一種抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池，包括背面電極、背面電場(chǎng)、P型硅、N型發(fā)射極、第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層和正面電極，所述第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層依次設(shè)于所述N型發(fā)射極之上；所述第一氧化硅層的折射率為2.6-3.0；所述氮化硅層的折射率為2.0-2.15，所述第二氧化硅層的折射率為1.4-1.7。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種制備上述抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的方法。采用本發(fā)明，其正面采用三層薄膜的疊加結(jié)構(gòu)，電池的抗電勢(shì)誘導(dǎo)性能優(yōu)異，此外，這種疊層的折射率由小到大，光學(xué)匹配性好，有利于光的吸收，鈍化效果好，能大幅的提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
【專利說明】—種抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]電勢(shì)誘導(dǎo)衰減(PID)是指在高溫、高濕和高電壓的作用下，太陽能電池組件出現(xiàn)功率下降的現(xiàn)象。太陽能電池組件在發(fā)電狀態(tài)下五年左右會(huì)出現(xiàn)不同程度的電勢(shì)誘導(dǎo)衰減現(xiàn)象，這成為目前光伏發(fā)電領(lǐng)域面臨的一個(gè)重大問題。
[0003]電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的原因主要?dú)w結(jié)于太陽能電池組件的封裝材料-玻璃:玻璃內(nèi)部的鈉離子往太陽能電池運(yùn)動(dòng)，破壞電池的p-n結(jié)，從而導(dǎo)致功率的衰減?？闺妱?shì)誘導(dǎo)衰減技術(shù)的熱點(diǎn)是二氧化硅/氮化硅疊層技術(shù)，這種復(fù)合膜阻擋鈉離子的效果比較好，也容易產(chǎn)業(yè)化。光子由低折射率介質(zhì)往高折射率的介質(zhì)中傳播才能避免光的全反射，降低光的反射；但是由于二氧化硅的折射率在1.5左右，硅的折射率為3.42左右，氮化硅的折射率一般不大于2.0,因此，光子在空氣/氮化硅/ 二氧化硅/硅中進(jìn)行傳播時(shí)，由于二氧化硅的折射率低，在二氧化硅的界面光容易發(fā)生全反射，這種光學(xué)不匹配現(xiàn)象會(huì)降低太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率；此外，單層的二氧化硅的抗PID性能也不大理想，不符合市場(chǎng)對(duì)抗PID電池性能的需求。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中也有出現(xiàn)折射率高于2.0的二氧化硅膜，但是二氧化硅膜的折射率只能設(shè)為不大于2.5，氧化硅層、氮化硅層的折射率還是比較低，對(duì)于阻擋鈉離子的效果不甚理想，電池的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減性能也不是很理想。
[0005]例如:CN 103296094A公開的《一種多晶硅太陽電池減反射膜及其制備方法》，包括三層膜，第一層為二氧化硅膜，第二層為在二氧化硅膜上沉積的氮氧化硅膜，第三層為在氮氧化硅膜上沉積的第二層氮氧化硅膜。其中，所述的二氧化硅厚度度為8-12nm，折射率為2.1-2.3，所述的第一層氮氧化硅厚度度為15-25nm，折射率為1.9-2.0，所述的第二層氮氧化硅厚度度為30-50nm，折射率為1.7-1.9。
[0006]又如:CN 102916058 A公開的《多晶硅太陽能電池用疊層減折射膜》，該疊層減折射膜從內(nèi)至外依次為二氧化硅層和氮氧化硅層，其中，二氧化硅層為二氧化硅空心球薄膜，二氧化硅空心球薄膜的折射率為2.05，厚度為18-20nm，氮氧化硅薄膜的折射率為1.5-1.8,厚度為 36-40nm。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種可以大幅提高電池的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減性能的太陽能電池。
[0008]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池，包括背面電極、背面電場(chǎng)、P型硅、N型發(fā)射極、第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層、正面電極，所述第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層依次設(shè)于所述N型發(fā)射極之上；所述第一氧化硅層的折射率為2.6-3.0 ;所述氮化硅層的折射率為2.0-2.15，所述第二氧化硅層的折射率為1.4-1.7。
[0009]作為上述方案的改進(jìn)，所述第一氧化硅層的折射率為2.8-3.0 ;所述氮化硅層的折射率為2.10-2.15 ;所述第二氧化硅層的折射率為1.4-1.6。
[0010]作為上述方案的改進(jìn)，所述第一氧化硅層的厚度為l_15nm ;所述氮化硅層的厚度為50-70nm ;所述第二氧化娃層的厚度為5_15nm。
[0011]作為上述方案的改進(jìn)，所述第一氧化硅層通過PECVD設(shè)備中通入N2O和SiH4制得，反應(yīng)溫度為350-450°C，沉積時(shí)間5-100s, N2O和SiH4的流量比為0.1-1:3-10。
[0012]作為上述方案的改進(jìn)，所述氮化硅層通過PECVD設(shè)備中通入NH3和SiH4制得，反應(yīng)溫度為380-480°C，沉積時(shí)間500-800s, SiH4和NH3的流量比為0.1-0.3:1。
[0013]作為上述方案的改進(jìn)，所述第二氧化硅層通過PECVD設(shè)備中通入N2O和SiH4制得，反應(yīng)溫度為350-450°C，沉積時(shí)間1-1OOs, N2O和SiH4的流量比為1:0.5 -5。
[0014]作為上述方案的改進(jìn)，所述背面電極和正面電極為Ag電極，所述背面電場(chǎng)為Al背場(chǎng)。
[0015]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備方法，包括: 在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅；
在所述硅片正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；
去除擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃；
在N型發(fā)射極的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為2.6-3.0的第一氧化硅層，其中，反應(yīng)溫度為350-450°C，沉積時(shí)間5-lOOs，N2O和SiH4的流量比為
0.1-1:3-10 ；
在第一氧化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入NH3和SiH4制得折射率為2.0-2.15的氮化硅層，其中，反應(yīng)溫度為380-480°C，沉積時(shí)間500-800S，SiH4和NH3的流量比為
0.1-0.3:1 ；
在氮化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為1.4-1.7的第二氧化硅層，反應(yīng)溫度為350-450°C，沉積時(shí)間1-1OOs, N2O和SiH4的流量比為1:0.5 -5 ；在所述硅片背面形成背面電場(chǎng)和背面電極；
在所述硅片正面形成正面電極；
將所述硅片進(jìn)行燒結(jié)。
[0016]作為上述方案的改進(jìn)，所述第一氧化硅層的折射率為2.8-3.0 ;所述氮化硅層的折射率為2.10-2.15 ;所述第二氧化硅層的折射率為1.4-1.6。
[0017]作為上述方案的改進(jìn)，所述第一氧化硅層的厚度為l_15nm ;所述氮化硅層的厚度為50-70nm ;所述第二氧化娃層的厚度為5_15nm。
[0018]實(shí)施本發(fā)明，具有如下有益效果:
本發(fā)明提供了一種抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池，其正面采用三層薄膜的疊加結(jié)構(gòu)，三層膜從外到內(nèi)為低折射率氧化硅/氮化硅/高折射率氧化硅，其折射率由小到大，這種疊層的光學(xué)匹配性好，有利于光的吸收，能大幅的提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率；此外，兩層的氧化硅結(jié)構(gòu)，可以大幅提高電池的抗PID效果。因此，本發(fā)明在提高電池轉(zhuǎn)換效率的前提下，可以大幅提聞了電池的抗PID性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是本發(fā)明抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0021]參見圖1，本發(fā)明提供了一種抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池，從下到上依次包括背面電極1、背面電場(chǎng)2、p型娃3、N型發(fā)射極4、第一氧化娃層5、氮化娃層6、第二氧化娃層7、正面電極8。所述第一氧化硅層5、氮化硅層6、第二氧化硅層7依次設(shè)于所述N型發(fā)射極4之上；所述第一氧化硅層5的折射率為2.6-3.0 ;所述氮化硅層6的折射率為2.0-2.15，所述第二氧化硅層7的折射率為1.4-1.7。
[0022]本發(fā)明抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的正面采用三層薄膜的疊加結(jié)構(gòu)，三層膜從外到內(nèi)為低折射率氧化硅/氮化硅/高折射率氧化硅，其折射率由小到大，這種疊層的光學(xué)匹配性好，抗PID性能最優(yōu)，且形成很好光學(xué)匹配，有利于光的吸收，降低反射率，能大幅的提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率；此外，第一氧化硅層折射率高且與硅直接接觸，具有很好的表面鈍化效率，進(jìn)一步提高電池轉(zhuǎn)換效率；兩層的氧化硅結(jié)構(gòu)，可以大幅提高電池的抗PID效果O
[0023]具體的，所述第一氧化硅層5的折射率可以為2.6、2.7、2.75、2.8、2.9、3.0，但不限于此；所述氮化硅層6的折射率可以為2.00,2.10,2.11,2.12,2.13,2.14,2.15，但不限于此；所述第二氧化硅層7的折射率可以為1.4、1.5、1.6、1.7，但不限于此。更佳的，所述第一氧化硅層5的折射率為2.8-3.0 ;所述氮化硅層6的折射率為2.10-2.15 ;所述第二氧化硅層7的折射率為1.4-1.6。
[0024]所述第一氧化硅層5的厚度為l_15nm。具體的，所述第一氧化硅層5的厚度可以為I nm、5 nm、8 nm> 10 nm、12nm、15nm,但不限于此。更佳的，所述第一氧化娃層5的厚度為1-1Onm0
[0025]所述氮化硅層6的厚度為50-70nm。具體的，所述氮化硅層6的厚度可以為50 nm、55 nm、60 nm、65 nm、70 nm，但不限于此。更佳的，所述氮化娃層6的厚度為55_65nm。
[0026]所述第二氧化硅層7的厚度為5-15nm。具體的，所述第二氧化硅層7的厚度可以為5 nm、8 nm、10 nm、12 nm、15nm，但不限于此。更佳的，所述第二氧化娃層7的厚度為8-12nm。
[0027]第一氧化硅層5、氮化硅層6和第二氧化硅層7采用特定的厚度，再搭配特定的折射率，厚度的控制是為了形成很好的光學(xué)匹配，大大降低反射率，提高電池轉(zhuǎn)換效率。
[0028]所述背面電極I和正面電極8優(yōu)選為Ag電極，所述背面電場(chǎng)2優(yōu)選為Al背場(chǎng)。
[0029]進(jìn)一步，所述第一氧化硅層5通過PECVD設(shè)備中通入N2O和SiH4制得，反應(yīng)溫度為350-450°C，沉積時(shí)間5-100s，N2O和SiH4的流量比為0.1-1:3-10。通過上述制備方法獲得高折射率的第一氧化硅層，第一氧化硅層的折射率為2.6-3.0，厚度為l_15nm，這種制備方法簡(jiǎn)單，通過氣體比例的調(diào)節(jié)，再配合反應(yīng)溫度和時(shí)間，就可以實(shí)現(xiàn)折射率的精確控制。需要說明的是，高折射率的第一氧化硅層5也可以通過在PECVD設(shè)備中通入N2O來實(shí)現(xiàn)，不需要通入SiH4, N2O電離形成的等離子體直接和硅反應(yīng)形成氧化硅；此外，高折射率的第一氧化硅層也可以通過磁控濺射氧化硅靶材來實(shí)現(xiàn)，通過選用折射率和高折射率的第一氧化硅層相近的濺射靶材獲取氧化硅層。
[0030]所述氮化硅層6通過PECVD設(shè)備中通入NH3和SiH4制得，反應(yīng)溫度為380_480°C，沉積時(shí)間500-800s，SiH4和NH3的流量比為0.1-0.3:1。這種制備方法簡(jiǎn)單，通過氣體比例的調(diào)節(jié)，再配合反應(yīng)溫度和時(shí)間，就可以實(shí)現(xiàn)折射率的精確控制。通過上述制備方法獲得折射率為2.0-2.15、厚度為50-70nm的氮化硅層6。
[0031]所述第二氧化硅層7通過PECVD設(shè)備中通入N2O和SiH4制得，反應(yīng)溫度為350-450°C，沉積時(shí)間1-1OOs, N2O和SiH4的流量比為1:0.5-5。這種制備方法簡(jiǎn)單，通過氣體比例的調(diào)節(jié)，再配合反應(yīng)溫度和時(shí)間，就可以實(shí)現(xiàn)折射率的精確控制。通過上述制備方法獲得低折射率的第二氧化硅層7，第二氧化硅層7的折射率為1.4-1.7，厚度為5-15nm。
[0032]需要說明的是，低折射率的第二氧化硅層7也可以通過在PECVD設(shè)備中通入N2O來實(shí)現(xiàn)，不需要通入SiH4, N2O電離形成的等離子體直接和硅反應(yīng)形成氧化硅；此外，低折射率的第二氧化硅層7也可以通過磁控濺射氧化硅靶材來實(shí)現(xiàn)，通過選用折射率和低折射率的第二氧化硅層7相近的濺射靶材獲取氧化硅層。
[0033]還需要說明的是，PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n )是指等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。PECVD設(shè)備是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。
[0034]參見圖2，本發(fā)明提供一種抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備方法，包括:
S101，在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅。
[0035]所述硅片的絨面采用HF和/或HNO3溶液制成，形成理想的絨面結(jié)構(gòu)，降低反射率。
[0036]S102，在所述硅片正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極。
[0037]N型發(fā)射極可通過熱擴(kuò)散或者離子注入等方法形成，其中，所述硅片的擴(kuò)散優(yōu)選采用二氯氧憐。
[0038]S103，去除擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃。
[0039]去除磷硅玻璃，有利于保證電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0040]S104，在N型發(fā)射極的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為2.6-3.0的第一氧化硅層，其中，反應(yīng)溫度為350-450°C，沉積時(shí)間5-lOOs，N2O和SiH4的流量比為
0.1-1:3-10。
[0041]通過上述制備方法獲得高折射率的第一氧化硅層，第一氧化硅層的折射率為2.6-3.0，厚度為l-15nm。這種制備方法簡(jiǎn)單，通過氣體比例的調(diào)節(jié)，再配合反應(yīng)溫度和時(shí)間，就可以實(shí)現(xiàn)折射率的精確控制。
[0042]需要說明的是，高折射率的第一氧化硅層也可以通過在PECVD設(shè)備中通入N2O來實(shí)現(xiàn)，不需要通入SiH4, N2O電離形成的等離子體直接和硅反應(yīng)形成氧化硅；此外，高折射率的第一氧化硅層也可以通過磁控濺射氧化硅靶材來實(shí)現(xiàn)，通過選用折射率和高折射率的第一氧化娃層相近的派射IE材獲取氧化娃層。
[0043]S105，在第一氧化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入NH3和SiH4制得折射率為2.0-2.15的氮化硅層，其中，反應(yīng)溫度為380-480°C，沉積時(shí)間500_800s，SiH4和NH3的流量比為 0.1-0.3:1 ；
通過上述制備方法獲得折射率為2.0-2.15、厚度為50-70nm的氮化硅層6。這種制備方法簡(jiǎn)單，通過氣體比例的調(diào)節(jié)，再配合反應(yīng)溫度和時(shí)間，就可以實(shí)現(xiàn)折射率的精確控制。
[0044]S106，在氮化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為1.4-1.7的第二氧化硅層，反應(yīng)溫度為350-450°C，沉積時(shí)間lO-lOOs，N2O和SiH4的流量比為1:0.5-5 ；
通過上述制備方法獲得低折射率的第二氧化硅層，第二氧化硅層的折射率為1.4-1.7，厚度為5-15nm。這種制備方法簡(jiǎn)單，通過氣體比例的調(diào)節(jié)，再配合反應(yīng)溫度和時(shí)間，就可以實(shí)現(xiàn)折射率的精確控制。
[0045]需要說明的是，低折射率的第二氧化硅層也可以通過在PECVD設(shè)備中通入N2O來實(shí)現(xiàn)，不需要通入SiH4, N2O電離形成的等離子體直接和硅反應(yīng)形成氧化硅；此外，低折射率的第二氧化硅層也可以通過磁控濺射氧化硅靶材來實(shí)現(xiàn)，通過選用折射率和低折射率的第二氧化硅層相近的濺射靶材獲取氧化硅層。
[0046]S107，在所述硅片背面形成背面電場(chǎng)和背面電極；
所述背面電極優(yōu)選為Ag電極，所述背面電場(chǎng)優(yōu)選為Al背場(chǎng)。
[0047]S108，在所述硅片正面形成正面電極；
所述正面電極優(yōu)選為Ag電極。
[0048]S109，將所述硅片進(jìn)行燒結(jié)。
[0049]下面以具體實(shí)施例進(jìn)一步闡述本發(fā)明實(shí)施例1
在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅；
在所述硅片正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；
去除擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃；
在N型發(fā)射極的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為2.6、厚度為Inm的第一氧化硅層，其中，反應(yīng)溫度為350°C，沉積時(shí)間10s，N2O和SiH4的流量比為0.1:3 ;
在第一氧化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入NH3和SiH4制得折射率為2.10、厚度為50nm的氮化硅層，其中，反應(yīng)溫度為380°C，沉積時(shí)間500s, SiH4和NH3的流量比為0.1:1 ；在氮化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為1.4、厚度為5nm的第二氧化硅層，反應(yīng)溫度為350°C，沉積時(shí)間10s，N2O和SiH4的流量比為1:0.5 ;
在所述硅片背面形成背面電場(chǎng)和背面電極；
在所述硅片正面形成正面電極；
將所述硅片進(jìn)行燒結(jié)。
[0050]實(shí)施例2
在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅；
在所述硅片正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；
去除擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃；
在N型發(fā)射極的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為2.65、厚度為3nm的第一氧化硅層，其中，反應(yīng)溫度為380°C，沉積時(shí)間50s，N2O和SiH4的流量比為0.5:5 ;
在第一氧化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入NH3和SiH4制得折射率為2.11、厚度為52nm的氮化硅層，其中，反應(yīng)溫度為400°C，沉積時(shí)間600s，SiH4和NH3的流量比為0.2:1 ;
在氮化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為1.5、厚度為7nm的第二氧化硅層，反應(yīng)溫度為380°C，沉積時(shí)間50s，N2O和SiH4的流量比為1:1;
在所述硅片背面形成背面電場(chǎng)和背面電極；
在所述硅片正面形成正面電極；
將所述硅片進(jìn)行燒結(jié)。
[0051]實(shí)施例3
在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅；
在所述硅片正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；
去除擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃；
在N型發(fā)射極的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為2.7、厚度為5nm的第一氧化硅層，其中，反應(yīng)溫度為400°C，沉積時(shí)間80s，N2O和SiH4的流量比為0.3:5 ;
在第一氧化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入NH3和SiH4制得折射率為2.12、厚度為55nm的氮化硅層，其中，反應(yīng)溫度為420°C，沉積時(shí)間700s, NH3和SiH4的流量比為0.3:1 ；在氮化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為1.6、厚度為8nm的第二氧化硅層，反應(yīng)溫度為400°C，沉積時(shí)間80s，N2O和SiH4的流量比為1:2;
在所述硅片背面形成背面電場(chǎng)和背面電極；
在所述硅片正面形成正面電極；
將所述硅片進(jìn)行燒結(jié)。
[0052]實(shí)施例4
在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅；
在所述硅片正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；
去除擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃；
在N型發(fā)射極的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為2.8、厚度為1nm的第一氧化硅層，其中，反應(yīng)溫度為420°C，沉積時(shí)間60s，N2O和SiH4的流量比為1:7 ;
在第一氧化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入NH3和SiH4制得折射率為2.13、厚度為60nm的氮化硅層，其中，反應(yīng)溫度為450°C，沉積時(shí)間800s, SiH4和NH3的流量比為0.2:1 ；在氮化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為1.55、厚度為1nm的第二氧化硅層，反應(yīng)溫度為420°C，沉積時(shí)間60s，N2O和SiH4的流量比為1:3;
在所述硅片背面形成背面電場(chǎng)和背面電極；
在所述硅片正面形成正面電極；
將所述硅片進(jìn)行燒結(jié)。
[0053]實(shí)施例5
在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅；
在所述硅片正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；
去除擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃；
在N型發(fā)射極的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為2.9、厚度為12nm的第一氧化硅層，其中，反應(yīng)溫度為440°C，沉積時(shí)間90s，N2O和SiH4的流量比為1:8 ;
在第一氧化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入NH3和SiH4制得折射率為2.14、厚度為65nm的氮化硅層，其中，反應(yīng)溫度為460°C，沉積時(shí)間700s，SiH4和NH3的流量比為0.15:1 ；在氮化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為1.45、厚度為12nm的第二氧化硅層，反應(yīng)溫度為440°C，沉積時(shí)間90s，N2O和SiH4的流量比為1:4 ;
在所述硅片背面形成背面電場(chǎng)和背面電極；
在所述硅片正面形成正面電極；
將所述硅片進(jìn)行燒結(jié)。
[0054]實(shí)施例6
在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅；
在所述硅片正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；
去除擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃；
在N型發(fā)射極的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為3.0、厚度為15nm的第一氧化硅層，其中，反應(yīng)溫度為450°C，沉積時(shí)間100s，N2O和SiH4的流量比為0.5:10 ；
在第一氧化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入NH3和SiH4制得折射率為2.15、厚度為70nm的氮化硅層，其中，反應(yīng)溫度為480°C，沉積時(shí)間800s，SiH4和NH3的流量比為0.25:1 ;
在氮化硅層的正面使用PECVD設(shè)備，通入N2O和SiH4制得折射率為1.7、厚度為15nm的第二氧化硅層，反應(yīng)溫度為450°C，沉積時(shí)間100s，N2O和SiH4的流量比為1:5;
在所述硅片背面形成背面電場(chǎng)和背面電極；
在所述硅片正面形成正面電極；
將所述硅片進(jìn)行燒結(jié)。
[0055]綜上，本發(fā)明在提高電池轉(zhuǎn)換效率的前提下，大幅提高了電池的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減性能。
[0056]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池，包括背面電極、背面電場(chǎng)、？型硅、~型發(fā)射極、第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層和正面電極，其特征在于，所述第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層依次設(shè)于所述~型發(fā)射極之上；所述第一氧化硅層的折射率為2.6-3.0 ；所述氮化硅層的折射率為2.0-2.15，所述第二氧化硅層的折射率為1.4-1.7。
2.如權(quán)利要求1所述的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池，其特征在于，所述第一氧化硅層的折射率為2.8-3.0 ； 所述氮化硅層的折射率為2.10-2.15 ； 所述第二氧化硅層的折射率為1.4-1.6。
3.如權(quán)利要求1所述的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池，其特征在于，所述第一氧化硅層的厚度為1-1511111 ； 所述氮化硅層的厚度為50-7011111 ； 所述第二氧化娃層的厚度為5-1511111。
4.如權(quán)利要求1所述的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池，其特征在于，所述第一氧化硅層通過設(shè)備中通入和31?制得，反應(yīng)溫度為350-4501，沉積時(shí)間5-1008，和81?的流量比為0.1-1:3-10。
5.如權(quán)利要求1所述的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池，其特征在于，所述氮化硅層通過設(shè)備中通入順3和31?制得，反應(yīng)溫度為380-4801，沉積時(shí)間500-8008，81?和順3的流量比為0.1-0.3:1。
6.如權(quán)利要求1所述的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池，其特征在于，所述第二氧化硅層通過設(shè)備中通入和31?制得，反應(yīng)溫度為350-4501，沉積時(shí)間10-1008，和81?的流量比為1:0.5 -5。
7.如權(quán)利要求1所述的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池，其特征在于，所述背面電極和正面電極為電極，所述背面電場(chǎng)為八1背場(chǎng)。
8.一種抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括: 在硅片正面形成絨面，所述硅片為？型硅； 在所述硅片正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成~型發(fā)射極； 去除擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃； 在~型發(fā)射極的正面使用設(shè)備，通入隊(duì)0和31?制得折射率為2.6-3.0的第一氧化硅層，其中，反應(yīng)溫度為350-4501，沉積時(shí)間5-1008，隊(duì)0和31?的流量比為0.1-1:3-10 ； 在第一氧化硅層的正面使用設(shè)備，通入見！3和31?制得折射率為2.0-2.15的氮化硅層，其中，反應(yīng)溫度為380-4801，沉積時(shí)間500-8008，31?和順3的流量比為0.1-0.3:1 ； 在氮化硅層的正面使用設(shè)備，通入隊(duì)0和31?制得折射率為1.4-1.7的第二氧化硅層，反應(yīng)溫度為350-4501，沉積時(shí)間10-1008，隊(duì)0和81?的流量比為1:0.5 -5 ；在所述硅片背面形成背面電場(chǎng)和背面電極； 在所述硅片正面形成正面電極； 將所述硅片進(jìn)行燒結(jié)。
9.如權(quán)利要求8所述的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述第一氧化硅層的折射率為2.8-3.0 ； 所述氮化硅層的折射率為2.10-2.15 ； 所述第二氧化硅層的折射率為1.4-1.6。
10.如權(quán)利要求8所述的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述第一氧化娃層的厚度為1-1511111 ； 所述氮化硅層的厚度為50-7011111 ； 所述第二氧化娃層的厚度為5-1511111。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK104362188SQ201410595682
【公開日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】石強(qiáng), 秦崇德, 方結(jié)彬, 黃玉平, 何達(dá)能 申請(qǐng)人:廣東愛康太陽能科技有限公司