技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：提供襯底結(jié)構(gòu)，所述襯底結(jié)構(gòu)包括溝槽和通孔，所述溝槽和通孔的表面形成有籽晶層；通過第一超聲雙脈沖電鍍工藝溶解所述籽晶層的表面部分，以增大所述溝槽的開口；通過第二超聲雙脈沖電鍍工藝在所述籽晶層表面電鍍金屬層；通過第三超聲雙脈沖電鍍工藝溶解一部分電鍍的金屬層；重復(fù)所述第二超聲雙脈沖電鍍工藝和所述第三超聲雙脈沖電鍍工藝，在所述溝槽和通孔中填充電鍍的金屬層以形成互連結(jié)構(gòu)；其中在電鍍工藝中引入超聲波。本發(fā)明可以避免在形成的互連結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生空洞。

技術(shù)研發(fā)人員：周鳴
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201510551706
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.01
技術(shù)公布日：2017.03.08