晶片封裝體及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明揭露一種晶片封裝體及其制造方法，該制造方法包括：提供一第一基底；將一第二基底貼附于第一基底上，其中第二基底具有矩形的多個(gè)晶片區(qū)及隔開(kāi)晶片區(qū)的一切割道區(qū)；以及移除切割道區(qū)的第二基底的一部分，以在第一基底上形成多個(gè)晶片，其中晶片中相鄰的晶片之間形成至少一橋接部。本發(fā)明能夠改善晶片封裝體的品質(zhì)。
【專利說(shuō)明】晶片封裝體及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝技術(shù)，特別為有關(guān)于一種晶片封裝體及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過(guò)程中的重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中，使免受外界環(huán)境污染外，還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。
[0003]制作晶片封裝體的過(guò)程包括將貼附于第一基底上的第二基底切割為多個(gè)晶片之后，將第一基底及其上的晶片放置于進(jìn)行沉積制程的機(jī)臺(tái)內(nèi)的針腳上，接著降低針腳的高度，使得第一基底完全承載于機(jī)臺(tái)的操作面上，并進(jìn)行沉積制程，例如于晶片上沉積氧化層。
[0004]然而，原本通過(guò)機(jī)臺(tái)的針腳所支撐的第一基底部分與下方的針腳之間會(huì)產(chǎn)生真空間隙，而并未與機(jī)臺(tái)的操作面接觸，造成進(jìn)行沉積制程時(shí)鄰近于真空間隙上方的晶片的熱傳導(dǎo)不良，進(jìn)而使得后續(xù)形成于晶片上的氧化層的厚度不均勻，影響晶片封裝體的品質(zhì)。
[0005]因此，有必要尋求一種新穎的晶片封裝體及其制造方法，其能夠解決或改善上述的問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種晶片封裝體的制造方法，包括:提供一第一基底；將一第二基底貼附于第一基底上，其中第二基底具有矩形的多個(gè)晶片區(qū)及隔開(kāi)晶片區(qū)的一切割道區(qū)；以及移除切割道區(qū)的第二基底的一部分，以在第一基底上形成多個(gè)晶片，其中晶片中相鄰的晶片之間形成至少一橋接部。
[0007]本發(fā)明還提供一種晶片封裝體，包括:一第一基底；以及矩形的多個(gè)晶片，貼附于第一基底上，其中相鄰的晶片之間具有至少一橋接部。
[0008]本發(fā)明還提供一種晶片封裝體，包括:矩形的一晶片；以及至少一突出部自晶片的一角落向外延伸。
[0009]本發(fā)明能夠改善晶片封裝體的品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1A至ID是繪示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法的平面示意圖。
[0011]圖2A至2C是分別繪示出沿著圖1A至IC中的剖線2A-2A’、2B_2B’及2C-2C’的剖面示意圖。
[0012]圖3A、4A及5A是繪示出根據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的具有橋接部的晶片封裝體的平面示意圖。
[0013]圖3B、4B及5B是繪示出根據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的具有突出部的晶片封裝體的平面示意圖。
[0014]其中，附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下:
[0015]100:第二基底；110:晶片區(qū)；120:切割道區(qū)；130:第一開(kāi)口 ；140:第二開(kāi)口 ；145:第三開(kāi)口 ；150:橋接部；160:密封環(huán)；200:第一基底；210:氧化層；300:罩幕層；400:晶片；401:邊緣；410:突出部；D:距離;T1、T2、Τ3:厚度；ff:寬度。

【具體實(shí)施方式】
[0016]以下將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定形式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡(jiǎn)單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間必然具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。
[0017]本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法可實(shí)施于封裝金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管晶片，例如是功率模組晶片。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無(wú)源元件(active or passive elements)、數(shù)字電路或模擬電路(digital or analog circuits)等集成電路的電子元件(electroniccomponents),例如是有關(guān)于光電元件(opto electronic devices)、微機(jī)電系統(tǒng)(MicroElectro Mechanical System ;MEMS)、微流體系統(tǒng)(micro f luidic systems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來(lái)測(cè)量的物理感測(cè)器(Physical Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級(jí)封裝(wafer scale package ；WSP)制程對(duì)影像感測(cè)元件、發(fā)光二極管(light-emitting d1des ;LEDs)、太陽(yáng)能電池(solar cells)、射頻兀件(RF circuits)、力口速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動(dòng)器(micro actuators)、表面聲波元件(surface acoustic wave devices)、壓力感測(cè)器(process sensors)噴墨頭(ink printerheads)、或功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管模組(power MOSFET modules)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。
[0018]其中上述晶圓級(jí)封裝制程主要是指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一第一基底上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱之為晶圓級(jí)封裝制程。另外，上述晶圓級(jí)封裝制程亦適用于通過(guò)堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(mult1-layerintegrated circuit devices)的晶片封裝體。在一實(shí)施中，上述切割后的封裝體為一晶片尺寸封裝體(CSP ;chip scale package)。晶片尺寸封裝體(CSP)的尺寸可僅略大于所封裝的晶片。例如，晶片尺寸封裝體的尺寸不大于所封裝晶片的尺寸的120%。
[0019]以下配合圖1A至ID及圖2A至2C說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法，其中圖1A至ID是繪示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法的平面示意圖，且圖2A至2C是分別繪示出沿著圖1A至IC中的剖線2A-2A’、2B-2B’及2C-2C’的剖面示意圖。
[0020]請(qǐng)參照?qǐng)D1A及2A，提供一第一基底200。第一基底200可為空白半導(dǎo)體基底、玻璃基底或其他適合的承載基底。在本實(shí)施例中，可通過(guò)一粘著層210，將一第二基底100貼附于第一基底200上。第二基底100可為半導(dǎo)體晶圓，例如是硅晶圓，以利于進(jìn)行晶圓級(jí)封裝。采用晶圓級(jí)封裝來(lái)形成晶片封裝體，可降低成本并節(jié)省制程時(shí)間。第二基底100具有矩形的多個(gè)晶片區(qū)110及隔開(kāi)晶片區(qū)110的一切割道區(qū)120。在一實(shí)施例中，每一晶片區(qū)110內(nèi)具有一元件區(qū)(未繪示)，其可包括光電元件(例如，影像感測(cè)元件或發(fā)光元件)或是其他電子元件(例如，微機(jī)電系統(tǒng)、微流體系統(tǒng)、物理感測(cè)器、太陽(yáng)能電池、射頻元件、加速計(jì)、陀螺儀、微制動(dòng)器、表面聲波元件、壓力感測(cè)器、噴墨頭或功率晶片模組)。
[0021 ] 接著，可通過(guò)沉積制程，在第二基底100上形成一光阻材料層(未繪示)，且通過(guò)微影制程(例如，對(duì)光阻材料層進(jìn)行曝光及顯影制程)，以形成圖案化的罩幕層300，其暴露出切割道區(qū)120的第二基底100的一部分，如圖1B及2B所示。
[0022]接著，通過(guò)圖案化的罩幕層300對(duì)第二基底100進(jìn)行蝕刻制程(例如，干蝕刻制程、濕蝕刻制程、等離子蝕刻制程、反應(yīng)性離子蝕刻制程或其他適合的蝕刻制程)，移除切割道區(qū)120的第二基底100的一部分，以在第一基底200上形成矩形的多個(gè)晶片400，且在相鄰的晶片400之間形成橋接部150，然后去除罩幕層300，如圖1C及2C所示。
[0023]在進(jìn)行上述蝕刻制程期間，可在切割道區(qū)120的第二基底100內(nèi)形成多個(gè)第一開(kāi)口 130、多個(gè)第二開(kāi)口 140及多個(gè)第三開(kāi)口 145。第一開(kāi)口 130的深度Tl小于第二基底100的厚度T2而未貫穿第二基底100，第二開(kāi)口 140及第三開(kāi)口 145則完全貫穿第二基底100，因而暴露出第二基底100下方的粘著層210，如圖2C所示。位于切割道區(qū)120內(nèi)的第一開(kāi)口 130、第二開(kāi)口 140及第三開(kāi)口 145彼此相連，而將第二基底100分離為多個(gè)晶片400。再者，位于第一開(kāi)口 130下方而未被貫穿的第二基底100的一部分在相鄰的晶片400之間形成多個(gè)橋接部150，如圖1C所示。在本實(shí)施例中，深度Tl可大于或等于O。當(dāng)深度Tl等于O時(shí)，橋接部150的厚度T3等于第二基底100的厚度T2。在其他實(shí)施例中，兩相鄰的晶片400之間可形成單一橋接部150。
[0024]在上述蝕刻制程中，可通過(guò)調(diào)整對(duì)應(yīng)于第二開(kāi)口 140及第三開(kāi)口 145的罩幕層300的圖案化開(kāi)口的尺寸，亦即調(diào)整對(duì)應(yīng)于第一開(kāi)口 130的罩幕層300的圖案的尺寸，以改變對(duì)切割道區(qū)120的第二基底100的移除深度。舉例來(lái)說(shuō)，縮小對(duì)應(yīng)于第一開(kāi)口 130的罩幕層300的圖案的尺寸，可增加第一開(kāi)口 130的深度，亦即降低位于第一開(kāi)口 130下方的橋接部150的厚度。
[0025]在本實(shí)施例中，相鄰的晶片400的每一個(gè)的每一角落連接兩個(gè)橋接部150，且相鄰的晶片400的每一個(gè)的一邊緣連接兩個(gè)橋接部150，如圖1C所示。橋接部150的厚度T3小于第二基底100的厚度T2，如圖2C所示，因此有利于后續(xù)進(jìn)行的單體化(singulat1n)制程。在圖1C及2C的實(shí)施例中，通過(guò)切割道區(qū)120而彼此隔開(kāi)的晶片400大體上排列為一陣列，同一列中相鄰的晶片400之間具有兩個(gè)橋接部150，且同一行中相鄰的晶片400之間具有兩個(gè)橋接部150。可以理解的是，圖1C及2C中橋接部150的數(shù)量、俯視輪廓及位置僅作為范例說(shuō)明，并不限定于此，橋接部150的實(shí)際數(shù)量、俯視輪廓及位置取決于設(shè)計(jì)需求。
[0026]在本實(shí)施例中，晶片封裝體的制造方法還包括在將第二基底100分離為具有橋接部150的多個(gè)晶片400之后，將第一基底200及其上的晶片400放置于進(jìn)行沉積制程的機(jī)臺(tái)(未繪示)內(nèi)，以于晶片400上形成一絕緣層(未繪示)，例如氧化層、氮化層或其他適合的介電材料層，以作為晶片表面絕緣披覆的用途。
[0027]在一實(shí)施例中，晶片400內(nèi)具有密封環(huán)160 (繪示于圖1D)，鄰近晶片400的元件區(qū)(未繪示)的邊緣，因此當(dāng)后續(xù)沿著切割道區(qū)120進(jìn)行切割制程時(shí)，密封環(huán)160可保護(hù)晶片400的內(nèi)部,避免切割制程所造成的應(yīng)力由切割道區(qū)120傳入晶片400的內(nèi)部,而破壞晶片400內(nèi)的元件或電路結(jié)構(gòu)。另外，密封環(huán)160亦可保護(hù)元件區(qū)不受外界環(huán)境的影響，例如密封環(huán)160有助于阻擋水氣或污染物進(jìn)入晶片封裝體內(nèi)。在一實(shí)施例中，橋接部150的寬度(即，等同于后續(xù)形成的突出部410的寬度W)小于每一晶片400的邊緣401與密封環(huán)160之間的距離D，如圖1D所示。
[0028]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，通過(guò)圖案化的罩幕層300對(duì)第二基底100進(jìn)行蝕刻制程，在切割道區(qū)120的第二基底100內(nèi)形成未貫穿第二基底100的第一開(kāi)口 130及貫穿第二基底100的第二開(kāi)口 140，以將第二基底100分離為多個(gè)晶片400，且第一開(kāi)口 130下方未被貫穿的第二基底100的一部分在相鄰的晶片400之間形成橋接部150。通過(guò)橋接部150連接相鄰的晶片400，能夠在后續(xù)進(jìn)行沉積制程時(shí)形成導(dǎo)熱路徑，使得晶片400之間達(dá)到良好且均勻的熱傳導(dǎo)，進(jìn)而使得后續(xù)沉積于晶片400上的絕緣層的厚度均勻且避免厚度變小。因此，本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法能夠解決進(jìn)行沉積制程的機(jī)臺(tái)針腳與一部分的晶圓之間產(chǎn)生真空間隙所造成的熱傳導(dǎo)不良的問(wèn)題，進(jìn)而改善晶片封裝體的品質(zhì)。
[0029]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1D，晶片封裝體的制造方法還包括在形成上述絕緣層之后，進(jìn)行切割制程，沿著切割道區(qū)120切斷相鄰的晶片400之間的橋接部150以及下方的第一基底200，使得每一晶片400完全分離，且在每一晶片400的角落形成向外延伸的突出部410。
[0030]在一實(shí)施例中，晶片400的每一角落皆具有兩個(gè)突出部410，分別沿著對(duì)應(yīng)的角落的兩邊緣向外延伸，且每一角落的兩個(gè)突出部410互相垂直。突出部410的寬度W小于晶片400的邊緣401與密封環(huán)160之間的距離D。在一實(shí)施例中，突出部410具有矩形的俯視輪廓?？梢岳斫獾氖?，圖1D中突出部410的數(shù)量、俯視輪廓及位置僅作為范例說(shuō)明，并不限定于此，突出部410的實(shí)際數(shù)量、俯視輪廓及位置取決于設(shè)計(jì)需求。
[0031]請(qǐng)參照?qǐng)D3A及3B，其分別繪示出本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體的橋接部及對(duì)應(yīng)的突出部的平面示意圖，其中相同于圖1C及ID中的部件使用相同的標(biāo)號(hào)并省略其說(shuō)明。圖3A中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)類似于圖1C中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)，差異在于圖3A中的晶片封裝體中同一列中相鄰的矩形晶片400之間僅具有一個(gè)橋接部150，且同一行中相鄰的晶片400之間也僅具有一個(gè)橋接部150。也就是說(shuō)，相鄰的晶片400的每一個(gè)的兩邊緣連接不同的橋接部150，且相鄰的晶片400的每一個(gè)的一邊緣僅連接一個(gè)橋接部150。
[0032]圖3B中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)類似于圖1D中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)，差異在于圖3B中的矩形的晶片400僅有一個(gè)角落具有互相垂直延伸的兩個(gè)突出部410，且與上述角落位于同一對(duì)角線方向上的另一角落并未具有突出部410，而晶片400的其他兩個(gè)角落僅具有一個(gè)突出部410。
[0033]請(qǐng)參照?qǐng)D4A及4B，其分別繪示出本發(fā)明又另一實(shí)施例的晶片封裝體的橋接部及對(duì)應(yīng)的突出部的平面示意圖，其中相同于圖1C及ID中的部件使用相同的標(biāo)號(hào)并省略其說(shuō)明。圖4A中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)類似于圖1C中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)，差異在于圖4A中的晶片封裝體中相鄰兩行/列中具有連接相鄰的四個(gè)晶片400的多個(gè)橋接部150，亦即每一橋接部150連接相鄰的四個(gè)晶片400的角落。換句話說(shuō)，每一晶片400的每一角落通過(guò)沿著對(duì)應(yīng)的晶片400的對(duì)角線方向延伸的橋接部150，連接至位于同一對(duì)角線方向上的另一晶片400的角落。
[0034]圖4B中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)類似于圖1D中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)，差異在于圖4B中的矩形的晶片400的每一角落僅具有一個(gè)突出部410，沿著晶片400的對(duì)角線方向向外延伸，且突出部410具有多邊形的俯視輪廓。
[0035]請(qǐng)參照?qǐng)D5A及5B，其分別繪示出本發(fā)明又另一實(shí)施例的晶片封裝體的橋接部及對(duì)應(yīng)的突出部的平面示意圖，其中相同于圖4A及4B中的部件使用相同的標(biāo)號(hào)并省略其說(shuō)明。圖5A中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)類似于圖4A中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)，差異在于兩者的橋接部150的俯視輪廓為不同的多邊形，且圖5A中的每一橋接部150沿著對(duì)應(yīng)的晶片400的對(duì)角線方向以及垂直于晶片400的兩邊緣的方向延伸至相鄰的三個(gè)晶片400的角落。換句話說(shuō)，圖5A中的每一晶片400的每一角落不僅通過(guò)沿著晶片400的對(duì)角線方向延伸的橋接部150，連接至位于同一對(duì)角線方向上的另一晶片400的角落，更通過(guò)沿著垂直于晶片400的兩邊緣的方向延伸的橋接部150，連接至相鄰的其他兩個(gè)晶片400的角落。
[0036]圖5B中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)類似于圖4B中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)，差異在于兩者的突出部410的俯視輪廓為不同的多邊形，且圖5B中位于晶片400的每一角落的突出部410不僅沿著對(duì)角線方向向外延伸，更沿著垂直于晶片400的兩邊緣的方向向外延伸。
[0037]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，將切割第二基底100形成矩形的多個(gè)晶片400以及切割第一基底200的兩段式切割步驟，改良為先通過(guò)圖案化的罩幕層300對(duì)第二基底100進(jìn)行蝕刻制程而形成多個(gè)晶片400以及位于相鄰的晶片400之間的至少一橋接部150，再切割第一基底200，使得相鄰的晶片400之間通過(guò)橋接部150互相連接，能夠在后續(xù)進(jìn)行絕緣層的沉積制程時(shí)使得晶片400之間達(dá)到良好且均勻的熱傳導(dǎo)，進(jìn)而使沉積于晶片400上的絕緣層的厚度均勻，因此能夠改善晶片封裝體的品質(zhì)。
[0038]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括: 提供一第一基底； 將一第二基底貼附于該第一基底上，其中該第二基底具有矩形的多個(gè)晶片區(qū)及隔開(kāi)所述晶片區(qū)的一切割道區(qū)；以及 移除該切割道區(qū)的該第二基底的一部分，以在該第一基底上形成多個(gè)晶片，其中所述晶片中相鄰的晶片之間形成至少一橋接部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，相鄰的所述晶片之間形成有多個(gè)橋接部，使相鄰的所述晶片的每一個(gè)的至少一邊緣連接所述橋接部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，相鄰的所述晶片之間形成有多個(gè)橋接部，使相鄰的所述晶片的每一個(gè)的至少一角落連接所述橋接部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該至少一橋接部連接所述晶片中的四個(gè)晶片的一角落。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該至少一橋接部的厚度小于該第二基底的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，每一晶片內(nèi)具有一密封環(huán)，且該至少一橋接部的寬度小于每一晶片的一邊緣與一對(duì)應(yīng)的密封環(huán)之間的距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括切斷該至少一橋接部，使得在對(duì)應(yīng)于該至少一橋接部的每一晶片具有一突出部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該突出部位于一對(duì)應(yīng)的晶片的一角落，且沿著該對(duì)應(yīng)的晶片的一對(duì)角線方向或至少一邊緣向外延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該至少一突出部具有矩形或多邊形的俯視輪廓。
10.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一第一基底；以及 矩形的多個(gè)晶片，貼附于該第一基底上，其中所述晶片中相鄰的晶片之間具有至少一橋接部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，相鄰的所述晶片之間具有多個(gè)橋接部，使相鄰的所述晶片的每一個(gè)的至少一邊緣連接所述橋接部。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，相鄰的所述晶片之間具有多個(gè)橋接部，使相鄰的所述晶片的每一個(gè)的至少一角落連接所述橋接部。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一橋接部連接所述晶片中的四個(gè)晶片的一角落。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一橋接部的厚度小于所述晶片的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，每一晶片內(nèi)具有一密封環(huán)，且該至少一橋接部的寬度小于每一晶片的一邊緣與一對(duì)應(yīng)的密封環(huán)之間的距離。
16.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 矩形的一晶片；以及 至少一突出部，自該晶片的一角落向外延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一突出部沿著該晶片的一對(duì)角線方向或至少一邊緣向外延伸。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一突出部具有矩形或多邊形的俯視輪廓。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一突出部的厚度小于該晶片的厚度。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片內(nèi)具有一密封環(huán)，且該至少一突出部的寬度小于該晶片的一邊緣與該密封環(huán)之間的距離。
【文檔編號(hào)】H01L21/306GK104517828SQ201410524510
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年10月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月7日
【發(fā)明者】陳鍵輝, 劉滄宇, 張峻維, 鄭家明 申請(qǐng)人:精材科技股份有限公司