倒裝led芯片、倒裝led芯片封裝體及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種倒裝LED芯片、倒裝LED芯片封裝體及其制作方法，倒裝LED芯片包括：包括LED外延片、導(dǎo)電體和第一封裝膠體，所述導(dǎo)電體設(shè)置在LED外延片正面正電極和負(fù)電極上，所述第一封裝膠體覆蓋LED外延片正面和導(dǎo)電體，所述正電極上的導(dǎo)電體上表面、負(fù)電極上的導(dǎo)電體上表面、第一封裝膠體的上表面在同一水平面；所述倒裝LED芯片倒置在基板上表面，倒裝LED芯片的電極與基板的電極對應(yīng)連接，第二封裝膠體覆蓋倒裝LED芯片和基板上表面，形成封裝體。本發(fā)明LED芯片的倒裝方法大大減少了封裝體的尺寸，提升了封裝體的整體可靠性，且降低了成本；而且器件的熱阻得到降低，散熱更快。
【專利說明】倒裝LED芯片、倒裝LED芯片封裝體及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED芯片封裝領(lǐng)域，更具體地，涉及一種倒裝LED芯片、倒裝LED芯片封裝體及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前LED行業(yè)朝小尺寸，高能效方向發(fā)展，高密度小點(diǎn)距方向發(fā)展，傳統(tǒng)LED顯示屏使用的燈珠一般采用圖1所示的Chip SMD LED和圖2所示的Top SMD LED封裝。ChipSMD LED和Top SMD LED封裝即在基板/支架上安裝至少一個LED芯片，LED芯片通過固晶膠粘接在基板/支架的安置區(qū)，然后通過金線連接芯片和基板/支架的正負(fù)極，實(shí)現(xiàn)電路連接，最后使用封裝膠將芯片和金線包裹實(shí)現(xiàn)與空氣隔絕，防止潮氣。
[0003]Chip SMD LED和Top SMD LED封裝存在以下缺點(diǎn):由于封裝體采用金線進(jìn)行電路連接，封裝體需要預(yù)留出足夠的安全距離和安全高度來保護(hù)金線，限制LED封裝體尺寸和厚度；封裝膠將芯片和金線包裹實(shí)現(xiàn)與空氣隔絕，防止潮氣，但封裝膠在受熱膨脹和遇冷收縮時，會對包裹的金線有一個拉扯力，在多次拉扯后會使金線疲勞斷裂，為此類封裝的一個難以完全避免的失效點(diǎn)；LED工作時產(chǎn)生的熱量需要經(jīng)過LED芯片的襯底，固晶膠，支架/基板才能傳遞出去，封裝體熱阻較大。
[0004]業(yè)界還提出在一種如圖3所示的LED芯片倒裝方案,將倒裝芯片(Flip Chip)倒裝在封裝基板上，該方案即把圖4所示的正裝LED芯片倒置，其襯底最終被剝?nèi)デ倚酒牧鲜峭该?，因此發(fā)光層激發(fā)出的光直接從電極的另一面發(fā)出，該結(jié)構(gòu)在大功率芯片較多用到，由于芯片尺寸限制在小點(diǎn)距顯示屏行業(yè)應(yīng)用較少。倒裝芯片基本結(jié)構(gòu)如圖5所示，在透明襯底上生長出N型半導(dǎo)體層，再在N型半導(dǎo)體層上生長第一接觸層，第一接觸層以外的部分制作成活性層，活性層上再生長出第二接觸層，然后在接觸層上生長出電極；由于芯片的第一接觸層比第二接觸層低，要使電極做在一個平面，需要在第一接觸層上制作出一電極墊層；電極表面具有多個微凸球，可以直接超聲熱壓鍵合到倒裝基板上，所用微凸球?yàn)榻饘倩蚝辖鸩牧希缃?、銀、鋁、或錫合金；為獲得較佳的接合效果，需要增加電極表面積，使得倒裝芯片面積較正裝要大的多。
[0005]傳統(tǒng)的LED芯片倒裝方案具有以下缺點(diǎn):倒裝LED芯片成本高，倒裝電極相對較大導(dǎo)致LED芯片相對較大；目前行業(yè)內(nèi)使用倒裝LED芯片的LED封裝體相對較大，在LED小尺寸封裝行業(yè)無法應(yīng)用；倒裝LED芯片仍然存在著一些難題，其中最為突出的是芯片有源層朝下，在芯片制備、封裝的過程中，若工藝處理不當(dāng)，則容易造成較大應(yīng)力損傷。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)問題。
[0007]本發(fā)明的首要目的是提供一種倒裝LED芯片。
[0008]本發(fā)明的進(jìn)一步目的是提供一種倒裝LED芯片封裝體。
[0009]本發(fā)明的第三個目的是提供一種倒裝LED芯片的制作方法。
[0010]本發(fā)明的第四個目的是提供一種倒裝LED芯片封裝體的制作方法。
[0011]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種倒裝LED芯片，包括LED外延片、導(dǎo)電體和第一封裝膠體，所述導(dǎo)電體設(shè)置在LED外延片正面的正電極和負(fù)電極上，所述第一封裝膠體覆蓋LED外延片正面和導(dǎo)電體，所述正電極上的導(dǎo)電體上表面、負(fù)電極上的導(dǎo)電體上表面、第一封裝膠體的上表面在同一水平面。
[0012]一種倒裝LED芯片封裝體，包括:上述倒裝LED芯片、基板和第二封裝膠體，所述倒裝LED芯片倒置在基板上表面，倒裝LED芯片的電極與基板的電極對應(yīng)連接，第二封裝膠體覆蓋倒裝LED芯片和基板上表面。
[0013]一種倒裝LED芯片的制作方法，包括以下步驟:
51:在LED外延片正面的正電極和負(fù)電極上制作導(dǎo)電體；
52:對制作好導(dǎo)電體的LED外延片正面進(jìn)行封膠；
53:對已封膠的LED外延片的正面進(jìn)行水平研磨，研磨至外延片上制作的導(dǎo)電體露出，得到倒裝LED芯片，其中正電極上的導(dǎo)電體上表面和負(fù)電極上的導(dǎo)電體上表面在同一水平面。
[0014]一種倒裝LED芯片封裝體的制作方法，包括上述步驟Sf S3，還以下步驟:
54:將得到的倒裝LED芯片倒裝在基板上，使倒裝LED芯片的正電極和負(fù)電極上的導(dǎo)電體與分別與基板的正電極和負(fù)電極連接；
55:對倒裝LED芯片和基板上表面進(jìn)行封膠，得到倒裝LED芯片封裝體。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案的有益效果是:
本發(fā)明倒裝LED芯片，導(dǎo)電體設(shè)置在LED外延片正面電極上，第一封裝膠體覆蓋LED外延片正面和導(dǎo)電體，正電極上的導(dǎo)電體上表面、負(fù)電極上的導(dǎo)電體上表面、第一封裝膠體的上表面在同一水平面，第一封裝膠體將倒裝LED芯片的電極保護(hù)起來，能夠有效防止封裝時電極受到應(yīng)力損傷，并且采用導(dǎo)電體作為電極的墊層，使正、負(fù)電極在同一水平線上，方便封裝。
[0016]與傳統(tǒng)的正裝LED封裝體相比，本發(fā)明倒裝LED芯片封裝體具有以下優(yōu)點(diǎn):
1、減小封裝尺寸，本實(shí)施例倒裝LED芯片倒置在基板上表面，倒裝LED芯片的電極與基板的電極對應(yīng)連接，倒裝LED芯片與基板電極的連接不需要使用金線，傳統(tǒng)在的正裝LED芯片封裝體使用的金線線徑一般在0.7-1.5mil，只能承受5-15g的力，故傳統(tǒng)正裝LED芯片封裝體需要較大的安全距離來保護(hù)金線不被破壞，本封裝體可大大減小封裝體尺寸，使封裝體尺寸接近芯片本身尺寸；
2、實(shí)現(xiàn)輕薄化封裝，傳統(tǒng)封裝方法使用金線連接基板的正負(fù)極，金線連接垂直方向需要一定的弧度，封裝體需要一個較大的高度來保護(hù)金線不受破壞，本封裝可大大減少封裝體的高度，使封裝體尺寸解決芯片和基板的尺寸，實(shí)現(xiàn)輕薄封裝。
[0017]3、降低封裝體熱阻，傳統(tǒng)的正裝LED封裝體在基板上沾上固晶膠后將LED芯片安放在固晶膠上面，然后使用金線連接芯片電極和支架正負(fù)極，然后使用環(huán)氧樹脂進(jìn)行封裝；LED工作時產(chǎn)生的熱量需要經(jīng)過LED芯片的襯底，固晶膠，基板才能傳遞出去；本封裝采用倒裝方法，LED芯片產(chǎn)生的熱直接通過錫膏和基板傳遞出去，不需要經(jīng)過襯底，且錫膏比固晶膠熱阻低，故封裝體的熱阻得到降低。
[0018]4、提高可靠性，傳統(tǒng)的正裝LED封裝體采用金線進(jìn)行電路連接，然后使用環(huán)氧樹脂進(jìn)行封裝，但環(huán)氧樹脂在熱脹冷縮情況下會對金線產(chǎn)生拉扯力，造成金線疲勞斷裂，本封裝體采用無金線封裝，故不存在此失效風(fēng)險。
[0019]5、降低成本，傳統(tǒng)的倒裝封裝采用的倒裝專用芯片制備工藝復(fù)雜，價格昂貴，而且本發(fā)明封裝體無需金線，成本優(yōu)勢明顯；
本發(fā)明倒裝LED芯片的制作方法，第一封裝膠體將倒裝LED芯片的電極保護(hù)起來，能夠有效防止封裝時電極受到應(yīng)力損傷，并且采用導(dǎo)電體作為電極的墊層，使正、負(fù)電極在同一水平線上，方便封裝。
[0020]本發(fā)明倒裝LED芯片封裝體的制作方法，倒裝LED芯片倒置在基板上表面，倒裝LED芯片的電極與基板的電極對應(yīng)連接，倒裝LED芯片與基板電極的連接不需要使用金線，因此不需要設(shè)定安全距離和安全高度來保護(hù)金線，避免了造成金線疲勞斷裂造成器件失效的風(fēng)險，大大減少了封裝體的尺寸和厚度，提升了封裝體的整體可靠性，且降低了成本；而且本發(fā)明倒裝LED芯片封裝體工作時產(chǎn)生的熱量直接通過基板傳遞出去，降低了封裝體的熱阻，便于散熱。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021]圖1為傳統(tǒng)的Chip SMD LED封裝。
[0022]圖2為傳統(tǒng)的Top SMD LED封裝。
[0023]圖3為傳統(tǒng)的LED芯片倒裝封裝。
[0024]圖4為傳統(tǒng)的正裝LED芯片。
[0025]圖5為傳統(tǒng)的倒裝LED芯片。
[0026]圖6為實(shí)施例1倒裝LED芯片結(jié)構(gòu)圖。
[0027]圖7為實(shí)施例2倒裝LED芯片封裝體結(jié)構(gòu)圖。
[0028]圖8為實(shí)施例3倒裝LED芯片的制作方法實(shí)物流程圖。
[0029]圖9為實(shí)施例3倒裝LED芯片的制作方法實(shí)物流程圖。
[0030]圖10為實(shí)施例4倒裝LED芯片封裝體的制作方法實(shí)物流程圖。
[0031]圖11為實(shí)施例4采用碗杯式支架的LED芯片倒裝的封裝體。
[0032]1、倒裝LED芯片；2、LED外延片；3、導(dǎo)電體；4正電極；5、負(fù)電極，6、第一封裝膠體；7、LED封裝體的封膠；8、基板電極。
【具體實(shí)施方式】
[0033]附圖僅用于示例性說明，不能理解為對本專利的限制；
為了更好說明本實(shí)施例，附圖某些部件會有省略、放大或縮小，并不代表實(shí)際產(chǎn)品的尺寸；
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，附圖中某些公知結(jié)構(gòu)及其說明可能省略是可以理解的。
[0034]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的說明。
[0035]實(shí)施例1
如圖6所示，一種倒裝LED芯片1，包括:LED外延片2、導(dǎo)電體3和第一封裝膠體6，所述導(dǎo)電體3設(shè)置在LED外延片2正面的正電極4和負(fù)電極5上，所述第一封裝膠體6覆蓋LED外延片2正面和導(dǎo)電體3,所述正電極3上的導(dǎo)電體上表面、負(fù)電極4上的導(dǎo)電體上表面、第一封裝膠體6的上表面在同一水平面。
[0036]本實(shí)施例倒裝LED芯片，導(dǎo)電體設(shè)置在LED外延片正面電極上，第一封裝膠體覆蓋LED外延片正面和導(dǎo)電體,正電極上的導(dǎo)電體上表面、負(fù)電極上的導(dǎo)電體上表面、第一封裝膠體的上表面在同一水平面，第一封裝膠體將倒裝LED芯片的電極保護(hù)起來，能夠有效防止封裝時電極受到應(yīng)力損傷，并且采用導(dǎo)電體作為電極的墊層，使正、負(fù)電極在同一水平線上，方便封裝。
[0037]在具體實(shí)施過程中，所述導(dǎo)電體為金球，金球具有較強(qiáng)的導(dǎo)電性。
[0038]實(shí)施例2
如圖7所示，一種倒裝LED芯片封裝體，包括實(shí)施例1所述的倒裝LED芯片1、基板7和第二封裝膠體9，所述倒裝LED芯片I倒置在基板7上表面，倒裝LED芯片I的電極與基板的電極8對應(yīng)連接，第二封裝膠體9覆蓋倒裝LED芯片I和基板7上表面。
[0039]與傳統(tǒng)的正裝LED封裝體相比，本實(shí)施例倒裝LED芯片封裝體具有以下優(yōu)點(diǎn):
1、減小封裝尺寸，本實(shí)施例倒裝LED芯片倒置在基板上表面，倒裝LED芯片的電極與基板的電極對應(yīng)連接，倒裝LED芯片與基板電極的連接不需要使用金線，傳統(tǒng)在的正裝LED芯片封裝體使用的金線線徑一般在0.7-1.5mil，只能承受5-15g的力，故傳統(tǒng)正裝LED芯片封裝體需要較大的安全距離來保護(hù)金線不被破壞，本封裝體可大大減小封裝體尺寸，使封裝體尺寸接近芯片本身尺寸；
2、實(shí)現(xiàn)輕薄化封裝，傳統(tǒng)封裝方法使用金線連接基板的正負(fù)極，金線連接垂直方向需要一定的弧度，封裝體需要一個較大的高度來保護(hù)金線不受破壞，本封裝可大大減少封裝體的高度，使封裝體尺寸解決芯片和基板的尺寸，實(shí)現(xiàn)輕薄封裝。
[0040]3、降低封裝體熱阻，傳統(tǒng)的正裝LED封裝體在基板上沾上固晶膠后將LED芯片安放在固晶膠上面，然后使用金線連接芯片電極和支架正負(fù)極，然后使用環(huán)氧樹脂進(jìn)行封裝；LED工作時產(chǎn)生的熱量需要經(jīng)過LED芯片的襯底，固晶膠，基板才能傳遞出去；本封裝采用倒裝方法，LED芯片產(chǎn)生的熱直接通過錫膏和基板傳遞出去，不需要經(jīng)過襯底，且錫膏比固晶膠熱阻低，故封裝體的熱阻得到降低。
[0041]4、提高可靠性，傳統(tǒng)的正裝LED封裝體采用金線進(jìn)行電路連接，然后使用環(huán)氧樹脂進(jìn)行封裝，但環(huán)氧樹脂在熱脹冷縮情況下會對金線產(chǎn)生拉扯力，造成金線疲勞斷裂，本封裝體采用無金線封裝，故不存在此失效風(fēng)險。
[0042]5、降低成本，傳統(tǒng)的倒裝封裝采用的倒裝專用芯片制備工藝復(fù)雜，價格昂貴，而且本發(fā)明封裝體無需金線，成本優(yōu)勢明顯；
在具體實(shí)施過程中，所述第二封裝膠體設(shè)置為透鏡形狀，不僅能夠保護(hù)芯片不受潮氣的影響，而且可以改善封裝體的出光效果。
[0043]在具體實(shí)施過程中，所述基板采用碗杯式支架，碗杯式支架的反射杯對光線進(jìn)行反射，使LED封裝件的出光一致性更好。
[0044]實(shí)施例3
如圖8-9所示，一種倒裝LED芯片的制作方法，用于制作實(shí)施例1所述的倒裝LED芯片，包括以下步驟:
S1:在LED外延片正面的正電極和負(fù)電極上制作導(dǎo)電體； 52:對制作好導(dǎo)電體的LED外延片正面進(jìn)行封膠；
53:對已封膠的LED外延片的正面進(jìn)行水平研磨，研磨至外延片上制作的導(dǎo)電體露出，得到倒裝LED芯片，其中正電極上的導(dǎo)電體上表面和負(fù)電極上的導(dǎo)電體上表面在同一水平面。
[0045]本實(shí)施例倒裝LED芯片的制作方法，第一封裝膠體將倒裝LED芯片的電極保護(hù)起來，能夠有效防止封裝時電極受到應(yīng)力損傷，并且采用導(dǎo)電體作為電極的墊層，使正、負(fù)電極在同一水平線上，方便封裝。
[0046]在具體實(shí)施過程中，所述導(dǎo)電體為金球，金球具有較強(qiáng)的導(dǎo)電性。
[0047]在具體實(shí)施過程中，所述金球采用超聲熱壓焊技術(shù)種在LED外延片電極上。
[0048]在具體實(shí)施過程中，所述封膠使用有機(jī)膠水，優(yōu)選的使用環(huán)氧樹脂實(shí)施例4
如圖10所示，一種倒裝LED芯片封裝體的制作方法，包括上述實(shí)施例3的步驟Sf S3，還以下步驟:
54:將得到的倒裝LED芯片倒裝在基板上，使倒裝LED芯片的正電極和負(fù)電極上的金球與分別與基板的正電極和負(fù)電極連接；
55:對倒裝LED芯片和基板上表面進(jìn)行封膠，得到倒裝LED芯片封裝體。
[0049]本實(shí)施例倒裝LED芯片封裝體的制作方法，倒裝LED芯片倒置在基板上表面，倒裝LED芯片的電極與基板的電極對應(yīng)連接，倒裝LED芯片與基板電極的連接不需要使用金線，因此不需要設(shè)定安全距離和安全高度來保護(hù)金線，避免了造成金線疲勞斷裂造成器件失效的風(fēng)險，大大減少了封裝體的尺寸和厚度，提升了封裝體的整體可靠性，且降低了成本；而且本發(fā)明倒裝LED芯片封裝體工作時產(chǎn)生的熱量直接通過基板傳遞出去，降低了封裝體的熱阻，便于散熱。
[0050]在具體實(shí)施過程中，步驟S3中，對研磨后的LED外延片進(jìn)行切割、分離和分選，得到單顆的倒裝LED芯片。
[0051]在具體實(shí)施過程中，為確保倒裝時候能夠精準(zhǔn)對位和減小倒裝錫球連錫，在步驟S4中，先對封裝基板的正面進(jìn)行預(yù)處理，即在基板的正面(封裝芯片的一面)先進(jìn)行一次封膠，封膠完成后在對基板正面進(jìn)行水平研磨，研磨至基板的焊盤完全露出，這樣就相當(dāng)于在基板焊盤之間形成了一層阻焊層，可較有效的防止連錫，錯位等不良。
[0052]在具體實(shí)施過程中，將得到的單顆倒裝LED芯片倒裝在未切割的基板上，使倒裝LED芯片的正電極和負(fù)電極上的金球與分別與基板的正電極和負(fù)電極連接，具體方法為:在基板的電極上刷錫膏并制作錫球，然后將倒裝LED芯片的電極與基板的電極對應(yīng)并倒扣在基板；或者將倒裝LED芯片倒扣在基板上，然后通過超聲熱壓焊接技術(shù)使倒裝LED芯片電極與基板電極結(jié)合；
如圖11所示，在具體實(shí)施過程中，所述基板采用碗杯式支架，碗杯式支架的反射杯對光線進(jìn)行反射，使LED封裝件的出光一致性更好。
[0053]在具體實(shí)施過程中，倒裝LED芯片倒裝在基板上后，對基板正面進(jìn)行封膠，并且將其封裝膠體制作成透鏡形狀，不僅能夠保護(hù)芯片不受潮氣的影響，而且可以改善封裝體的出光效果。
[0054]相同或相似的標(biāo)號對應(yīng)相同或相似的部件； 附圖中描述位置關(guān)系的用語僅用于示例性說明，不能理解為對本專利的限制；
顯然，本發(fā)明的上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對本發(fā)明的實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種倒裝LED芯片，其特征在于，包括LED外延片、導(dǎo)電體和第一封裝膠體，所述導(dǎo)電體設(shè)置在LED外延片正面的正電極和負(fù)電極上，所述第一封裝膠體覆蓋LED外延片正面和導(dǎo)電體，所述正電極上的導(dǎo)電體上表面、負(fù)電極上的導(dǎo)電體上表面、第一封裝膠體的上表面在同一水平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述導(dǎo)電體為金球。
3.一種倒裝LED芯片封裝體，其特征在于，包括權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片、基板和第二封裝膠體，所述倒裝LED芯片倒置在基板上表面，倒裝LED芯片的電極與基板的電極對應(yīng)連接，第二封裝膠體覆蓋倒裝LED芯片和基板上表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的倒裝LED芯片封裝體，其特征在于，所述基板上表面覆蓋有第三封裝膠體，所述基板電極的上表面、第三封裝膠體的上表面在同一水平面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的倒裝LED芯片封裝體，其特征在于，所述第二封裝膠體設(shè)置為透鏡形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的倒裝LED芯片封裝體，其特征在于，所述基板為碗杯式支架。
7.—種權(quán)利要求1所述倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 51:在LED外延片正面的正電極和負(fù)電極上制作導(dǎo)電體； 52:對制作好導(dǎo)電體的LED外延片正面進(jìn)行封膠； 53:對已封膠的LED外延片的正面進(jìn)行水平研磨，研磨至外延片上制作的導(dǎo)電體露出，得到倒裝LED芯片，其中正電極上的導(dǎo)電體上表面和負(fù)電極上的導(dǎo)電體上表面在同一水平面。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，步驟SI中，所述LED外延片為未切割的LED外延片。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述導(dǎo)電體為金球。
10.一種權(quán)利要求2所述倒裝LED芯片封裝體的制作方法，包括權(quán)利要求4所述的步驟Sf S3，其特征在于，還以下步驟: 54:將得到的倒裝LED芯片倒裝在基板上，使倒裝LED芯片的正電極和負(fù)電極上的導(dǎo)電體與分別與基板的正電極和負(fù)電極連接； 55:對倒裝LED芯片和基板上表面進(jìn)行封膠，得到倒裝LED芯片封裝體。
【文檔編號】H01L33/64GK104409615SQ201410595834
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】胡新喜, 李春輝, 董萌 申請人:廣東威創(chuàng)視訊科技股份有限公司