本發(fā)明涉及一種線路板結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤其涉及一種具有可金屬化感光顯影基材的線路板結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

在目前的半導(dǎo)體封裝工藝中，由于線路板具有布線細(xì)密、組裝緊湊及性能良好等優(yōu)點(diǎn)，使得線路板已成為經(jīng)常使用的構(gòu)裝組件之一。線路板能與多個(gè)電子組件(electronic component)組裝，而這些電子組件例如是芯片(chip)與被動(dòng)組件(passive component)。通過線路板，這些電子組件得以彼此電性連接，而信號才能在這些電子組件之間傳遞。

一般而言，線路板主要是由多層圖案化線路層及多層絕緣層交替迭合而成，并藉由導(dǎo)電盲孔(conductive via)形成圖案化線路層彼此之間的電性連接。傳統(tǒng)的導(dǎo)電盲孔的形成方法通常是以激光鉆孔的方式形成一貫穿絕緣層的盲孔，并使盲孔暴露下方的線路層。之后，進(jìn)行一除膠渣工藝，以清除因激光鉆孔而產(chǎn)生的膠渣。接著，再于盲孔中形成一導(dǎo)電層，以電性連接下方的線路層。

值得注意的是，在上述激光鉆孔的過程中，未被激光完全去除的膠渣會殘留在盲孔的孔壁上，故后續(xù)仍須以堿性藥液進(jìn)行除膠渣處理，因此，目前的盲孔工藝步驟仍舊相當(dāng)?shù)胤睆?fù)。并且，在除膠渣的過程中，盲孔下方的銅層易于堿性藥液中剝離，因而影響工藝的良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種線路板結(jié)構(gòu)，其工藝效率以及工藝良率較高。

本發(fā)明提供一種線路板結(jié)構(gòu)的制作方法，其可有效提升工藝效率以及工藝良率。

本發(fā)明的線路板結(jié)構(gòu)包括基板、多個(gè)可金屬化感光顯影基材、化學(xué)鍍種子層及第二圖案化線路層?；灏ㄉ媳砻?、相對上表面的下表面以及第一圖案化線路層?？山饘倩泄怙@影基材分別設(shè)置于上表面及下表面。各可金屬化感光顯影基材包括多個(gè)盲孔，其分別暴露至少部分的第一圖案化線路層，且各可金屬化感光顯影基材的材料包括光敏感材料?；瘜W(xué)鍍種子層設(shè)置于可金屬化感光顯影基材上并覆蓋各盲孔的內(nèi)壁。第二圖案化線路層分別設(shè)置于第一化學(xué)鍍種子層上并填充于盲孔內(nèi)，以與第一圖案化線路層電性連接。

本發(fā)明的線路板結(jié)構(gòu)的制作方法包括下列步驟。提供基板，其中基板包括上表面、相對上表面的下表面以及第一圖案化線路層。各設(shè)置可金屬化感光顯影基材于上表面及下表面，其中各可金屬化感光顯影基材的材料包括光敏感材料。對可金屬化感光顯影基材進(jìn)行曝光顯影工藝，以于各可金屬化感光顯影基材上形成多個(gè)盲孔，且盲孔暴露部分的第一圖案化線路層。進(jìn)行化學(xué)鍍工藝，以形成化學(xué)鍍種子層于可金屬化感光顯影基材上，且化學(xué)鍍種子層覆蓋各盲孔的內(nèi)壁。形成第二圖案化線路層，其中第二圖案化線路層設(shè)置于化學(xué)鍍種子層上并填充于盲孔內(nèi)，以與第一圖案化線路層電性連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的基板還包括絕緣基材，且第一圖案化線路層設(shè)置于絕緣基材上。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的基板還包括貫穿絕緣基材的通孔，且第一圖案化線路層覆蓋通孔的內(nèi)壁。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的基板還包括填充材，填充于通孔內(nèi)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可金屬化感光顯影基材的材料包括聚酰亞胺(polyimide,PI)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各化學(xué)鍍種子層的材料包括鎳。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各第二圖案化線路層的材料包括銅。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的提供基板的步驟還包括下列步驟：提供絕緣基材。形成通孔于絕緣基材上，其中通孔貫穿絕緣基材。形成第一圖案化線路層于絕緣基材上，且第一圖案化線路層覆蓋通孔的內(nèi)壁。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的線路板結(jié)構(gòu)的制作方法還包括下列步驟：設(shè)置一填充材于通孔內(nèi)，以填充通孔。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成盲孔的步驟包括：形成圖案化干膜層于可金屬化感光顯影基材的多個(gè)移除區(qū)上，其中移除區(qū)的位置分別對應(yīng)盲孔。進(jìn)行曝光工藝，以對未被各圖案化干膜層所覆蓋的部分可金屬化感光顯影基材進(jìn)行曝光。進(jìn)行顯影工藝，以移除未被曝光的移除區(qū)而形成盲口。移除圖案化干膜層。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成盲孔的步驟包括：形成圖案化干膜層于可金屬化感光顯影基材上，其中圖案化干膜層暴露出多個(gè)移除區(qū)，且移除區(qū)的位置分別對應(yīng)盲孔。進(jìn)行曝光工藝，以對被暴露的移除區(qū)進(jìn)行曝光。進(jìn)行顯影工藝，以移除被曝光的移除區(qū)而形成盲口。移除圖案化干膜層。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成第二圖案化線路層的步驟包括：形成金屬層于化學(xué)鍍種子層上。形成圖案化干膜層于金屬層上，且圖案化干膜層至少覆蓋填充于盲孔內(nèi)的部分金屬層。進(jìn)行蝕刻工藝，以移除未被圖案化干膜層所覆蓋的部分金屬層而形成第二圖案化線路層。移除圖案化干膜層。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成第二圖案化線路層的步驟包括：形成圖案化干膜層于化學(xué)鍍種子層上，且圖案化干膜層至少暴露盲孔。以圖案化干膜層為罩幕進(jìn)行電鍍工藝，以形成第二圖案線路層。移除圖案化干膜層以暴露下方的部分化學(xué)鍍種子層。進(jìn)行蝕刻工藝，以移除暴露的部分化學(xué)鍍種子層。

基于上述，本發(fā)明利用可金屬化感光顯影基材的光敏感特性對其進(jìn)行曝光顯影工藝，以于可金屬化感光顯影基材上形成多個(gè)盲孔。并且，本發(fā)明通過化學(xué)鍍工藝于可金屬化感光顯影基材的表面形成化學(xué)鍍種子層，以便于后續(xù)利用化學(xué)鍍種子層作為導(dǎo)電路徑進(jìn)行電鍍工藝而形成圖案化線路層，且圖案化線路層填充于盲孔內(nèi)，以通過盲孔電性連接迭構(gòu)間的圖案化線路。因此，本發(fā)明有效簡化了線路板結(jié)構(gòu)的工藝步驟，提升工藝效率。除此之外，本發(fā)明也可避免現(xiàn)有的盲孔工藝中激光鉆孔所產(chǎn)生的膠渣殘留在盲孔內(nèi)的問題，因而可提升線路板結(jié)構(gòu)的工藝良率。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1H是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種線路板結(jié)構(gòu)的制作方法的流程剖面示意圖；

圖2是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種線路板結(jié)構(gòu)的制作方法的部分流程剖面示意圖；

圖3A至圖3C是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種線路板結(jié)構(gòu)的制作方法的部分流程剖面示意圖。

附圖標(biāo)記：

100：線路板結(jié)構(gòu)

110：基板

111：絕緣基材

112：上表面

114：下表面

116：第一圖案化線路層

118：通孔

119：填充材

120：可金屬化感光顯影基材

122：盲孔

130：化學(xué)鍍種子層

140：金屬層

142：第二圖案化線路層

150、160、170、180：圖案化干膜層

R1：移除區(qū)

具體實(shí)施方式

有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合附圖的各實(shí)施例的詳細(xì)說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。以下實(shí)施例中所提到的方向用語，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而并非用來限制本發(fā)明。并且，在下列各實(shí)施例中，相同或相似的組件將采用相同或相似的標(biāo)號。

圖1A至圖1H是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種線路板結(jié)構(gòu)的制作方法的流程剖面示意圖。本實(shí)施例的線路板結(jié)構(gòu)的制作方法包括下列步驟。首先，提供如圖1A所示的基板110，其中，基板110包括上表面112、相對上表面112的下表面114以及第一圖案化線路層116。詳細(xì)而言，形成上述的基板110的方法可例如先提供絕緣基材111。接著，形成通孔118于絕緣基材111上，其中，通孔118貫穿絕緣基材111。之后再形成第一圖案化線路層116于絕緣基材111上，且第一圖案化線路層116覆蓋通孔118的內(nèi)壁，并設(shè)置填充材119于通孔118內(nèi)，以填充通孔118，即可形成如圖1A所示的基板110。當(dāng)然，本實(shí)施例僅用以舉例說明，本發(fā)明并不限制基板110的形成方法以及基板110的形式。

接著，請參照圖1B，各設(shè)置可金屬化感光顯影基材120于基板110的上表面112及下表面114，其中，可金屬化感光顯影基材120的材料包括光敏感材料以及聚酰亞胺(polyimide,PI)。在本實(shí)施例中，可金屬化感光顯影基材120可為正光阻或是負(fù)光阻，以便于后續(xù)直接對可金屬化感光顯影基材120進(jìn)行曝光顯影工藝。若可金屬化感光顯影基材120為負(fù)光阻，則可金屬化感光顯影基材120經(jīng)曝光后會固化而無法溶于顯影液中，相反地，若可金屬化感光顯影基材120為正光阻，則可金屬化感光顯影基材120經(jīng)曝光后會產(chǎn)生裂解而極易溶于顯影液中。并且，可金屬化感光顯影基材120可例如是經(jīng)過特殊的活化及敏化處理的基材，以便于后續(xù)直接于其上進(jìn)行化學(xué)鍍工藝。

接著，請參照圖1C以及圖1D，對可金屬化感光顯影基材120進(jìn)行曝光顯影工藝，以于各可金屬化感光顯影基材120上形成多個(gè)如圖1D所示的盲孔122，且盲孔122暴露部分的第一圖案化線路層116。在本實(shí)施例中，盲孔122可為用以電性連接線路板結(jié)構(gòu)中任意兩相鄰的圖案化線路層的導(dǎo)通孔。在此須說明的是，在如圖1C所示的實(shí)施例中，可金屬化感光顯影基材120為負(fù)光阻，也就是說，可金屬化感光顯影基材120經(jīng)曝光后會固化而無法溶于顯影液中。如此，前述的曝光顯影工藝可包括下列步驟：首先，如圖1C所示的各形成圖案化干膜層150于可金屬化感光顯影基材120上，其中，各圖案化干膜層150覆蓋可金屬化感光顯影基材120的多個(gè)移除區(qū)。在本實(shí)施例中，移除區(qū)的位置分別對應(yīng)如圖1D所示的盲孔122。之后，再進(jìn)行曝光工藝，以對未被圖案化干膜層150所覆蓋的部分可金屬化感光顯影基材120進(jìn)行曝光。也就是說，可金屬化感光顯影基材120中除了移除區(qū)以外的區(qū)域會受到紫外光的照射而產(chǎn)生質(zhì)變，使可金屬化感光顯影基材120中除了移除區(qū)以外的區(qū)域固化而變成無法溶于顯影液中。之后，再進(jìn)行顯影工藝，由于移除區(qū)被圖案化干膜層150所覆蓋而未受到紫外光照射，故對應(yīng)盲孔122的移除區(qū)會溶于顯影工藝的顯影液中，因而可移除被圖案化干膜層150所覆蓋而未被曝光的移除區(qū)，以形成如圖1D所示的多個(gè)盲孔122，之后再移除圖案化干膜層160即可。

當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，可金屬化感光顯影基材120亦可為正光阻，也就是說，可金屬化感光顯影基材120經(jīng)曝光后會裂解而變成極易溶解于顯影液中。在此情況下，則盲孔122的形成方式可參照圖2所示的形成圖案化干膜層160于可金屬化感光顯影基材120上，其中，各圖案化干膜層160如圖2所示的暴露可金屬化感光顯影基材120的多個(gè)移除區(qū)R1。之后，再進(jìn)行例如紫外線的曝光工藝，以對可金屬化感光顯影基材120的移除區(qū)R1進(jìn)行曝光。也就是說，可金屬化感光顯影基材120的移除區(qū)R1會受到紫外光的照射而產(chǎn)生質(zhì)變，使可金屬化感光顯影基材120的移除區(qū)R1產(chǎn)生裂解而變成極易溶解于顯影液中。之后，再進(jìn)行顯影工藝，由于移除區(qū)R1受到紫外光照射而產(chǎn)生質(zhì)變，故移除區(qū)R1會溶于顯影工藝中的顯影液，因而可移除被圖案化干膜層160所暴露而被曝光的移除區(qū)R1，以形成如圖1D所示的多個(gè)盲孔122。之后再移除圖案化干膜層160即可。本發(fā)明并不限制可金屬化感光顯影基材120的光阻種類，只要其具有光敏感特性，可通過曝光顯影工藝而直接對其進(jìn)行圖案化即可。

接著，請參照圖1E，進(jìn)行化學(xué)鍍工藝，以形成化學(xué)鍍種子層130于可金屬化感光顯影基材120上，且化學(xué)鍍種子層130覆蓋各盲孔122的內(nèi)壁。具體而言，化學(xué)鍍種子層130系全面性的覆蓋可金屬化感光顯影基材120的表面，并延伸至各盲孔122內(nèi)。

承上述，化學(xué)鍍工藝是利用化學(xué)氧化還原反應(yīng)在可金屬化感光顯影基材120的表面沉積鍍層。在本實(shí)施例中，化學(xué)鍍種子層130的材料包括鎳，也就是說，本實(shí)施例的化學(xué)鍍種子層130可為化學(xué)鍍鎳層。具體而言，化學(xué)鍍鎳是用還原劑把溶液中的鎳離子還原沉積在具有催化活性的表面上。舉例而言，本實(shí)施例可例如先將可感光顯影的基材經(jīng)過特殊的活化及敏化處理，以形成本實(shí)施例的可金屬化感光顯影基材120。如此，化學(xué)鍍工藝步驟可包括將可金屬化感光顯影基材120浸入例如以硫酸鎳、次磷酸二氫鈉、乙酸鈉和硼酸等所配成的混合溶液內(nèi)，使其在一定酸度和溫度下發(fā)生變化，讓溶液中的鎳離子被次磷酸二氫鈉還原為原子而沉積于可金屬化感光顯影基材120的表面上而形成如圖1E所示的化學(xué)鍍種子層130。

接著，形成如圖1H所示的第二圖案化線路層142，其中，第二圖案化線路層142設(shè)置于化學(xué)鍍種子層130上，并填充于盲孔122內(nèi)，以與下方的第一圖案化線路層116電性連接。在本實(shí)施例中，第二圖案化線路層142的材料包括銅。在本實(shí)施例中，第二圖案化線路層142可例如通過減成(substractive)法而形成。具體而言，形成第二圖案化線路層142的步驟可例如是先以化學(xué)鍍種子層130作為導(dǎo)電路徑進(jìn)行電鍍工藝，以形成如圖1F所示的金屬層140于化學(xué)鍍種子層130上。接著，形成如圖1G所示的圖案化干膜層170于金屬層140上，且圖案化干膜層170至少覆蓋填充于盲孔122內(nèi)的部分金屬層140。接著，再進(jìn)行蝕刻工藝，以移除未被圖案化干膜層170所覆蓋的部分金屬層140而形成如圖1H所示的第二圖案化線路層142，之后再移除圖案化干膜層170，即可完成第二圖案化線路層142的制作。如此，線路板結(jié)構(gòu)100的制作方法即大致完成。

當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，第二圖案化線路層142也可通過半加成(semi-additive)法而形成。具體而言，形成第二圖案化線路層142的步驟可例如是在形成如圖1E的化學(xué)鍍種子層130之后，接續(xù)圖3A至圖3C所顯示的工藝而形成。首先，形成如圖3A所示的圖案化干膜層180于化學(xué)鍍種子層130上，且圖案化干膜層180至少暴露盲孔122。接著，請?jiān)賲⒄請D3B，以圖案化干膜層180為罩幕進(jìn)行電鍍工藝，以于被圖案化干膜層180所暴露的部分形成第二圖案線路層142。接著，再如圖3C所示的移除圖案化干膜層180以暴露下方的部分化學(xué)鍍種子層130。之后再進(jìn)行蝕刻工藝，以移除暴露的部分化學(xué)鍍種子層130，以形成如圖1H所示的線路板結(jié)構(gòu)100。

就結(jié)構(gòu)而言，線路板結(jié)構(gòu)100可如圖1H所示的包括基板110、多個(gè)可金屬化感光顯影基材120、化學(xué)鍍種子層130及第二圖案化線路層142。基板110如圖1A所示包括絕緣基材111、上表面112、相對上表面112的下表面114以及設(shè)置于絕緣基材111上的第一圖案化線路層116。詳細(xì)而言，基板110可包括貫穿絕緣基材111的通孔118及填充材119，且第一圖案化線路層116覆蓋通孔118的內(nèi)壁。填充材119則可填充于通孔118內(nèi)。可金屬化感光顯影基材120分別設(shè)置于基板110的上表面112及下表面114。各個(gè)可金屬化感光顯影基材120包括多個(gè)盲孔122，其分別暴露至少部分的第一圖案化線路層116，且可金屬化感光顯影基材120的材料包括光敏感材料，以便于通過曝光顯影工藝而直接對可金屬化感光顯影基材120進(jìn)行圖案化?；瘜W(xué)鍍種子層130設(shè)置于可金屬化感光顯影基材120上并覆蓋各盲孔122的內(nèi)壁。第二圖案化線路層142則分別設(shè)置于第一化學(xué)鍍種子層130上并填充于盲孔122內(nèi)，以與第一圖案化線路層116電性連接。

綜上所述，本發(fā)明利用可金屬化感光顯影基材的光敏感特性對其進(jìn)行曝光顯影工藝，以于可金屬化感光顯影基材上形成多個(gè)盲孔。并且，本發(fā)明通過化學(xué)鍍工藝于可金屬化感光顯影基材的表面形成化學(xué)鍍種子層，以便于后續(xù)利用化學(xué)鍍種子層作為導(dǎo)電路徑進(jìn)行電鍍工藝而形成圖案化線路層，且圖案化線路層填充于盲孔內(nèi)，以通過盲孔電性連接迭構(gòu)間的圖案化線路。因此，本發(fā)明有效簡化了線路板結(jié)構(gòu)的工藝步驟，提升工藝效率。除此之外，本發(fā)明也可避免現(xiàn)有的盲孔工藝中激光鉆孔所產(chǎn)生的膠渣殘留在盲孔內(nèi)的問題，因而可提升線路板結(jié)構(gòu)的工藝良率。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的改動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求界定范圍為準(zhǔn)。