本發(fā)明實施例是有關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體集成電路(integratedcircuit；ic)工業(yè)已經(jīng)歷迅速的增長。ic材料及設(shè)計的技術(shù)進步已產(chǎn)生數(shù)個世代的ic，其中每一世代都具有比上一個世代更小且更復(fù)雜的電路。然而，這些進展增加了處理及制造ic的復(fù)雜性，為了實現(xiàn)這些進展，ic的制程及制造也需要類似的發(fā)展。在集成電路進化的過程中，隨著幾何尺寸(亦即通過使用制程而產(chǎn)生的最小組件(或線路))縮小，功能密度(亦即每晶片區(qū)域中的互連裝置數(shù)目)已大幅度的提高。

日益縮小的幾何尺寸對半導(dǎo)體制造帶來挑戰(zhàn)。例如，光阻遮罩更容易受到毛細(xì)力作用的影響。此情況隨著遮罩深寬比增大及/或間距減小而加劇。結(jié)果，光阻遮罩可能塌陷，例如因為相鄰光阻遮罩之間的毛細(xì)力的拉拽所致。

因此，雖然現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造技術(shù)大致上足以滿足其預(yù)期的目的，但這些技術(shù)并非在各方面令人完全滿意。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，此方法包括：在一基板上方形成一第一光阻圖案及一第二光阻圖案，第一光阻圖案與第二光阻圖案分隔一間隙；涂布一化學(xué)混合物于第一光阻圖案及第二光阻圖案上，化學(xué)混合物包含一化學(xué)材料及混合在化學(xué)材料內(nèi)的表面活性劑粒子，其中化學(xué)混合物充填間隙；之后，在第一光阻圖案及第二光阻圖案上執(zhí)行一烘烤制程，烘烤制程使得間隙收縮，其中至少一些表面活性劑粒子配置在間隙的側(cè)壁邊界上；之后，在第一光阻圖案及第二光阻圖案上執(zhí)行一顯影制程，其中顯影制程移除位于間隙中、第一光阻圖案及第二光阻圖案上方的化學(xué)混合物，其中配置在間隙的側(cè)壁邊界處的這些表面活性劑粒子在顯影制程期間減少一毛細(xì)效應(yīng)。

根據(jù)本發(fā)明實施例的另一方面，一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：在一化學(xué)材料中混合表面活性劑化合物，化學(xué)材料具有熱交聯(lián)性質(zhì)；在一基板上方形成一第一光阻圖案及一第二光阻圖案，第一光阻圖案及第二光阻圖案之間定義一溝槽；將混合有表面活性劑化合物的化學(xué)材料施加在基板上方及第一光阻圖案及第二光阻圖案周圍；加熱化學(xué)材料及第一光阻圖案及第二光阻圖案，借此將配置在第一光阻圖案及第二光阻圖案上的化學(xué)材料的部分轉(zhuǎn)變?yōu)橐唤宦?lián)材料，其中交聯(lián)材料的側(cè)壁表面上配置有表面活性劑化合物；以及通過施加一顯影溶液來顯影第一光阻圖案及第二光阻圖案，其中顯影通過移除化學(xué)材料的尚未轉(zhuǎn)變?yōu)榻宦?lián)材料的部分而減少溝槽的一寬度，其中配置在交聯(lián)材料的這些側(cè)壁表面上的表面活性劑化合物減少第一光阻圖案及第二光阻圖案在顯影期間所經(jīng)受的毛細(xì)力。

根據(jù)本發(fā)明實施例的又一方面，一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：混合表面活性劑分子于一化學(xué)材料的整體中，化學(xué)品包含熱響應(yīng)性共聚合物，當(dāng)此共聚合物被烘烤，此共聚合物促進一光阻劑材料的流動；在一基板上方形成一第一光阻圖案及一第二光阻圖案，第一光阻圖案及第二光阻圖案通過一溝槽分隔；將混合有這些表面活性劑分子的化學(xué)材料涂布在第一光阻圖案及第二光阻圖案上方；在涂布之后，烘烤化學(xué)材料及第一光阻圖案及第二光阻圖案，其中化學(xué)材料回應(yīng)于烘烤而誘使第一光阻圖案及第二光阻圖案流向彼此，借此減少溝槽的一橫向維度，其中化學(xué)材料在光阻圖案流動期間向第一光阻圖案及第二光阻圖案的側(cè)壁提供機械支撐，且其中表面活性劑分子存在于溝槽的側(cè)壁邊界上；在烘烤之后，通過使用一顯影溶液來顯影第一光阻圖案及第二光阻圖案，其中顯影溶液移除化學(xué)材料，且其中通過這些表面活性劑分子在溝槽的側(cè)壁邊界上的存在而減少溝槽內(nèi)側(cè)的毛細(xì)力。

附圖說明

本說明書的實施方式是在閱讀以下詳細(xì)說明的同時參閱附圖以進行理解。需強調(diào)，依據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實務(wù)，多個特征并未按比例繪制。實際上，多個特征的維度可任意增大或縮小，以便使論述明晰。

圖1繪示根據(jù)本說明書多個實施方式的混合在化學(xué)材料中的表面活性劑粒子；

圖2-15是依據(jù)本說明書多個實施方式的半導(dǎo)體裝置在各制造階段的概略的局部剖面?zhèn)纫晥D；

圖16-18是依據(jù)本說明書多個實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。

具體實施方式

應(yīng)理解，以下揭示內(nèi)容提供眾多不同的實施方式或?qū)嵤├?，用以實現(xiàn)本發(fā)明實施例的不同特征。下文中描述組件及排列的特定實施例是為了以簡化本說明書。這些組件及排列當(dāng)然僅為實施例，且不意欲進行限制。此外，在下文的描述中，第一特征形成在第二特征上方或之上可包括其中第一特征與第二特征以直接接觸的方式形成的實施方式，亦可包括在第一特征與第二特征之間形成一額外特征而使第一特征與第二特征不直接接觸的實施方式。為簡化及清楚起見，多個特征可用不同比例任意繪制。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)持續(xù)演變，裝置的尺寸日益地變小。當(dāng)裝置的尺寸夠小時，毛細(xì)力對制造產(chǎn)生不利的干擾。例如，光阻遮罩的形成包含使用顯影液的顯影制程。在次-微米節(jié)距等級(sub-micronpitchlevel)，用于顯影制程中的顯影溶液可能導(dǎo)致光阻圖案塌陷，此塌陷歸因于在光阻圖案上有效地“拉動”的毛細(xì)力所致。當(dāng)形成光阻圖案而使其間具有高且窄(或高深寬比)的溝槽時，此問題加劇。高且窄的溝槽意謂著光阻遮罩更易受毛細(xì)力的作用，這使得光阻圖案更有可能塌陷。因此，一些已知制造技術(shù)減小溝槽的深寬比，例如通過降低光阻圖案的高度或增大光阻圖案的間隙。然而，所得光阻遮罩可能不能滿足進階半導(dǎo)體制程的需求，此制程可能需要高且窄的光阻遮罩以圖案化接觸孔或界定影像感測器的輻射感測像素。

為解決上述討論問題，本說明書包含形成光阻遮罩的方法，此方法較不易受毛細(xì)力的影響，而無須犧牲深寬比，如下文所述并參閱圖1-18。

圖1繪示一混合制程，其中表面活性劑粒子或表面活性劑化合物在此制程中混合至化學(xué)品內(nèi)。更詳細(xì)而言，容器50包含化學(xué)材料60。在一些實施方式中，化學(xué)材料60包括“通過化學(xué)收縮輔助的解析度增強(resolutionenhancementlithographyassistedbychemicalshrinkage)”材料(或稱為relacs)。relacs材料包括可溶于水的材料(例如聚合物)，此材料具有熱交聯(lián)特性(thermalcross-linkingproperties)。因此，涂布在光阻膜上的relacs材料的一部分可在烘烤制程期間交聯(lián)至光阻膜，借此減小相鄰光阻膜之間的間隙。余下的未反應(yīng)(例如未交聯(lián))relacs材料可在烘烤之后的顯影制程中被移除。作為實施例，relacs材料的細(xì)節(jié)敘述在lauraj.peters于1999年9月發(fā)表于“半導(dǎo)體國際(semiconductorinternational)”，標(biāo)題為“resistsjointhesub-lambdarevolution”的論文中，及日本專利申請公開案第h10-73927號中，上述各文件的全部內(nèi)容在此以引用的方式并入本說明書中。

在其他某些實施方式中，化學(xué)材料60包括由東京應(yīng)化工業(yè)株式會社(tokyoohkakogyoco.)開發(fā)的“增強解析度的收縮輔助膜(shrinkassistfilmforenhancedresolution)”材料(或稱為safier)。safier材料包括水溶液，此水溶液包含熱響應(yīng)聚合物(thermo-responsivepolymers)，這些聚合物在烘烤制程期間有利于光阻劑的流動。safier材料可與光阻劑發(fā)生或不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，但在光阻劑流動的時為光阻劑側(cè)壁提供機械支撐。由safier材料提供的機械支撐使光阻圖案輪廓的劣化最小化。safier材料可在烘烤之后的顯影制程中被移除。作為一實施例，safier材料的細(xì)節(jié)敘述在xiaominyang等人所著的發(fā)表于“真空科學(xué)技術(shù)學(xué)報b(journalofvacuumscience&technologyb)”2004年12月第22卷第6版，標(biāo)題為“electron-beamsafiertmprocessanditsapplicationformagneticthin-filmheads”的論文中，此論文全部內(nèi)容以引用的方式并入本說明書中。

根據(jù)本說明書多個方面，表面活性劑粒子70混合在化學(xué)材料60中。表面活性劑粒子70包括減小液體之間或液體與固體之間的表面張力(或界面張力)的化合物或分子。例如，表面活性劑粒子可包括一分子，此分子具有可溶于水的端部及可溶于油的一相對端部。表面活性劑分子可積聚以形成微胞(micelles)。在一些實施方式中，表面活性劑粒子70中的每一粒子包括氟化化合物(fluorinatedcompound)。在其他某些實施方式中，表面活性劑粒子70中的每一粒子包括烴化合物(hydrocarboncompound)。

如圖1所示，表面活性劑粒子70混合在化學(xué)材料60中以使得這些粒子均勻分布在整個化學(xué)材料60中。換言之，表面活性劑粒子70均勻地或平均地混合在化學(xué)材料60內(nèi)。在其他某些實施方式中，表面活性劑粒子70仍分布在整個化學(xué)材料60中，但此分布可能不完全均勻。在任一情況下，通過在化學(xué)材料60中混合表面活性劑粒子而獲得的化學(xué)混合物將在隨后的制程中施加于光阻圖案。為便于參考，此化學(xué)混合物可互換地在下文中被稱作收縮材料。

圖2-15是根據(jù)本說明書實施方式經(jīng)歷不同制造階段的半導(dǎo)體裝置的概略的局部剖面?zhèn)纫晥D。請參照圖2，提供基板100?；?00可包括摻雜有諸如磷或砷的n型摻雜劑的硅基板，或此硅基板可摻雜有諸如硼的p型摻雜劑。基板100亦可包括諸如鍺及金鋼石的其他元素的半導(dǎo)體?；蹇蛇x擇性地包括化合物半導(dǎo)體及/或合金半導(dǎo)體。此外，基板100可包括磊晶層(epi-layer)，基板100可經(jīng)應(yīng)變以實現(xiàn)效能增強，基板100也可包括硅上絕緣體(silicononinsulator；soi)結(jié)構(gòu)。亦理解，一或更多個層亦可在基板100上方形成，但為簡化起見，這些層并未在圖2中具體繪示。為本說明書的目的，在下文所述的基板100可視作僅包括基板100自身，或可視作包括形成于基板100上方的一或更多個層。

光阻圖案110及111形成于基板100上方。光阻圖案110及111可通過在基板100上方沉積(例如旋涂)光阻膜以及之后在微影制程中將此光阻膜圖案化而形成，其可包含一或更多個制程，如曝光、曝光后烘烤、顯影等(未必依此次序)。圖2中繪示的光阻圖案110-111處于顯影后檢驗(after-developing-inspection；adi)階段。在此階段中，光阻圖案110-111由間隙120分隔，或可稱為光阻圖案110-111定義溝槽120。間隙/溝槽120具有高度130(垂直維度)及寬度140(橫向維度)。溝槽120的深寬比可定義為高度130與寬度140的比率。

隨著半導(dǎo)體裝置制造技術(shù)發(fā)展，需要有更大的深寬比。提高深寬比的一個方式是通過應(yīng)用收縮材料來減小寬度140。舉例而言，請參照圖3，收縮材料60施加到基板100上方及涂布在光阻圖案110-111上。在圖3繪示的實施方式中，收縮材料60包括前文論述的relacs材料。收縮材料60的涂布可通過使用旋涂制程來完成。如前文所論述，表面活性劑粒子70已混合至整個收縮材料60，例如以均勻分布的方式。因此，表面活性劑粒子70亦混合在整個涂布的收縮材料60中(亦即涂布在光阻圖案110-111之上及周圍)。借此，光阻圖案110-111的側(cè)壁表面上(或附近)配置有表面活性劑粒子60。

現(xiàn)請參照圖4，對收縮材料60及光阻圖案110-111執(zhí)行烘烤制程(或加熱制程)180。在一些實施方式中，烘烤制程在溫度為約140℃至170℃之間的范圍執(zhí)行，制程時間為約60秒至約120秒之間的范圍。烘烤制程180在光阻圖案110-111周圍形成交聯(lián)膜(cross-linkingfilms)200及201?；貞?yīng)于烘烤制程180中的熱能，涂布在光阻圖案110-111周圍的收縮材料60(在此為relacs材料)的部分經(jīng)歷化學(xué)反應(yīng)，借此使得收縮材料60的這些部分變成交聯(lián)。因此，交聯(lián)膜200-201形成于光阻圖案110-111的上表面及側(cè)壁表面上。由于交聯(lián)性質(zhì)，交聯(lián)膜200-201黏附于光阻圖案110-111的上表面及側(cè)壁表面，此舉阻止交聯(lián)膜200-201在隨后的顯影制程中被移除。換言之，當(dāng)光阻圖案110-111在隨后制程中用作遮罩時，交聯(lián)膜200-201可被視為放大的光阻圖案110-111中的一部分。

根據(jù)本說明書多個方面，至少某些表面活性劑粒子70分布在交聯(lián)膜200-201的側(cè)壁表面上(或附近)，例如在側(cè)壁表面220-221上或附近。如上所述，表面活性劑粒子70是配置以減少側(cè)壁表面上的表面張力(例如，側(cè)壁表面220-221上的表面張力)。因而，配置在交聯(lián)膜200-201的側(cè)壁表面上的表面活性劑粒子70可減少光阻圖案110-111在隨后執(zhí)行的顯影制程中所經(jīng)歷的毛細(xì)力，下文中更詳細(xì)地論述。

現(xiàn)請參照圖5，執(zhí)行顯影制程250以移除收縮材料60中尚未交聯(lián)的部分。顯影制程250包括應(yīng)用顯影溶液以沖洗收縮材料60及光阻圖案110-111。在一些實施方式中，顯影溶液包含純水或去離子水(de-ionizedwater；diw)。在其他實施方式中，顯影溶液包含氫氧化四甲銨(tetramethylammoniumhydroxide,tmah)。收縮材料60的移除形成溝槽(或間隙)120a于光阻圖案110-111之間。與圖2所示的先前的溝槽120相比，縮小的溝槽120a具有增加的高度(垂直維度)130a及減小的寬度(橫向維度)140a。減小的寬度140a讓更小的裝置尺寸得以實現(xiàn)。例如，光阻圖案110-111可用以(作為遮罩)圖案化更小的接觸孔，以作為互連結(jié)構(gòu)的部分，或這些光阻圖案可用以(作為離子植入遮罩)形成影像感測器裝置的更小的像素。

如前文所論述，配置在側(cè)壁表面220-221上或附近的表面活性劑粒子70減少側(cè)壁表面的表面張力。毛細(xì)力與表面張力有關(guān)(或為表面張力的函數(shù))。例如，fc(毛細(xì)力)與γ*cos2θ(表面張力)有關(guān)。因為配置在側(cè)壁上的表面活性劑粒子70的存在使側(cè)壁220-221上的表面張力減少，溝槽120a內(nèi)側(cè)的毛細(xì)力亦減少。

溝槽內(nèi)側(cè)的毛細(xì)力減少是有益的，因為此舉減少光阻圖案110-110塌陷的可能性。更詳細(xì)而言，隨著裝置的尺寸變小，溝槽120a變得越來越窄。因此，溝槽120a內(nèi)側(cè)的毛細(xì)力的效應(yīng)變得越來越明顯。毛細(xì)力有效地將光阻圖案110-111向彼此“拉動”。若毛細(xì)力強于光阻圖案110-111與基板100的黏附力，則光阻圖案110-111的一者(或兩者)可能傾倒及塌陷。光阻圖案110-111塌陷的可能性隨著溝槽120a變得更高及更窄而進一步增加。換言之，因為溝槽120a比溝槽120具有更小的寬度140a及更大的高度130a，因此溝槽120a的深寬比增大，從而使得光阻圖案110-111更可能塌陷。

然而，側(cè)壁表面220-221上的表面活性劑粒子70的存在減少側(cè)壁上的表面張力，從而減少在顯影制程250期間光阻圖案110-111所經(jīng)歷的毛細(xì)力。因此，盡管溝槽120a具有增大的深寬比，但毛細(xì)力的減少卻減少光阻圖案塌陷的可能性。此意謂著可形成比傳統(tǒng)的方式更高及更靠近彼此的光阻圖案110-111(亦即兩個圖案之間具有更高深寬比的溝槽)。例如，溝槽120a可形成具有高達(dá)11:1的深寬比，或高達(dá)12:1(甚至更大)的深寬比，而無光阻圖案塌陷的風(fēng)險；但一般光阻圖案之間的溝槽的深寬比具有高達(dá)約8:1或9:1的深寬比，而無光阻圖案塌陷的風(fēng)險。較高的深寬比(亦即更高及定位更靠近)的光阻圖案110-111在執(zhí)行隨后的制造制程時是有利的，這些制程例如接觸孔的蝕刻或通過離子植入形成像素，下文將進一步詳細(xì)論述。

圖3-5繪示本說明書中使用relacs材料作為收縮材料60的實施方式。圖6-8繪示本說明書中使用safier材料(前文關(guān)于圖1的論述)用作收縮材料的另一實施方式。為清楚及一致性的理由，圖3-8中出現(xiàn)的相似組件將以相同符號標(biāo)記。

請參照圖6，包含safier材料的收縮材料60施加到基板100上方及涂布在光阻圖案110-111上。此外，因為表面活性劑粒子70已經(jīng)混合在整個(例如均勻分布或均勻分布)收縮材料60中，因此表面活性劑粒子70亦配置在光阻圖案110-111的側(cè)壁表面上(或附近)。

現(xiàn)請參照圖7，對收縮材料60及光阻圖案110-111執(zhí)行烘烤制程(或加熱制程)180。在一些實施方式中，烘烤制程在制程溫度為約100℃至160℃之間的范圍內(nèi)執(zhí)行，制程期間為約60秒至約90秒之間的范圍。safier材料包含熱響應(yīng)性聚合物(thermo-responsivepolymers)，這些聚合物在烘烤制程180期間促進光阻劑流動。換言之，光阻圖案110及111向外橫向流動，且分別重新塑形(reshaped)為光阻圖案110a及111a。，光阻圖案在流動發(fā)生之前的側(cè)壁在此以虛線繪示，在圖7中使用橫向指向的箭頭繪示流動方向。光阻圖案的側(cè)壁220-221因此更靠近地移動向彼此，借此減少光阻圖案之間的距離。光阻圖案110a-111a的高度亦由于橫向擴張而減少。在光阻劑流動期間，收縮材料60(亦即safier材料)亦向光阻圖案110a-111a的側(cè)壁220-221提供一些機械支撐，因此允許側(cè)壁220-221維持其形狀。

在光阻劑流動形成光阻圖案110a-111a之后，至少一些表面活性劑粒子70仍分布在光阻圖案110a-111a的側(cè)壁表面220-221上(或附近)，因為表面活性劑粒子是均質(zhì)地混合在收縮材料60中。如前文所論述，表面活性劑粒子70是配置以減少側(cè)壁表面220-221上的表面張力，此舉在下文討論的顯影制程中減少光阻圖案110a-111a所經(jīng)歷的毛細(xì)力。

現(xiàn)請參照圖8，執(zhí)行顯影制程250以移除收縮材料。顯影制程250包括應(yīng)用顯影溶液以洗凈收縮材料60及光阻圖案110-111。在一些實施方式中，顯影溶液包含去離子水(de-ionizedwater；diw)。移除收縮材料60在光阻圖案110a-111a之間形成溝槽(或間隙)120b。與圖2繪示的之前的溝槽120相比，縮小的溝槽120b具有減少的高度(垂直維度)130b及減小的寬度(橫向維度)140b。減小的寬度140b允許形成更小的裝置尺寸。例如，光阻圖案110a-111a可用以(作為遮罩)圖案化更小的接觸孔以作為互連結(jié)構(gòu)的部分，或這些光阻圖案可用以(作為離子植入遮罩)形成影像感測器裝置的更小的像素。減小的高度130b可通過首先形成更高的光阻圖案110-111而得以補償。

如前文所論述，配置在側(cè)壁表面220-221上或附近的表面活性劑粒子70減少側(cè)壁表面的表面張力。如上所述，毛細(xì)力與表面張力有關(guān)。因為側(cè)壁220-221上的表面張力由于配置在側(cè)壁上的表面活性劑粒子70的存在而減少，溝槽120b內(nèi)側(cè)的毛細(xì)力亦減少。且由于前文所述的原因，溝槽120b內(nèi)側(cè)的毛細(xì)力減少降低了光阻圖案110-110塌陷的可能性。此意謂著可以形成比傳統(tǒng)可行方式更高及更靠近彼此的光阻圖案110a-111a(亦即具有更高深寬比的溝槽，例如大于11:1)的圖案，這是有利于隨后的制造制程，例如接觸孔蝕刻或通過離子植入形成像素，下文將更詳細(xì)地討論。

圖9-11繪示通過使用圖5的光阻圖案110-111或圖8的光阻圖案110a-111a作為遮罩來形成導(dǎo)電接觸點(conductivecontacts)的制程。請參照圖9，源極/漏極區(qū)域300形成于基板100中。源極/漏極區(qū)域300是諸如mosfet的晶體管裝置的源極或漏極。源極/漏極區(qū)域300可通過一或多個離子植入或擴散制程而形成。介電層310形成于源極/漏極區(qū)域300上方。介電層310可包含低介電常數(shù)(low-k)的介電材料。

圖5的光阻圖案110-111(或圖8的光阻圖案110a-111a)通過前文討論的與圖2-5或圖6-8相關(guān)連的制程而形成于介電層310上方。換言之，形成光阻圖案110-111(或110a-111a)是通過將光阻膜圖案化成為被間隙/溝槽120a(或120b)分隔的不同光阻圖案，然后利用應(yīng)用收縮材料60而減少間隙/溝槽，此收縮材料60具有混合于其中的表面活性劑粒子70。縮小的溝槽120a/120b可由于其側(cè)壁上的表面活性劑粒子而實現(xiàn)更高的深寬比(亦即更窄及/或更高)，在顯影制程期間，隨著收縮材料60被移除，這些表面活性劑粒子減少毛細(xì)力。為簡化起見，表面活性劑粒子70(或交聯(lián)薄膜200-201)未具體繪示在圖9中。光阻圖案110-111(或110a-111a)現(xiàn)在可作為遮罩以圖案化源極/漏極區(qū)域300的接觸孔。

現(xiàn)請參照圖10，執(zhí)行蝕刻制程330至介電層310以使溝槽120a/120b延伸至介電層310內(nèi)。換言之，介電層310被“打開”，以便曝露源極/漏極區(qū)域300的一部分。此開口亦被稱作接觸孔，因為導(dǎo)電觸點隨后將形成于此接觸孔中。通過使用光阻圖案110-111(或光阻圖案110a-111a)作為蝕刻遮罩而執(zhí)行蝕刻制程330。通過本說明書的制程所得溝槽120a(或120b)的更大深寬比允許讓這接觸孔形成的更小(例如更窄)。此外，此舉可在光阻圖案110-111(或110a-111a)無塌陷風(fēng)險的情況下完成。

現(xiàn)請參照圖11，例如通過光阻劑灰化或剝離制程移除光阻圖案110-111(或110a-111a)。導(dǎo)電觸點350形成于接觸孔中，此舉可通過將諸如鎢(或銅或鋁)的導(dǎo)電材料沉積在接觸孔中而進行。導(dǎo)電觸點350提供電連接性至晶體管的源極/漏極區(qū)域300。

除形成晶體管觸點(亦即形成接觸孔)之外，本說明書的制程亦可用于制造影像感測器裝置。影像感測器裝置是配置以感測諸如光的輻射的半導(dǎo)體影像感測器?；パa金屬氧化物半導(dǎo)體(complementarymetaloxidesemiconductor；cmos)影像感測器(cmosimagesensor；cis)及電荷耦合裝置(chargecoupleddevice；ccd)感測器已廣泛地使用于各種應(yīng)用中，例如數(shù)位靜態(tài)相機或行動電話相機的應(yīng)用。這些裝置利用包括光二極管及晶體管的基板中的像素陣列，此像素陣列可吸收照射向基板的輻射及將感測到的輻射轉(zhuǎn)化為電信號。影像感測器裝置更包括額外電路系統(tǒng)及輸入/輸出，其配備在像素格(gridofpixels)附近用以為像素提供操作環(huán)境以及支援外部與像素的通信。

影像感測器裝置可為前側(cè)照射(fsi)影像感測器或背側(cè)照射(bsi)影像感測器。在圖12中繪示的實施方式中，使用背側(cè)照射影像感測器裝置，但應(yīng)理解，本說明書的態(tài)樣亦可適合于前側(cè)照射影像感測器。

請參照圖12，背側(cè)照射影像感測器裝置400包括基板100，此基板亦可被視作裝置基板。裝置基板100具有前側(cè)(亦被稱作前表面)410及背側(cè)(亦被稱作背表面)420。對于諸如影像感測器裝置400的bsi影像感測器裝置而言，輻射從背側(cè)420射入(在下文討論的基板薄化制程之后)及穿過背表面420進入殘余基板。在一些實施方式中，基板初始厚度處于約100微米至約3000微米的范圍中，例如在約500微米與約1000微米之間。

圖5的光阻圖案110-111(或圖8的光阻圖案110a-111a)通過前文與圖2-5或圖6-8相關(guān)的討論的制程而形成于基板100上方。換言之，形成光阻圖案110-111(或110a-111a)是通過將光阻膜圖案化而成為被間隙/溝槽120a(或120b)分隔的不同光阻圖案，然后利用應(yīng)用收縮材料60而縮小間隙/溝槽，此收縮材料60具有混合于其中的表面活性劑粒子70?？s小的溝槽120a/120b由于其側(cè)壁上的表面活性劑粒子而可實現(xiàn)更高的深寬比(亦即更窄及/或更高)，在顯影制程期間，隨著收縮材料60被移除，這些表面活性劑粒子減少毛細(xì)力。為簡化起見，表面活性劑粒子70(或交聯(lián)薄膜200-201)不在圖12中具體繪示。

光阻圖案110-111(或110a-111a)可在離子植入制程440中用作遮罩，此制程經(jīng)執(zhí)行以在基板100前側(cè)410內(nèi)植入摻雜劑離子。光阻遮罩阻止離子被植入進入配置在光阻遮罩下方的基板100區(qū)域內(nèi)。離子經(jīng)由溝槽120a(或120b)被植入進入基板內(nèi)。植入離子具有與基板100相反類型的導(dǎo)電性，且形成影像感測器裝置400的輻射感測元件450，例如作為像素的一部分以偵測從背側(cè)420射向基板的光。在一些實施方式中，輻射感測元件450是光二極管的一部分。盡管在圖12中繪示單個輻射感測元件450，但應(yīng)理解，以類似方式形成多個輻射感測元件，這些輻射感測元件可被稱作像素陣列。

如前文所述，形成溝槽120a(或120b)以具有比已知制程中的溝槽更大的深寬比。此外，此更大深寬比可在光阻圖案110-111(或110a-111a)無塌陷風(fēng)險的情況下獲得。溝槽120a(或120b)的更小寬度140a(或140b)允許輻射感測元件450的寬度(橫向維度)與已知的輻射感測元件相比亦更小，因為輻射感測元件450的寬度與溝槽120a(或120b)的寬度直接相關(guān)。輻射感測元件450的更小寬度允許更大數(shù)目的像素擠壓在相同尺寸的封裝上，以用于影像感測器裝置400，或允許影像感測器裝置400小于已知的影像感測器裝置，上述兩個情況皆被視作改良。此外，更高的光阻圖案110-111(或110a-111a)允許光阻遮罩在阻斷摻雜劑離子植入至錯誤的基板100區(qū)域內(nèi)時更為有效。換言之，由于光阻遮罩高度增加，因此光阻遮罩更為有效。

盡管圖12中的實施方式直接使用光阻圖案110-111(或110a-111a)作為離子植入遮罩，但應(yīng)理解，在替代的實施方式中，光阻遮罩可用以圖案化其下方的層以先形成硬質(zhì)遮罩，然后在離子植入制程440中使用硬質(zhì)遮罩作為離子植入遮罩。

執(zhí)行額外制程以完成影像感測器裝置400的制造。請參照圖13，光阻遮罩被移除?；ミB結(jié)構(gòu)480形成于裝置基板100的前側(cè)410上方?；ミB結(jié)構(gòu)480包括多個圖案化介電層及導(dǎo)電層，這些介電層及導(dǎo)電層在影像感測器裝置400的多個摻雜特征、電路系統(tǒng)及輸入/輸出之間提供互連(例如布線)?；ミB結(jié)構(gòu)480包括層間介電質(zhì)(interlayerdielectric；ild)及多層互連(ultilayerinterconnect；mli)結(jié)構(gòu)。mli結(jié)構(gòu)包括觸點、通孔及金屬線路。mli結(jié)構(gòu)可包括諸如鋁、鋁/硅/銅合金、鈦、氮化鈦、鎢、多晶硅、金屬硅化物，或上述各者的組合的導(dǎo)電材料，此結(jié)構(gòu)被稱作鋁互連裝置?；ミB裝置元件可通過包括物理氣相沉積(physicalvapordeposition；pvd)(或濺射)、化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition；cvd)、原子層沉積(atomiclayerdeposition；ald)或上述各者的組合的制程形成。用以形成鋁互連裝置的其他制造技術(shù)可包括光微影處理及蝕刻，以圖案化導(dǎo)電材料而用于垂直連接(例如通孔/觸點)及水平連接(例如導(dǎo)電線路)。

又請參照圖13，緩沖層490形成于互連裝置結(jié)構(gòu)480上。在此實施方式中，緩沖層490包括諸如氧化硅的介電材料?；蛘?，緩沖層490可在可選擇性地包括氮化硅。緩沖層490通過cvd、pvd或其他適用技術(shù)而形成。緩沖層490通過cmp制程經(jīng)平坦化而形成平滑表面。

之后，載體基板500與裝置基板100經(jīng)由緩沖層490而黏接，以執(zhí)行裝置基板100的背側(cè)420的處理。此實施方式中的載體基板500類似于基板100并包括硅材料?；蛘?，載體基板500可包括玻璃基板或另一適合材料。載體基板500可通過分子力(被稱為直接黏接或光學(xué)熔融黏接的技術(shù))或通過此項技術(shù)中的其他已知黏接技術(shù)(如金屬擴散或陽極結(jié)合)黏接至裝置基板100。

緩沖層490在裝置基板100與載體基板500之間提供電性絕緣。載體基板500為形成于裝置基板100前側(cè)410上的多個特征提供了保護，例如輻射感測元件450。載體基板500亦為裝置基板100的背側(cè)420的處理提供機械強度及支撐，如下文所討論。在黏接之后，裝置基板100及載體基板500可選選擇性地經(jīng)退火以增強黏接強度。

請參照圖14，在黏接載體基板500之后，執(zhí)行薄化制程520以從背側(cè)420薄化裝置基板100。薄化制程520可包括機械研磨制程及化學(xué)薄化制程。在機械研磨制程期間，可先從裝置基板100上移除大量的基板材料。之后，化學(xué)薄化制程可向裝置基板100背側(cè)420施加蝕刻化學(xué)品以進一步將裝置基板100薄化至數(shù)微米的數(shù)量級的厚度。在一些實施方式中，被薄化的基板100的厚度為大于約1微米但小于約5微米。亦應(yīng)理解，本說明書中揭示的特定厚度僅為實施例，且可依據(jù)影像感測器裝置400的應(yīng)用類型及設(shè)計要求而實施其他厚度。

現(xiàn)請參照圖15，彩色濾光層540可形成于基板100的背側(cè)420上。彩色濾光層540可包含多個濾色器，這些濾色器經(jīng)定位以使得入射輻射導(dǎo)向這些濾色器上并穿過這些濾色器。濾色器可包括基于染料(dye-based)(或基于顏料(dye-based))的聚合物或樹脂以過濾入射輻射的特定波長帶，其對應(yīng)于色譜(例如紅、綠，及藍(lán))。之后，包含多個微透鏡的微透鏡層550形成于彩色濾光層540上方。微透鏡引導(dǎo)及聚焦入射輻射前往裝置基板100中的特定輻射感測區(qū)域，如輻射感測元件450。微透鏡可以被定位成各種配置方式并具有各種形狀，取決于微透鏡的材料折射率及與感測器表面的距離。在形成彩色濾光層540或微透鏡層550之前，裝置基板100也可進行非必要的雷射退火制程。

應(yīng)理解，上述制造制程的順序并非意欲限制。在本說明書中所示實施方式以外的其他實施方式中，一些層或裝置可根據(jù)不同的制程順序而形成。此外，可形成某些其他的層，但為簡化起見，并未在本說明書中繪示。例如，在彩色濾光層540及/或微透鏡層550形成之前，可在基板100背側(cè)420上方形成抗反射涂層(anti-reflectioncoating；arc)。

亦應(yīng)理解，以上的討論大部分是關(guān)于影像感測器裝置400的像素陣列區(qū)域。除像素區(qū)域之外，影像感測器裝置400亦包括周邊區(qū)域、黏合襯墊區(qū)域，及切割線區(qū)域。周邊區(qū)域可包括需要保持光學(xué)暗色(opticallydark)的裝置。這些裝置可包括數(shù)位裝置，例如特殊應(yīng)用集成電路(application-specificintegratedcircuit；asic)裝置或晶片上系統(tǒng)(systemonchip；soc)裝置，或用以為影像感測器裝置400形成光強度基線的基準(zhǔn)像素。保留黏接襯墊區(qū)域用于黏接襯墊的形成，以便可形成影像感測器裝置400與外部裝置之間的電連接。切割線區(qū)域包括將一個半導(dǎo)體晶粒與相鄰的半導(dǎo)體晶粒隔開的區(qū)域。在封裝晶粒及作為集成電路晶片出售晶粒之前，將在稍后的制造制程中貫穿切斷切割線區(qū)域，以分隔相鄰晶粒。為簡化起見，影像感測器裝置400的這些其他區(qū)域的細(xì)節(jié)并未在本說明書中繪示或描述。

上述論述亦是關(guān)于bsi影像感測器裝置。然而，設(shè)想本說明書的多個方面亦可應(yīng)用于前側(cè)照射(fsi)影像感測器裝置。例如，fsi影像感測器裝置亦可使用類似于本說明書中論述的像素210的像素，以偵測光，但光從前側(cè)射入(并進入基板)，而非背側(cè)。fsi影像感測器裝置不涉及晶圓背側(cè)薄化制程，且將改為在前側(cè)上形成濾色器及微透鏡。互連結(jié)構(gòu)以一種不阻礙或妨礙從前側(cè)射入的入射光的路徑的方式實施。可見，依據(jù)本說明書形成的光阻圖案(具有較高深寬比溝槽)亦可用以形成fsi影像感測器裝置的輻射感測元件。

圖16是根據(jù)本說明書實施方式繪示制造半導(dǎo)體裝置的方法600的流程圖。方法600包括在基板上方形成第一光阻圖案及第二光阻圖案的步驟610。第一光阻圖案通過間隙與第二光阻圖案分隔。

方法600包括在第一光阻圖案及第二光阻圖案上涂布化學(xué)混合物的步驟620?；瘜W(xué)混合物包含化學(xué)材料及混合至化學(xué)材料內(nèi)的表面活性劑粒子?；瘜W(xué)混合物充填間隙。

方法600包括在第一光阻圖案及第二光阻圖案上執(zhí)行烘烤制程的步驟630。烘烤制程使得間隙收縮。至少一些表面活性劑粒子配置在間隙的側(cè)壁邊界處。

方法600包括在第一光阻圖案及第二光阻圖案上執(zhí)行顯影制程的步驟640。顯影制程移除間隙中及光阻圖案上方的化學(xué)混合物。配置在間隙的側(cè)壁邊界處的表面活性劑粒子減少顯影制程期間的毛細(xì)效應(yīng)。

在一些實施方式中，化學(xué)材料具有熱交聯(lián)性質(zhì)，以使得步驟630的烘烤制程導(dǎo)致化學(xué)混合物的一部分變得與第一光阻圖案及第二光阻圖案的側(cè)壁交聯(lián)。化學(xué)混合物的交聯(lián)部分定義間隙的側(cè)壁邊界。

在一些實施方式中，化學(xué)材料包含熱響應(yīng)性共聚物，這些共聚物促進第一光阻圖案及第二光阻圖案在步驟630的烘烤制程期間的流動。第一光阻圖案及第二光阻圖案的流動導(dǎo)致間隙收縮。

應(yīng)理解，可在方法600的步驟610-640之前、期間，及之后可執(zhí)行額外步驟。例如，方法600可在涂布之前包括一步驟：以均勻分布方式在化學(xué)材料中混合表面活性劑粒子。在一些實施方式中，方法600在混合之前包括一步驟：獲得氟化表面活性劑以作為表面活性劑粒子。在一些實施方式中，方法600在混合之前包括一步驟：獲得烴表面活性劑以作為表面活性劑粒子。在一些實施方式中，方法600在執(zhí)行顯影制程之后包括一步驟：形成接觸孔，其中接觸孔的形成是通過將第一光阻圖案及第二光阻圖案用作遮罩來執(zhí)行的。在一些實施方式中，方法600在執(zhí)行顯影制程之后包括一步驟：形成影像感測器裝置的感光像素，其中感光像素的形成是通過將第一光阻圖案及第二光阻圖案用作遮罩來執(zhí)行的。

圖17是根據(jù)本說明書實施方式繪示制造半導(dǎo)體裝置的方法700的流程圖。方法700包括在化學(xué)材料中混合表面活性劑化合物的步驟710，此化學(xué)材料具有熱交聯(lián)性質(zhì)。

方法700包括在基板上方形成第一光阻圖案及第二光阻圖案的步驟720，此第一光阻圖案及第二光阻圖案定義此兩個圖案之間的溝槽。

方法700包括在基板上方及第一光阻圖案及第二光阻圖案周圍施加混合有表面活性劑化合物的化學(xué)材料的步驟730。

方法700包括加熱化學(xué)材料及光阻圖案的步驟740，借此將配置在第一光阻圖案及第二光阻圖案上的化學(xué)材料的部分轉(zhuǎn)變?yōu)榻宦?lián)材料。交聯(lián)材料的側(cè)壁表面上配置有表面活性劑化合物。

方法700包括通過應(yīng)用顯影溶液來顯影第一光阻圖案及第二光阻圖案的步驟750。顯影通過移除尚未轉(zhuǎn)換至交聯(lián)材料的化學(xué)材料部分而減少溝槽寬度。交聯(lián)材料的側(cè)壁表面上配置的表面活性劑化合物減少第一光阻圖案及第二光阻圖案在顯影期間經(jīng)受的毛細(xì)力。

在一些實施方式中，混合包括：在化學(xué)材料中均勻地混合表面活性劑化合物。

應(yīng)理解，可在方法700的步驟710-750之前、期間，及之后可執(zhí)行額外步驟。例如，在一些實施方式中，方法700可在混合之前包括一步驟：獲得氟化表面活性劑以作為表面活性劑化合物。在一些實施方式中，方法700在混合之前可包括一步驟：獲得烴表面活性劑以作為表面活性劑化合物。在一些實施方式中，方法700可在顯影之后包括一步驟：通過蝕刻制程形成接觸孔，在此制程中第一光阻圖案及第二光阻圖案作為蝕刻遮罩。在一些實施方式中，方法700可在顯影之后包括一步驟：通過離子植入制程形成影像感測器裝置的輻射感測區(qū)域，在此制程中第一光阻圖案及第二光阻圖案作為植入遮罩。

圖18是根據(jù)本說明書實施方式繪示制造半導(dǎo)體裝置的方法800的流程圖。方法800包括在整個化學(xué)材料中混合表面活性劑分子的步驟810?；瘜W(xué)品包含熱響應(yīng)性共聚合物，此共聚合物可促進光阻劑材料的流動，以回應(yīng)于被烘烤。

方法800包括在基板上方形成第一光阻圖案及第二光阻圖案的步驟820。第一光阻圖案及第二光阻圖案由溝槽分隔。

方法800包括在第一光阻圖案及第二光阻圖案上方涂布混合有表面活性劑分子的化學(xué)材料的步驟830。

方法800包括烘烤化學(xué)材料及光阻圖案的步驟840。化學(xué)材料回應(yīng)于烘烤而誘發(fā)第一光阻圖案及第二光阻圖案流向彼此，借此減少溝槽的橫向維度。在流動期間，化學(xué)材料向第一光阻圖案及第二光阻圖案的側(cè)壁提供機械支撐。表面活性劑分子存在于溝槽側(cè)壁邊界上。

方法800包括通過使用顯影溶液來顯影第一光阻圖案及第二光阻圖案的步驟850。顯影溶液移除化學(xué)材料。通過表面活性劑分子在溝槽側(cè)壁邊界上的存在而減少溝槽內(nèi)側(cè)的毛細(xì)力。

在一些實施方式中，步驟810中的混合包括在化學(xué)材料內(nèi)混合氟化表面活性劑分子。在一些實施方式中，步驟820中的混合包括在化學(xué)材料內(nèi)混合烴表面活性劑分子。在一些實施方式中，混合包括：在化學(xué)材料中均勻地混合表面活性劑分子。

應(yīng)理解，可在方法800的步驟810-850之前、期間，及的可執(zhí)行額外的步驟。例如，在一些實施方式中，方法800包括至少部分地通過蝕刻制程形成接觸孔的步驟，此第一光阻圖案及第二光阻圖案作為蝕刻制程的遮罩。在其他某些實施方式中，方法800在顯影之后包括一步驟：通過離子植入制程形成影像感測器裝置的輻射感測區(qū)域，此第一光阻圖案及第二光阻圖案作為離子植入制程中的植入遮罩。

基于上述討論，可見，本說明書提供優(yōu)于已知半導(dǎo)體制造的優(yōu)點。然而，應(yīng)理解，其他實施方式可提供額外優(yōu)點，而本說明書中并非必然揭示全部的優(yōu)點，因此對全部的實施方式而言，沒有特定的優(yōu)點是必須的。一個優(yōu)點是光阻圖案可在圖案之間形成有較高深寬比的溝槽，而無光阻圖案塌陷的風(fēng)險。例如，如上述論述，化學(xué)收縮材料(或relacs或safier)允許光阻圖案有效橫向“收縮”，此減少溝槽的橫向維度或?qū)挾取Ｔ诖酥瞥讨?，用以移除收縮材料的顯影溶液在溝槽內(nèi)側(cè)產(chǎn)生毛細(xì)力，這些毛細(xì)力可在光阻圖案上拉動。已知如若光阻圖案過高及/或如若光阻圖案位置過于靠近彼此，則毛細(xì)力可導(dǎo)致光阻圖案塌陷。為避免此問題，已知光阻圖案形成方法通過減少光阻圖案高度或增大光阻圖案之間的空間來限制溝槽深寬比，在裝置尺寸日益減小的先進半導(dǎo)體制造中，這些方法中無一是合乎需要的。

相較而言，本說明書通過在化學(xué)收縮材料中混合表面活性劑粒子而克服了此問題，以使得一些表面活性劑粒子在顯影制程期間配置在溝槽側(cè)壁表面之上。表面活性劑粒子減少表面張力，此表面張力與毛細(xì)力相關(guān)。因而，光阻圖案經(jīng)受的毛細(xì)力效應(yīng)亦因為這些表面活性劑粒子的存在而減少，此舉減小光阻圖案塌陷的風(fēng)險。因此，與已知可能情況相比，本說明書可形成具有更大高度及/或更近間隔的光阻圖案，而沒有光阻圖案塌陷問題的風(fēng)險。這些光阻圖案可在隨后的例如接觸孔形成或像素離子植入的制程中作為遮罩以獲得更佳的結(jié)果，例如更小裝置尺寸或更大裝置圖案密度。其他優(yōu)點可包括更低成本、增大產(chǎn)率，及與現(xiàn)有制程流程的相容。

本說明書的一個方面涉及制造半導(dǎo)體裝置的方法。第一光阻圖案及第二光阻圖案在基板上方形成。第一光阻圖案通過間隙與第二光阻圖案分隔?；瘜W(xué)混合物被涂布在第一光阻圖案及第二光阻圖案上?；瘜W(xué)混合物包含化學(xué)材料及混合至化學(xué)材料內(nèi)的表面活性劑粒子?；瘜W(xué)混合物充填間隙。在第一光阻圖案及第二光阻圖案上執(zhí)行烘烤制程，此烘烤制程導(dǎo)致間隙收縮。至少一些表面活性劑粒子配置在間隙的側(cè)壁邊界處。在第一光阻圖案及第二光阻圖案上執(zhí)行顯影制程。顯影制程移除間隙中及光阻圖案上方的化學(xué)混合物。配置在間隙的側(cè)壁邊界處的表面活性劑粒子減少顯影制程期間的毛細(xì)效應(yīng)。

本說明書的一個方面涉及制造半導(dǎo)體裝置的方法。表面活性劑化合物混合在具有熱交聯(lián)性質(zhì)的化學(xué)材料中。第一光阻圖案及第二光阻圖案在基板上方形成。第一光阻圖案及第二光阻圖案定義圖案之間的溝槽。其中混合有表面活性劑化合物的化學(xué)材料施加在基板上方及第一光阻圖案及第二光阻圖案周圍。加熱化學(xué)材料及光阻圖案，借此將化學(xué)材料中配置在第一光阻圖案及第二光阻圖案上的部分轉(zhuǎn)換為交聯(lián)材料。交聯(lián)材料的側(cè)壁表面上配置有表面活性劑化合物。第一光阻圖案及第二光阻圖案通過應(yīng)用顯影溶液而顯影。顯影通過移除尚未轉(zhuǎn)換至交聯(lián)材料的化學(xué)材料部分而減少溝槽寬度。交聯(lián)材料的側(cè)壁表面上配置的表面活性劑化合物減少第一光阻圖案及第二光阻圖案在顯影期間經(jīng)受的毛細(xì)力。

本說明書的一個方面涉及制造半導(dǎo)體裝置的方法。表面活性劑分子混合在整個化學(xué)材料中?；瘜W(xué)品包含熱響應(yīng)性共聚合物，此共聚合物促進光阻劑材料回應(yīng)于烘烤的流動。第一光阻圖案及第二光阻圖案在基板上方形成。第一光阻圖案及第二光阻圖案由溝槽分隔。其中混合有表面活性劑分子的化學(xué)材料涂布在第一光阻圖案及第二光阻圖案上方。在涂布之后，烘烤化學(xué)材料及光阻圖案。化學(xué)材料回應(yīng)于烘烤而誘發(fā)第一光阻圖案及第二光阻圖案流向彼此，借此減少溝槽的橫向維度。在流動期間，化學(xué)材料向第一光阻圖案及第二光阻圖案的側(cè)壁提供機械支撐。表面活性劑分子存在于溝槽側(cè)壁邊界上。在烘烤之后，通過使用顯影溶液而顯影第一光阻圖案及第二光阻圖案。顯影溶液移除化學(xué)材料。通過表面活性劑分子在溝槽側(cè)壁邊界上的存在而減少溝槽內(nèi)側(cè)的毛細(xì)力。

前述內(nèi)容已概括數(shù)個實施方式的特征，以便彼等熟悉此項技術(shù)者可更佳地理解下文中的詳細(xì)說明。彼等熟悉此項技術(shù)者應(yīng)了解，本說明書可易于用作設(shè)計或修正其他制程及結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)，以實現(xiàn)與本說明書介紹的實施方式相同的目的及/或達(dá)到與其相同的優(yōu)點。彼等熟悉此項技術(shù)者亦應(yīng)了解，此種同等構(gòu)造不脫離本說明書的精神及范疇，及可在不脫離本說明書精神及范疇的情況下在本說明書中進行多種變更、取代及更動。