本發(fā)明涉及射頻技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，是涉及一種射頻芯片連接片總成及其制備工藝。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的芯片連接片采用PET復(fù)合鋁箔膜。這種結(jié)構(gòu)的芯片連接片在制作過程中，通過化學(xué)刻蝕工藝，無用的鋁箔被化學(xué)流體腐蝕掉，留下的鋁箔圖形成為芯片樁腳的電氣連接片。這種化學(xué)刻蝕加工方法有如下缺陷：利用化學(xué)流體腐蝕鋁箔，產(chǎn)生大量廢水污染環(huán)境；制做過程復(fù)雜，導(dǎo)致制做成本高；由于鋁箔的底層PET膜的厚度大于40微米，芯片連接片總成壓合在射頻天線上后，PET底膜的厚度高出天線40微米以上，導(dǎo)致射頻天線-芯片嵌合體(INLAY)表面有一個(gè)40微米高的凸起，影響制成品(如射頻標(biāo)簽)的表面平整度和外觀。

上述缺陷，值得改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有的技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種射頻芯片連接片總成及其制備工藝。

本發(fā)明技術(shù)方案如下所述：

一種射頻芯片連接片總成，其特征在于，包括PET-鋁箔復(fù)合膜和射頻芯片，所述PET-鋁箔復(fù)合膜包括芯片樁腳連接鋁箔和PET底膜，所述芯片樁腳連接鋁箔和所述PET底膜之間通過復(fù)合膠水連接，所述射頻芯片與所述芯片樁腳連接鋁箔固定并電氣連接。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其特征在于，所述PET底膜的厚度不小于40微米，所述芯片樁腳連接鋁箔的厚度為9-15微米。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其特征在于，所述射頻芯片連接總成與所述射頻天線鋁箔連接后，所述射頻芯片對(duì)準(zhǔn)所述射頻天線鋁箔上的諧振腔，并且所述芯片樁腳連接鋁箔與所述射頻天線鋁箔之間通過導(dǎo)電膠固定連接，所述PET底膜與所述芯片樁腳連接鋁箔之間分離。

進(jìn)一步的，所述射頻天線鋁箔固定在射頻天線鋁箔底紙/膜上。

一種射頻芯片連接片總成的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1：制作PET-鋁箔復(fù)合膜；

S2：在所述PET-鋁箔復(fù)合膜上激光切出與芯片樁腳連接片相對(duì)應(yīng)的圖形，使得芯片樁腳連接片鋁箔與無用鋁箔之間形成激光切割縫；

S3：沿著所述激光切割縫剝?nèi)ニ鰺o用鋁箔，成為芯片連接片卷材；

S4：在所述芯片樁腳連接鋁箔上安裝射頻芯片，成為射頻芯片連接片總成。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其特征在于，在步驟S1中，在PET底膜上涂布復(fù)合膠水，然后在所述復(fù)合膠水上復(fù)合一層鋁箔。

進(jìn)一步的，所述PET底膜的厚度不小于40微米，所述鋁箔的厚度為9-15微米。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其特征在于，在步驟S4中，將所述芯片連接片卷材安裝在芯片倒封裝機(jī)上；控制所述射頻芯片對(duì)準(zhǔn)所述芯片樁腳連接片鋁箔的中心位置；依托導(dǎo)電膠將所述射頻芯片固定在所述芯片樁腳連接片鋁箔上，所述射頻芯片與所述芯片樁腳連接片鋁箔電氣連接后，形成所述射頻芯片連接片總成。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其特征在于，還包括步驟S5：所述芯片連接片總成安裝在射頻天線鋁箔上，具體的，

S51：在射頻天線鋁箔底紙/膜上的射頻天線鋁箔上開諧振腔；

S52：在靠近所述諧振腔的所述射頻天線鋁箔的端口上方涂導(dǎo)電膠；

S53：將所述射頻芯片連接片總成中的所述射頻芯片對(duì)準(zhǔn)所述諧振腔的位置；

S54：將熱壓頭向下對(duì)準(zhǔn)所述芯片樁腳連接鋁箔，將所述芯片樁腳連接鋁箔與所述導(dǎo)電膠壓合在一起；

S55：將所述熱壓頭抬起，所述導(dǎo)電膠與所述芯片樁腳連接鋁箔貼合在一起；

S56：所述芯片連接片卷材收卷，在所述芯片連接片卷材的拉力作用下，所述復(fù)合膠水開裂，所述PET底膜與所述芯片樁腳連接鋁箔分離，所述芯片連接片總成與所述射頻天線鋁箔對(duì)接安裝完成；

S57：所述PET底膜前行，進(jìn)行下一個(gè)所述芯片連接片總成與所述射頻天線鋁箔的對(duì)接安裝。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其有益效果在于，本發(fā)明方便制做縱向芯片連接片、橫向芯片連接片以及3D芯片連接片。本發(fā)明采用激光切割鋁箔工藝，沒有化學(xué)刻蝕液，不產(chǎn)生廢水；激光切割工藝簡(jiǎn)單，制做成本低；本發(fā)明在射頻天線鋁箔上安裝射頻芯片的同時(shí)收卷PET底膜，芯片連接片上沒有PET膜，確保芯片與天線嵌合體(INLAY)表面安裝平整，無PET膜凸起，整體厚度小。

附圖說明

圖1為本發(fā)明芯片連接片總稱安裝在射頻天線上的示意圖。

圖2為本發(fā)明PET-鋁箔復(fù)合膜材料的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一中激光切割鋁箔的示意圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一中排除無用鋁箔后的示意圖。

圖5為圖4的側(cè)視圖。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例一中安裝射頻芯片后的示意圖。

圖7為圖6的側(cè)視圖。

圖8為本發(fā)明實(shí)施例二中激光切割鋁箔的示意圖。

圖9為本發(fā)明實(shí)施例二中排除無用鋁箔后的示意圖。

圖10為圖9的側(cè)視圖。

圖11為本發(fā)明實(shí)施例二中安裝射頻芯片后的示意圖。

圖12為圖11的側(cè)視圖。

圖13為本發(fā)明實(shí)施例三中激光切割鋁箔的示意圖。

圖14為本發(fā)明實(shí)施例三中排除無用鋁箔后的示意圖。

圖15為圖14的側(cè)視圖。

圖16為本發(fā)明實(shí)施例三中安裝射頻芯片后的示意圖。

圖17為圖16的側(cè)視圖。

在圖中，1、鋁箔；11、激光割縫后的無用鋁箔；12、芯片樁腳連接鋁箔；2、復(fù)合膠水；3、PET底膜；4、激光切割縫；5、射頻芯片；6、射頻天線鋁箔；7、射頻天線鋁箔底紙/膜；8、導(dǎo)電膠；9、熱壓頭。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖以及實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的描述：

如圖1所示，一種射頻芯片連接片總成，包括PET-鋁箔復(fù)合膜和射頻芯片5安裝在鋁箔天線上的應(yīng)用示意圖。

如圖2所示，PET-鋁箔復(fù)合膜材料包括芯片樁腳連接鋁箔1和PET底膜3，鋁箔1和PET底膜3之間通過復(fù)合膠水2連接，復(fù)合膠水2在80℃～90℃時(shí)失去粘結(jié)力，便于鋁箔與PET膜分離。

PET底膜3的厚度不小于40微米，鋁箔1的厚度為9-5微米。

如圖3-17所示，一種射頻芯片連接片總成的制備工藝，包括以下步驟：

1、制作PET-鋁箔復(fù)合膜材料。具體的，在PET底膜3上涂布復(fù)合膠水2，然后在復(fù)合膠水2上復(fù)合一層鋁箔1，PET底膜3的厚度不小于40微米，鋁箔1的厚度為9-15微米。

2、在PET-鋁箔復(fù)合膜的鋁箔層1上激光切出與芯片樁腳連接片相對(duì)應(yīng)的圖形，激光切割縫4將鋁箔1分成了有用鋁箔12和無用鋁箔11，。

3、剝?nèi)o用鋁箔11，留下的有用鋁箔12成為芯片樁腳連接片卷材。

4、在芯片樁腳連接鋁箔12上安裝射頻芯片5，成為射頻芯片連接片總成。

具體的，將芯片連接片卷材安裝在芯片倒封裝機(jī)上；控制射頻芯片5對(duì)準(zhǔn)芯片樁腳連接片鋁箔12的中心位置；依托導(dǎo)電膠將射頻芯片5固定在芯片樁腳連接片鋁箔12上，射頻芯片5與芯片樁腳連接片鋁箔12電氣連接后，形成射頻芯片連接片總成。

5、芯片連接片總成安裝在射頻天線鋁箔6上的步驟，具體的：

(1)將射頻天線鋁箔底紙(膜)7上的射頻天線鋁箔6置于上方；

(2)在諧射頻天線鋁箔6振腔的端口處涂導(dǎo)電膠8；

(3)將射頻芯片連接片總成中的射頻芯片5對(duì)準(zhǔn)射頻天線6的諧振腔的位置；

(4)將熱壓頭9向下對(duì)準(zhǔn)芯片樁腳連接鋁箔12，將芯片樁腳連接鋁箔12與導(dǎo)電膠8壓合在一起；

(5)將熱壓頭9抬起，導(dǎo)電膠8與芯片樁腳連接鋁箔12在高溫的熱壓頭9壓力下貼合在一起；芯片通過芯片樁腳鏈接鋁箔12與射頻天線6實(shí)現(xiàn)電氣鏈接。

(6)芯片連接片卷材收卷，在芯片連接片卷材的拉力作用下，復(fù)合膠水2開裂，PET底膜3與芯片樁腳連接鋁箔12分離，芯片連接片總成與射頻天線鋁箔6對(duì)接安裝完成；

(7)PET底膜3前行，進(jìn)行下一個(gè)芯片連接片總成與射頻天線鋁箔6的對(duì)接安裝。

本發(fā)明方便制做縱向射頻芯片連接片總成、橫向射頻芯片連接片總成以及3D射頻芯片連接片總成。圖3-7為縱向射頻芯片連接片總成的制作過程；圖8-12為橫向射頻芯片連接片總成的制作過程；圖13-17為3D射頻芯片連接片總成的制作過程。

應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明專利進(jìn)行了示例性的描述，顯然本發(fā)明專利的實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明專利的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本發(fā)明專利的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。