本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸的逐漸減小，互連線的尺寸也不斷減小。在超大規(guī)模集成電路(ULSI)中，互連線的性能對(duì)器件的密度和速度具有很重要的影響。

由于具有更高的電導(dǎo)率和更好的穩(wěn)定性，銅已經(jīng)取代鋁成為超大規(guī)模集成電路工藝中的主流互連材料。目前，在大馬士革工藝中，利用電鍍(ECP)工藝在溝槽和通孔中填充銅，隨后通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光工藝對(duì)電鍍的銅進(jìn)行平坦化。然而，特征尺寸的持續(xù)減小使得ECP工藝變得越來(lái)越困難。

如圖1所示，在溝槽101和通孔102中電鍍填充銅時(shí)，由于在溝槽101的尖頭部分的電流密度相對(duì)比較大，因此在尖頭部分電鍍銅的速度很快，導(dǎo)致溝槽101的開(kāi)口提前封閉，使得在溝槽101和通孔102中電鍍形成的銅具有空洞103(void)。這些空洞103可能會(huì)導(dǎo)致互連結(jié)構(gòu)的斷路，使得電遷移失敗，從而影響器件的性能。

另外，在印制電路板(PCB)的通孔中電鍍金屬形成互連結(jié)構(gòu)時(shí)同樣會(huì)存在上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例的目的在于避免互連結(jié)構(gòu)中的空洞。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法，所述方法包括：提供襯底結(jié)構(gòu)，所述襯底結(jié)構(gòu)包括溝槽和通孔，所述溝槽 和通孔的表面形成有籽晶層；通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解所述籽晶層的表面部分，以增大所述溝槽的開(kāi)口；通過(guò)第二超聲雙脈沖電鍍工藝在所述籽晶層表面電鍍金屬層；通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解一部分電鍍的金屬層；重復(fù)所述第二超聲雙脈沖電鍍工藝和所述第三超聲雙脈沖電鍍工藝，在所述溝槽和通孔中填充電鍍的金屬層以形成互連結(jié)構(gòu)；其中在電鍍工藝中引入超聲波。

在一個(gè)實(shí)施方式中，通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解電鍍的金屬層的速度大于通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解籽晶層的速度。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一超聲雙脈沖電鍍工藝中：陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的脈沖寬度之比為20：1至1：1，或，陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的電流之比為0.8：1至1.2：0.8；或，陰極脈沖的電流密度為0.001至5A/cm²；或，所述第一超聲雙脈沖電鍍工藝進(jìn)行的時(shí)間為1至10秒。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第二超聲雙脈沖電鍍工藝中：陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的脈沖寬度之比為1：15至1：30；或，陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的電流之比為1：1至1：10；或，陰極脈沖的電流密度為0.01至20A/cm²；或，所述第二超聲雙脈沖電鍍工藝進(jìn)行的時(shí)間為1至600秒。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第三超聲雙脈沖電鍍工藝中：陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的脈沖寬度之比為20：1至1：1；或，陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的電流之比為10：1至1：1；或，陰極脈沖的電流密度為0.001至10A/cm²；或，所述第三超聲雙脈沖電鍍工藝進(jìn)行的時(shí)間為1至1000秒。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述金屬層包括銅、鎳、銀。

在一個(gè)實(shí)施方式中，超聲雙脈沖電鍍工藝中的超聲波的頻率為20000至50000HZ，超聲波的功率為10-5000W。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述襯底結(jié)構(gòu)還包括：襯底、位于所述襯底上的阻擋層、以及位于所述阻擋層上的電介質(zhì)層；所述電介質(zhì)層和所述阻擋層被刻蝕形成大馬士革結(jié)構(gòu)的溝槽和通孔。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述提供襯底結(jié)構(gòu)的步驟包括：提供襯底；在所述襯底上形成阻擋層；在所述阻擋層上形成電介質(zhì)層；在所述電介質(zhì)層上形成圖案化的硬掩模層，以定義通孔的形狀；在所述硬掩模層上形 成圖案化的光刻膠，以定義溝槽的形狀；以所述圖案化的光刻膠為掩模，依此刻蝕所述硬掩模層和部分所述電介質(zhì)層；去除所述光刻膠，并以圖案化的硬掩模層為掩模，依此刻蝕所述電介質(zhì)層和所述阻擋層，在所述電介質(zhì)層中形成溝槽，在所述電介質(zhì)層和所述阻擋層中形成通孔；在所述溝槽和通孔的表面沉積籽晶層。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述方法還包括：對(duì)電鍍的金屬層進(jìn)行平坦化。

根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法，所述方法包括：提供具有通孔的印制電路板PCB，所述通孔的表面形成有籽晶層；通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解所述籽晶層的表面部分，以增大通孔的開(kāi)口；通過(guò)第二超聲雙脈沖電鍍工藝在所述籽晶層表面電鍍金屬層；通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解一部分電鍍的金屬層；重復(fù)所述第二超聲雙脈沖電鍍工藝和所述第三超聲雙脈沖電鍍工藝，在所述通孔中填充電鍍的金屬層以形成互連結(jié)構(gòu)；其中在電鍍工藝中引入超聲波。

在一個(gè)實(shí)施方式中，通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解電鍍的金屬層的速度大于通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解籽晶層的速度。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述金屬層包括銅、鎳、銀。

在一個(gè)實(shí)施方式中，超聲雙脈沖電鍍工藝中的超聲波的頻率為20000至50000HZ，超聲波的功率為10-5000W。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例，首先通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解籽晶層的表面部分，在超聲波的微射流和雙脈沖電鍍的協(xié)同作用下，使得溝槽的開(kāi)口變大，然后通過(guò)多步超聲雙脈沖電鍍工藝在溝槽和通孔中電鍍金屬層，在每一次電鍍金屬層后對(duì)電鍍的金屬層進(jìn)行部分溶解，以避免在電鍍的過(guò)程中將溝槽的開(kāi)口封死；通過(guò)超聲波和多步雙脈沖電鍍工藝的結(jié)合，避免了形成的互連結(jié)構(gòu)中存在空洞。

通過(guò)以下參照附圖對(duì)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本公開(kāi)的其它特征、方面及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

附圖說(shuō)明

附圖構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，其描述了本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，并且連同說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理，在附圖中：

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中形成銅互連結(jié)構(gòu)具有空洞的示意截面圖；

圖2是根據(jù)本公開(kāi)一個(gè)實(shí)施例的互連結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖；

圖3A、圖3B和圖3C分別示出了根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例的第一雙脈沖電鍍工藝、第二雙脈沖電鍍工藝和第三雙脈沖電鍍工藝的脈沖波形；

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F和圖4G示出了根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例的互連結(jié)構(gòu)的制造工藝中的各個(gè)階段；

圖5A、圖5B、圖5C、圖5D和圖5E示出了根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例的襯底結(jié)構(gòu)的制造工藝中的各個(gè)階段；

圖6是根據(jù)本公開(kāi)又一個(gè)實(shí)施例的互連結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本公開(kāi)的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)理解，除非另外具體說(shuō)明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不應(yīng)被理解為對(duì)本發(fā)明范圍的限制。

此外，應(yīng)當(dāng)理解，為了便于描述，附圖中所示出的各個(gè)部件的尺寸并不必然按照實(shí)際的比例關(guān)系繪制，例如某些層的厚度或?qū)挾瓤梢韵鄬?duì)于其他層有所夸大。

以下對(duì)示例性實(shí)施例的描述僅僅是說(shuō)明性的，在任何意義上都不作為對(duì)本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和裝置可能不作詳細(xì)討論，但在適用這些技術(shù)、方法和裝置情況下，這些技術(shù)、方法和裝置應(yīng)當(dāng)被視為本說(shuō)明書(shū)的一部分。

應(yīng)注意，相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義或說(shuō)明，則在隨后的附圖的說(shuō)明中將不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在形成互連結(jié)構(gòu)的過(guò)程中，在溝槽中沉積的籽晶層會(huì)具有突懸(overhang)，即在溝槽尖頭部分處形成的籽晶層會(huì)比較厚，這會(huì)使得溝槽的開(kāi)口變小，從而影響后續(xù)的電鍍工藝，使得形成的互連結(jié)構(gòu)中具有空洞。

圖2是根據(jù)本公開(kāi)一個(gè)實(shí)施例的互連結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。本實(shí)施例結(jié)合了多步雙脈沖電鍍工藝和超聲波電鍍工藝。如圖2所示，本實(shí)施例提供的互連結(jié)構(gòu)的制造方法包括：

步驟202，提供襯底結(jié)構(gòu)，該襯底結(jié)構(gòu)包括溝槽(trench)和通孔(via)，在溝槽和通孔的表面形成有籽晶層，在溝槽尖頭部分形成的籽晶層可能會(huì)有突懸。

其中，籽晶層的材料例如可以是銅、鈷等。另外，在溝槽和通孔的表面與籽晶層之間還可以形成有擴(kuò)散阻擋層，擴(kuò)散阻擋層可以是單層或疊層結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，擴(kuò)散阻擋層可以是鉭(Ta)或由Ta和氮化鉭(TaN)組成的疊層。

步驟204，通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解籽晶層的表面部分。

本步驟在超聲波的微射流和雙脈沖電鍍的協(xié)同作用下，位于溝槽尖頭部分形成的籽晶層(即突懸)的溶解速度大于溝槽側(cè)壁和溝槽頂部的籽晶層的溶解速度，從而使得溝槽的開(kāi)口變大，這會(huì)有利于后續(xù)的電鍍沉積。

步驟206，通過(guò)第二超聲雙脈沖電鍍工藝在籽晶層表面電鍍金屬層。

對(duì)于超聲雙脈沖電鍍工藝來(lái)說(shuō)，施加陰極脈沖(正向脈沖)時(shí)，會(huì)在籽晶層表面電鍍金屬層，例如銅、鎳、銀等金屬層；施加陽(yáng)極脈沖(反向脈沖)時(shí)，會(huì)溶解一部分電鍍的金屬層。在第二超聲雙脈沖電鍍工藝中，可以通過(guò)調(diào)節(jié)陰極脈沖和陽(yáng)極脈沖的參數(shù)，例如脈沖寬度、脈沖電流等，使得在籽晶層表面電鍍金屬層的速度大于金屬層溶解的速度，從而在籽晶層表面電鍍金屬層。

在一個(gè)具體實(shí)施例中，可以采用CuSO₄、Cu₃(PO4)₂作為電鍍液，此時(shí)電鍍的金屬層為銅。

步驟208，通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解一部分電鍍的金屬層。

與上類(lèi)似地，在第三超聲雙脈沖電鍍工藝中，可以通過(guò)調(diào)節(jié)陰極脈沖和陽(yáng)極脈沖的參數(shù)，使得在籽晶層表面電鍍金屬層的速度小于金屬層溶解的速度，從而溶解一部分電鍍金屬層。通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝，可以使得位于溝槽尖頭部分的金屬層的溶解速度大于溝槽側(cè)壁和溝槽頂部的金屬層的溶解速度，以避免溝槽的開(kāi)口被封死。

優(yōu)選地，步驟208中通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解電鍍的金屬層的速度大于步驟204中通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解籽晶層的速度。

重復(fù)上述步驟206和步驟208，在溝槽和通孔中填充電鍍的金屬層以形成互連結(jié)構(gòu)。其中，在步驟206之后，判斷溝槽和通孔的填充是否滿(mǎn)足要求，若是，則結(jié)束電鍍工藝；若否，則繼續(xù)重復(fù)執(zhí)行步驟208和步驟206。

在一個(gè)實(shí)施例中，上述超聲雙脈沖電鍍工藝(包括第一、第二和第三超聲雙脈沖電鍍工藝)中的超聲波的頻率可以為20000至50000HZ，超聲波的功率可以為10-5000W。超聲波的微射流(micro-jet)可以改善電鍍液中金屬離子的分布，降低了濃差極化，使得電鍍沉積的金屬層更加均勻。通過(guò)多步雙脈沖電鍍工藝與超聲波的結(jié)合，首先通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解籽晶層的表面部分，在超聲波的微射流和雙脈沖電鍍的協(xié)同作用下，使得溝槽的開(kāi)口變大，然后在每一次電鍍金屬層后對(duì)電鍍的金屬層進(jìn)行部分溶解，以避免溝槽的開(kāi)口在電鍍的過(guò)程中被封死，從而避免在形成的互連結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生空洞。

上述實(shí)施例中，在重復(fù)步驟206和步驟208形成互連結(jié)構(gòu)后，電鍍的金屬層比較薄，作為一個(gè)非限制性示例，電鍍的金屬層可以為2000埃。通常情況下，還需要在電鍍的金屬層的表面繼續(xù)電鍍，例如可以利用直流脈沖繼續(xù)電鍍金屬層，直至電鍍的金屬層的厚度滿(mǎn)足要求，例如達(dá)到7000埃。之后，可以利用化學(xué)機(jī)械拋光工藝對(duì)電鍍的金屬層進(jìn)行平坦化。

圖3A-圖3C分別示出了根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例的第一超聲雙脈沖電鍍工藝、第二超聲雙脈沖電鍍工藝和第三超聲雙脈沖電鍍工藝的脈 沖波形。

需要說(shuō)明的是，雖然圖3A-圖3C中示出的脈沖波形均為長(zhǎng)方形，但這僅僅是示例性的，并不用于限制本公開(kāi)的范圍，在超聲雙脈沖電鍍工藝中采用的脈沖還可以為其他形狀的脈沖，例如可以是三角形脈沖等。

如圖3A所示，第一超聲雙脈沖電鍍工藝進(jìn)行的時(shí)間可以為1至10秒。

在第一超聲雙脈沖電鍍工藝中，陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的脈沖寬度之比t_a：t_b可以為20：1至1：1，例如，10：1、5：1；陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的電流之比I_a：I_b可以為0.8：1至1.2：0.8，例如1：1；陰極脈沖的電流密度可以為0.001至5A/cm²，例如，0.05A/cm²、0.5A/cm²、2A/cm²。

如圖3B所示，第二超聲雙脈沖電鍍工藝進(jìn)行的時(shí)間可以為1至600秒。

在第二超聲雙脈沖電鍍工藝中，陰極脈沖的電流密度可以為0.01至20A/cm²，例如，0.5A/cm²、5A/cm²、10A/cm²；陽(yáng)極脈沖的脈沖寬度t_a與陰極脈沖的脈沖寬度t_b之比t_a：t_b可以為1：15至1：30，例如，1：20；陽(yáng)極脈沖電流I_a與陰極脈沖電流I_b的電流之比I_a：I_b可以為1：1至1：10，例如，1：5。

如圖3C所示，第三超聲雙脈沖電鍍工藝進(jìn)行的時(shí)間可以為1至1000秒。

在第三超聲雙脈沖電鍍工藝中，陰極脈沖的電流密度可以為0.001至10A/cm²，例如，0.05A/cm²、0.5A/cm²、6A/cm²；陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的脈沖寬度之比t_a：t_b可以為20：1至1：1，例如，10：1、5：1；陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的電流之比I_a：I_b可以為10：1至1：1，例如3：1、5：1。

應(yīng)理解，上面給出的超聲雙脈沖電鍍工藝條件僅僅是示例性的，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本公開(kāi)給出的互連結(jié)構(gòu)的制造方法可以選擇其他合適的工藝條件。

下面結(jié)合圖4A-圖4G對(duì)本公開(kāi)互連結(jié)構(gòu)的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

如圖4A所示，提供襯底結(jié)構(gòu)，該襯底結(jié)構(gòu)包括：襯底401、位于襯底401上的阻擋層402、以及位于阻擋層402上的電介質(zhì)層403。其中，電介質(zhì)層403和阻擋層402被刻蝕形成大馬士革結(jié)構(gòu)的溝槽404和通孔404，電介質(zhì)層403的表面、溝槽404和通孔405的表面形成有籽晶層506。其中，在溝槽404的尖頭部分的籽晶層具有突懸，使得溝槽404的開(kāi)口減小。

可選地，在溝槽和通孔的表面與籽晶層之間還可以形成有擴(kuò)散阻擋層(圖中未示出)，擴(kuò)散阻擋層可以是單層或疊層結(jié)構(gòu)。示例性地，擴(kuò)散阻擋層可以是鉭(Ta)或由Ta和氮化鉭(TaN)組成的疊層。

需要指出的是，這里示出的襯底結(jié)構(gòu)可以通過(guò)多種方法來(lái)形成，例如，先溝槽工藝(Trench First)或者先通孔工藝(via First)。本公開(kāi)提供了一種示例性的方法，稍后將詳細(xì)說(shuō)明。

如圖4B所示，通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解籽晶層406的表面部分，以增大溝槽404的開(kāi)口。

如圖4C所示，通過(guò)第二超聲雙脈沖電鍍工藝在籽晶層406表面電鍍金屬層407。

如圖4D所示，通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解一部分電鍍的金屬層407。通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝的溶解步驟，可以使得溝槽404的開(kāi)口變大。如果在第二超聲雙脈沖電鍍工藝后溝槽404的開(kāi)口被封死，第三超聲雙脈沖電鍍工藝可以使得被封死的溝槽404的開(kāi)口重新打開(kāi)。

如圖4E和4F所示，在重復(fù)第一超聲雙脈沖電鍍工藝和第二超聲雙脈沖電鍍工藝之后，例如重復(fù)1-20次，在溝槽404和通孔405中填充金屬層406，形成雙鑲嵌的互連結(jié)構(gòu)。

之后，可以對(duì)填充的金屬層進(jìn)行平坦化工藝，直至露出電介質(zhì)層403，如圖4G所示。

需要指出，為了清楚起見(jiàn)，圖4F和圖4G中并未全部示出籽晶層 所形成的突懸。

通過(guò)本公開(kāi)提供的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，參見(jiàn)圖4A-圖4G，可以得到?jīng)]有空洞的互連結(jié)構(gòu)。在形成互連結(jié)構(gòu)后，可以繼續(xù)在互連結(jié)構(gòu)上形成電介質(zhì)層，然后形成其他互連結(jié)構(gòu)，在形成其他互連結(jié)構(gòu)時(shí)同樣可以采用上面提供的方法。

本公開(kāi)還提供了一種形成上述襯底結(jié)構(gòu)的方法。下面結(jié)合圖5A-5E對(duì)襯底結(jié)構(gòu)的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。需要說(shuō)明，圖5A-5E中的附圖標(biāo)記501-505與圖4A-圖4G中的附圖標(biāo)記401-405指示相同或類(lèi)似的部件。

如圖5A所示，提供襯底501，在襯底501上形成阻擋層502；在阻擋層502上形成電介質(zhì)層503。

這里，襯底501例如可以是硅襯底、絕緣體上硅襯底等其他半導(dǎo)體襯底。襯底501中可以形成有柵極結(jié)構(gòu)、淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(圖中未示出)等。另外，襯底501中也可以形成有其他互連結(jié)構(gòu)(圖中未示出)。

阻擋層502可以是Ta和TaN組成的疊層，電介質(zhì)層503優(yōu)選為低介電常數(shù)(k)材料，例如，多孔低k材料。

如圖5B所示，在電介質(zhì)層503上形成硬掩模層601，然后通過(guò)光刻和刻蝕工藝在硬掩模層601中形成溝槽6011，形成圖案化的硬掩模層601，溝槽6011定義了之后形成的溝槽的形狀。硬掩模層601的材料例如可以是硅的氮化物(Si_xN_y)，典型地，可以是氮化硅(SiN)。本公開(kāi)不限于此，可以選擇其他合適的材料作為硬掩模層601。

如圖5C所示，在硬掩模層601上形成圖案化的光刻膠603，從而定義出之后形成的通孔的形狀。優(yōu)選地，為了防止光的反射對(duì)圖案化光刻膠603的影響，可以在硬掩模層601上形成抗反射層602。

如圖5D所示，以圖案化的光刻膠603為掩模，依此刻蝕抗反射層602(如果有的話(huà))、硬掩模層601和電介質(zhì)層503，形成開(kāi)口604。需要指出的是，開(kāi)口604也可以向下延伸至阻擋層502；或者，開(kāi)口604也可以貫穿阻擋層502。

如圖5E所示，去除光刻膠603和抗反射層602(如果有的話(huà))，并以圖案化的硬掩模層601為掩模，依此刻蝕電介質(zhì)層503和阻擋層502， 對(duì)應(yīng)溝槽6011在電介質(zhì)層503中形成溝槽504，對(duì)應(yīng)開(kāi)口604在電介質(zhì)層503和阻擋層502中形成通孔505。

之后，可以去除硬掩模層601，并通過(guò)物理氣相沉積(PVD)在溝槽和通孔的表面沉積籽晶層，從而形成如圖4A所示的襯底結(jié)構(gòu)。

本公開(kāi)提供的超聲雙脈沖電鍍工藝的方案也適用于對(duì)印制電路板(PCB)的通孔進(jìn)行電鍍的工藝。

圖6是根據(jù)本公開(kāi)又一個(gè)實(shí)施例的互連結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。本實(shí)施例是對(duì)PCB板的通孔進(jìn)行電鍍時(shí)采用了雙脈沖電鍍工藝和超聲波電鍍工藝，類(lèi)似步驟的具體實(shí)現(xiàn)可以參照前面的描述。如圖6所示，本實(shí)施例提供的互連結(jié)構(gòu)的制造方法包括：

步驟702，提供具有通孔的PCB，在通孔的表面形成有籽晶層。

其中，PCB上可以有多個(gè)通孔，通過(guò)在通孔中電鍍金屬層，可以將雙面PCB板的兩面的導(dǎo)線連接起來(lái)，或者將多層PCB板的每一層連接起來(lái)。

步驟704，通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解籽晶層的表面部分。

本步驟在超聲波的微射流和雙脈沖電鍍的協(xié)同作用下，使得位于溝槽尖頭部分的籽晶層(即突懸)的溶解速度大于溝槽側(cè)壁和溝槽頂部的籽晶層的溶解速度，從而使得溝槽的開(kāi)口變大，這會(huì)有利于后續(xù)的電鍍沉積。

步驟706，通過(guò)第二超聲雙脈沖電鍍工藝在籽晶層表面電鍍金屬層。

作為一個(gè)非限制性示例，金屬層可以包括銅、鎳、銀等其他合適的互連材料。

步驟708，通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解一部分電鍍的金屬層。

優(yōu)選地，步驟708中通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解電鍍的金屬層的速度大于步驟704中通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解籽晶層的速度。

重復(fù)步驟706和步驟708，在通孔中填充電鍍的金屬層以形成互連結(jié)構(gòu)。

與圖2所示實(shí)施例類(lèi)似地，本實(shí)施例中，在步驟704至步驟708的 電鍍工藝中均引入超聲波，在一個(gè)具體實(shí)施例中，超聲波的頻率可以為20000至50000HZ，超聲波的功率為10-5000W。超聲波的微射流可以改善電鍍液中金屬離子的分布，降低了濃差極化，使得電鍍沉積的金屬層更加均勻。本實(shí)施例結(jié)合了多步雙脈沖電鍍工藝與超聲波，在電鍍金屬層之前，首先通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解籽晶層的表面部分，在超聲波的微射流和第一超聲雙脈沖電鍍的協(xié)同作用下，使得通孔的開(kāi)口變大；然后，在每一次電鍍金屬層后對(duì)電鍍的金屬層進(jìn)行部分溶解，以避免通孔的開(kāi)口在電鍍的過(guò)程中被封死，從而避免在形成的互連結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生空洞。

至此，已經(jīng)詳細(xì)描述了根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的互連結(jié)構(gòu)的制造方法。為了避免遮蔽本公開(kāi)的構(gòu)思，沒(méi)有描述本領(lǐng)域所公知的一些細(xì)節(jié)，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)上面的描述，完全可以明白如何實(shí)施這里公開(kāi)的技術(shù)方案。另外，本說(shuō)明書(shū)公開(kāi)所教導(dǎo)的各實(shí)施例可以自由組合。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以對(duì)上面說(shuō)明的實(shí)施例進(jìn)行多種修改而不脫離如所附權(quán)利要求限定的本公開(kāi)的精神和范圍。