技術(shù)編號：12788059
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置。背景技術(shù)在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，隨著射頻電路(RF)工作頻率和集成度的提高，襯底材料對電路性能的影響越來越大。絕緣體上硅(SOI)襯底因其良好的電學(xué)性能和與CMOS工藝兼容的特點(diǎn)，在射頻電路等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有的雙面薄SOI工藝中，其中在進(jìn)行背面Al接合焊盤跟正面的銅金屬層連接制程時(shí)，很容易發(fā)生接觸電阻增大的問題，并且在制作過程中，還容易發(fā)生Al/Cu機(jī)臺之間的相互污染的問題，這些問題的產(chǎn)生往往會影響整個半導(dǎo)體器件的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。