1.一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供襯底結(jié)構(gòu)，所述襯底結(jié)構(gòu)包括溝槽和通孔，所述溝槽和通孔的表面形成有籽晶層；
通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解所述籽晶層的表面部分，以增大所述溝槽的開(kāi)口；
通過(guò)第二超聲雙脈沖電鍍工藝在所述籽晶層表面電鍍金屬層；
通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解一部分電鍍的金屬層；
重復(fù)所述第二超聲雙脈沖電鍍工藝和所述第三超聲雙脈沖電鍍工藝，在所述溝槽和通孔中填充電鍍的金屬層以形成互連結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解電鍍的金屬層的速度大于通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解籽晶層的速度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一超聲雙脈沖電鍍工藝中：
陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的脈沖寬度之比為20：1至1：1，或
陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的電流之比為0.8：1至1.2：0.8；或
陰極脈沖的電流密度為0.001至5A/cm2；或
所述第一超聲雙脈沖電鍍工藝進(jìn)行的時(shí)間為1至10秒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二超聲雙脈沖電鍍工藝中：
陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的脈沖寬度之比為1：15至1：30；或
陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的電流之比為1：1至1：10；或
陰極脈沖的電流密度為0.01至20A/cm2；或
所述第二超聲雙脈沖電鍍工藝進(jìn)行的時(shí)間為1至600秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三超聲雙脈沖電鍍工藝中：
陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的脈沖寬度之比為20：1至1：1；或
陽(yáng)極脈沖與陰極脈沖的電流之比為10：1至1：1；或
陰極脈沖的電流密度為0.001至10A/cm2；或
所述第三超聲雙脈沖電鍍工藝進(jìn)行的時(shí)間為1至1000秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬層包括銅、鎳、銀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，超聲雙脈沖電鍍工藝中的超聲波的頻率為20000至50000HZ，超聲波的功率為10-5000W。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底結(jié)構(gòu)包括：襯底、位于所述襯底上的阻擋層、以及位于所述阻擋層上的電介質(zhì)層；所述電介質(zhì)層和所述阻擋層被刻蝕形成大馬士革結(jié)構(gòu)的溝槽和通孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述提供襯底結(jié)構(gòu)的步驟包括：
提供襯底，在所述襯底上形成阻擋層；
在所述阻擋層上形成電介質(zhì)層；
在所述電介質(zhì)層上形成圖案化的硬掩模層，以定義溝槽的形狀；
在所述硬掩模層上形成圖案化的光刻膠，以定義通孔的形狀；
以所述圖案化的光刻膠為掩模，依此刻蝕所述硬掩模層和部分所述電介質(zhì)層；
去除所述光刻膠，并以圖案化的硬掩模層為掩模，依此刻蝕所述電介質(zhì)層和所述阻擋層，在所述電介質(zhì)層中形成溝槽，在所述電介質(zhì)層和 所述阻擋層中形成通孔；
在所述溝槽和通孔的表面沉積籽晶層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：
對(duì)電鍍的金屬層進(jìn)行平坦化。
11.一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供具有通孔的印制電路板PCB，所述通孔的表面形成有籽晶層；
通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解所述籽晶層的表面部分，以增大所述通孔的開(kāi)口；
通過(guò)第二超聲雙脈沖電鍍工藝在所述籽晶層表面電鍍金屬層；
通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解一部分電鍍的金屬層；
重復(fù)所述第二超聲雙脈沖電鍍工藝和所述第三超聲雙脈沖電鍍工藝，在所述通孔中填充電鍍的金屬層以形成互連結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，通過(guò)第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解電鍍的金屬層的速度大于通過(guò)第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解籽晶層的速度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述金屬層包括銅、鎳、銀。
14.根據(jù)權(quán)利要求11-13任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，超聲雙脈沖電鍍工藝中的超聲波的頻率為20000至50000HZ，超聲波的功率為10-5000W。