技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明揭露一種制造半導體裝置的方法。包括：形成第一光阻圖案及第二光阻圖案于基板上方。第一光阻圖案與第二光阻圖案分隔一間隙?；瘜W混合物被涂布在第一光阻圖案及第二光阻圖案上。化學混合物包含化學材料及混合至化學材料內(nèi)的表面活性劑粒子。化學混合物填充間隙。對第一光阻圖案及第二光阻圖案執(zhí)行烘烤制程，此烘烤制程造成間隙收縮。至少一些表面活性劑粒子配置在間隙的側(cè)壁邊界處。對第一光阻圖案及第二光阻圖案執(zhí)行顯影制程。顯影制程移除間隙中及光阻圖案上方的化學混合物。配置在間隙的側(cè)壁邊界處的表面活性劑粒子減少顯影制程期間的毛細效應。

技術(shù)研發(fā)人員：邱威超;王志謙;許峰嘉;郭景森;張浚威;曾凱
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.18
技術(shù)公布日：2017.07.07