多層陶瓷電容器及具有該多層陶瓷電容器的板的制作方法
【專利摘要】提供了一種多層陶瓷電容器及具有該多層陶瓷電容器的板。所述多層陶瓷電容器可以包括設置在陶瓷主體的安裝表面上，以被彼此分隔開的三個外電極。當包括設置在其中的多個第一內電極和第二內電極的有效層的厚度被定義為AT，并且第一內電極的第一引線部或第二引線部與第二內電極的第三引線部之間的間隙被定義為LG時，可以滿足下述關系式：0.00044≤LG×log[1/AT]≤0.00150。
【專利說明】多層陶瓷電容器及具有該多層陶瓷電容器的板
[0001] 本申請要求于2013年10月1日提交到韓國知識產權局的第10-2013-0117571號 韓國專利申請以及于2014年9月22日提交到韓國知識產權局的第10-2014-0126164號韓 國專利申請的權益，所述韓國專利申請的公開通過引用包含于此。

【技術領域】
[0002] 本公開涉及一種多層陶瓷電容器及一種具有該多層陶瓷電容器的板。

【背景技術】
[0003] 近來，根據電子產品的微型化及電容增加的趨勢，對在用于具有小尺寸和高電容 的電子產品中使用電子組件的需求已經增加。
[0004] 在電子組件中，在多層陶瓷電容器的情況下，當等效串聯電感（在下文中，稱為 "ESL"）增大時，應用了該電容器的電子產品的性能會劣化。另外，根據應用的電子組件的 微型化及電容的增加，多層陶瓷電容器的ESL的增大會相對顯著地影響電子產品性能的劣 化。
[0005] 具體地，根據集成電路（1C)的性能的提高，去耦電容器的使用已經增加。因此，對 具有三端子堅直多層結構的多層陶瓷電容器（MLCC)的需求已經增長，具有三端子堅直多 層結構的多層陶瓷電容器（MLCC)(所謂"低電感片式電容器（LICC)"）能夠通過減小外端 子之間的距離以減小電流路徑而減小電容器的電感。


【發(fā)明內容】

[0006] 本公開的方面可以提供一種能夠顯著減小ESL性能的多層陶瓷電容器以及一種 具有該多層陶瓷電容器的板。
[0007] 根據本公開的示例性實施例，一種多層陶瓷電容器可以包括設置在陶瓷主體的安 裝表面上以被彼此分隔開的三個外電極，其中，當包括設置在其中的多個第一內電極和第 二內電極的有效層的厚度被定義為AT，并且第一內電極的第一引線部或第二引線部與第二 內電極的第三引線部之間的間隙被定義為LG時，滿足下述關系式：0. 00044 < LGX log[l/ AT]彡 0? 00150。
[0008] 根據本公開的另一方面，可以提供一種具有多層陶瓷電容器的板。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 通過下面結合附圖進行的詳細描述，本公開的上述和其它方面、特征和其它優(yōu)點 將被更清楚地理解，在附圖中：
[0010] 圖1是示意性地示出根據本公開中的示例性實施例的多層陶瓷電容器的透視圖；
[0011] 圖2是示出圖1的多層陶瓷電容器的陶瓷主體在陶瓷主體被翻轉的狀態(tài)下的透視 圖；
[0012] 圖3是示出圖1的多層陶瓷電容器在省略了其外電極的狀態(tài)下的分解透視圖；
[0013] 圖4是示出圖1的多層陶瓷電容器的剖視圖；
[0014] 圖5是示意性地示出根據本公開中的另一示例性實施例的多層陶瓷電容器的透 視圖；
[0015] 圖6是示出圖5的多層陶瓷電容器在省略了其外電極的狀態(tài)下的分解透視圖； [0016] 圖7是示出圖5的多層陶瓷電容器的剖視圖；
[0017] 圖8是示意性地示出根據本公開中的另一示例性實施例的多層陶瓷電容器的透 視圖；
[0018] 圖9是示出圖8的多層陶瓷電容器的陶瓷主體的透視圖；
[0019] 圖10是示出圖8的多層陶瓷電容器在省略了其外電極的狀態(tài)下的分解透視圖；
[0020] 圖11是示出圖8的多層陶瓷電容器的剖視圖；
[0021] 圖12是示出圖8的多層陶瓷電容器安裝在板上的形式的透視圖；
[0022] 圖13是示出圖8的多層陶瓷電容器安裝在板上的形式的剖視圖。

【具體實施方式】
[0023] 現在將參照附圖詳細地描述本公開中的示例性實施例。
[0024] 然而，本公開可以以許多不同的形式舉例說明，并且不應被解釋為局限于這里闡 述的特定實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完整的，并且這些實施例 將把本公開的范圍充分地傳達給本領域技術人員。
[0025] 在附圖中，為了清楚起見，可以夸大元件的形狀和尺寸，且相同的附圖標記將始終 用于指示相同或相似的元件。
[0026] 將定義六面體的方向，以清晰地描述本公開中的示例性實施例。在圖1中示出的 L、W和T分別是指長度方向、寬度方向和厚度方向。這里，寬度方向的概念可以與堆疊介電 層的方向的概念相同。
[0027] 多層陶瓷電容器
[0028] 圖1是示意性地示出根據本公開中的示例性實施例的多層陶瓷電容器的透視圖， 圖2是示出圖1的多層陶瓷電容器的陶瓷主體在陶瓷主體被翻轉的狀態(tài)下的透視圖，圖3 是示出圖1的多層陶瓷電容器在省略了其外電極的狀態(tài)下的分解透視圖，圖4是示出圖1 的多層陶瓷電容器的剖視圖。
[0029] 參照圖1到圖4,根據示例性實施例的多層陶瓷電容器100可以包括：陶瓷主體 110,多個介電層111在寬度方向上堆疊在陶瓷主體110中；有效層，包括多個第一內電極 121和多個第二內電極122 ;以及第一外電極至第三外電極133U34和136。
[0030] 即，根據示例性實施例的多層陶瓷電容器100可以被認為是總共具有三個外部端 子的三端子電容器。
[0031] 陶瓷主體110可以具有在厚度方向上彼此相對的第一主表面S1和第二主表面S2、 將第一主表面S1和第二主表面S2連接并且在長度方向上彼此相對的第一端表面S3和第 二端表面S4以及在寬度方向上彼此相對的第一側表面S5和第二側表面S6。
[0032] 在下文中，在示例性實施例中，多層陶瓷電容器100的安裝表面可以是陶瓷主體 110的第一主表面S1。
[0033] 如上所述的陶瓷主體110可以通過在寬度方向上堆疊多個介電層111然后燒結堆 疊的介電層ill來形成，并且陶瓷主體110的形狀不被具體地限制，但可以是如附圖中所示 出的六面體的形狀。然而，陶瓷主體110的尺寸和形狀以及堆疊的介電層111的數量不限 于在附圖中示出的示例性實施例的情形。
[0034] 另外，構成陶瓷主體110的多個介電層111可以呈燒結狀態(tài)，并且彼此相鄰的介電 層111之間的邊界可以是一體的，從而在不使用掃描電子顯微鏡（SEM)的情況下可能不容 易辨別它們。
[0035] 如上所述的陶瓷主體110可以包括有效層以及覆蓋層112和113,內電極在有效層 中，有效層作為對電容器的電容形成有貢獻的部分，覆蓋層112和113分別形成在有效層的 在寬度方向上的兩個側表面上作為在寬度方向上的余量部分。
[0036] 有效層可以通過重復地堆疊多個第一內電極121和第二內電極122并使每個介電 層111介于其間而形成。
[0037] 在這種情況下，介電層111的厚度可以根據多層陶瓷電容器100的電容設計而可 選擇地改變，但是在燒結工藝之后，單層介電層的厚度可以優(yōu)選為0.01 到1.00 iim。然 而，本公開不限于此。
[0038] 此外，介電層111可以包含具有高介電常數的陶瓷粉末，例如，鈦酸鋇（BaTi03)基 粉末或鈦酸鍶（SrTi03)基粉末等，但本公開不限于此，只要可以獲得足夠的電容即可。
[0039] 另外，如果必要，除了陶瓷粉末外，還可以將陶瓷添加劑、有機溶劑、增塑劑、粘合 齊U、分散劑等添加到介電層111。
[0040] 此外，用于形成介電層111的陶瓷粉末的平均粒徑不被具體地限制，并且可以為 了實現本公開的目的來控制。例如，陶瓷粉末的平均粒徑可以被控制為400nm或更小。
[0041] 除了其中不包括內電極，覆蓋層112和113的材料和結構可以與介電層111的材 料和結構相同。
[0042] 另外，覆蓋層111和113可以通過在有效層的在寬度方向上的兩個側表面上分別 堆疊單層介電層或者至少兩層介電層來形成，并且通常用于防止第一內電極121和第二內 電極122被物理或化學應力損壞。
[0043] 第一內電極121和第二內電極122(具有不同極性的電極）可以形成在陶瓷主體 110中并且設置為彼此面對且使每個介電層111介于其間。在這種情況下，第一內電極121 和第二內電極122可以通過介于其間的介電層111彼此電絕緣。
[0044] 另外，第一內電極121和第二內電極122可以設置為與陶瓷主體110的在長度方 向上的第一端表面S3和第二端表面S4分隔開。
[0045] 第一內電極121和第二內電極122可以包括電容部和引線部，電容部通過將內電 極堆疊為彼此相鄰而形成，以對電容形成起到貢獻作用，引線部通過使電容部的一部分延 伸為被暴露到陶瓷主體110外部。
[0046] 在這種情況下，引線部不被具體地限制，但是例如，在陶瓷主體110的長度方向上 引線部的長度可以比構成電容部的內電極的長度短。
[0047] 此外，第一內電極121和第二內電極122的厚度可以根據其預期用途來確定。例 如，考慮到陶瓷主體110的尺寸，第一內電極121和第二內電極122中每者的厚度可以被確 定為在0. 2iim至l.Oiim的范圍內，但是本公開不限于此。
[0048] 另外，形成第一內電極121和第二內電極122的材料不被具體地限制。例如，第一 內電極121和第二內電極122可以使用由諸如鈀（Pd)、鈀-銀（Pd-Ag)合金等的貴金屬材 料、鎳（Ni)和銅（Cu)中的至少一種形成的導電膏來形成。
[0049] 此外，對于印刷導電膏的方法，可以使用絲網印刷法、凹版印刷法等，但是本公開 不限于此。
[0050] 在示例性實施例中，第一引線部121b和第二引線部121b'可以設置為在陶瓷主體 110的長度方向上彼此分隔開，并且可以形成在第一內電極121中，以被延伸并暴露至第一 主表面S1 (陶瓷主體110的安裝表面）。
[0051] 第三引線部122b可以設置在第一引線部121b和第二引線部121b'之間，并且可 以形成在第二內電極122中，以被延伸并暴露至陶瓷主體110的第一主表面S1。
[0052] 第一外電極133和第二外電極134是極性彼此相同的電極，第一外電極133和第 二外電極134可以設置在陶瓷主體110的第一主表面S1上，以在陶瓷主體110的長度方向 上彼此分隔開，并且可以分別接觸暴露至陶瓷主體110的第一主表面S1的第一引線部121b 和第二引線部121b'，由此被電連接到第一引線部121b和第二引線部121b'。
[0053] 如上所述的第一外電極133和第二外電極134可以從陶瓷主體110的第一主表面 S1延伸到陶瓷主體110的在寬度方向上的第一側表面S5和第二側表面S6的一部分。
[0054] 第三外電極136是極性與第一外電極133和第二外電極134的極性不同的電極， 第三外電極136可以在示例性實施例中用作接地端子。
[0055] 第三外電極136可以設置在第一外電極133和第二外電極134之間，并且與暴露 至陶瓷主體110的第一主表面S1的第三引線部122b接觸，由此被電連接到第三引線部 122b。
[0056] 如上所述的第三外電極136可以從陶瓷主體110的第一主表面S1延伸到陶瓷主 體110的在寬度方向上的第一側表面S5和第二側表面S6的一部分。
[0057] 在這種情況下，第一外電極至第三外電極可以具有10ym至40iim的厚度。此時， 多層陶瓷電容器100的ESL的值可以為50pH或更小。
[0058] 此外，在這種情況下，由于第一外電極133和第二外電極134與第三外電極136之 間的間隙小，所以可以縮短電流回路，由此減小電感。
[0059] 如上所述的第一外電極至第三外電極133、134和136可以具有三層結構，并且可 以包括：第一導電層至第三導電層133a、134a和136a，分別接觸內電極的設置在與導電層 相對應的位置中的引線部，由此被連接至內電極的引線部；第一鎳（Ni)鍍層至第三鎳鍍層 133b、134b和136b，形成為覆蓋第一導電層至第三導電層133a、134a和136a ;以及第一錫 (Sn)鍍層至第三錫鍍層133c、134c和136c，形成為覆蓋第一鎳鍍層至第三鎳鍍層133b、 134b 和 136b。
[0060] 第一導電層至第三導電層133a、134a和136a可以由與第一內電極121和第二內 電極122的導電材料相同的導電材料形成，但是本公開不限于此。例如，第一導電層至第三 導電層133a、134a和136a可以使用諸如銅（Cu)、銀（Ag)、鎳（Ni)等的金屬的粉末顆粒形 成，并且可以通過施用導電膏然后燒結施用的導電膏來形成，其中，導電膏通過將玻璃熔塊 添加至金屬粉末顆粒來制備。
[0061] 在下文中，將描述在根據示例性實施例的多層陶瓷電容器中所包括的組件的尺 寸、可靠性的保證以及ESL之間的關系。
[0062] 參照圖3,當陶瓷主體110的有效層的厚度被定義為AT，并且第一引線部121b或 第二引線部121b'與第三引線部122b之間的間隙被定義為LG時，片的電容形成區(qū)域的厚 度與內電極的引線部間的距離之間的關系可以滿足下述關系式：0.00044彡LGXl〇g[l/ AT]彡0. 00150。在這種情況下，多層陶瓷電容器100的ESL可以為50pH或更小。
[0063] 這里，陶瓷主體110的有效層的厚度AT與電流寬度有關，隨著厚度AT增大，磁通 量可以彼此抵消，使得可以減小ESL。由于在理想的情況下，電流寬度與導線的橫截面的直 徑相似，因此電流寬度可以與l〇g[l/AT]成比例。
[0064] 另外，第一引線部121b或第二引線部121b'與第三引線部122b之間的間隙LG與 電流長度有關，隨著間隙LG減小，電流回路的面積減小，使得ESL可以減小。
[0065] 此外，可以優(yōu)選的是，第一引線部121b或第二引線部121b'與第三引線部122b之 間的間隙LG大于lOOiim。
[0066] 在第一引線部121b或第二引線部121b'與第三引線部122b之間的間隙LG為 100 ym或更小的情況下，引線部之間的間隙會過于狹窄，從而會發(fā)生安裝缺陷。
[0067] 參照圖4,第一導電層至第三導電層133a、134a和136a的厚度可以被定義為CT， 第一鎳鍍層至第三鎳鍍層133b、134b和136b的厚度可以被定義為NT，第一錫鍍層至第三錫 鍍層133c、134c和136c的厚度可以被定義為ST，并且鎳鍍層和錫鍍層的總厚度可以被定義 為PT。
[0068] 這里，第一導電層至第三導電層133a、134a和136a的厚度CT可以為5iim至 25 u m〇
[0069] 此外，第一鎳鍍層至第三鎳鍍層133b、134b和136b的厚度NT可以為2iim或更大。
[0070] 另外，第一錫鍍層至第三錫鍍層133c、134c和136c的厚度ST可以為3 iim或更大。
[0071] 此外，鎳鍍層和錫鍍層的總厚度PT可以為15 iim或更小。
[0072] 還可以通過如上所述地設置第一外電極至第三外電極的厚度來防止由于鍍覆溶 液的滲透導致的可靠性的劣化。將在下面的實驗示例中提供對其的詳細描述。
[0073] 實駘示例
[0074] 如下地制造根據發(fā)明示例和對比例的多層陶瓷電容器。
[0075] 將包含諸如鈦酸鋇（BaTi03)等的粉末的漿料施用到載體膜上，然后對其進行干 燥，以制備厚度均為1. 8 ii m的多個陶瓷生片。
[0076] 接下來，使用絲網印刷法將用于鎳內電極的導電膏施用到陶瓷生片上，以形成第 一內電極和第二內電極，第一內電極具有暴露至陶瓷生片的第一主表面的第一引線部和第 二引線部，第二內電極具有與第一引線部和第二引線部分隔開并且暴露至陶瓷生片的第一 主表面的第三引線部。
[0077] 然后，堆疊大約200層陶瓷生片，但是在堆疊的陶瓷生片的兩個側表面上進一步 堆疊其上沒有形成第一內電極和第二內電極的陶瓷生片，由此制造多層主體。隨后，在85°C 下以及l(fā)OOOkgf/cm2的壓力下對多層主體進行等靜壓制。
[0078] 接下來，將壓制的陶瓷多層主體切割成單個片，將切割的片在空氣氣氛下在230°C 的溫度下維持60小時，由此經受脫脂處理。
[0079] 接下來，在氧分壓為KTnatm至lO^itm(低于Ni/Ni0平衡的氧分壓）還原氣氛 下，以內電極不被氧化的這種方式，在大約1200°C的溫度下燒結所述片，由此制備陶瓷主 體。
[0080] 在燒結之后，多層片式電容器的片尺寸為大約1.0mmX0.5mm(長X寬（LXW)， 1005尺寸）。這里，制造公差被設定在±0. 1mm(長X寬（LXW))的范圍內。
[0081] 此后，多層片式電容器經過在陶瓷主體的第一主表面上分別與第一內電極的第一 引線部至第二內電極的第三引線部對應地形成第一外電極至第三外電極的工藝，由此完成 多層陶瓷電容器。然后，測試是否出現高溫負荷缺陷、執(zhí)行的粘合是否可靠以及是否發(fā)生焊 接缺陷，并且測量和測試等效串聯電感（ESL)。結果在表1至表6中示出。
[0082] 針對100個測試樣品執(zhí)行每個測試。在這種情況下，第一引線部或第二引線部與 第三引線部之間的間隙LG被設定為400 i! m。
[0083] 這里，缺陷率低于0.01%的情況被確定為是優(yōu)異的（◎)，缺陷率為0.01%或更高 至低于1 %的情況被確定為是良好的（〇），缺陷率為1 %或更高至低于50%的情況被認為 是有缺陷的（A )，缺陷率為50%或更高的情況被確定為是顯著有缺陷的（X)。另外，ESL 為50pH或更低的情況被確定為是良好的。
[0084] [表 1]
[0085]

【權利要求】
1. 一種多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器包括： 陶瓷主體，包括在寬度方向上堆疊在陶瓷主體內的多個介電層； 有效層，包括多個交替地設置的第一內電極和第二內電極，各個介電層介于第一內電 極和第二內電極之間； 第一引線部和第二引線部，形成在第一內電極中，以被延伸并暴露至陶瓷主體的安裝 表面，并且設置為在陶瓷主體的長度方向上彼此分隔開； 第三引線部，形成在第二內電極中，以被延伸并暴露至陶瓷主體的安裝表面，并且設置 在第一引線部和第二引線部之間； 第一外電極和第二外電極，設置在陶瓷主體的安裝表面上以在陶瓷主體的長度方向上 彼此分隔開，并且分別連接到第一引線部和第二引線部；以及 第三外電極，設置在第一外電極和第二外電極之間、從陶瓷主體的安裝表面延伸至陶 瓷主體的在寬度方向上的兩個側表面的一部分并且連接到第三引線部， 其中，當有效層的厚度被定義為AT，并且第一引線部或第二引線部與第三引線部之間 的間隙被定義為LG時，滿足下述關系式：0. 00044彡LGX log[l/AT]彡0. 00150。
2. 如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，第一內電極和第二內電極與陶瓷主體 的在長度方向上的兩個端表面分隔開。
3. 如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，第一引線部或第二引線部與第三引線 部之間的間隙LG大于100 ii m。
4. 如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器還包括形成在有效層的 在寬度方向上的兩個側表面上的覆蓋層。
5. 如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，第一外電極至第三外電極具有10 U m至 40 ii m的厚度。
6. 如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，第一外電極至第三外電極包括：導電 層，分別接觸設置在與導電層對應的部分中的引線部，由此被連接到引線部；鎳鍍層，形成 為覆蓋導電層；以及錫鍍層，形成為覆蓋鎳鍍層， 導電層的厚度為5 y m至25 y m。
7. 如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，第一外電極至第三外電極包括：導電 層，分別接觸設置在與導電層對應的部分中的引線部，由此被連接到引線部；鎳鍍層，形成 為覆蓋導電層；以及錫鍍層，形成為覆蓋鎳鍍層， 鎳鍍層的厚度為2 ii m或更大。
8. 如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，第一外電極至第三外電極包括：導電 層，分別接觸設置在與導電層對應的部分中的引線部，由此被連接到引線部；鎳鍍層，形成 為覆蓋導電層；以及錫鍍層，形成為覆蓋鎳鍍層， 錫鍍層的厚度為3 ii m或更大。
9. 如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，第一外電極至第三外電極包括：導電 層，分別接觸設置在與導電層對應的部分中的引線部，由此被連接到引線部；鎳鍍層，形成 為覆蓋導電層；以及錫鍍層，形成為覆蓋鎳鍍層， 鎳鍍層和錫鍍層的總厚度為15 ym或更小。
10. 如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，第一外電極至第三外電極從陶瓷主體 的安裝表面延伸至陶瓷主體的在寬度方向上兩個側表面的一部分。
11. 如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器還包括： 第四引線部和第五引線部，形成在第一內電極中，以被延伸并暴露至與陶瓷主體的安 裝表面相對的表面，并且設置為在陶瓷主體的長度方向上彼此分隔開； 第六引線部，形成在第二內電極中，以被延伸并暴露至與陶瓷主體的安裝表面相對的 表面，并且設置在第四引線部和第五引線部之間；以及 絕緣層，設置在與陶瓷主體的安裝表面相對的表面上。
12. 如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器還包括： 第四引線部和第五引線部，形成在第一內電極中，以被延伸并暴露至與陶瓷主體的安 裝表面相對的表面，并且設置為在陶瓷主體的長度方向上彼此分隔開； 第六引線部，形成在第二內電極中，以被延伸并暴露至與陶瓷主體的安裝表面相對的 表面，并且設置在第四引線部和第五引線部之間； 第四外電極和第五外電極，設置在與陶瓷主體的安裝表面相對的表面上以在陶瓷主體 的長度方向上彼此分隔開，并且分別連接到第四引線部和第五引線部；以及 第六外電極，設置在第四外電極和第五外電極之間，從與陶瓷主體的安裝表面相對的 表面延伸至陶瓷主體的在寬度方向上的兩個側表面的一部分，并且連接到第六引線部。
13. 如權利要求12所述的多層陶瓷電容器，其中，第四引線部或第五引線部與第六引 線部之間的間隙LG大于100 y m。
14. 如權利要求12所述的多層陶瓷電容器，其中，第四外電極至第六外電極具有10 y m 至40 ii m的厚度。
15. 如權利要求12所述的多層陶瓷電容器，其中，第四外電極至第六外電極包括：導電 層，分別接觸設置在與導電層對應的部分中的引線部，由此被連接到引線部；鎳鍍層，形成 為覆蓋導電層；以及錫鍍層，形成為覆蓋鎳鍍層， 導電層的厚度為5 y m至25 y m。
16. 如權利要求12所述的多層陶瓷電容器，其中，第四外電極至第六外電極包括：導電 層，分別接觸設置在與導電層對應的部分中的引線部，由此被連接到引線部；鎳鍍層，形成 為覆蓋導電層；以及錫鍍層，形成為覆蓋鎳鍍層， 鎳鍍層的厚度為2 ii m或更大。
17. 如權利要求12所述的多層陶瓷電容器，其中，第四外電極至第六外電極包括：導電 層，分別接觸設置在與導電層對應的部分中的引線部，由此被連接到引線部；鎳鍍層，形成 為覆蓋導電層；以及錫鍍層，形成為覆蓋鎳鍍層， 錫鍍層的厚度為3 ii m或更大。
18. 如權利要求12所述的多層陶瓷電容器，其中，第四外電極至第六外電極包括：導電 層，分別接觸設置在與導電層對應的部分中的引線部，由此被連接到引線部；鎳鍍層，形成 為覆蓋導電層；以及錫鍍層，形成為覆蓋鎳鍍層， 鎳鍍層和錫鍍層的總厚度為15 ym或更小。
19. 如權利要求12所述的多層陶瓷電容器，其中，第四外電極至第六外電極從與陶瓷 主體的安裝表面相對的表面延伸至陶瓷主體的在寬度方向上的兩個側表面的一部分。
20. -種具有多層陶瓷電容器的板，所述板包括： 電路板，具有形成在電路板上的第一電極焊盤至第三電極焊盤；以及 如權利要求1至19中的任意一項權利要求所述的多層陶瓷電容器，具有分別設置在第 一電極焊盤至第三電極焊盤上的第一外電極至第三外電極。
【文檔編號】H01G4/30GK104517730SQ201410525000
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年10月8日 優(yōu)先權日:2013年10月1日
【發(fā)明者】李炳華, 李教光, 樸珉哲, 安永圭, 樸祥秀 申請人:三星電機株式會社