(diǎn)，其貫穿且延伸穿過(guò)所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的至少一個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階，其中所述第一觸點(diǎn)連通所述至少一個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階；及第二觸點(diǎn)，其貫穿且延伸穿過(guò)所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的所述至少一個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階和至少另一導(dǎo)電臺(tái)階，其中所述第二觸點(diǎn)連通所述至少另一導(dǎo)電臺(tái)階且與所述至少一個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階絕緣；及互連件，其連通所述第一觸點(diǎn)以及所述第二觸點(diǎn)，其中所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)覆蓋所述互連件，且其中所述第一觸點(diǎn)和所述第二觸點(diǎn)延伸至所述互連件。

另一方面，本申請(qǐng)涉及一種裝置。所述裝置包括：多個(gè)存儲(chǔ)器單元；及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括：多種導(dǎo)電材料，所述多種導(dǎo)電材料中的每種導(dǎo)電材料連通所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的相應(yīng)至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元；以及多個(gè)觸點(diǎn)，每一觸點(diǎn)延伸穿過(guò)所述多種導(dǎo)電材料中的至少一種導(dǎo)電材料，所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)與所述多種導(dǎo)電材料中的相應(yīng)至少一種導(dǎo)電材料電連通，且經(jīng)由至少部分地安置于所述觸點(diǎn)和所述另一種導(dǎo)電材料之間的絕緣材料而與所述多種導(dǎo)電材料中的另一種導(dǎo)電材料絕緣，其中所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)包括具有第一寬度的第一部分和具有大于所述第一寬度的第二寬度的第二部分，且其中所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)在具有所述第二寬度的所述第二部分處貫穿且連通所述相應(yīng)至少一種導(dǎo)電材料。

另一方面，本申請(qǐng)涉及一種形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法。所述方法包括：形成貫穿多個(gè)導(dǎo)電板的多個(gè)開(kāi)口，每一導(dǎo)電板由相應(yīng)絕緣材料至少部分地分離；在所述多個(gè)開(kāi)口的每一開(kāi)口中形成絕緣襯里；在所述多個(gè)開(kāi)口的每一開(kāi)口中暴露所述多個(gè)導(dǎo)電板的相應(yīng)至少一個(gè)導(dǎo)電板的一部分；及在所述多個(gè)開(kāi)口的每一開(kāi)口中形成連通所述多個(gè)導(dǎo)電板的所述相應(yīng)至少一個(gè)導(dǎo)電板的經(jīng)暴露部分的相應(yīng)觸點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包含導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體裝置的電子系統(tǒng)的實(shí)施例的示意性框圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一部分的簡(jiǎn)化橫截面?zhèn)纫晥D；

圖3到11是工件的一部分的橫截面?zhèn)纫晥D且圖解說(shuō)明本發(fā)明的可用于形成如圖2中所展示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)施例；

圖12到14是工件的一部分的橫截面?zhèn)纫晥D且圖解說(shuō)明本發(fā)明的可用于形成如圖2中所展示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法的另一實(shí)施例；且

圖15及16是工件的一部分的橫截面?zhèn)纫晥D且圖解說(shuō)明本發(fā)明的可用于形成如圖2中所展示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法的又一實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

如本文中所使用，例如“第一”、“第二”、“在…上方”、“在…下方”、“在…上”、“下伏”、“上覆”等任何關(guān)系術(shù)語(yǔ)是出于清楚及方便理解本發(fā)明及圖式的目的而使用且不暗示或取決于任何具體偏好、定向或次序。

如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“遠(yuǎn)端的”及“近端的”描述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的元件相對(duì)于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成于其上的襯底的位置。舉例來(lái)說(shuō)，術(shù)語(yǔ)“遠(yuǎn)端的”是指距所述襯底相對(duì)較遠(yuǎn)的位置，且術(shù)語(yǔ)“近端的”是指相對(duì)較接近于所述襯底的位置。

如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“橫向”及“縱向”描述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的元件相對(duì)于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成于其上的襯底及相對(duì)于在圖中如何繪示所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方向。舉例來(lái)說(shuō)，術(shù)語(yǔ)“橫向”是指垂直于從所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的近端到遠(yuǎn)端終結(jié)的軸的方向(例如，跨越(即，側(cè)對(duì)側(cè))所述各圖延伸的方向)。術(shù)語(yǔ)“縱向”是指平行于從所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的近端到遠(yuǎn)端終結(jié)的軸延伸的方向(例如，沿所述各圖上下延伸的方向)。

下文說(shuō)明提供例如材料類型及處理?xiàng)l件的具體細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的透徹說(shuō)明。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，本發(fā)明的實(shí)施例可在不采用這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐。實(shí)際上，本發(fā)明的實(shí)施例可連同業(yè)內(nèi)所采用的常規(guī)半導(dǎo)體制作技術(shù)一起實(shí)踐。另外，下文提供的說(shuō)明可不形成用于制造半導(dǎo)體裝置的完整工藝流程。下文所描述的結(jié)構(gòu)不形成完整半導(dǎo)體裝置。下文僅詳細(xì)描述理解本發(fā)明的實(shí)施例所需的那些工藝動(dòng)作及結(jié)構(gòu)?？赏ㄟ^(guò)常規(guī)制作技術(shù)來(lái)執(zhí)行用以形成完整導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體裝置的額外動(dòng)作。

在下文詳細(xì)說(shuō)明中，參考形成其一部分且其中以圖解說(shuō)明方式展示其中可實(shí)踐本發(fā)明的具體實(shí)施例的附圖。充分詳細(xì)地描述這些實(shí)施例以使得所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明。然而，可利用其它實(shí)施例，且可在不背離本發(fā)明的范圍的情況下做出結(jié)構(gòu)、邏輯及電改變。本文中所呈現(xiàn)的圖解說(shuō)明并非打算為任一特定系統(tǒng)、裝置、結(jié)構(gòu)或存儲(chǔ)器單元的實(shí)際視圖，而僅是經(jīng)采用以描述本發(fā)明的實(shí)施例的理想化表示。本文中所呈現(xiàn)的圖式未必按比例繪制。另外，圖式之間共同的元件可保持相同數(shù)字標(biāo)號(hào)。

圖1是例如(舉例來(lái)說(shuō))包含一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100及一個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體裝置102(例如，多個(gè)存儲(chǔ)器單元、CMOS裝置等)的非易失性存儲(chǔ)器裝置(例如，例如三維NAND存儲(chǔ)器裝置的垂直存儲(chǔ)器裝置)的電子系統(tǒng)的示意性框圖。舉例來(lái)說(shuō)，所述電子系統(tǒng)可包含直接或間接連接到一個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體裝置102且與其連通(例如，與其電連通、與其直接接觸或間接接觸)的一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100。應(yīng)注意，雖然本文中所描述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可具體提及與NAND裝置一起使用，但本發(fā)明并不限于此且可應(yīng)用于其它半導(dǎo)體及存儲(chǔ)器裝置。

圖1中所展示的電子系統(tǒng)可包括(舉例來(lái)說(shuō))計(jì)算機(jī)或計(jì)算機(jī)硬件組件、服務(wù)器或其它聯(lián)網(wǎng)硬件組件、蜂窩式電話、數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式媒體(例如，音樂(lè))播放器等。所述電子系統(tǒng)進(jìn)一步可包含至少一個(gè)電子信號(hào)處理器裝置(通常稱作“微處理器”)。所述電子系統(tǒng)可任選地進(jìn)一步包含用于由用戶將信息輸入到所述電子系統(tǒng)中的一個(gè)或一個(gè)以上輸入裝置(例如(舉例來(lái)說(shuō))鼠標(biāo)或其它定位裝置、鍵盤(pán)、觸摸板、按鈕或控制面板)及用于將信息(例如，視頻或音頻輸出)輸出到用戶的一個(gè)或一個(gè)以上輸出裝置(例如(舉例來(lái)說(shuō))監(jiān)視器、顯示器、打印機(jī)、揚(yáng)聲器等)。

圖2是可連同可在襯底104上包含導(dǎo)電材料(例如，互連件103)的半導(dǎo)體裝置102(圖1)一起使用的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的簡(jiǎn)化圖解?；ミB件103可由例如(舉例來(lái)說(shuō))金屬(例如，W、Ni、氮化鉭(TaN)、Pt、氮化鎢(WN)、Au、氮化鈦(TiN)或氮化鈦鋁(TiAlN))、多晶硅、其它導(dǎo)電材料或其組合的材料形成。在一些實(shí)施例中，襯底104可包含包含半導(dǎo)體型材料(包含(舉例來(lái)說(shuō))硅、鍺、砷化鎵、磷化銦及其它III-V或II-VI型半導(dǎo)體材料)的任一結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，襯底104可不僅包含常規(guī)襯底而且還包含其它塊狀半導(dǎo)體襯底，例如(以實(shí)例方式而非限制方式)絕緣體上硅(SOI)型襯底、藍(lán)寶石上硅(SOS)型襯底及由另一材料支撐的硅外延層。此外，當(dāng)在下文說(shuō)明中提及“襯底”時(shí)，可能已利用先前工藝步驟而在所述襯底的表面中或上方至少部分地形成電路或裝置的元件或組件。在一些實(shí)施例中，襯底104可包含可在其上方(例如，在其上)形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的任一結(jié)構(gòu)，包含(舉例來(lái)說(shuō))電子系統(tǒng)或半導(dǎo)體裝置102(圖1)的其它部分。

導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的一個(gè)或一個(gè)以上部分可形成為包含多個(gè)臺(tái)階106(例如，臺(tái)階107、108、109、110)的所謂的“階梯狀”結(jié)構(gòu)，每臺(tái)階107、108、109、110至少由導(dǎo)電材料112(例如，多晶硅)形成。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電材料112可在互連件103及襯底104上方形成階梯狀結(jié)構(gòu)。每一導(dǎo)電臺(tái)階107、108、109、110可通過(guò)絕緣材料114(例如，例如電介質(zhì)材料的電絕緣材料)與一個(gè)或一個(gè)以上鄰近臺(tái)階106絕緣(例如，與一個(gè)或一個(gè)以上鄰近臺(tái)階106電絕緣、分離或隔離)。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或一個(gè)以上臺(tái)階106可由一個(gè)以上導(dǎo)電材料112形成，其中導(dǎo)電臺(tái)階106中的每一者借助一種或一種以上絕緣材料114至少部分地彼此絕緣。最接近于互連件103及襯底104的臺(tái)階(例如，臺(tái)階110)的導(dǎo)電材料112可通過(guò)絕緣材料115與互連103分離。也可在臺(tái)階106中的每一者的遠(yuǎn)端部分上安置絕緣材料117。以實(shí)例方式而非限制方式，本文中所論述的絕緣材料(例如，絕緣材料114、115、117)可包含任何適合的至少部分地電絕緣的材料，例如氧化物材料(例如，SiO₂、Al₂O₃等)、氮化物材料(例如，Si₃N₄、AlN等)或氧化物材料與氮化物材料的組合(例如(舉例來(lái)說(shuō))氮氧化物材料、再氧化氮氧化物材料或所謂的“氧化物-氮化物-氧化物”(ONO)結(jié)構(gòu))。在一些實(shí)施例中，絕緣材料114、115、117可各自包括類似材料、不同材料或其組合。

在一些實(shí)施例中，臺(tái)階106中的每一者的導(dǎo)電材料112可形成用于將電信號(hào)供應(yīng)到例如(舉例來(lái)說(shuō))多個(gè)存儲(chǔ)器單元的半導(dǎo)體裝置102(圖1)的導(dǎo)電板(例如，字線板)。

所述階梯狀結(jié)構(gòu)的臺(tái)階106中的每一者可包含接觸部分105以促進(jìn)形成與個(gè)別臺(tái)階106中的每一者的一個(gè)或一個(gè)以上連接(例如，電連接)，如下文進(jìn)一步詳細(xì)論述。在一些實(shí)施例中，每一臺(tái)階106可包含從一個(gè)或一個(gè)以上鄰近臺(tái)階106橫向偏移的接觸部分105。舉例來(lái)說(shuō)，臺(tái)階108包含橫向延伸超出鄰近臺(tái)階(例如，臺(tái)階107)的接觸部分105(例如，導(dǎo)電材料112的橫向端部分)。換句話說(shuō)，臺(tái)階108不橫向延伸與臺(tái)階107相同的距離。

仍參考圖2，例如(舉例來(lái)說(shuō))接觸孔116(例如，通孔)的開(kāi)口可于臺(tái)階106的接觸部分105處延伸穿過(guò)臺(tái)階106中的每一者以使得能夠個(gè)別地接觸臺(tái)階106中的每一者以便給臺(tái)階106中的每一者提供連接。舉例來(lái)說(shuō)，臺(tái)階106中的每一者可包含形成于延伸穿過(guò)其的接觸孔116中的觸點(diǎn)118。觸點(diǎn)118可延伸穿過(guò)臺(tái)階106中的每一者的導(dǎo)電材料112。觸點(diǎn)118可由例如(舉例來(lái)說(shuō))金屬(例如，W、Ni、氮化鉭(TaN)、Pt、氮化鎢(WN)、Au、氮化鈦(TiN)或氮化鈦鋁(TiAlN))、多晶硅或其它導(dǎo)電材料的導(dǎo)電材料形成。在一些實(shí)施例中，觸點(diǎn)118可包含形成于其中的一種或一種以上導(dǎo)電材料。舉例來(lái)說(shuō)，如下文較詳細(xì)論述，觸點(diǎn)118可包含由不同材料形成的外部分(例如，例如由金屬氮化物形成的導(dǎo)電襯里的襯里132(圖7))以促進(jìn)觸點(diǎn)118的內(nèi)部分(例如，由純鎢形成)與臺(tái)階106中的每一者的導(dǎo)電材料112之間的電接觸。在一些實(shí)施例中，接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128可經(jīng)形成以具有相對(duì)大于接觸孔116的近端部分130的寬度的橫向?qū)挾?例如，直徑)。這些實(shí)施例可使得觸點(diǎn)118能夠接觸臺(tái)階106的導(dǎo)電材料112的橫向側(cè)表面(例如，沿接觸孔116延伸的表面)及臺(tái)階106的導(dǎo)電材料112的遠(yuǎn)端表面兩者(且與其連通)。

觸點(diǎn)118可使得臺(tái)階106中的相應(yīng)一者能夠與互連件103連通(例如，導(dǎo)電互連件與例如字線驅(qū)動(dòng)器的CMOS裝置連通)。接觸孔116及形成于其中的觸點(diǎn)118可延伸穿過(guò)第一臺(tái)階107及下伏(例如，沿朝向襯底104延伸的方向定位于下方)的每一臺(tái)階108、109、110。換句話說(shuō)，接觸孔116及形成于其中的觸點(diǎn)118可沿從導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的遠(yuǎn)端部分延伸到導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的近端部分的方向延伸穿過(guò)一個(gè)或一個(gè)以上臺(tái)階106。舉例來(lái)說(shuō)，接觸孔116及形成于其中的觸點(diǎn)118可延伸穿過(guò)臺(tái)階107及臺(tái)階107形成于其上的每一臺(tái)階(例如，臺(tái)階108、109、110)。

接觸孔116及觸點(diǎn)118可經(jīng)定位使得每一接觸孔116及觸點(diǎn)118延伸穿過(guò)形成階梯狀結(jié)構(gòu)的臺(tái)階106的相異遠(yuǎn)端部分(例如，接觸部分105)。舉例來(lái)說(shuō)，形成于接觸孔116中的觸點(diǎn)119可經(jīng)定位使得觸點(diǎn)119延伸穿過(guò)臺(tái)階107的遠(yuǎn)端部分(例如，臺(tái)階107的導(dǎo)電材料112)。觸點(diǎn)120可經(jīng)定位以延伸穿過(guò)臺(tái)階108的遠(yuǎn)端部分(例如，臺(tái)階108的導(dǎo)電材料112)而不延伸穿過(guò)臺(tái)階107的遠(yuǎn)端部分。換句話說(shuō)，每一觸點(diǎn)118可經(jīng)定位使得觸點(diǎn)(例如，觸點(diǎn)119)延伸穿過(guò)經(jīng)定位比鄰近臺(tái)階(例如，臺(tái)階108)的導(dǎo)電材料112距互連件103遠(yuǎn)(即，距互連件103較大距離)的臺(tái)階(例如，臺(tái)階107)的導(dǎo)電材料112。

如圖2中進(jìn)一步展示，一個(gè)或一個(gè)以上臺(tái)階106可與延伸穿過(guò)導(dǎo)電臺(tái)階106的觸點(diǎn)118至少部分地絕緣，而一個(gè)或一個(gè)以上其它導(dǎo)電臺(tái)階106可與觸點(diǎn)118相連。舉例來(lái)說(shuō)，下伏于臺(tái)階107下的每一臺(tái)階108、109及110可通過(guò)包括沿形成接觸孔116的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一部分延伸的絕緣材料的襯里122而隔離為不與接觸孔116中的觸點(diǎn)118電連通，而臺(tái)階107與觸點(diǎn)118接觸。換句話說(shuō)，襯里122形成于觸點(diǎn)118與臺(tái)階108、109及110的導(dǎo)電材料112之間，使得臺(tái)階108、109及110的導(dǎo)電材料112與觸點(diǎn)118絕緣。然而，襯里122經(jīng)形成使得觸點(diǎn)118的至少一部分與臺(tái)階107的導(dǎo)電材料112連通(例如，接觸以使得電信號(hào)能夠在觸點(diǎn)118與臺(tái)階107的導(dǎo)電材料112之間傳遞)。每一觸點(diǎn)118可與臺(tái)階106中的相應(yīng)至少一者電連通。舉例來(lái)說(shuō)，觸點(diǎn)119可與導(dǎo)電臺(tái)階107電連通，觸點(diǎn)120可與導(dǎo)電臺(tái)階108電連通，等等。在一些實(shí)施例中，襯里122可由例如上文所列出的那些絕緣材料的絕緣材料形成。

在一些實(shí)施例中且如圖2中所展示，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100可具有使得觸點(diǎn)118(例如，觸點(diǎn)119、120、121)能夠形成為列的階梯狀結(jié)構(gòu)。觸點(diǎn)118中的一者或一者以上可延伸穿過(guò)不同數(shù)目個(gè)臺(tái)階106且與臺(tái)階106中的選定(例如，特定)一者連通。舉例來(lái)說(shuō)，觸點(diǎn)118可各自與觸點(diǎn)118延伸穿過(guò)的臺(tái)階106的最遠(yuǎn)端(例如，距互連件103最遠(yuǎn)的臺(tái)階106)接觸。如圖2中所展示，觸點(diǎn)119可形成穿過(guò)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的階梯狀結(jié)構(gòu)的第一列且可與臺(tái)階107連通而通過(guò)襯里122與臺(tái)階108、109及110隔離。類似地，觸點(diǎn)120可形成穿過(guò)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的階梯狀結(jié)構(gòu)的第二列且可與臺(tái)階108連通而通過(guò)襯里122與臺(tái)階109及110隔離，以此類推。此圖案或類似圖案可以類似方式繼續(xù)直到觸點(diǎn)121與臺(tái)階106的最近端(例如，臺(tái)階110)連通為止。應(yīng)注意，雖然出于描述本發(fā)明的實(shí)施例的目的，圖2的實(shí)施例圖解說(shuō)明四個(gè)臺(tái)階106，但導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100可經(jīng)形成具有包含任何數(shù)目種導(dǎo)電材料及絕緣材料的任何數(shù)目個(gè)臺(tái)階。應(yīng)進(jìn)一步注意，雖然圖2的實(shí)施例圖解說(shuō)明臺(tái)階106中的每一者具有由絕緣材料114分離的一種導(dǎo)電材料112，但在其它實(shí)施例中，臺(tái)階106可包含一種或一種以上導(dǎo)電材料(例如，各自由絕緣材料分離的一種或一種以上導(dǎo)電材料)。也應(yīng)注意，雖然圖2的實(shí)施例圖解說(shuō)明形成于絕緣材料114上方(例如，上)的導(dǎo)電材料112，但在其它實(shí)施例中，可顛倒導(dǎo)電材料112及絕緣材料114的次序。此外，在又其它實(shí)施例中，延伸穿過(guò)所述臺(tái)階的觸點(diǎn)可與每一臺(tái)階中或總體導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的任何數(shù)目種導(dǎo)電材料連通或與其隔離。

在一些實(shí)施例中，襯里122可經(jīng)形成以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電材料112的橫向表面(例如，側(cè)表面)及所述導(dǎo)電材料的遠(yuǎn)端表面上的臺(tái)階106的導(dǎo)電材料112與觸點(diǎn)118之間的接口?？衫么伺渲靡栽鰪?qiáng)臺(tái)階106的導(dǎo)電材料112與觸點(diǎn)118之間的連接。

仍參考圖2，襯里122可經(jīng)形成以隔離導(dǎo)電臺(tái)階106中的一者或一者以上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與剩余導(dǎo)電臺(tái)階106中的一者或一者以上的連通，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)與形成于觸點(diǎn)118的近端處的互連件103的連通。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的元件(例如，接觸孔116、觸點(diǎn)118、襯里122等)可經(jīng)形成以實(shí)現(xiàn)經(jīng)由觸點(diǎn)118的遠(yuǎn)端與其它半導(dǎo)體元件的連通。

應(yīng)注意，為方便及清晰起見(jiàn)，本發(fā)明的實(shí)施例在圖式中展示為具有大致定位于相同橫截面平面中的接觸孔及觸點(diǎn)。預(yù)期，所述接觸孔及觸點(diǎn)可形成于相同橫截面平面、相異橫截面平面或其組合中。

下文描述用于形成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如圖2中所展示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu))的各種方法。為促進(jìn)說(shuō)明，在一些例子中，參考所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一部分來(lái)描述所述方法(例如，圖解說(shuō)明一個(gè)接觸孔及安置于其中的觸點(diǎn)延伸穿過(guò)形成(舉例來(lái)說(shuō))階梯狀結(jié)構(gòu)的一部分的導(dǎo)電材料的一部分)。然而，實(shí)際上，多個(gè)接觸孔及觸點(diǎn)可大致同時(shí)形成于一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中。

在下文所論述的實(shí)施例中的每一者中，形成所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的材料可通過(guò)(舉例來(lái)說(shuō))生長(zhǎng)、擴(kuò)散、沉積或以其它方式提供于其上來(lái)形成。所述各種材料可使用(舉例來(lái)說(shuō))集成電路制作技術(shù)中已知的沉積技術(shù)(例如，化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)、濺鍍、熱蒸鍍或電鍍)、氧化工藝(例如，熱氧化、ISSG氧化)及圖案化技術(shù)(例如，遮蔽及蝕刻)來(lái)形成。所述絕緣材料可通過(guò)化學(xué)氣相沉積、通過(guò)分解原硅酸四乙酯或通過(guò)集成電路制作技術(shù)中已知的任何其它工藝來(lái)形成。

另外，可使用(舉例來(lái)說(shuō))磨蝕或拋光工藝(例如，化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)工藝、化學(xué)拋光工藝、機(jī)械平面化工藝)、蝕刻工藝、剝離工藝或其組合來(lái)移除所述材料或其部分。蝕刻工藝可包含(舉例來(lái)說(shuō))例如使用掩模及各向異性蝕刻工藝(例如，例如使用等離子的反應(yīng)離子蝕刻工藝)來(lái)移除材料的部分或使用掩模及各向同性工藝(例如，化學(xué)蝕刻工藝)來(lái)移除材料的部分的濕法蝕刻或干法蝕刻。應(yīng)注意，用于產(chǎn)生所述反應(yīng)離子的氣體的特定組成、化學(xué)蝕刻劑的特定組成及蝕刻工藝的操作參數(shù)可基于掩模、將蝕刻的材料及周圍材料的組成來(lái)選擇。

參考圖3到12來(lái)描述可用于形成(舉例來(lái)說(shuō))圖2中所展示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的方法的實(shí)施例。參考圖3，可通過(guò)以下方式使導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100(圖2)形成(舉例來(lái)說(shuō))為階梯狀結(jié)構(gòu)：形成由絕緣材料114至少部分地分離的包含導(dǎo)電材料112的多個(gè)臺(tái)階106(例如，臺(tái)階107、108、109、110)；移除導(dǎo)電材料112及絕緣材料114的一部分以形成臺(tái)階106；在臺(tái)階106上方形成絕緣材料(例如，絕緣材料117)；及使所述結(jié)構(gòu)平面化，例如經(jīng)由磨蝕工藝。舉例來(lái)說(shuō)，針對(duì)包含階梯狀結(jié)構(gòu)的設(shè)備及形成階梯狀結(jié)構(gòu)的方法(APPARATUSES INCLUDING STAIR-STEP STRUCTURES AND METHODS OF FORMING THE SAME)(代理人檔案號(hào)碼2269-10469US(2010-0786.00/US))與本案同一日提出申請(qǐng)的第________號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案中描述形成階梯狀結(jié)構(gòu)的此些方法。

可在工件(例如，階梯狀結(jié)構(gòu))中形成(例如，經(jīng)由例如各向異性蝕刻的蝕刻工藝)延伸穿過(guò)絕緣材料(例如，絕緣材料114、115、117)且穿過(guò)一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電臺(tái)階106的一個(gè)或一個(gè)以上接觸孔116。接觸孔116可大致延伸到互連件103。如圖3中所展示，接觸孔116可經(jīng)定位使得每一接觸孔116延伸穿過(guò)每一臺(tái)階106的遠(yuǎn)端部分(例如，接觸部分105(圖2))。換句話說(shuō)，接觸孔116從導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的遠(yuǎn)端部分(例如，絕緣材料117的表面)延伸到導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的近端部分(例如，互連件103)。每一接觸孔116經(jīng)定位以首先沿從導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的遠(yuǎn)端部分到近端部分的方向延伸穿過(guò)相異臺(tái)階106。舉例來(lái)說(shuō)，第一接觸孔116(例如，接觸孔124)首先沿從導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的遠(yuǎn)端部分到近端部分的方向延伸穿過(guò)臺(tái)階107。第二接觸孔116(例如，接觸孔126)首先沿從導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的遠(yuǎn)端部分到近端部分的方向延伸穿過(guò)臺(tái)階108，以此類推。

如圖4中所展示，接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128可經(jīng)形成以具有大于接觸孔116的近端部分130的寬度的寬度(例如，直徑)。舉例來(lái)說(shuō)，絕緣材料114、117可經(jīng)蝕刻以形成從臺(tái)階106中的每一者的最遠(yuǎn)端導(dǎo)電材料112延伸到絕緣材料117的遠(yuǎn)端的接觸孔116的較寬遠(yuǎn)端部分128。接觸孔116的較寬遠(yuǎn)端部分128可通過(guò)蝕刻(例如，包含對(duì)絕緣材料114、117具有選擇性的蝕刻劑的等距蝕刻)來(lái)形成。換句話說(shuō)，所述蝕刻劑的化學(xué)性質(zhì)可經(jīng)配置以按與其它材料的移除速率相比較快的速率移除絕緣材料114、117。

圖5到11圖解說(shuō)明圖3及4中所展示的工件的一部分的單個(gè)接觸孔116及觸點(diǎn)118。應(yīng)注意，如上文所論述，可與圖5中所展示的接觸孔116大致同時(shí)或在單獨(dú)工藝中以類似方式處理一個(gè)或一個(gè)以上接觸孔。如圖5中所展示，在一些實(shí)施例中，絕緣材料114、115、117的蝕刻(例如，等距蝕刻)還可在于臺(tái)階106之間延伸的絕緣材料114中及在絕緣材料115、117中形成凹部。如果存在，那么所述凹部可增加接觸孔116的寬度的部分。在其它實(shí)施例中，在絕緣材料114、115、117中形成接觸孔116可不大致在于導(dǎo)電臺(tái)階106之間延伸的絕緣材料114中或在絕緣材料115、117中形成例如圖12到16中所展示的接觸孔的凹部。

如圖5中進(jìn)一步所展示，襯里122可形成于接觸孔116中。當(dāng)形成時(shí)，襯里122可至少大致覆蓋暴露于接觸孔116中的臺(tái)階106中的每一者的導(dǎo)電材料112。襯里122可形成(例如，保形沉積)于接觸孔116中使得接觸孔116的一部分保持未經(jīng)填充。

如圖6中所展示，襯里122的一部分可經(jīng)移除以暴露導(dǎo)電臺(tái)階106中的一者或一者以上。襯里122的另一部分可經(jīng)移除以暴露互連件103?？墒褂美?舉例來(lái)說(shuō))一個(gè)或一個(gè)以上各向異性蝕刻工藝的一個(gè)或一個(gè)以上蝕刻工藝來(lái)移除襯里122的部分。換句話說(shuō)，對(duì)形成襯里122的絕緣材料具有選擇性的蝕刻劑可在與垂直表面(例如，沿縱向方向延伸的表面)相比較快地移除水平表面(沿橫向方向延伸的襯里122的表面)的各向異性蝕刻工藝中施加到所述工件。相同蝕刻工藝或不同蝕刻工藝還可移除上覆于臺(tái)階106的最遠(yuǎn)端(例如，臺(tái)階107)上的襯里122的垂直部分。如圖6中所展示，此工藝可暴露臺(tái)階106的最遠(yuǎn)端(例如，臺(tái)階107)的導(dǎo)電材料112的橫向及縱向表面，而臺(tái)階108、109及110的導(dǎo)電材料112可保持大致由襯里122覆蓋。應(yīng)注意，選定用于襯里122的材料及絕緣材料114、115、117(例如，氧化物、氮化物或其組合)可在已移除襯里122的部分之后影響襯里122的結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，如果襯里122及絕緣材料117由相同材料(例如，氧化物)形成，那么襯里122的遠(yuǎn)端部分可不以圖6中所展示的方式凹入。盡管如此，可利用任何適合材料及移除工藝來(lái)至少部分地暴露一個(gè)或一個(gè)以上選定導(dǎo)電臺(tái)階106的一部分以便在觸點(diǎn)118與一個(gè)或一個(gè)以上選定導(dǎo)電臺(tái)階106之間建立連接。

如圖7中所展示，可在接觸孔116中形成導(dǎo)電襯里132以實(shí)現(xiàn)一個(gè)或一個(gè)以上選定導(dǎo)電臺(tái)階106、互連件103及形成于接觸孔116中的觸點(diǎn)118(圖8)之間的連通。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電襯里132(或用于制備導(dǎo)電襯里132的工件的工藝)可用以清潔導(dǎo)電材料112及互連件103的表面以便實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電材料112、互連件103及觸點(diǎn)118(圖8)之間的連通。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電襯里132可包括導(dǎo)電材料且可與導(dǎo)電材料112及互連件103連通。在此實(shí)施例中，觸點(diǎn)118(圖8)可經(jīng)由導(dǎo)電襯里132與導(dǎo)電材料112及互連件103連通。

圖8圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在接觸孔116中形成導(dǎo)電材料?？杀Ｐ纬练e所述導(dǎo)電材料。如圖8所展示，在一些實(shí)施例中，所述導(dǎo)電材料可大致填充接觸孔116，從而形成觸點(diǎn)118。在其中保形沉積導(dǎo)電材料的一些實(shí)施例中，接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128可經(jīng)定大小以具有使得觸點(diǎn)118的導(dǎo)電材料能夠夾緊于接觸孔116的近端部分130內(nèi)的寬度(例如，直徑)。換句話說(shuō)，接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128可經(jīng)定大小以具有使得能夠在接觸孔116的近端部分130處借助觸點(diǎn)118的導(dǎo)電材料來(lái)實(shí)質(zhì)封閉接觸孔116的寬度。舉例來(lái)說(shuō)，接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128可經(jīng)定大小以具有足以使得觸點(diǎn)118能夠夾緊于接觸孔116的近端部分130中而不是接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128中的寬度。應(yīng)注意，使得所述材料能夠夾緊于其中的接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128的寬度將至少部分地基于用于填充接觸孔116的材料及用于沉積所述材料的技術(shù)而變化。所述導(dǎo)電材料還可延伸于絕緣材料117上方。形成觸點(diǎn)118的導(dǎo)電材料可經(jīng)沉積使得觸點(diǎn)118與導(dǎo)電臺(tái)階106中的一者或一者以上及互連件103連通。如上文所論述，在一些實(shí)施例中，沉積于圖8中所展示的動(dòng)作中的導(dǎo)電材料及襯里132(圖7)兩者可形成觸點(diǎn)118。

圖9圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例在接觸孔116中形成導(dǎo)電材料。所述導(dǎo)電材料還可延伸于絕緣材料117上方。如圖9中所展示，在一些實(shí)施例中，接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128可經(jīng)定大小以具有使得沉積于接觸孔116中以形成觸點(diǎn)118的導(dǎo)電材料能夠夾緊于接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128內(nèi)的寬度(例如，直徑)。換句話說(shuō)，接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128可經(jīng)定大小以具有使得能夠在接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128處借助觸點(diǎn)118的導(dǎo)電材料來(lái)實(shí)質(zhì)封閉接觸孔116的寬度。舉例來(lái)說(shuō)，接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128可經(jīng)定大小以具有足以使得觸點(diǎn)118能夠夾緊于接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128中的寬度而不是觸點(diǎn)118的導(dǎo)電材料將至少部分地不夾緊于接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128中的寬度(參見(jiàn)，例如，圖8)。應(yīng)注意，使得所述材料能夠夾緊于其中的接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128的寬度將至少部分地基于用于填充接觸孔116的材料及用于沉積所述材料的技術(shù)而變化。

圖10及11圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例例如(舉例來(lái)說(shuō))通過(guò)如圖10中所展示的蝕刻及通過(guò)如圖11中所展示的磨蝕工藝來(lái)部分地移除所述工件的材料(例如，上覆于絕緣材料117上的觸點(diǎn)118的導(dǎo)電材料及接觸孔116中的導(dǎo)電材料的部分)。參考圖10，在一些實(shí)施例中，可使用例如(舉例來(lái)說(shuō))各向同性干法蝕刻的蝕刻工藝來(lái)移除觸點(diǎn)118的材料。觸點(diǎn)118的材料可經(jīng)移除使得觸點(diǎn)118的一部分與一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電臺(tái)階106連通。所述蝕刻工藝可移除上覆于絕緣材料117上的觸點(diǎn)118的材料及遠(yuǎn)端部分128內(nèi)的材料的一部分。舉例來(lái)說(shuō)，如圖10中所展示，觸點(diǎn)118的材料可經(jīng)蝕刻使得觸點(diǎn)118不延伸超過(guò)絕緣材料117的遠(yuǎn)端。在一些實(shí)施例中，觸點(diǎn)118的材料可至少部分地與接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128一起凹入。

參考圖11，在一些實(shí)施例中，可使用例如(舉例來(lái)說(shuō))拋光工藝(例如，化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)工藝)的磨蝕工藝來(lái)移除觸點(diǎn)118的材料。觸點(diǎn)118的材料可經(jīng)移除使得觸點(diǎn)118的一部分與一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電臺(tái)階106連通。舉例來(lái)說(shuō)，如圖11中所展示，觸點(diǎn)118的材料可經(jīng)蝕刻使得觸點(diǎn)118不延伸超過(guò)絕緣材料117的遠(yuǎn)端。在一些實(shí)施例中，觸點(diǎn)118的材料可大致與接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128共平面(例如，大致與絕緣材料117的遠(yuǎn)端在共平面)。應(yīng)注意，上文參考圖10及11所描述的實(shí)施例還可包含移除所述工件的其它材料的至少一部分，例如(舉例來(lái)說(shuō))絕緣材料117的一部分。

參考圖12到14來(lái)描述可用于形成(舉例來(lái)說(shuō))圖2中所展示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的方法的另一實(shí)施例。參考圖12，可在所述工件中形成延伸穿過(guò)絕緣材料(例如，絕緣材料114、115、117)且穿過(guò)一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電臺(tái)階106的類似于參考圖3所展示及所描述的接觸孔116的一個(gè)或一個(gè)以上接觸孔116。接觸孔116可大致延伸到互連件103。

如圖12中所展示，接觸孔116可通過(guò)在所述工件的遠(yuǎn)端(例如，絕緣材料117的遠(yuǎn)端)上形成掩模134(例如，硬掩模(非晶碳或透明碳)、光致抗蝕劑等)并經(jīng)由所述工件蝕刻(例如，各向異性蝕刻)掩模134的圖案而形成。舉例來(lái)說(shuō)，掩模134中的一個(gè)或一個(gè)以上開(kāi)口(例如，孔口136)可界定接觸孔116中的每一者的第一寬度(例如，接觸孔116的近端部分130的寬度)。

如圖13中所展示，可移除(例如，修整)掩模134的一部分以增加掩模134的孔口136的寬度。如圖14中所展示，可使用包含相對(duì)較寬孔口136'的掩模134來(lái)蝕刻所述工件的另一部分。舉例來(lái)說(shuō)，絕緣材料117可經(jīng)蝕刻(例如，各向異性蝕刻)以形成接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128。如上文所論述，接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128可經(jīng)形成以具有大于接觸孔116的近端部分130的寬度的寬度(例如，直徑)。接觸孔116的相對(duì)較寬遠(yuǎn)端部分128可從所述工件的遠(yuǎn)端(例如，絕緣材料117的遠(yuǎn)端)延伸到絕緣臺(tái)階106的遠(yuǎn)端表面(例如，臺(tái)階106的最遠(yuǎn)端的導(dǎo)電材料112)。

可通過(guò)經(jīng)由例如(舉例來(lái)說(shuō))上文參考圖5到11所描述的那些工藝的工藝在所述接觸孔中形成襯里及觸點(diǎn)來(lái)使所述工件形成為導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，如圖2中所展示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100)。在一些實(shí)施例中，還可從所述工件移除掩模134。舉例來(lái)說(shuō)，可經(jīng)由例如上文參考圖11及12所描述的那些蝕刻或磨蝕工藝的蝕刻或磨蝕工藝來(lái)(例如，與移除觸點(diǎn)118的材料同時(shí))移除掩模134。

參考圖15及16來(lái)描述可用于形成(舉例來(lái)說(shuō))圖2中所展示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100的方法的又一實(shí)施例。返回參考圖12，可在所述工件中形成延伸穿過(guò)絕緣材料(例如，絕緣材料114、115、117)且穿過(guò)一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電臺(tái)階106的類似于參考圖3所展示及所描述的接觸孔116的一個(gè)或一個(gè)以上接觸孔116。接觸孔116可大致延伸到互連件103?？稍谒龉ぜ倪h(yuǎn)端(例如，絕緣材料117的遠(yuǎn)端)處形成掩模134(例如，硬掩模、光致抗蝕劑等)。

如圖15中所展示，掩模134中的一個(gè)或一個(gè)以上孔口136可界定接觸孔116中的每一者的第一寬度(例如，接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128的寬度)?？墒褂猛ㄟ^(guò)掩模134形成的孔口136來(lái)蝕刻(例如，各向異性蝕刻)絕緣材料117以形成接觸孔118的一部分(例如，接觸孔118的遠(yuǎn)端部分128)。接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128可從所述工件的遠(yuǎn)端(例如，絕緣材料117的遠(yuǎn)端)延伸到導(dǎo)電臺(tái)階106(例如，臺(tái)階106的最遠(yuǎn)端的導(dǎo)電材料112)。

如圖16中所展示，可至少部分地在接觸孔116的遠(yuǎn)端部分132內(nèi)，于掩模134及絕緣材料117的垂直側(cè)壁上形成間隔件138。間隔件138可減小(例如，縮窄)孔口136'的第一寬度。間隔件138可由可相對(duì)于導(dǎo)電材料112及絕緣材料114選擇性地蝕刻的材料形成。間隔件138可用于界定接觸孔116中的每一者的寬度(例如，接觸孔116的近端部分130的寬度)?？墒褂媒?jīng)由相對(duì)較窄孔口136'的蝕刻工藝(例如，對(duì)導(dǎo)電材料112及絕緣材料114、115具有選擇性的各向異性蝕刻)來(lái)使接觸孔116的剩余部分(例如，接觸孔116的近端部分130)形成為具有小于接觸孔116的遠(yuǎn)端部分128的寬度的寬度。

可(例如，經(jīng)由蝕刻工藝、磨蝕工藝或其組合)移除形成于絕緣材料117的遠(yuǎn)端上之間隔件138及掩模134。

可通過(guò)經(jīng)由例如(舉例來(lái)說(shuō))上文參考圖5到11所描述的那些工藝的工藝在所述接觸孔中沉積襯里及觸點(diǎn)來(lái)使所述工件形成為導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，如圖2中所展示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)100)。

本發(fā)明的實(shí)施例可特別適用于形成實(shí)現(xiàn)利用至少部分地延伸穿過(guò)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的觸點(diǎn)與一個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體裝置(例如，例如字線驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)器單元等的CMOS裝置)的連通的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，階梯狀結(jié)構(gòu))。此些配置可實(shí)現(xiàn)與其中觸點(diǎn)從所述階梯狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)向上延伸且延伸于所述階梯狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方的常規(guī)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相比經(jīng)由所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的相對(duì)較直接的連接路線。此外，具有延伸穿過(guò)所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的觸點(diǎn)的此配置可因?qū)崿F(xiàn)到定位于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)下方的導(dǎo)電元件的相對(duì)簡(jiǎn)化及縮短的連接路線而減少對(duì)在所述階梯狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方形成緊密間距布線的需要。

結(jié)論

在一實(shí)施例中，一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含沿所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)橫向延伸的多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階，其中所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的每一導(dǎo)電臺(tái)階通過(guò)絕緣材料而與所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的鄰近導(dǎo)電臺(tái)階至少部分地分離。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含至少部分地延伸穿過(guò)所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的至少兩個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階的觸點(diǎn)，其中所述觸點(diǎn)與所述導(dǎo)電臺(tái)階中的至少一者連通且與所述導(dǎo)電臺(tái)階中的至少另一者絕緣。

在另一實(shí)施例中，一種裝置包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階，其中所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的每一導(dǎo)電臺(tái)階與所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的相應(yīng)至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元電連通。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含各自延伸穿過(guò)所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的至少一個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階的多個(gè)觸點(diǎn)，所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)與所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的相應(yīng)至少一者電連通且借助至少部分地位于所述觸點(diǎn)與所述另一導(dǎo)電臺(tái)階之間的絕緣材料與所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的另一導(dǎo)電臺(tái)階絕緣。

在另一實(shí)施例中，一種系統(tǒng)包含半導(dǎo)體裝置及與所述半導(dǎo)體裝置電連通的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含階梯狀結(jié)構(gòu)，所述階梯狀結(jié)構(gòu)包括各自具有從鄰近臺(tái)階的橫向端部分橫向偏移的橫向端部分的多個(gè)臺(tái)階。每一臺(tái)階包括至少部分地將所述多個(gè)臺(tái)階中的相應(yīng)臺(tái)階與所述多個(gè)臺(tái)階中的鄰近臺(tái)階分離的導(dǎo)電材料及絕緣材料。所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含多個(gè)觸點(diǎn)，所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)延伸穿過(guò)所述多個(gè)臺(tái)階中的至少一個(gè)臺(tái)階且與所述多個(gè)臺(tái)階中的至少一個(gè)相應(yīng)臺(tái)階連通。

在另一實(shí)施例中，一種形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法包含：穿過(guò)多種導(dǎo)電材料中的至少一者形成多個(gè)開(kāi)口，每一導(dǎo)電材料由多種絕緣材料中的相應(yīng)絕緣材料至少部分地分離；在所述多個(gè)開(kāi)口中的每一開(kāi)口中形成襯里；在所述多個(gè)開(kāi)口中的每一開(kāi)口中暴露所述多種導(dǎo)電材料中的相應(yīng)至少一種導(dǎo)電材料的一部分；及在所述多個(gè)開(kāi)口中的每一開(kāi)口中形成與所述多種導(dǎo)電材料中的所述相應(yīng)至少一種導(dǎo)電材料的所述暴露部分連通的相應(yīng)觸點(diǎn)。

在另一實(shí)施例中，一種形成階梯狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電連接的方法包含：在互連件上方形成各自具有從鄰近臺(tái)階的橫向端部分橫向偏移的橫向端部分的多個(gè)臺(tái)階；穿過(guò)所述多個(gè)臺(tái)階中的每一臺(tái)階形成穿過(guò)所述多個(gè)臺(tái)階延伸到所述互連件的開(kāi)口；及在所述開(kāi)口中形成與所述多個(gè)臺(tái)階中的至少一者及所述互連件電連通的觸點(diǎn)。

下文描述另一非限制性實(shí)例實(shí)施例。

實(shí)施例1：一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其包括：多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階，其沿所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)橫向延伸，所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的每一導(dǎo)電臺(tái)階通過(guò)絕緣材料而與所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的鄰近導(dǎo)電臺(tái)階至少部分地分離；及觸點(diǎn)，其至少部分地延伸穿過(guò)所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的至少兩個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階，其中所述觸點(diǎn)與所述導(dǎo)電臺(tái)階中的至少一者連通且與所述導(dǎo)電臺(tái)階中的至少另一者絕緣。

實(shí)施例2：根據(jù)實(shí)施例1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中所述觸點(diǎn)包括多個(gè)觸點(diǎn)中的一者，所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)延伸穿過(guò)所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的至少一個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階。

實(shí)施例3：根據(jù)實(shí)施例2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)與所述導(dǎo)電臺(tái)階中的至少相應(yīng)一者連通且與剩余導(dǎo)電臺(tái)階絕緣。

實(shí)施例4：根據(jù)實(shí)施例3所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)與所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的不同導(dǎo)電臺(tái)階連通。

實(shí)施例5：根據(jù)實(shí)施例2到4中任一實(shí)施例所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的每一導(dǎo)電臺(tái)階包括從所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的鄰近導(dǎo)電臺(tái)階的接觸部分橫向偏移的接觸部分。

實(shí)施例6：根據(jù)實(shí)施例2到5中任一實(shí)施例所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)包括具有第一寬度的近端部分及具有大于所述第一寬度的第二寬度的遠(yuǎn)端部分。

實(shí)施例7：根據(jù)實(shí)施例6所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的每一導(dǎo)電臺(tái)階的遠(yuǎn)端表面形成與所述觸點(diǎn)中的相應(yīng)一者連通的所述導(dǎo)電臺(tái)階的表面。

實(shí)施例8：根據(jù)實(shí)施例2到7中任一實(shí)施例所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括互連件，所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)與所述互連件連通。

實(shí)施例9：根據(jù)實(shí)施例8所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上覆于所述互連件上。

實(shí)施例10：根據(jù)實(shí)施例8所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)與所述觸點(diǎn)延伸穿過(guò)的所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中距所述互連件最遠(yuǎn)定位的相應(yīng)一者連通。

實(shí)施例11：根據(jù)實(shí)施例1到10中任一實(shí)施例所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中所述觸點(diǎn)借助形成于所述觸點(diǎn)與所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的所述至少另一導(dǎo)電臺(tái)階之間的絕緣材料而與所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的所述至少另一導(dǎo)電臺(tái)階隔離。

實(shí)施例12：一種裝置，其包括：多個(gè)存儲(chǔ)器單元；及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其包括：多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階，所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的每一導(dǎo)電臺(tái)階與所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的相應(yīng)至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元電連通；及多個(gè)觸點(diǎn)，每一觸點(diǎn)延伸穿過(guò)所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的至少一個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階，所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)與所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的相應(yīng)至少一者電連通且借助至少部分地位于所述觸點(diǎn)與所述另一導(dǎo)電臺(tái)階之間的絕緣材料而與所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階中的另一導(dǎo)電臺(tái)階絕緣。

實(shí)施例13：根據(jù)實(shí)施例12所述的裝置，其中所述多個(gè)導(dǎo)電臺(tái)階包括多個(gè)字線板。

實(shí)施例14：根據(jù)實(shí)施例13所述的裝置，其中所述多個(gè)字線板中的每一字線板包括從所述多個(gè)字線板中的鄰近字線板的接觸部分橫向偏移的接觸部分，且其中所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)與所述多個(gè)字線板中的相應(yīng)一者連通且與所述多個(gè)字線板中的其它字線板隔離。

實(shí)施例15：根據(jù)實(shí)施例14所述的裝置，其進(jìn)一步包括互連件，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少部分地上覆于所述互連件上且其中所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)從所述多個(gè)字線板中的其相應(yīng)字線板穿過(guò)所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)延伸到所述互連件。

實(shí)施例16：一種系統(tǒng)，其包括：半導(dǎo)體裝置；及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其與所述半導(dǎo)體裝置電連通，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括：階梯狀結(jié)構(gòu)，其包括：多個(gè)臺(tái)階，每一臺(tái)階具有從鄰近臺(tái)階的橫向端部分橫向偏移的橫向端部分，每一臺(tái)階包括至少部分地將所述多個(gè)臺(tái)階中的相應(yīng)臺(tái)階與所述多個(gè)臺(tái)階中的鄰近臺(tái)階分離的導(dǎo)電材料及絕緣材料；及多個(gè)觸點(diǎn)，所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)延伸穿過(guò)所述多個(gè)臺(tái)階中的至少一個(gè)臺(tái)階且與所述多個(gè)臺(tái)階中的至少一個(gè)相應(yīng)臺(tái)階連通。

實(shí)施例17：根據(jù)實(shí)施例16所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每一觸點(diǎn)安置于至少部分地延伸穿過(guò)所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的多個(gè)開(kāi)口中的相應(yīng)開(kāi)口中，且進(jìn)一步包括安置于所述多個(gè)開(kāi)口中的至少一個(gè)開(kāi)口中的襯里，所述多個(gè)觸點(diǎn)中的至少一個(gè)觸點(diǎn)至少部分地安置于所述襯里內(nèi)，且其中所述襯里至少部分地將所述至少一個(gè)觸點(diǎn)與所述多個(gè)臺(tái)階中的至少一個(gè)臺(tái)階隔離。

實(shí)施例18：根據(jù)實(shí)施例17所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括安置于所述多個(gè)開(kāi)口中的至少一個(gè)開(kāi)口中的導(dǎo)電襯里，所述導(dǎo)電襯里安置于所述多個(gè)臺(tái)階中的至少一個(gè)臺(tái)階與安置于所述多個(gè)開(kāi)口中的所述至少一個(gè)開(kāi)口中的所述多個(gè)觸點(diǎn)中的至少一個(gè)觸點(diǎn)之間，且其中所述多個(gè)觸點(diǎn)中的所述至少一個(gè)觸點(diǎn)至少部分地安置于所述絕緣襯里內(nèi)且至少部分地安置于所述導(dǎo)電襯里內(nèi)。

實(shí)施例19：一種形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：穿過(guò)多種導(dǎo)電材料中的至少一者形成多個(gè)開(kāi)口，每一導(dǎo)電材料由多種絕緣材料中的相應(yīng)絕緣材料至少部分地分離；在所述多個(gè)開(kāi)口中的每一開(kāi)口中形成襯里；在所述多個(gè)開(kāi)口中的每一開(kāi)口中暴露所述多種導(dǎo)電材料中的相應(yīng)至少一種導(dǎo)電材料的一部分；及在所述多個(gè)開(kāi)口中的每一開(kāi)口中形成與所述多種導(dǎo)電材料中的所述相應(yīng)至少一種導(dǎo)電材料的所述暴露部分連通的相應(yīng)觸點(diǎn)。

實(shí)施例20：根據(jù)實(shí)施例19所述的方法，其中形成多個(gè)開(kāi)口包括形成其中所述開(kāi)口中的每一者具有寬度大于所述相應(yīng)開(kāi)口的另一部分的寬度的相應(yīng)部分的多個(gè)開(kāi)口。

實(shí)施例21：根據(jù)實(shí)施例19或20所述的方法，其中在所述多個(gè)開(kāi)口中的每一開(kāi)口中暴露所述多種導(dǎo)電材料中的相應(yīng)至少一種導(dǎo)電材料的一部分包括移除所述襯里的一部分以暴露所述多種導(dǎo)電材料中的所述相應(yīng)至少一種導(dǎo)電材料的橫向側(cè)表面及遠(yuǎn)端表面。

實(shí)施例22：根據(jù)實(shí)施例19到21中任一實(shí)施例所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述多個(gè)開(kāi)口中的每一開(kāi)口中形成所述相應(yīng)觸點(diǎn)之前在所述多個(gè)開(kāi)口中的每一開(kāi)口中形成導(dǎo)電襯里。

實(shí)施例23：根據(jù)實(shí)施例19到22中任一實(shí)施例所述的方法，其中穿過(guò)多種導(dǎo)電材料中的至少一者形成多個(gè)開(kāi)口包括：形成多個(gè)接觸孔以穿過(guò)所述多種導(dǎo)電材料中的所述至少一種導(dǎo)電材料及所述多種絕緣材料中的至少一種絕緣材料延伸到下伏于所述多種導(dǎo)電材料及所述多種絕緣材料下的互連件。

實(shí)施例24：根據(jù)實(shí)施例19到23中任一實(shí)施例所述的方法，其中穿過(guò)多種導(dǎo)電材料中的至少一種導(dǎo)電材料形成多個(gè)開(kāi)口包括：在所述多種導(dǎo)電材料及所述多種絕緣材料上方形成包含多個(gè)孔口的掩模；及經(jīng)由所述多個(gè)孔口移除所述多種導(dǎo)電材料及所述多種絕緣材料的一部分以形成多個(gè)接觸孔。

實(shí)施例25：根據(jù)實(shí)施例24所述的方法，其中形成多個(gè)接觸孔包括：在所述多個(gè)孔口處移除所述掩模的一部分以增加形成于所述掩模中的所述多個(gè)孔口的尺寸以在所述掩模中形成多個(gè)經(jīng)擴(kuò)大孔口；及經(jīng)由所述多個(gè)經(jīng)擴(kuò)大孔口移除所述多種絕緣材料中的至少一種絕緣材料。

實(shí)施例26：根據(jù)實(shí)施例19到25中任一實(shí)施例所述的方法，其中穿過(guò)多種導(dǎo)電材料中的至少一種導(dǎo)電材料形成多個(gè)開(kāi)口包括：在所述多種導(dǎo)電材料及所述多種絕緣材料上方形成包含多個(gè)孔口的掩模；經(jīng)由所述多個(gè)孔口移除所述多個(gè)絕緣材料中的至少一種絕緣材料以形成所述多個(gè)開(kāi)口的經(jīng)擴(kuò)大遠(yuǎn)端部分；形成至少部分地位于所述多個(gè)開(kāi)口中的每一者的所述經(jīng)擴(kuò)大遠(yuǎn)端部分內(nèi)的材料以在所述掩模中形成具有小于所述多個(gè)孔口的寬度的寬度的多個(gè)經(jīng)縮窄孔口；及經(jīng)由形成于所述掩模中的所述多個(gè)經(jīng)縮窄孔口移除所述多種導(dǎo)電材料及所述多種絕緣材料。

實(shí)施例27：根據(jù)實(shí)施例19到26中任一實(shí)施例所述的方法，其進(jìn)一步包括形成所述多種導(dǎo)電材料以各自具有相同材料組成。

實(shí)施例28：根據(jù)實(shí)施例19到27中任一實(shí)施例所述的方法，其進(jìn)一步包括形成所述多種絕緣材料以各自具有相同材料組成。

實(shí)施例29：一種形成階梯狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電連接的方法，所述方法包括：在互連件上方形成各自具有從鄰近臺(tái)階的橫向端部分橫向偏移的橫向端部分的多個(gè)臺(tái)階；穿過(guò)所述多個(gè)臺(tái)階中的每一臺(tái)階形成穿過(guò)所述多個(gè)臺(tái)階延伸到所述互連件的開(kāi)口；及在所述開(kāi)口中形成與所述多個(gè)臺(tái)階中的至少一者及所述互連件電連通的觸點(diǎn)。

實(shí)施例30：根據(jù)實(shí)施例29所述的方法，其中穿過(guò)所述多個(gè)臺(tái)階中的每一臺(tái)階形成開(kāi)口包括形成接觸孔以延伸穿過(guò)各自由絕緣材料分離的多種導(dǎo)電材料，且進(jìn)一步包括在所述接觸孔中形成絕緣材料以使所述觸點(diǎn)與所述接觸孔延伸穿過(guò)的所述多種導(dǎo)電材料中的至少一者絕緣。

雖然易于對(duì)本發(fā)明做出各種修改及替代形式，但已在圖式中以實(shí)例方式展示且已在本文中詳細(xì)描述具體實(shí)施例。然而，本發(fā)明并非打算限于所揭示的特定形式。而是，本發(fā)明將涵蓋歸屬于由所附權(quán)利要求書(shū)及其合法等效形式界定的本發(fā)明的范圍內(nèi)的所有修改、組合、等效及替代形式。