太陽(yáng)能電池的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池，包括一光電轉(zhuǎn)換層、一背電極圖案層以及多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊。光電轉(zhuǎn)換層具有相對(duì)的一迎光面與一背光面。背電極圖案層設(shè)置于背光面。應(yīng)力緩沖區(qū)塊夾設(shè)于背光面與背電極圖案層之間。本發(fā)明可避免太陽(yáng)能電池彎曲、破裂或斷裂。
【專利說(shuō)明】太陽(yáng)能電池

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池，尤指一種利用應(yīng)力緩沖區(qū)塊形成降低熱膨脹應(yīng)力的太陽(yáng)能電池。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今人類使用的能源主要來(lái)自于石油資源，但由于地球石油資源有限，因此近年來(lái)對(duì)于替代能源的需求與日俱增，而在各式替代能源中又以太陽(yáng)能最具發(fā)展?jié)摿?。傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池系由一背電極、一光電轉(zhuǎn)換層以及一前電極依序堆疊所構(gòu)成，且通過(guò)光電轉(zhuǎn)換層將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)換為電流，并通過(guò)背電極與前電極將電流導(dǎo)引出，進(jìn)而產(chǎn)生電能。在傳統(tǒng)制作太陽(yáng)能電池的步驟中，背電極通過(guò)網(wǎng)印方式將鋁與銀涂布于光電轉(zhuǎn)換層的整個(gè)背光面，并經(jīng)過(guò)高溫共燒的方式形成于整個(gè)背光面上。然而，光電轉(zhuǎn)換層系由硅所構(gòu)成，且鋁與銀的熱膨脹系數(shù)約為硅的熱膨脹系數(shù)的十倍，因此在經(jīng)過(guò)高溫共燒之后，背電極的熱膨脹體積與冷卻收縮的體積皆大于光電轉(zhuǎn)換層的熱膨脹體積與冷卻收縮的體積。如此一來(lái)，背電極與光電轉(zhuǎn)換層相接觸所形成接口會(huì)有較大的膨脹應(yīng)力產(chǎn)生，使得太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生彎曲。隨著太陽(yáng)能電池的厚度越來(lái)越薄，太陽(yáng)能電池甚至?xí)a(chǎn)生破裂或斷裂，進(jìn)而造成破片率大幅提升。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的之一在于提供一種太陽(yáng)能電池，以避免太陽(yáng)能電池彎曲、破裂或斷
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[0004]為達(dá)上述目的,本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池，其包括一光電轉(zhuǎn)換層、一背電極圖案層以及多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊。光電轉(zhuǎn)換層具有相對(duì)的一迎光面與一背光面。背電極圖案層設(shè)置于背光面。應(yīng)力緩沖區(qū)塊夾設(shè)于背光面與背電極圖案層之間。
[0005]為達(dá)上述目的，本發(fā)明另提供一種太陽(yáng)能電池，其包括一光電轉(zhuǎn)換層以及一背電極圖案層。光電轉(zhuǎn)換層具有相對(duì)的一迎光面與一背光面。背電極圖案層設(shè)置于背光面，其中背光面與背電極圖案層之間具有多個(gè)接口。
[0006]綜上所述，于本發(fā)明的太陽(yáng)能電池中，背電極圖案層與光電轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置有不連續(xù)的應(yīng)力緩沖區(qū)塊，因此背電極圖案層與光電轉(zhuǎn)換層之間的應(yīng)力可被減緩，進(jìn)而減少太陽(yáng)能電池產(chǎn)生破裂或斷裂，以及降低破片率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的底視示意圖。
[0008]圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面示意圖。
[0009]圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面示意圖。
[0010]圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面示意圖。
[0011]圖5為本發(fā)明第四實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的底視示意圖。
[0012]圖6為本發(fā)明第五實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面示意圖。
[0013][主要組件附圖標(biāo)記說(shuō)明]
[0014]100、200、300、太陽(yáng)能電池 102光電轉(zhuǎn)換層
[0015]400、500
[0016]102a 迎光面 102b背光面
[0017]104 前電極圖案層 106背電極圖案層
[0018]108 第一半導(dǎo)體層 110第二半導(dǎo)體層
[0019]112 第一導(dǎo)電圖案層 112a長(zhǎng)條狀電極
[0020]114 第二導(dǎo)電圖案層 116界面
[0021]118,202,502 應(yīng)力緩沖區(qū)塊 120、302、402 第一凹洞
[0022]122 抗反射層 204第二凹洞
[0023]404 電極線段 504第三凹洞

【具體實(shí)施方式】
[0024]請(qǐng)參考圖1與圖2，圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的底視示意圖，且圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面示意圖。如圖1與圖2所示，本實(shí)施例的太陽(yáng)電池100包括一光電轉(zhuǎn)換層102、一前電極圖案層104以及一背電極圖案層106。光電轉(zhuǎn)換層102具有彼此相對(duì)的一迎光面102a與一背光面102b，其中迎光面102a系面對(duì)所欲吸收的光線，例如:太陽(yáng)光，使得光線系從迎光面102a射入光電轉(zhuǎn)換層102,而背光面102b則為背對(duì)光線，因此不會(huì)有光線從背光面102b射入。光電轉(zhuǎn)換層102可包括一第一半導(dǎo)體層108以及一第二半導(dǎo)體層110，且第二半導(dǎo)體層110堆疊于第一半導(dǎo)體層108上。第一半導(dǎo)體層108具有一第一導(dǎo)電類型，例如:P型，且第二半導(dǎo)體層110具有一不同于第一導(dǎo)電類型的第二導(dǎo)電類型，例如:N型。并且，第一半導(dǎo)體層108與第二半導(dǎo)體層110之間可形成一PN接面，以用于吸收太陽(yáng)光，并將其轉(zhuǎn)換為電子電洞對(duì)，進(jìn)而產(chǎn)生電流。舉例來(lái)說(shuō)，第一半導(dǎo)體層108可為一半導(dǎo)體基板，例如:硅晶圓，而第二半導(dǎo)體層110可為一摻雜區(qū)，設(shè)置于半導(dǎo)體基板的上部，其中摻雜區(qū)可通過(guò)于半導(dǎo)體基板的上部摻雜第二導(dǎo)電類型的離子，例如:磷離子，而形成。借此，半導(dǎo)體基板與摻雜區(qū)之間可形成PN接面。于本實(shí)施例中，光電轉(zhuǎn)換層102的厚度可為180微米，但不限于此。
[0025]此外，前電極圖案層104設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層102的迎光面102a上，且背電極圖案層106設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層102的背光面102b上，因此從光電轉(zhuǎn)換層102所轉(zhuǎn)換的電子電洞對(duì)可通過(guò)前電極圖案層104與背電極圖案層106導(dǎo)引至外界的匯流組件。于本實(shí)施例中，背電極圖案層106包括一第一導(dǎo)電圖案層112與一第二導(dǎo)電圖案層114，且第一導(dǎo)電圖案層112與第二導(dǎo)電圖案層114覆蓋光電轉(zhuǎn)換層102的整個(gè)背光面102b，其中第一導(dǎo)電圖案層112對(duì)應(yīng)前電極圖案層104設(shè)置,且第一導(dǎo)電圖案層112與前電極圖案層104具有相同圖案。換句話說(shuō)，第一導(dǎo)電圖案層112與前電極圖案層104于一垂直投影方向上彼此重迭并設(shè)置于相同的位置。舉例來(lái)說(shuō)，第一導(dǎo)電圖案層112可包括多個(gè)長(zhǎng)條狀電極112a，沿著一方向依序排列，且第二導(dǎo)電圖案層114圍繞各長(zhǎng)條狀電極112a,使得第一導(dǎo)電圖案層112的長(zhǎng)條狀電極112a與第二導(dǎo)電圖案層114沿著此方向交替排列，但本發(fā)明并不限于此。于本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電圖案層112可包括銀，且第二導(dǎo)電圖案層114可包括鋁，但本發(fā)明并不以此為限。并且，第一導(dǎo)電圖案層112的形成方法可包括通過(guò)例如網(wǎng)版印刷、刮刀、噴墨印刷或凹版印刷等方法將含銀的漿料，例如銀膠，涂布于光電轉(zhuǎn)換層102上，然后進(jìn)行高溫共燒制程，以達(dá)到銀硅接口與鋁硅接口有效結(jié)合，進(jìn)而形成第一導(dǎo)電圖案層112。同理，于光電轉(zhuǎn)換層102上形成第一導(dǎo)電圖案層112之后，第二導(dǎo)電圖案層114可通過(guò)相同的方式將含鋁的漿料涂布于光電轉(zhuǎn)換層102上的第一導(dǎo)電圖案層112以外區(qū)域，并通過(guò)高溫共燒制程而形成。但本發(fā)明形成第一導(dǎo)電圖案層與第二導(dǎo)電圖案層的方式并不限于此。
[0026]于本實(shí)施例中，為了降低背電極圖案層106于高溫共燒背電極圖案層106時(shí)對(duì)光電轉(zhuǎn)換層102的膨脹應(yīng)力，太陽(yáng)能電池100可具有多個(gè)界面116，位于背光面102b與背電極圖案層106之間。具體來(lái)說(shuō)，太陽(yáng)能電池100另包括多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊118，夾設(shè)于背光面102b與背電極圖案層106之間，且應(yīng)力緩沖區(qū)塊118系與背電極圖案層106相接觸，使得接口 116可由應(yīng)力緩沖區(qū)塊118與背電極圖案層106所形成。進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，背光面102b系包括多個(gè)第一凹洞120，且各應(yīng)力緩沖區(qū)塊118填設(shè)于各第一凹洞120中，并填滿各第一凹洞120，使得覆蓋于背光面102b上的背電極圖案層106可同時(shí)與應(yīng)力緩沖區(qū)塊118以及光電轉(zhuǎn)換層102相接觸。本實(shí)施例的各應(yīng)力緩沖區(qū)塊118的熱膨脹系數(shù)系介于光電轉(zhuǎn)換層102的熱膨脹系數(shù)與背電極圖案層106的熱膨脹系數(shù)之間，例如:各應(yīng)力緩沖區(qū)塊118可包括熱膨脹系數(shù)介于光電轉(zhuǎn)換層102與背電極圖案層106的陶瓷材料，例如:氧化鋁、氧化鈦或氧化鋯，但不限于此。借此，當(dāng)太陽(yáng)能電池100處于高溫環(huán)境時(shí)，應(yīng)力緩沖區(qū)塊118可減緩背電極圖案層106對(duì)光電轉(zhuǎn)換層102的膨脹或收縮應(yīng)力。進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，應(yīng)力緩沖區(qū)塊118的熱膨脹系數(shù)較佳接近光電轉(zhuǎn)換層102的熱膨脹系數(shù)與背電極圖案層106的熱膨脹系數(shù)的算術(shù)平均數(shù)，以有效地減緩光電轉(zhuǎn)換層102與背電極圖案層106之V的膨脹應(yīng)力。舉例來(lái)說(shuō)，應(yīng)力緩沖區(qū)塊118分別為氧化鋁、氧化鈦及氧化鋯三者比較，其熱膨脹系數(shù)分別為7.8ppm/°C、9ppm/°C及10.3ppm/°C,熱膨脹系數(shù)皆介于主成分為娃(2.6ppm/°C )的光電轉(zhuǎn)換層102與主成分為銀(19ppm/°C)或鋁(23ppm/°C )的背電極圖案層106之間，其中以氧化鋯的熱膨脹系數(shù)最接近光電轉(zhuǎn)換層102的熱膨脹系數(shù)與背電極圖案層106的熱膨脹系數(shù)的算術(shù)平均數(shù)，故氧化鋯減緩光電轉(zhuǎn)換層102與背電極圖案層106之間的膨脹應(yīng)力效果最佳,且材料成本低廉。此外,本實(shí)施例的應(yīng)力緩沖區(qū)塊118可通過(guò)于第一凹洞120內(nèi)填入陶瓷漿料然后加熱而形成，但不限于此。
[0027]于本實(shí)施例中，由于第二導(dǎo)電圖案層114的面積較大，且鋁與硅之間的熱膨脹系數(shù)差異大于銀與硅之間的熱膨脹系數(shù)差異，因此應(yīng)力緩沖區(qū)塊118主要設(shè)置于第二導(dǎo)電圖案層114上。并且，由于當(dāng)太陽(yáng)能電池有應(yīng)力產(chǎn)生時(shí)，太陽(yáng)能電池100的邊緣較其中心更容易破裂，因此鄰近太陽(yáng)能電池100的邊緣的第二導(dǎo)電圖案層上必須設(shè)置應(yīng)力緩沖區(qū)塊118。借此，各第一凹洞120于垂直投影方向上并不與第一導(dǎo)電圖案層112重迭。各第一凹洞120的上視圖案可為長(zhǎng)條狀，因此填充于各第一凹洞120內(nèi)的各應(yīng)力緩沖區(qū)塊118亦為長(zhǎng)條狀，且僅與第二導(dǎo)電圖案層114相接觸，而于兩者之間形成接口 116，但本發(fā)明不限于此。并且，第一凹洞120可通過(guò)非等向性蝕刻制程蝕刻光電轉(zhuǎn)換層102所形成，因此第一凹洞120的剖面圖案可為三角形，但本發(fā)明不限于此。
[0028]于本實(shí)施例中，太陽(yáng)能電池100可選擇性另包括一抗反射層122，設(shè)置于迎光面102a上，用于減少光線進(jìn)入太陽(yáng)能電池100之前被反射的數(shù)量，以提升太陽(yáng)能電池100的受光量以及所轉(zhuǎn)換的光電流?？狗瓷鋵?22可包括氮化硅，但不限于此。
[0029]值得一提的是，本實(shí)施例的太陽(yáng)能電池100于背電極圖案層106與背光面102b之間設(shè)置不連續(xù)的應(yīng)力緩沖區(qū)塊118，使得背電極圖案層106與光電轉(zhuǎn)換層102之間的應(yīng)力可被減緩，進(jìn)而減少太陽(yáng)能電池100產(chǎn)生破裂或斷裂，以及降低破片率。
[0030]本發(fā)明的太陽(yáng)能電池并不以上述實(shí)施例為限。下文將繼續(xù)揭示本發(fā)明的其它實(shí)施例或變化形，然為了簡(jiǎn)化說(shuō)明并突顯各實(shí)施例或變化形之間的差異，下文中使用相同標(biāo)號(hào)標(biāo)注相同組件，并不再對(duì)重復(fù)部分作贅述。
[0031]請(qǐng)參考圖3，圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面示意圖。如圖3所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例的太陽(yáng)能電池200的應(yīng)力緩沖區(qū)塊202除了與第二導(dǎo)電圖案層114相接觸之外，更可另與第一導(dǎo)電圖案層112相接觸，使得應(yīng)力緩沖區(qū)塊202與第一導(dǎo)電圖案層112形成接口 116。具體來(lái)說(shuō)，應(yīng)力緩沖區(qū)塊202的一部分與第一導(dǎo)電圖案層112相接觸，而形成接口的一部分，且應(yīng)力緩沖區(qū)塊202的另一部分與第二導(dǎo)電圖案層114相接觸，而形成接口的另一部分。光電轉(zhuǎn)換層102的背光面102b另包括多個(gè)第二凹洞204，且第二凹洞204于垂直投影方向上與第一導(dǎo)電圖案層112相重迭。并且，各應(yīng)力緩沖區(qū)塊202分別填設(shè)于各第一凹洞120與各第二凹洞204中。借此，除了第二導(dǎo)電圖案層114可同時(shí)與應(yīng)力緩沖區(qū)塊202以及光電轉(zhuǎn)換層102相接觸之外，第一導(dǎo)電圖案層112亦可同時(shí)與應(yīng)力緩沖區(qū)塊202以及光電轉(zhuǎn)換層102相接觸并減緩第一導(dǎo)電圖案層112與光電轉(zhuǎn)換層102之間的膨脹應(yīng)力。如此一來(lái)，本實(shí)施例的太陽(yáng)能電池200可有效地減緩第一導(dǎo)電圖案層112以及第二導(dǎo)電圖案層114與光電轉(zhuǎn)換層102之間的膨脹與收縮應(yīng)力。
[0032]請(qǐng)參考圖4，圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面示意圖。如圖4所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例的太陽(yáng)能電池300的第一凹洞302的剖面圖案可為圓弧狀。具體來(lái)說(shuō)，第一凹洞302可通過(guò)等向性蝕刻制程蝕刻光電轉(zhuǎn)換層102所形成，因此第一凹洞302的剖面圖案為圓弧狀，但本發(fā)明不限于此。于其他實(shí)施例中，第二凹洞的剖面圖案亦可為圓弧狀。
[0033]請(qǐng)參考圖5，圖5為本發(fā)明第四實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的底視示意圖。如圖5所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例的太陽(yáng)能電池400的各第一凹洞402的上視圖案可為圓形，且第一凹洞402呈矩陣形狀排列，但不限于此。并且，第一導(dǎo)電圖案層112可包括復(fù)數(shù)條電極線段404，且電極線段404呈矩陣形狀排列，但不限于此。于其他實(shí)施例中，第二凹洞的上視圖案亦可為圓形。
[0034]請(qǐng)參考圖6，圖6為本發(fā)明第五實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面示意圖。如圖6所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例的太陽(yáng)能電池500的一部分應(yīng)力緩沖區(qū)塊502可同時(shí)與第二導(dǎo)電圖案層114以及第一導(dǎo)電圖案層112相接觸，使得所形成的接口 116的一部分可橫跨第一導(dǎo)電圖案層112與第二導(dǎo)電圖案層114。具體來(lái)說(shuō)，應(yīng)力緩沖區(qū)塊502的一部分同時(shí)與第一導(dǎo)電圖案層112以及第二導(dǎo)電圖案層114相接觸，以形成接口 116的一部分，其橫跨第一導(dǎo)電圖案層112與第二導(dǎo)電圖案層114，且應(yīng)力緩沖區(qū)塊502的另一部分僅與第二導(dǎo)電圖案層114相接觸，以形成接口 116的另一部分。光電轉(zhuǎn)換層102的背光面102b另包括多個(gè)第三凹洞504，且第三凹洞504于垂直投影方向上同時(shí)與第一導(dǎo)電圖案層112以及第二導(dǎo)電圖案層114相重迭。并且，各應(yīng)力緩沖區(qū)塊502分別填設(shè)于各第一凹洞120與各第三凹洞504中。借此，鄰近第一導(dǎo)電圖案層112、第二導(dǎo)電圖案層114以及光電轉(zhuǎn)換層102的交界處的熱膨脹與收縮應(yīng)力可通過(guò)各應(yīng)力緩沖區(qū)塊502來(lái)減緩。
[0035]綜上所述，于本發(fā)明的太陽(yáng)能電池中，背電極圖案層與光電轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置有不連續(xù)的應(yīng)力緩沖區(qū)塊，因此背電極圖案層與光電轉(zhuǎn)換層之間的應(yīng)力可被減緩，進(jìn)而減少太陽(yáng)能電池產(chǎn)生破裂或斷裂，以及降低破片率。
[0036]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種太陽(yáng)能電池，包括: 一光電轉(zhuǎn)換層，具有相對(duì)的一迎光面與一背光面； 一背電極圖案層，設(shè)置于該背光面；以及 多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊，夾設(shè)于該背光面與該背電極圖案層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊的熱膨脹系數(shù)介于該光電轉(zhuǎn)換層的熱膨脹系數(shù)與該背電極圖案層的熱膨脹系數(shù)之間。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中該背光面包括多個(gè)凹洞，所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊填設(shè)于所述多個(gè)凹洞中。
4.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中各該應(yīng)力緩沖區(qū)塊包括氧化鋁、氧化鋯或氧化鈦。
5.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，還包括一前電極圖案層設(shè)置于該迎光面，該背電極圖案層具有一第一導(dǎo)電圖案層及一第二導(dǎo)電圖案層，該第一導(dǎo)電圖案層對(duì)應(yīng)該前電極圖案層設(shè)置，且該第一導(dǎo)電圖案層與該前電極圖案層具有相同圖案。
6.如權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池，其中所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊與該第二導(dǎo)電圖案層相接觸。
7.如權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池，其中所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊的一部分與該第一導(dǎo)電圖案層相接觸，且所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊的另一部分與該第二導(dǎo)電圖案層相接觸。
8.如權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池，其中所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊的一部分與該第二導(dǎo)電圖案層相接觸，且所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊的另一部分同時(shí)與該第一導(dǎo)電圖案層以及該第二導(dǎo)電圖案層相接觸。
9.一種太陽(yáng)能電池，包括: 一光電轉(zhuǎn)換層，具有相對(duì)的一迎光面與一背光面；以及 一背電極圖案層，設(shè)置于該背光面，其中該背光面與該背電極圖案層之間具有多個(gè)接□。
10.如權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)能電池，另包括多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊，設(shè)置于該背光面與該背電極圖案層之間，且所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊與該背電極圖案層形成所述多個(gè)界面。
11.如權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)能電池，其中該背電極圖案層具有交替排列的一第一導(dǎo)電圖案層及一第二導(dǎo)電圖案層，所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊與該第二導(dǎo)電圖案層形成所述多個(gè)界面。
12.如權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)能電池，其中該背電極圖案層具有交替排列的一第一導(dǎo)電圖案層及一第二導(dǎo)電圖案層，所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊的一部分與該第一導(dǎo)電圖案層形成所述多個(gè)接口的一部分，且所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊的另一部分與該第二導(dǎo)電圖案層形成所述多個(gè)接口的另一部分。
13.如權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)能電池，其中該背電極圖案層具有交替排列的一第一導(dǎo)電圖案層及一第二導(dǎo)電圖案層，所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊的一部分與該第二導(dǎo)電圖案層形成所述多個(gè)接口的一部分，且所述多個(gè)應(yīng)力緩沖區(qū)塊的另一部分同時(shí)與該第一導(dǎo)電圖案層以及該第二導(dǎo)電圖案層形成所述多個(gè)接口的另一部分。
【文檔編號(hào)】H01L31/04GK104241417SQ201410524766
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年10月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月16日
【發(fā)明者】陳智勇 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司