本發(fā)明涉及一種連接器塊、一種制造連接器塊的方法、一種電子裝置、以及一種制造電子裝置的方法。

背景技術(shù)：

封裝結(jié)構(gòu)可以表示被封裝的、具有從封裝材料延伸出去的電連接結(jié)構(gòu)、并被安裝在電子外圍裝置例如印刷電路板上的電子芯片。

US 8,866,292公開了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括襯底，襯底具有第一主表面和相反的第二主表面。第一芯片位于襯底上。第一芯片包括位于第一主表面處的多個(gè)接觸墊。連通條(via bar)位于襯底上。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

需要提供一種可靠且靈活的建立電互連的方式。

根據(jù)一示例性實(shí)施例，一種連接器塊(尤其用于在半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的相反設(shè)置的主表面區(qū)域之間提供豎直互連)被提供，所述連接器塊包括封裝材料、從封裝材料的第一表面穿過封裝材料延伸至封裝材料的第二(例如相反的第二)表面的至少一個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部(尤其為多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部)、以及沿著封裝材料的位于外面的第三表面從封裝材料的第一表面延伸至封裝材料的第二表面的至少一個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部(尤其為多個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部)(其中，特別地，一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部在垂直于從封裝材料的第一表面向封裝材料的第二表面延伸的方向的平面內(nèi)的橫截面積可能大于(例如大至少20％，尤其大至少50％，更特別地大至少100％)一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部在該平面內(nèi)的橫截面積)。

根據(jù)另一示例性實(shí)施例，一種連接器塊(尤其用于在半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的主表面區(qū)域(例如相反的主表面區(qū)域)之間提供豎直互連)被提供，所述連接器塊包括封裝材料、從封裝材料的第一表面穿過封裝材料向封裝材料的第二表面(例如相反的第二表面)地彼此大致平行延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部、以及從封裝材料的第一表面向封裝材料的第二表面彼此大致平行并大致平行于多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部(并且尤其沿著封裝材料的位于外面的第三表面暴露地)延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部，其中，第一導(dǎo)電貫通連接部在垂直于從封裝材料的第一表面向封裝材料的第二表面延伸的方向的平面內(nèi)的橫截面積不同于第二導(dǎo)電貫通連接部在該平面內(nèi)的橫截面積。

根據(jù)又一示例性實(shí)施例，一種制造多個(gè)(或者批量)連接器塊的方法被提供，其中，該方法包括：利用封裝材料封裝多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部的第一預(yù)制件的至少一部分，以使得第一導(dǎo)電貫通連接部的預(yù)制件的至少一部分從封裝材料的第一表面穿過封裝材料延伸至封裝材料的(例如相反的)第二表面；隨后，形成多個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部的第二預(yù)制件，所述第二預(yù)制件至少部分地沿著封裝材料的位于外面的第三表面從封裝材料的第一表面延伸至封裝材料的第二表面；分割帶著第一預(yù)制件和第二預(yù)制件的封裝材料以形成多個(gè)連接器塊，從而每個(gè)連接器塊包括封裝材料的一部分、第一預(yù)制件的一部分、以及第二預(yù)制件的一部分，其中，所述第一預(yù)制件的一部分作為多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部，所述第二預(yù)制件的一部分作為多個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部。

根據(jù)又一示例性實(shí)施例，一種制造連接器塊的方法被提供，該方法包括：將多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部(或其預(yù)制件)布置在臨時(shí)承載部上；利用電絕緣封裝材料封裝所述多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部，以使得第一導(dǎo)電貫通連接部從封裝材料的第一表面穿過封裝材料延伸至封裝材料的(例如相反的)第二表面并在第一表面和第二表面處暴露；形成多個(gè)沿著封裝材料的第三表面從封裝材料的第一表面延伸至封裝材料的第二表面的第二導(dǎo)電貫通連接部；并且，從封裝材料和貫通連接部移除臨時(shí)承載部。

根據(jù)又一示例性實(shí)施例，一種電子裝置被提供，所述電子裝置包括半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)具有第一主表面區(qū)域和(例如相反的)第二主表面區(qū)域并包括半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括位于第二主表面區(qū)域內(nèi)的至少一個(gè)芯片墊、以及連接器塊(例如具有上述特征的連接器塊)，所述連接器塊包括至少一個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部和至少一個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部，所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部和所述至少一個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部以不同的橫截面積在第一主表面區(qū)域與第二主表面區(qū)域之間延伸并且與半導(dǎo)體芯片并排布置。

根據(jù)又一示例性實(shí)施例，一種制造電子裝置的方法被提供，所述電子裝置具有半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)具有第一主表面區(qū)域和(例如相反的)第二主表面區(qū)域，其中，該方法包括：提供在第二主表面區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)芯片墊的半導(dǎo)體芯片；并且，與半導(dǎo)體芯片并排地布置連接器塊(尤其在第一主表面區(qū)域與第二主表面區(qū)域之間側(cè)向并列布置)，其中，連接器塊包括在第一主表面區(qū)域與第二主表面區(qū)域之間以不同的橫截面積延伸的至少一個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部和至少一個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部。

根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例，一種連接器塊被提供，該連接器塊可以用來在例如封裝結(jié)構(gòu)中執(zhí)行在封裝結(jié)構(gòu)的兩個(gè)例如相反的主表面區(qū)域之間豎直傳播信號(hào)的電連接任務(wù)。為此，兩種不同的導(dǎo)電貫通連接部(區(qū)別在于其橫截面積)被提供。這例如具有下述優(yōu)點(diǎn)：具有較大的橫截面積的導(dǎo)電貫通連接部可以用于功率連接任務(wù)(和/或用于接地連接任務(wù))，而具有較小的橫截面積的導(dǎo)電貫通連接部可以用于高頻或信號(hào)連接任務(wù)。由此，可以提供一種簡(jiǎn)單且緊湊的連接器塊，該連接器塊可以用作各種電子應(yīng)用的具有多重用途并允許支持復(fù)雜的接觸要求的組成部件。

當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電貫通連接部和第二導(dǎo)電貫通連接部彼此大致平行地延伸時(shí)，可以在半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)等的兩個(gè)主表面區(qū)域之間提供較小損失以及較短的傳播路徑。封裝材料可以用作電絕緣基體(matrix)，可以提供機(jī)械支撐并且可以保護(hù)導(dǎo)電貫通連接部。

特別地，一種連接器塊可以被提供，在該連接器塊中，較厚的連通部(via)或豎直貫通連接部可以在封裝之前被施加，而較薄的連通部或豎直貫通連接部可以在封裝后被施加。這確保了一種簡(jiǎn)單的制造過程，并在根據(jù)具體應(yīng)用選擇所形成的連接器塊的參數(shù)方面且向電路設(shè)計(jì)者提供了較大程度的自由度。

這種連接器塊可以被用來在多種封裝結(jié)構(gòu)架構(gòu)中、尤其在扇出式晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)(Fan-out Wafer Level Package(例如eWLB(嵌入式晶片級(jí)球柵陣列，即embedded Wafer Level Ball Grid Array))的封裝應(yīng)用中提供豎直互連。特別地，它可以有利地用于這樣的應(yīng)用場(chǎng)合：即封裝的半導(dǎo)體芯片與另外的電子構(gòu)件疊置的應(yīng)用場(chǎng)合。

在下文中，將說明連接器塊、電子裝置和方法的另外的示例性實(shí)施例。

在本申請(qǐng)中，術(shù)語(yǔ)“半導(dǎo)體芯片”可以尤其指代裸片，即由加工過的半導(dǎo)體、例如單片半導(dǎo)體晶片制成的未封裝的(例如未模塑的)芯片。然而，半導(dǎo)體芯片也可以是已經(jīng)封裝的(例如模塑的)的芯片。一個(gè)或多個(gè)集成電路元件(比如二極管、晶體管等)可以形成在半導(dǎo)體芯片中。這種半導(dǎo)體芯片可以裝有金屬化結(jié)構(gòu)、尤其裝有一個(gè)或多個(gè)墊。

在本申請(qǐng)中，術(shù)語(yǔ)“墊”可以尤其指代在半導(dǎo)體芯片的表面上形成的、允許與半導(dǎo)體芯片的一個(gè)或多個(gè)集成電路元件電接觸的導(dǎo)電接觸部或?qū)щ姸恕＠?，電源信?hào)、控制信號(hào)或數(shù)據(jù)信號(hào)可以通過一個(gè)或多個(gè)墊從電子外圍裝置導(dǎo)入封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部并導(dǎo)入半導(dǎo)體芯片內(nèi)。采用類似的方式，電源信號(hào)、控制信號(hào)或數(shù)據(jù)信號(hào)可以通過一個(gè)或多個(gè)墊從半導(dǎo)體芯片導(dǎo)向電子外圍裝置。所述墊可以實(shí)施成芯片上的金屬島。

在一實(shí)施例中，首先，連接部被完全嵌設(shè)(作為水平路徑)。在分割以暴露導(dǎo)電貫通連接部并且傾斜90°后，可以形成沿著z方向的連接部。在該實(shí)施例中，在加工開始時(shí)連接部尚未被結(jié)構(gòu)化。

在一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電貫通連接部構(gòu)造成下述結(jié)構(gòu)中的至少一種的至少一部分：引線框架，銅結(jié)構(gòu)，具有多個(gè)平行接片的周向框架，和圖案化的導(dǎo)電片。由此，第一預(yù)制件可以構(gòu)造成下述結(jié)構(gòu)中的至少一種：引線框架，具有多個(gè)平行接片的周向框架和圖案化的導(dǎo)電片。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電貫通連接部中的多個(gè)是基于連續(xù)結(jié)構(gòu)比如引線框架形成時(shí)，用于制造第一導(dǎo)電貫通連接部的付出可以保持非常少。對(duì)于制造過程完全可以實(shí)現(xiàn)的是，這種連續(xù)結(jié)構(gòu)隨后可以作為整體被封裝材料例如通過模塑、印刷或?qū)盈B化而封裝。隨后，至少部分地封裝的連續(xù)結(jié)構(gòu)可以通過鋸切、蝕刻、沖壓(stamp)或激光切割劃分成多個(gè)連接器塊。這簡(jiǎn)化了制造過程中對(duì)多種第一導(dǎo)電貫通連接部的處理。

在一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電貫通連接部構(gòu)造成電鍍結(jié)構(gòu)和濺射結(jié)構(gòu)中的至少一種。由此，第二預(yù)制件可以通過下述方法中的至少一種形成：在封裝材料的第三表面上濺射或化學(xué)鍍導(dǎo)電材料、以及電鍍或印刷或噴墨導(dǎo)電材料。因此，與第一導(dǎo)電貫通連接部不同的是，第二導(dǎo)電貫通連接部可以通過添加過程形成，這允許以較薄且精確可控的橫截面積并由此適合于高頻和信號(hào)傳輸應(yīng)用地制造它們。用于形成第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)的這種材料沉積過程與量產(chǎn)過程中對(duì)多個(gè)連接器塊的制造高度兼容，即可以同時(shí)進(jìn)行，并由此具有高效率。

在一實(shí)施例中，封裝材料包括層疊結(jié)構(gòu)、尤其是印刷電路板層疊結(jié)構(gòu)。在本申請(qǐng)中，術(shù)語(yǔ)“層疊結(jié)構(gòu)”可以尤其指代通過施加按壓力而彼此連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和/或電絕緣結(jié)構(gòu)所形成的集成扁平部件。通過壓力的連接可以選擇性地伴隨有熱能的供應(yīng)。由此，層疊化可以指代制造呈多層結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料的技術(shù)。層疊結(jié)構(gòu)可以借助熱和/或壓力和/或焊接和/或粘結(jié)材料永久性地組合形成。

在另一實(shí)施例中，封裝材料包括模塑結(jié)構(gòu)、尤其是塑料模塑結(jié)構(gòu)。例如，被相應(yīng)地封裝的一組導(dǎo)電貫通連接部可以通過將對(duì)應(yīng)的預(yù)制件放置在上模具與下模具之間并在上模具與下模具之間注入液體模塑材料來提供。在模塑材料凝固后，其中具有預(yù)制件的封裝材料的形成被完成。

在一實(shí)施例中，連接器塊構(gòu)造成條(其可以指代連通條)，第一導(dǎo)電貫通連接部和/或第二導(dǎo)電貫通連接部沿直線方向依次并具有間隔地布置在所述條內(nèi)。這種條可以為在一個(gè)方向上的延伸尺寸顯著大于另外兩個(gè)方向上的延伸尺寸的大致長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)。例如，在長(zhǎng)方向上的延伸尺寸可以是其它兩個(gè)正交方向中任意一個(gè)上的延伸尺寸的至少兩倍、尤其至少三倍。沿著這種條的最長(zhǎng)的延伸方向，多個(gè)第一和第二導(dǎo)電貫通連接部可以彼此平行并并排地布置。這種架構(gòu)使得條式連接器塊可以容易地應(yīng)用于多種具有非常短的傳播路徑的電子應(yīng)用中。電連接部的數(shù)量可以通過條的沿著最長(zhǎng)的方向的長(zhǎng)度而簡(jiǎn)單地測(cè)得。然而，需要說明的是，條或柱架構(gòu)之外的其它幾何結(jié)構(gòu)、例如具有圓形外周的盤形構(gòu)造也是可能的。電連接部之間的距離可以是等距的或者可以以不同的距離分布在條上和/或中。連通部之間的非等距的距離可能有助于封裝結(jié)構(gòu)的布線。

在一實(shí)施例中，每個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部的橫截面積位于從100μm²至1mm²的范圍內(nèi)，尤其位于從400μm²至10⁴μm²的范圍內(nèi)。這種尺寸對(duì)應(yīng)于高功率應(yīng)用的要求。與此不同的是，每個(gè)第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)的橫截面積比第一導(dǎo)電貫通連接部的橫截面積至少小2倍、尤其至少小4倍、更特別地小9倍。

在一實(shí)施例中，所述方法包括將多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部布置在臨時(shí)承載部上，其中，第一導(dǎo)電貫通連接部與臨時(shí)承載部之間具有粘結(jié)材料、尤其是雙面粘結(jié)材料。當(dāng)在封裝過程之前將第一導(dǎo)電貫通連接部(例如引線框架)的預(yù)制件粘附至這種臨時(shí)承載部上時(shí)，制造一個(gè)或有利地同時(shí)制造多個(gè)連接器塊的這種構(gòu)思會(huì)更可靠。此后，承載部不僅可以機(jī)械支撐被制造的連接器塊的各組成部件，而且還可以將預(yù)制件相對(duì)于封裝材料空間固定。利用其上帶有粘結(jié)材料的臨時(shí)承載部會(huì)得到一組具有下述特點(diǎn)的被制造的連接器塊：該組連接器塊具有均勻的特性、以及可靠且相同的電氣和機(jī)械性能。隨后，可以移除臨時(shí)承載部以及粘結(jié)材料，從而臨時(shí)承載部以及粘結(jié)材料沒有形成最終連接器塊的一部分。將雙面粘結(jié)材料(比如雙面膠帶)布置在臨時(shí)承載部與被制造的連接器塊之間可以增加制造過程中半成品連接器塊的粘結(jié)性。制造過程完成之前連接器塊的半成品產(chǎn)品從臨時(shí)承載部的不被期待的脫開由此可以被安全地避免。各連接器塊的分割或單獨(dú)化過程可以在從粘結(jié)膠帶移走連接器塊之前或之后執(zhí)行。從粘結(jié)膠帶移除連接器塊或連接器塊的預(yù)制件可以利用可熱釋放的粘結(jié)膠帶來實(shí)現(xiàn)，所述可熱釋放的粘結(jié)膠帶可以構(gòu)造成僅僅在溫度沒有增加至一閾值以上時(shí)保持其粘結(jié)性，而該閾值會(huì)誘發(fā)上述粘結(jié)膠帶喪失或減小其粘結(jié)性，通常，該分離通過引入能量而實(shí)現(xiàn)，所述能量可以是熱能、化學(xué)能或其它形式的能量。

在一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電貫通連接部構(gòu)造成能在電子裝置的操作過程中傳輸功率。對(duì)于功率傳輸、例如汽車應(yīng)用中的功率傳輸，必須傳輸高電流。這借助這樣的第一導(dǎo)電貫通連接部來實(shí)現(xiàn)時(shí)尤為合適，該第一導(dǎo)電貫通連接部的橫截面積大于第二導(dǎo)電貫通連接部的橫截面積。

在一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電貫通連接部構(gòu)造成能在電子裝置的操作過程中傳輸信號(hào)、尤其能傳輸高頻信號(hào)。為了傳輸信號(hào)，尤其在涉及高頻信號(hào)時(shí)，第二導(dǎo)電貫通連接部的較小的橫截面積有利于功能的實(shí)現(xiàn)和緊湊性。

在一實(shí)施例中，電子裝置還包括電子構(gòu)件，所述電子構(gòu)件布置在半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的第一主表面區(qū)域上或上方并包括與至少一個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部電耦接的第一電接觸部和與至少一個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部電耦接的第二電接觸部。所述電子構(gòu)件可以表面安裝在由半導(dǎo)體芯片和至少一個(gè)連接器塊形成的封裝結(jié)構(gòu)(所述封裝結(jié)構(gòu)可以由包封用封裝材料封裝)上。

在一實(shí)施例中，所述電子構(gòu)件構(gòu)造成下述結(jié)構(gòu)中的至少一種：另外的半導(dǎo)體芯片，天線，無源電子部件，有源電子部件和電磁輻射屏蔽結(jié)構(gòu)。

在一實(shí)施例中，電子裝置、尤其是其半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)還包括第一導(dǎo)電再分配層，所述第一導(dǎo)電再分配層布置在第一主表面區(qū)域內(nèi)并與至少一個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部和至少一個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部電耦接。第一導(dǎo)電再分配層還可以與所述電子構(gòu)件(如果存在的話)的第一接觸部和第二接觸部電耦接。在一實(shí)施例中，電子裝置、尤其是其半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)還包括第二導(dǎo)電再分配層，所述第二導(dǎo)電再分配層布置在第二主表面區(qū)域內(nèi)并與至少一個(gè)芯片墊、至少一個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部和至少一個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部電耦接。用于夾置半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)至少部分地導(dǎo)電的再分配層可以在豎直方向上借助一個(gè)或多個(gè)連接器塊彼此電連接。還可能的是，所描述的再分配層中的任意一個(gè)構(gòu)造成由至少一個(gè)圖案化的導(dǎo)電層和至少一個(gè)圖案化的電絕緣層組成的布置結(jié)構(gòu)(例如層疊結(jié)構(gòu))(例如參見圖17)。

在一實(shí)施例中，電子裝置包括位于第一導(dǎo)電再分配層和第二導(dǎo)電再分配層中的至少一個(gè)上的一個(gè)或多個(gè)焊接結(jié)構(gòu)。將一個(gè)或多個(gè)焊接結(jié)構(gòu)提供在再分配層中的一個(gè)或兩者上允許簡(jiǎn)化電子裝置后續(xù)在基座或電子外圍裝置比如印刷電路板上的安裝。通過一個(gè)或多個(gè)焊接結(jié)構(gòu)還能夠?qū)⒘硗獾碾娮訕?gòu)件安裝在半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)上。

在一實(shí)施例中，電子裝置包括另外的封裝材料(即除了電子裝置的連接器塊的封裝材料之外的另外的封裝材料)，所述另外的封裝材料可以指代包封用封裝材料并且半導(dǎo)體芯片可以與連接器塊一起封裝在所述另外的封裝材料中。至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片和一個(gè)或多個(gè)連接器塊可以在上述兩個(gè)再分配層之間彼此并排布置，其中，剩下的間隙可以被包封用封裝材料填充。所述包封用封裝材料可以是另外的模塑化合物(mold compound)或另外的層疊結(jié)構(gòu)。

在一實(shí)施例中，電子裝置包括通過連接器塊和/或焊接結(jié)構(gòu)和/或至少一個(gè)再分配層與半導(dǎo)體芯片電耦接的至少一個(gè)另外的半導(dǎo)體芯片(作為電子構(gòu)件)。在一實(shí)施例中，所述至少一個(gè)另外的半導(dǎo)體芯片構(gòu)造成下述兩種結(jié)構(gòu)中的至少一種：與半導(dǎo)體芯片并排布置的另外的半導(dǎo)體芯片，和表面安裝(想要的話可以通過焊接結(jié)構(gòu)安裝)在第一再分配層和第二再分配層中的至少一個(gè)上的另外的半導(dǎo)體芯片。由此，具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的應(yīng)用是可能的。例如，多個(gè)半導(dǎo)體芯片可以布置在同一個(gè)電子裝置中。替代地，兩個(gè)電子裝置可以彼此連接，每個(gè)電子裝置安裝有至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片。

在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片是功率半導(dǎo)體芯片。這種功率半導(dǎo)體芯片可以具有集成在其內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)集成電路元件比如晶體管(例如，場(chǎng)效應(yīng)晶體管比如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，和/或雙極晶體管比如絕緣柵雙極晶體管)和/或二極管。由這種集成電路元件提供的示例應(yīng)用可以用于切換目的。例如，功率半導(dǎo)體裝置的這種另外的集成電路元件可以以半橋或全橋的方式集成。示例性應(yīng)用是汽車應(yīng)用。

在一實(shí)施例中，電子裝置構(gòu)造成扇出式晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)(例如嵌入式晶片級(jí)球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)(eWLB))。這可能涉及由多個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片和封裝材料形成的人工晶片的使用。

一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片可包括二極管和晶體管(更特別是絕緣柵雙極晶體管)中的至少一種。在一實(shí)施例中，電子裝置可以構(gòu)造成功率模塊。例如，一個(gè)或多個(gè)電子芯片可以用作用于功率應(yīng)用例如用在汽車領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片。在一實(shí)施例中，至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片可包括邏輯IC或用于RF功率應(yīng)用的半導(dǎo)體芯片。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片可以用作微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)中的一個(gè)或多個(gè)傳感器或致動(dòng)器、例如壓力傳感器或加速度傳感器。

半導(dǎo)體襯底、優(yōu)選硅襯底可以用作半導(dǎo)體芯片的襯底或晶片。替代地，氧化硅或另外的絕緣襯底可以被提供。還能夠應(yīng)用鍺襯底或III-V半導(dǎo)體材料。例如，示例性實(shí)施例可以為采用GaN或SiC技術(shù)來實(shí)施。

本發(fā)明的上述和其它目的、特征以及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合附圖、從下述說明和所附權(quán)利要求凸顯出來，在附圖中，類似的部件或元件被指代以類似的附圖標(biāo)記。

附圖說明

被包含以提供對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的進(jìn)一步理解并構(gòu)成本申請(qǐng)文件的一部分的附圖展示了本發(fā)明的各示例性實(shí)施例。

在附圖中：

圖1至圖5示出在執(zhí)行制造根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的連接器塊的方法的過程中獲得的各結(jié)構(gòu)的不同視圖。

圖6示出根據(jù)圖1至圖5所制造的、根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的連接器塊的三維視圖。

圖7示出根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的電子裝置的剖視圖。

圖8至圖10示出執(zhí)行制造根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的連接器塊和包括這種連接器塊的電子裝置的方法的過程中獲得的各結(jié)構(gòu)的不同視圖。

圖11至圖16示出在執(zhí)行制造根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的電子裝置的方法的過程過中獲得的各結(jié)構(gòu)的不同視圖。

圖17示出根據(jù)圖11至圖16所制造的、根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的電子裝置的剖視圖。

具體實(shí)施方式

附圖中的展示是示意性的并且沒有按比例繪制。

在參考附圖更詳細(xì)地說明各示例性實(shí)施例之前，將概述衍生出各示例性實(shí)施例的一些總體考慮。

根據(jù)一示例性實(shí)施例，一種用于功率連接和信號(hào)的、構(gòu)造成預(yù)置的貫通封裝材料式連通部(TEV)的連接器塊被提供。

SiP(封裝結(jié)構(gòu)形式的系統(tǒng)，System in Package)集成是封裝行業(yè)的主要研發(fā)領(lǐng)域。集成方案通常包括z方向上疊置能力(stacking capability)。尤其在要求在z方向上連接的連通部被預(yù)制并類似于芯片地嵌設(shè)在封裝結(jié)構(gòu)中的情況下，扇出式晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)(例如eWLB)可以提供低成本、高性能的疊置能力。這允許使用已知為良好的連通部(known-good-via，KGV)，這是因?yàn)檫@些連通部可以在使用之前被提前測(cè)試。

根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例，構(gòu)造成連通條(via bar)的連接器塊包括作為較厚的連通部的被封裝的第一貫通連接部和作為位于封裝材料的外表面上的較薄的連通部的電鍍的第二貫通連接部。這種連接器塊可以在eWLB技術(shù)中嵌設(shè)在多個(gè)半導(dǎo)體芯片或芯粒旁。這通過第二貫通連接部實(shí)現(xiàn)了z方向上的信號(hào)連接，并通過第一貫通連接部實(shí)現(xiàn)了z方向上具有高電流的功率/接地連接。這種架構(gòu)能夠與較薄的連通部一起提供直徑較大的連通部，從而還實(shí)現(xiàn)了具有高載流能力的功率連接。

本發(fā)明的一示例性實(shí)施例使用較厚的銅引線框架或結(jié)構(gòu)化銅片(也可以由別的材料制成，尤其可以由不能以電鍍方式施加的材料制成)作為用于第一導(dǎo)電貫通連接部的第一預(yù)制件，第一預(yù)制件可以在模塑之前就被嵌置。這種金屬片可以較厚并且可以是任何材料或材料復(fù)合物/堆疊結(jié)構(gòu)。在嵌置第一預(yù)制件之后，另外的很小的連通部可以作為用于第二導(dǎo)電貫通連接部的第二預(yù)制件被施加。由此得到的連通條可以分割成多個(gè)連接器塊。然后，這些連接器塊中相應(yīng)的一個(gè)可以被傾斜并以合適的方式定向，以能與一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片一起嵌設(shè)在包封用封裝材料中，從而得到根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)或電子裝置。

這些連通條含有呈第一貫通連接部形式的具有出色的載流能力的直徑較大的連通部(或特殊材料連通條)和呈第二貫通連接部形式的具有出色的高頻性能的較小的連通部。作為第一貫通連接部的預(yù)制件的引線框架、較厚的結(jié)構(gòu)化金屬和/或?qū)щ娖?、以及濺射的和/或電鍍的第二貫通連接部的聯(lián)合使用允許在一個(gè)連通條或連接器塊中于z方向上提供具有多種連通直徑的連接。

為了制造這種連接器塊(還參見圖1至圖5)，還稱之為臨時(shí)承載部的模塑承載部(例如構(gòu)造成用于eWLB技術(shù)的模塑承載部)可以用作工藝流程的起點(diǎn)。這種臨時(shí)承載部可以由金屬、聚合物或陶瓷板制成。粘結(jié)材料或雙面粘結(jié)膠帶或箔可以附接至板狀臨時(shí)承載部。預(yù)先結(jié)構(gòu)化的導(dǎo)電片可以作為用于第一貫通連接部的第一預(yù)制件附接至模塑承載部，所述預(yù)先結(jié)構(gòu)化的導(dǎo)電片可以是引線框架材料(例如銅引線框架)、任何其它金屬或金屬層疊結(jié)構(gòu)、或者復(fù)合物。在理論上，所述片也可以不結(jié)構(gòu)化，它可以是導(dǎo)電聚合物，或者甚至所述片可以以印刷、分配或類似的工藝施加在臨時(shí)承載部上。如果結(jié)構(gòu)化的金屬片被使用，那么，結(jié)構(gòu)化的片可以在附接該片之前或嵌設(shè)在封裝材料比如模塑化合物之后通過蝕刻或激光處理等方式被結(jié)構(gòu)化。用作第一貫通連接部的第一預(yù)制件的導(dǎo)電片的厚度可基于期待的載流能力自由選取，例如在20μm至200μm的范圍內(nèi)自由選取。

隨后，可以將銅片嵌設(shè)在封裝材料(例如模塑化合物、聚合物或?qū)盈B結(jié)構(gòu))內(nèi)。重組的襯底的形式可以是圓的或矩形的/方形的。供嵌設(shè)的復(fù)合物或封裝材料可以由電絕緣材料制成，所述電絕緣材料具有期待的介電強(qiáng)度以用于所需的載流能力。供嵌設(shè)的復(fù)合物或封裝材料可以在模塑過程(例如壓模成型)中、或通過層疊工藝、或通過印刷而被施加。

在嵌設(shè)完導(dǎo)電片之后，即在封裝第一貫通連接部的第一預(yù)制件后，可以選擇性地執(zhí)行磨削過程，以減小條的厚度和/或以提供平滑表面。接下來，再分配線可以作為第二貫通連接部的第二預(yù)制件被施加。這可以通過印刷、薄膜技術(shù)或PCB類似工藝來施加。不同的工藝、如濺射、電鍍、蝕刻或其它工藝可以被使用。形成第二預(yù)制件的線的厚度可以小于30μm，尤其小于20μm，更特別地小于10μm。

此后，由此獲得的重組的襯底可以被分割(例如通過劃片)，以獲得多個(gè)連接器塊。這些連接器塊(還可以被稱為連通塊)可以被傾斜90°并且現(xiàn)在可以用于嵌入另一扇出式WLB(例如eWLB)中。這兩種不同的連通直徑(第一貫通連接部和第二貫通連接部分別涉及的)在連接器塊中看起來是不同的：較厚的那些完全嵌設(shè)在封裝材料中，而較薄的那些附接在封裝材料的頂部上。

所說明的連接器塊的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)在于：可以以最低的成本和付出在一個(gè)連通或連接器條中實(shí)現(xiàn)具有大、較大直徑的連通條(呈第一貫通連接部形式)和在高頻下具有高性能的較小連通部(呈第二貫通連接部形式)。

構(gòu)成封裝材料的一個(gè)實(shí)施例的模塑化合物也可以被層疊結(jié)構(gòu)替代。在對(duì)應(yīng)的制造方法中(還參見圖8至圖10)，連接器塊可以構(gòu)造成具有較厚的底金屬化部(例如作為基底)和較薄的頂金屬化部的層疊件。在單獨(dú)化(例如通過劃片)并旋轉(zhuǎn)90°后，能夠得到與基于模塑的連接器塊基本上相同的功能。先進(jìn)的層疊技術(shù)提供了約10μm-20μm的金屬圖案分辨率。通過將層疊結(jié)構(gòu)用于封裝材料，還可以減少成本和付出并且也可以增大靈活性(例如能夠提供可觀數(shù)量的層)。下述組合對(duì)于某些應(yīng)用(例如3C無源裝置、3D天線等)尤為有利：該組合由eWLB的水平再分配層、以及被夾置的呈層疊結(jié)構(gòu)的用于豎直互連的較薄的和較厚的層組成。

圖1至圖5示出在執(zhí)行制造根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的連接器塊600(圖6所示)的方法的過程中獲得的各結(jié)構(gòu)的不同視圖。

為了獲得圖1的剖視圖中示出的結(jié)構(gòu)，臨時(shí)承載部100被選擇性為雙面式的粘結(jié)材料102覆蓋。所述雙面粘結(jié)材料102可以是這樣的箔，該箔為可熱釋放的，即在被加熱至特定的閾值溫度、例如170℃以上時(shí)會(huì)喪失(或至少顯著地減小)其粘結(jié)性。圖1所示的臨時(shí)承載部100可以是模塑承載部(比如用于eWLB應(yīng)用的模塑承載部)。雙面粘結(jié)材料102可以被施加，以提高將在臨時(shí)承載部100上制造的連接器塊600的隨后將被安裝的組成部件的粘附性。

為了獲得圖2所示的剖視圖的結(jié)構(gòu)，將引線框架作為用于將被制造的連接器塊600的多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部602(參見圖6)的預(yù)制件200于雙面粘結(jié)材料102上布置在臨時(shí)承載部100上。圖3為第一預(yù)制件200的一示例的平面圖，第一預(yù)制件200構(gòu)造成通過周向框架304彼此連接的多個(gè)平行接片302。在容易地制造的連接器塊600中，每個(gè)第一貫通連接部602將實(shí)施為一個(gè)接片302的一部分。周向框架304沒有形成容易地制造的連接器塊600的一部分。

如從圖2的剖視圖所觀察到的，形狀為結(jié)構(gòu)化的導(dǎo)電片的第一預(yù)制件200可以作為將被形成的第一導(dǎo)電貫通連接部602的預(yù)制件于雙面粘結(jié)材料102上附接至臨時(shí)承載部100。第一導(dǎo)電貫通連接部602的預(yù)制件200還可以具有類似于梳子結(jié)構(gòu)的形狀。它可以由金屬材料(例如銅)制成。該預(yù)制件200的厚度例如可以位于25μm至100μm的范圍內(nèi)或甚至更厚。例如，可以限定多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)厚度：25μm、50μm和100μm。

為了獲得圖4的剖視圖所示的結(jié)構(gòu)，將第一預(yù)制件200封裝在封裝材料400、比如例如通過壓模成型所形成的模塑化合物中。在固化后，封裝材料400變成固體。

為了獲得圖5所示的結(jié)構(gòu)，多個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部604(參見圖6)的第二預(yù)制件500在封裝材料400的外表面上形成。第二預(yù)制件500可以通過將導(dǎo)電材料比如銅濺射、化學(xué)鍍和/或電鍍?cè)诜庋b材料400的暴露的上表面上而形成。第二預(yù)制件500可以為平行排列的帶所組成的結(jié)構(gòu)。在圖4所示的架構(gòu)中，對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電材料附接在模塑的襯底(例如面板或晶片)的頂側(cè)上。

接下來，將由第一預(yù)制件200、被第一預(yù)制件200嵌入的封裝材料400、以及位于封裝材料400的外表面上第二預(yù)制件500所形成的結(jié)構(gòu)體作為整體從臨時(shí)承載部100移除。當(dāng)雙面粘結(jié)材料102為可熱釋放的時(shí)，該移除可以通過將雙面粘結(jié)材料102加熱至使雙面粘結(jié)材料102的粘結(jié)性出現(xiàn)顯著降低的溫度(例如170℃)以上來執(zhí)行。然后，可以將結(jié)構(gòu)體從雙面粘結(jié)材料102容易地取下并由此與臨時(shí)承載部100分開。

接下來，由帶有封裝的第一預(yù)制件200和所形成的第二預(yù)制件500的封裝材料400所形成的分離出的結(jié)構(gòu)體被單獨(dú)化成多個(gè)條狀體，以便形成多個(gè)連接器塊600，如圖6所示。每個(gè)連接器塊600包括封裝材料400的一部分、作為多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部602的一部分第一預(yù)制件200、以及作為多個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部604的一部分第二預(yù)制件500。

圖6示出根據(jù)圖1至圖5所制造的、根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的連接器塊600的三維視圖。

連接器塊600的多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部602從封裝材料400的第一表面606(在此為上表面))穿過封裝材料400延伸到封裝材料400的相反的第二表面608(在此為下表面)。對(duì)應(yīng)地，沿著封裝材料400的位于外面的(在此為豎直的)第三表面610延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部604從封裝材料400的第一表面606延伸到封裝材料400的第二表面608。如從圖6中可以觀察到的，在垂直于從封裝材料400的第一表面606向封裝材料400的第二表面608延伸的方向的平面內(nèi)，第一導(dǎo)電貫通連接部602的橫截面積A1(例如為10⁴μm²)大于第二導(dǎo)電貫通連接部604的橫截面積A2(例如為A1的10％)。在從第一表面606至第二表面608的整個(gè)距離D(例如位于20μm至500μm的范圍內(nèi))上，第一導(dǎo)電貫通連接部602的橫截面的形狀和面積可以是恒定的(但這僅僅是一種選擇性設(shè)計(jì))。對(duì)應(yīng)地，第二導(dǎo)電貫通連接部604的橫截面的形狀和面積在從第一表面606至第二表面608的整個(gè)距離D上是恒定的。多個(gè)第一導(dǎo)電貫通連接部602中的每個(gè)彼此平行且平行于多個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部604地延伸。

如圖6所示，連接器塊600構(gòu)造成具有尺寸較大的第一導(dǎo)電貫通連接部602和尺寸較小的第二導(dǎo)電貫通連接部604的連通條。所有的貫通連接部602、604都沿著直線方向612依次布置或排列。在圖示的實(shí)施例中，第一導(dǎo)電貫通連接部602等距布置。此外，第二導(dǎo)電貫通連接部602也等距布置。然而，在連接器塊600中，第一導(dǎo)電貫通連接部602的數(shù)量可以與第二導(dǎo)電貫通連接部604的數(shù)量不同(在圖示的實(shí)施例中，第一導(dǎo)電貫通連接部602的數(shù)量小于第二導(dǎo)電貫通連接部604的數(shù)量)。

在分割(例如劃片)并傾斜90°后，連接器條或連接器塊600可以嵌設(shè)在扇出式WLB(例如eWLB)中，從而可以在z方向上以多重連通目的地連接(還參見圖7和圖17)。第一導(dǎo)電貫通連接部602形成高度適于功率傳輸和接地連接的較大的嵌入式連通部。由此，可以通過它們獲得在載流能力和電遷移方面較高的性能。然而，第二導(dǎo)電貫通連接部604是較小的連通部，其是在模塑后被施加的并高度適于信號(hào)傳輸、尤其在高頻應(yīng)用中具有較高的性能。

圖7示出根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的電子裝置710的剖視圖。

電子裝置710包括半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)770，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)770具有第一主表面區(qū)域772和相反的第二主表面區(qū)域774并且包括半導(dǎo)體芯片712。所述半導(dǎo)體芯片712包括位于第二主表面區(qū)域774內(nèi)的芯片墊714。半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)770的第一導(dǎo)電再分配層700布置在第一主表面區(qū)域772內(nèi)。第一導(dǎo)電再分配層700包括電絕緣層結(jié)構(gòu)780和導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)782。半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)770的第二導(dǎo)電再分配層702布置在第二主表面區(qū)域774內(nèi)并在半導(dǎo)體芯片712的底側(cè)上電耦接至芯片墊714。

如圖6所示，連接器塊600構(gòu)造成能在半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)770的相反設(shè)置的主表面區(qū)域772、774內(nèi)的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)782之間提供豎直互連。連接器塊600與半導(dǎo)體芯片712并排或彼此橫向依次布置，并且連接器塊600在豎直方向上布置在第一導(dǎo)電再分配層700與第二導(dǎo)電再分配層702之間并與第一導(dǎo)電再分配層700與第二導(dǎo)電再分配層702電耦接。連接器塊600的第一導(dǎo)電貫通連接部602構(gòu)造成能在電子裝置710的操作期間傳輸功率。與此不同的是，第二導(dǎo)電貫通連接部604構(gòu)造成能在電子裝置710的操作期間傳輸高頻信號(hào)。

另外的所謂的包封用封裝材料730(例如模塑化合物)被提供，在該另外的包封用封裝材料730中，半導(dǎo)體芯片712和連接器塊600共同封裝在半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)770內(nèi)。

在此構(gòu)造成焊球的焊接結(jié)構(gòu)720可以設(shè)置在第一導(dǎo)電再分配層700上和第二導(dǎo)電再分配層702上并直接連接至對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)782。

此外，電子裝置710包括作為附加的電子構(gòu)件740的另外的半導(dǎo)體芯片(所述另外的半導(dǎo)體芯片具有另外的芯片墊716并嵌設(shè)在又一封裝材料790中)，所述另外的半導(dǎo)體芯片安裝在半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)770的頂部上并通過焊接結(jié)構(gòu)720和連接器塊600電耦接至半導(dǎo)體芯片712。例如，半導(dǎo)體芯片712可以是邏輯芯片，而電子構(gòu)件740可以是記憶芯片。

在根據(jù)圖7的構(gòu)造中，連接器塊600嵌設(shè)在電子裝置710的兩個(gè)封裝結(jié)構(gòu)(即半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)770和封裝的半導(dǎo)體芯片740)中的一個(gè)內(nèi)以將這兩個(gè)封裝結(jié)構(gòu)彼此連接。這兩個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中一個(gè)安裝在另一個(gè)的頂部上。然而，其它應(yīng)用也是可能的。在圖示的實(shí)施例中，連接器塊600是由模塑化合物(參見封裝材料400)形成的預(yù)制塊并相對(duì)于圖6旋轉(zhuǎn)90°，該預(yù)制塊具有嵌設(shè)的和表面形成的貫通連接部602、604，其中，在eWLB架構(gòu)中利用薄膜再分配層實(shí)現(xiàn)互連。

圖8和圖9示出執(zhí)行制造根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的連接器塊600的方法的過程中所得到的各結(jié)構(gòu)的不同的視圖。圖10示出集成在根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的電子裝置710中的連接器塊600。

在圖8中，單一的第一導(dǎo)電貫通連接部602被示出為嵌設(shè)在由封裝材料400構(gòu)成的層疊材料中。在圖示的實(shí)施例中，封裝材料400由兩個(gè)電絕緣層802、804(例如這兩個(gè)電絕緣層均由預(yù)浸(prepreg)材料、即位于樹脂基體中的玻璃纖維制成)形成。附加地，在該示例中，三個(gè)第二導(dǎo)電貫通連接部604在封裝材料400的外表面上形成，并且也是通過電鍍來制造的。圖8還示出第三導(dǎo)電貫通連接部800，所述第三導(dǎo)電貫通連接部800的厚度例如可以為100μm。第一導(dǎo)電貫通連接部602的厚度也可以是100μm。與此不同的是，第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)604的厚度可以小很多、例如10μm。圖8的元件可以通過施加壓力來彼此連接，在需要的情況下也可以利用熱來支持連接。

圖8示出了采用層疊技術(shù)的連接器塊600的剖視圖，而圖9示出了三維圖并且還示出了根據(jù)圖8至圖10的條狀連接器塊600的豎直尺寸H可以為100μm至500μm的數(shù)量級(jí)。更一般而言，連接方向上的厚度可以位于50μm至1mm的范圍內(nèi)。由此，該連接器塊在豎直方向上非常緊湊并且還能實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的電連接任務(wù)，同時(shí)由于傳播路徑短而具有較少的能量損失和信號(hào)內(nèi)容損失。附圖標(biāo)記810表示劃片線，包括多個(gè)連接器塊600的預(yù)制件可以沿著所述劃片線被劃片以實(shí)現(xiàn)單獨(dú)化。圖9中所示的布置結(jié)構(gòu)可以通過將圖8的布置結(jié)構(gòu)旋轉(zhuǎn)90°而得到。

如從圖10中所觀察到的，連接器塊600可以同eWLB再分配層700、702以及包封用封裝材料730(比如模塑的eWLB)一起集成在電子裝置710中。嵌設(shè)的連接器塊600在此用于在再分配層700、702之間傳導(dǎo)電信號(hào)和功率。根據(jù)圖8至圖10的架構(gòu)對(duì)應(yīng)于多層式層疊結(jié)構(gòu)，所述多層式層疊結(jié)構(gòu)包括具有混合的寬度/間距/厚度的豎直互連結(jié)構(gòu)。

圖11至圖16示出在執(zhí)行制造根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的電子裝置710的方法過程中得到的各結(jié)構(gòu)的不同的視圖。

為了獲得圖11所示的結(jié)構(gòu)，多個(gè)半導(dǎo)體芯片712和多個(gè)圖6所示的連接器塊600被撿取并且并排且彼此側(cè)向間隔開地放置在臨時(shí)承載部100上，其中，雙面粘結(jié)材料102形成在所述臨時(shí)承載部100上。

為了獲得圖12所示的結(jié)構(gòu)，通過壓模成型、例如以800μm的模塑厚度L來形成包封用封裝材料730。在壓模成型并固化后，獲得了自承載或自支撐的結(jié)構(gòu)，由此臨時(shí)承載部100可以被移除。這可以通過將溫度臨時(shí)增加至一特定值、例如170°以上來實(shí)現(xiàn)，其中，呈雙面粘結(jié)材料102形式的粘結(jié)箔會(huì)在該溫度失去它的強(qiáng)粘性(例如由于粘結(jié)箔中的醇會(huì)在這些溫度下蒸發(fā))。

為了獲得圖13所示的結(jié)構(gòu)，通過磨削圖12所示的結(jié)構(gòu)的后側(cè)而使其在豎直方向上變薄。這增加了緊湊性并將連接器塊600的導(dǎo)電端面暴露。所述磨削可以在于臨時(shí)承載部100上從雙面粘結(jié)材料102釋放結(jié)構(gòu)體之前或之后執(zhí)行。

為了獲得圖14所示的結(jié)構(gòu)，再分配層702在圖13所示的結(jié)構(gòu)的下主表面上形成。

為了獲得圖15所示的結(jié)構(gòu)，另一再分配層700在圖14所示的結(jié)構(gòu)的上主表面上形成。

為了獲得圖16所示的結(jié)構(gòu)，制球和劃片操作可以被執(zhí)行，從而在再分配層702上形成焊接結(jié)構(gòu)720并且通過鋸切將各封裝結(jié)構(gòu)或電子裝置710單獨(dú)化。

圖17示出根據(jù)圖11至圖16所制得的、根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的電子裝置710的剖視圖。

根據(jù)圖17的電子裝置710在它的第一主表面區(qū)域772與它的相反的第二主表面區(qū)域774之間包括半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)770。半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)770包括半導(dǎo)體芯片712和兩個(gè)連接器塊600，半導(dǎo)體芯片712具有位于第二主表面區(qū)域774內(nèi)的芯片墊714，并且所述兩個(gè)連接器塊600用于提供半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)770的兩相反的主表面區(qū)域772、774之間的豎直互連。連接器塊600包括第一導(dǎo)電貫通連接部602和第二導(dǎo)電貫通連接部604，第一導(dǎo)電貫通連接部602和第二導(dǎo)電貫通連接部604以不同的橫截面積A1、A2在第一主表面區(qū)域772與第二主表面區(qū)域774之間延伸，并且，所述連接器塊600與半導(dǎo)體芯片712并排布置。

根據(jù)圖17示意性示出的電子構(gòu)件740布置在第一主表面區(qū)域772上并包括與連接器塊600之一電耦接的第一電接觸部1700。電子構(gòu)件740還包括與另外的連接器塊600電耦接的第二電接觸部1702。電子構(gòu)件740可以是另外的半導(dǎo)體芯片、無源離散元件(discrete)或芯片、天線、電磁輻射屏蔽結(jié)構(gòu)等。根據(jù)圖17，從第一電接觸部1700、焊接結(jié)構(gòu)720、再分配層700的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)782、連接器塊600之一、再分配層702的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)782、以及芯片墊714之一存在連續(xù)的導(dǎo)電路徑。相應(yīng)地，從第二電接觸部1702、焊接結(jié)構(gòu)720、再分配層700的另一導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)782、連接器塊600中的另一個(gè)、再分配層702的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)782、以及另外的芯片墊714也存在連續(xù)的導(dǎo)電路徑。

需要說明的是，術(shù)語(yǔ)“包括”沒有排除其它元件或特征，并且，術(shù)語(yǔ)“一”或“一個(gè)”沒有排除多個(gè)。而且，與不同實(shí)施例關(guān)聯(lián)描述的元件可以組合。還需要說明的是，附圖標(biāo)記不應(yīng)該理解成對(duì)權(quán)利要求的范圍的限制。此外，本申請(qǐng)的范圍沒有旨在局限于本文所描述的過程、機(jī)器、制造、物體成分、手段、方法以及步驟的具體實(shí)施例。因此，所附權(quán)利要求旨在將這些過程、機(jī)器、制造、物體組分、手段、方法以及步驟涵蓋在它們的范圍內(nèi)。