1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
步驟S101：提供第一襯底，在所述第一襯底的第一表面一側(cè)形成包括晶體管和第一互連結(jié)構(gòu)的前端器件，以及位于所述晶體管外側(cè)的第二互連結(jié)構(gòu)，所述第二互連結(jié)構(gòu)的底層金屬層通過(guò)若干接觸與所述第一襯底的第一表面相連；
步驟S102：提供第二襯底，通過(guò)鍵合工藝將所述第二襯底與所述第一襯底的形成有所述前端器件的一側(cè)相接合；
步驟S103：從所述第一襯底的與所述第一表面相對(duì)的第二表面一側(cè)對(duì)所述第一襯底進(jìn)行減薄處理；
步驟S104：從所述第一襯底的所述第二表面開(kāi)始，刻蝕所述第一襯底，直到暴露所述若干接觸，以形成焊盤(pán)開(kāi)口；
步驟S105：在所述焊盤(pán)開(kāi)口中以及部分所述第一襯底的所述第二表面上形成焊盤(pán)，所述焊盤(pán)與所述若干接觸相連。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一襯底為絕緣體上硅襯底，包括自下而上的體硅、氧化埋層和頂層硅，所述若干接觸與所述頂層硅相連。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S104包括：從所述第一襯底的所述第二表面開(kāi)始，依次刻蝕氧化埋層和頂層硅，直到暴露所述若干接觸，以形成所述焊盤(pán)開(kāi)口。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述前端器件還包括形成于所述第一襯底的所述第一表面上的射頻器件。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S103中，所述減薄處理包括化學(xué)機(jī)械研磨。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S105之后還包括步驟S106：
形成覆蓋所述第一襯底的所述第二表面但暴露出所述焊盤(pán)的打線區(qū)的鈍化層。
7.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
第一襯底，在所述第一襯底的第一表面一側(cè)形成有包括晶體管和 第一互連結(jié)構(gòu)的前端器件以及位于所述晶體管外側(cè)的第二互連結(jié)構(gòu)，在所述第一襯底的所述第一表面上形成有與所述第二互連結(jié)構(gòu)的底層金屬層相連接的若干接觸，在所述第一襯底的與所述第一表面相對(duì)的所述第二表面形成有貫穿所述第一襯底暴露所述若干接觸的焊盤(pán)開(kāi)口，在所述焊盤(pán)開(kāi)口中以及所述第一襯底的部分所述第二表面上形成有與所述若干接觸相連的焊盤(pán)；
第二襯底，所述第二襯底與所述第一襯底的形成有所述前端器件的一側(cè)相接合。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括覆蓋所述第一襯底的所述第二表面但暴露出所述焊盤(pán)的打線區(qū)的鈍化層。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一襯底為絕緣體上硅襯底。
10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述前端器件還包括形成于所述第一襯底的所述第一表面上的射頻器件。
11.一種電子裝置，其特征在于，包括電子組件以及與所述電子組件電連接的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件包括：
第一襯底，在所述第一襯底的第一表面一側(cè)形成有包括晶體管和第一互連結(jié)構(gòu)的前端器件以及位于所述晶體管外側(cè)的第二互連結(jié)構(gòu)，在所述第一襯底的所述第一表面上形成有與所述第二互連結(jié)構(gòu)的底層金屬層相連接的若干接觸，在所述第一襯底的與所述第一表面相對(duì)的所述第二表面形成有貫穿所述第一襯底暴露所述若干接觸的焊盤(pán)開(kāi)口，在所述焊盤(pán)開(kāi)口中以及所述第一襯底的部分所述第二表面上形成有與所述若干接觸相連的焊盤(pán)；
第二襯底，所述第二襯底與所述第一襯底的形成有所述前端器件的一側(cè)相接合。