1.一種射頻芯片連接片總成，其特征在于，包括PET-鋁箔復(fù)合膜和射頻芯片，所述PET-鋁箔復(fù)合膜包括芯片樁腳連接鋁箔和PET底膜，所述芯片樁腳連接鋁箔和所述PET底膜之間通過復(fù)合膠水連接，所述射頻芯片與所述芯片樁腳連接鋁箔固定并電氣連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的，射頻芯片連接片總成，其特征在于，所述PET底膜的厚度不小于40微米，所述芯片樁腳連接鋁箔的厚度為9-15微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的，射頻芯片連接片總成，其特征在于，所述射頻芯片連接總成與所述射頻天線鋁箔連接后，所述射頻芯片對準(zhǔn)所述射頻天線鋁箔上的諧振腔，并且所述芯片樁腳連接鋁箔與所述射頻天線鋁箔之間通過導(dǎo)電膠固定連接，所述PET底膜與所述芯片樁腳連接鋁箔之間分離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的，射頻芯片連接片總成，其特征在于，所述射頻天線鋁箔固定在射頻天線鋁箔底紙/膜上。
5.一種射頻芯片連接片總成的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
S1：制作PET-鋁箔復(fù)合膜；
S2：在所述PET-鋁箔復(fù)合膜上激光切出與芯片樁腳連接片相對應(yīng)的圖形，使得芯片樁腳連接片鋁箔與無用鋁箔之間形成激光切割縫；
S3：沿著所述激光切割縫剝?nèi)ニ鰺o用鋁箔，成為芯片連接片卷材；
S4：在所述芯片樁腳連接鋁箔上安裝射頻芯片，成為射頻芯片連接片總成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻芯片連接片總成的制備工藝，其特征在于，在步驟S1中，在PET底膜上涂布復(fù)合膠水，然后在所述復(fù)合膠水上復(fù)合一層鋁箔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻芯片連接片總成的制備工藝，其特征在于，所述PET底膜的厚度不小于40微米，所述鋁箔的厚度為9-15微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻芯片連接片總成的制備工藝，其特征在于，在步驟S4中，將所述芯片連接片卷材安裝在芯片倒封裝機(jī)上；控制所述射頻芯片對準(zhǔn)所述芯片樁腳連接片鋁箔的中心位置；依托導(dǎo)電膠將所述射頻芯片固定在所述芯片樁腳連接片鋁箔上，所述射頻芯片與所述芯片樁腳連接片鋁箔電氣連接后，形成所述射頻芯片連接片總成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻芯片連接片總成的制備工藝，其特征在于，還包括步驟S5：所述芯片連接片總成安裝在射頻天線鋁箔上，具體的，
S51：在射頻天線鋁箔底紙/膜上的射頻天線鋁箔上開諧振腔；
S52：在靠近所述諧振腔的所述射頻天線鋁箔的端口上方涂導(dǎo)電膠；
S53：將所述射頻芯片連接片總成中的所述射頻芯片對準(zhǔn)所述諧振腔的位置；
S54：將熱壓頭向下對準(zhǔn)所述芯片樁腳連接鋁箔，將所述芯片樁腳連接鋁箔與所述導(dǎo)電膠壓合在一起；
S55：將所述熱壓頭抬起，所述導(dǎo)電膠與所述芯片樁腳連接鋁箔貼合在一起；
S56：所述芯片連接片卷材收卷，在所述芯片連接片卷材的拉力作用下，所述復(fù)合膠水開裂，所述PET底膜與所述芯片樁腳連接鋁箔分離，所述芯片連接片總成與所述射頻天線鋁箔對接安裝完成；
S57：所述PET底膜前行，進(jìn)行下一個所述芯片連接片總成與所述射頻天線鋁箔的對接安裝。