技術(shù)總結(jié)
一種半導體裝置的制造方法，包括在材料層上方形成硬質(zhì)遮罩(HM)堆疊，此HM堆疊具有第一、第二、第三及第四HM層。方法亦包括在第四HM層中形成第一溝槽、在第一溝槽中形成第一間隔墊，在第四HM層中形成第二溝槽，藉由使用第三HM層作為蝕刻終止層移除第一間隔墊的至少一部分以形成切口，移除由第一溝槽、第二溝槽及切口所曝露的第三及第二HM層的一部分以分別形成延伸的第一、第二溝槽及延伸的切口。方法亦包括在延伸的第一、第二溝槽及延伸的切口形成第二間隔墊且移除第二HM層的另一部分以形成第三溝槽。本發(fā)明使用硬質(zhì)遮罩堆疊以在頂部兩個HM層形成切口，避免底部HM層曝露于形成溝槽切口的蝕刻工藝。改進工藝視窗并提供形成溝槽及溝槽切口的穩(wěn)固工藝。

技術(shù)研發(fā)人員：張鈺聲;吳佳典;吳永旭
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201510860265
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.30
技術(shù)公布日：2017.03.08