基板的粘結(jié)及分離的方法
【專利摘要】一種基板的粘結(jié)及分離的方法，包含以下步驟：提供基板；形成第一硅膠層于基板的離型區(qū)以及形成第二硅膠層于基板的周邊區(qū)，其中，第一硅膠層及第二硅膠層分別包含相同的硅膠主劑以及相同的硅膠硬化劑，且第一硅膠層的硅膠主劑與硅膠硬化劑的體積比為約12∶1至約15∶1，第二硅膠層的硅膠主劑與硅膠硬化劑的體積比為約1∶1至約5∶1；貼合對向基板至第一硅膠層及第二硅膠層；固化第一硅膠層及第二硅膠層，以粘結(jié)基板與對向基板；以及將基板的一部分與對向基板分離。
【專利說明】基板的粘結(jié)及分離的方法
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種基板的粘結(jié)及分離的方法，且特別是有關(guān)于一種可撓性基板的粘結(jié)及分離的方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]隨著顯示技術(shù)的快速發(fā)展，液晶顯示器、移動電話、筆記型電腦、以及數(shù)字相機(jī)等電子產(chǎn)品已成為市場上重要的電子產(chǎn)品。該多個電子產(chǎn)品都具有顯示面板，以作為顯示影像的媒介。近年來，許多研究者致力于開發(fā)可撓性顯示面板，以進(jìn)一步擴(kuò)大顯示器的應(yīng)用范圍。然而，制造可撓性顯示面板面臨許多困難。例如，在制造可撓性顯示面板的過程中，通常先將可撓性基板固定在一載板上，然后在可撓性基板上形成顯示面板的各種元件。待完成后，再將可撓性基板與載板分離，而得到可撓性的顯示面板。因此，在可撓性顯示面板的制造過程中，可撓性基板不僅必須能夠固定在載板上，而且必須能夠承受嚴(yán)峻的制程環(huán)境，之后還必須能夠與載板分離開。就目前的技術(shù)而言，上述的制造過程仍面臨許多困難。因此，目前亟需一種嶄新的方法，能夠?qū)蓚€基板粘結(jié)及分離，而且能夠承受嚴(yán)峻的制程環(huán)境。
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【發(fā)明內(nèi)容】
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[0003]本發(fā)明的一目的是提供一種基板的粘結(jié)及分離的方法，此方法包含以下步驟:提供一基板，基板具有一離型區(qū)以及一周邊區(qū)圍繞離型區(qū)；形成一第一硅膠層于離型區(qū)以及形成一第二硅膠層于周邊區(qū)，其中，第一硅膠層及第二硅膠層分別包含相同的一硅膠主劑以及相同的一硅膠硬化劑，且第一硅膠層的硅膠主劑與硅膠硬化劑的體積比為約12:1至約15:1，第二硅膠層的硅膠主劑與硅膠硬化劑的體積比為約1:1至約5:1 ;貼合一對向基板至第一硅膠層及第二硅膠層；固化第一硅膠層及第二硅膠層，以粘結(jié)基板與對向基板；以及將基板的一部分與對向基板分離。
[0004]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式,基板與對向基板的其中一者為一可撓性基板，另一者為一剛性基板。
[0005]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，分離基板的部分與對向基板的步驟包含:將基板位于離型區(qū)的一部分與對向基板分離。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，基板為一可撓性基板，且對向基板為一剛性基板。
[0007]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，在分離基板的部分與對向基板的步驟前，更包含:形成一切割道于可撓性基板上，且切割道位于離型區(qū)內(nèi)或介于離型區(qū)與周邊區(qū)之間。
[0008]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，在固化第一硅膠層及第二硅膠層之后，更包括:形成一半導(dǎo)體元件于可撓性基板上。
[0009]根據(jù)本發(fā)明一 實(shí)施方式，在固化第一硅膠層及第二硅膠層之后，更包括:形成一彩色濾光層于可撓性基板上。
[0010]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，貼合對向基板至第一硅膠層及第二硅膠層的步驟包括:使用一滾筒將可撓性基板滾壓到剛性基板上。[0011]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，基板具有可撓性，且基板的周邊區(qū)包含一第一周邊區(qū)以及一第二周邊區(qū)，分別位于基板的相對兩側(cè)，且其中形成在第二周邊區(qū)的第二硅膠層的總量大于形成在第一周邊區(qū)的第二硅膠層的總量。
[0012]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，貼合對向基板至在第一硅膠層及第二硅膠層的步驟包括:使用一滾筒將形成有第一硅膠層和第二硅膠層的基板，以第一周邊區(qū)的一側(cè)為起點(diǎn)，將基板滾壓到對向基板。
[0013]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，貼合對向基板至第一硅膠層及第二硅膠層的步驟包括:在第一硅膠層與第二硅膠層之間形成連續(xù)性的一組成過渡區(qū)。
[0014]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，形成第一硅膠層于離型區(qū)以及形成第二硅膠層于周邊區(qū)的步驟包含:使用一噴嘴將第一硅膠層噴涂到離型區(qū)，以及使用另一噴嘴將第二硅膠層噴涂到周邊區(qū)。
[0015]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，形成第一硅膠層于離型區(qū)以及形成第二硅膠層于周邊區(qū)的步驟中，第一硅膠層僅覆蓋離型區(qū)的一部分，且第二硅膠層僅覆蓋周邊區(qū)的一部分。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0016]圖1繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的基板的粘結(jié)及分離方法的流程圖。
圖2繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的基板的粘結(jié)及分離方法中一制程階段的上視示意圖。
圖3繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的基板的粘結(jié)及分離方法中一制程階段的上視示意圖。
圖4繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的基板的粘結(jié)及分離方法中一制程階段的側(cè)視示意圖。
圖5繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的基板的粘結(jié)及分離方法中一制程階段的剖面示意圖。
第6A及6B繪示本發(fā)明一實(shí)施方`式的基板的粘結(jié)及分離方法中一制程階段的剖面示意圖。
圖7繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的基板的粘結(jié)及分離方法中一制程階段的剖面示意圖。
圖8繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的硅膠主劑與硅膠硬化劑的體積比與剝離強(qiáng)度之間的關(guān)系圖。
【符號說明】
[0017]100 方法 110步驟 120步驟 130步驟 140步驟 150步驟 200基板 200a部分 210離型區(qū) 220周邊區(qū) 221第一周邊區(qū) 222第二周邊區(qū) 230組成過渡區(qū)240半導(dǎo)體元件 241柵極 242絕緣層 243半導(dǎo)體層 244蝕刻終止層 245S源極 245D漏極 246保護(hù)層 247像素電極 250彩色濾光層 250R紅色光阻層 250G綠色光阻層 250B藍(lán)色光阻 260切割道 310第一硅膠層 320第二硅膠層 400對向基板 410滾筒
【【具體實(shí)施方式】】
[0018]為了使本揭示內(nèi)容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣與具體實(shí)施例提出了說明性的描述`；但這并非實(shí)施或運(yùn)用本發(fā)明具體實(shí)施例的唯一形式。以下所揭露的各實(shí)施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實(shí)施例中附加其他的實(shí)施例，而無須進(jìn)一步的記載或說明。
[0019]在以下描述中，將詳細(xì)敘述許多特定細(xì)節(jié)以使讀者能夠充分理解以下的實(shí)施例。然而，可在無此等特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例。在其他情況下，為簡化圖式，熟知的結(jié)構(gòu)與裝置僅示意性地繪示于圖中。
[0020]以下揭露一種基板的粘結(jié)及分離的方法。具體來說，此方法是先將基板粘結(jié)至另一基板，之后再將兩者分離的方法。圖1繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的基板的粘結(jié)及分離的方法100的流程圖。方法100至少包含步驟110、步驟120、步驟130、步驟140以及步驟150。第2-7圖繪示方法100中各制程階段的示意圖。
[0021]在步驟110中，提供基板200，如圖2所示。基板200具有至少一離型區(qū)210以及至少一周邊區(qū)220。在圖2繪示的實(shí)施方式中，離型區(qū)210大致位于基板200的中間區(qū)域，周邊區(qū)220圍繞離型區(qū)210?；?00可以是可撓性基板或是剛性基板。在基板200為可撓性基板的實(shí)例中，基板200可例如為聚酰亞胺基板、聚對苯二甲酸乙二酯基板、聚萘二甲酸乙二酯基板或其他適合的高分子材料所制成的基板；或者，基板200可以是厚度小于100微米的可撓性玻璃基板。在基板200為剛性基板的實(shí)例中，基板200可例如為堿石灰玻璃(soda lime glass)基板、無鈉玻璃基板或低鈉玻璃基板。
[0022]在步驟120中，在基板200的離型區(qū)210上形成第一硅膠層310，并且在基板200的周邊區(qū)220上形成第二硅膠層320，如圖3所示。第一硅膠層310及第二硅膠層320包含有相同的硅膠主劑成分以及相同的硅膠硬化劑成分，但是在第一硅膠層310及第二硅膠層320中，硅膠主劑與硅膠硬化劑的比例不同。具體而言，第一硅膠層310的硅膠主劑與硅膠硬化劑的體積比為約12:1至約15:1，第二硅膠層320的硅膠主劑與硅膠硬化劑的體積比為約1:1至約5:1。請注意，在第一硅膠層310與第二硅膠層320中使用成分相同、但比例不同的硅膠主劑與硅膠硬化劑，讓本發(fā)明的實(shí)施方式提供特殊的技術(shù)功效，下文將更詳細(xì)說明。
[0023]在一實(shí)施方式中，在形成第一硅膠層310及第二硅膠層320的步驟中，第一硅膠層310僅覆蓋離型區(qū)210的一部分，而且第二硅膠層320也僅覆蓋周邊區(qū)220的一部分。換言之，第一硅膠層310未覆蓋全部的離型區(qū)210，而且第二硅膠層320也沒有覆蓋全部的周邊區(qū)220。舉例而言，可以使用一噴嘴將第一硅膠層310噴涂到離型區(qū)210 ;并使用另一噴嘴將第二硅膠層320噴涂到周邊區(qū)220。再者，形成第一硅膠層310與第二硅膠層320的先后順序并無限制。例如，可以先形成第一硅膠層310，之后再形成第二硅膠層320 ;或者先形成第二硅膠層320，之后再形成第一硅膠層310 ;或者同時形成第一硅膠層310與第二硅膠層320。在圖3繪示的實(shí)施方式中，第一硅膠層310及/或第二硅膠層320為長條狀的圖案。在其他實(shí)施方式中，第一硅膠層310及/或第二硅膠層320可以是其他圖案，例如點(diǎn)狀圖案或網(wǎng)狀圖案(未繪示)。
[0024]在另一實(shí)施方式中，基板200的周邊區(qū)220包含第一周邊區(qū)221以及第二周邊區(qū)222。第一周邊區(qū)221與第二周邊區(qū)222分別位于基板200的相對兩側(cè)。在本實(shí)施方式中，形成在第二周邊區(qū)222中的第二硅膠層320的總量大于形成在第一周邊區(qū)221中的第二硅膠層320的總量。亦即，第二硅膠層320位于第二周邊區(qū)222的重量(或體積)大于第二硅膠層320位于第一周邊區(qū)221的重量(或體積)。具體而言，第二周邊區(qū)222中第二硅膠層320的重量(或體積)是第一周邊區(qū)221中第二硅膠層320的重量(或體積)的約2倍至約4倍，較佳為約2-3倍。例如，可以在第一周邊區(qū)221上形成I條的第二硅膠層320 ；而在第二周邊區(qū)222上，形成2-3條的第二硅膠層320。
[0025]在步驟130中，將對向基板400貼合至第一硅膠層310及第二硅膠層320上，如圖4所示。在一實(shí)施方式中，基板200和對向基板400的其中一個是可撓性基板，另一個是剛性基板。例如，若基板200為可撓性基板，則對向基板400為剛性基板；或者，當(dāng)基板200為剛性基板時，對向基板400則為可撓性基板。換言之，步驟120的第一硅膠層310及第二硅膠層320可以形成在剛性基板或可撓性基板上。
[0026]圖4繪示基板200為可撓性基板的例示性實(shí)施方式。在此實(shí)施方式中，使用滾筒410將可撓性的基板200滾壓到剛性的對向基板400上。在一具體實(shí)例中，滾筒410是以基板200的第一周邊區(qū)221的一側(cè)為起點(diǎn)，然后逐漸向第二周邊區(qū)222滾動。借此將基板200滾壓到對向基板400上，并讓第一硅膠層310和第二硅膠層320夾置在基板200與對向基板400之間。在本實(shí)施方式中，第一硅膠層310與第二硅膠層320之間會形成一個連續(xù)性的組成過渡區(qū)230 (繪示在圖5中)。詳細(xì)地說，當(dāng)滾筒410從第一周邊區(qū)221開始滾壓基板200后，第一周邊區(qū)221上的第二硅膠層320受到滾筒410的壓力而流向離型區(qū)210，并與原本位在離型區(qū)210中的第一硅膠層310混合，因此形成一個組成過渡區(qū)230。換言之，組成過渡區(qū)230中的硅膠層是由第一硅膠層310和第二硅膠層320混合而成，因此組成過渡區(qū)的組成成分介于第一硅膠層310與第二硅膠層320之間。此外，根據(jù)制程特性以及質(zhì)量輸送原理，組成過渡區(qū)230中的硅膠主劑與硅膠硬化劑的比例會產(chǎn)生漸變性的變化。也就是說，組成過渡區(qū)230中的硅膠主劑及硅膠硬化劑的濃度是連續(xù)性的改變，所以在第一硅膠層310與第二硅膠層320之間不會產(chǎn)生不連續(xù)的成分及/或濃度的改變，因此形成一個連續(xù)性的組成過渡區(qū)。
[0027]在另一實(shí)施方式中，以滾筒410的移動方向而言，滾筒410滾壓的起始端與結(jié)束端兩側(cè)的第二硅膠層320的總量不同。具體的說，在步驟120中，位在滾筒滾壓結(jié)束端的第二周邊區(qū)222上涂布有較多的第二硅膠層320，所以形成在第二周邊區(qū)222中的第二硅膠層320的總量大于形成在第一周邊區(qū)221中的第二硅膠層320的總量。上述第二周邊區(qū)222中形成較多質(zhì)量(或體積)的第二硅膠層320的原因在于，當(dāng)滾筒410滾壓接近第二周邊區(qū)222時，滾筒410會推移較多質(zhì)量的第一硅膠層310進(jìn)入第二周邊區(qū)222，導(dǎo)致第二周邊區(qū)222中的第二硅膠層320被大量稀釋。因此，在一實(shí)施例中，第二周邊區(qū)222上形成有較多質(zhì)量的第二硅膠層320，用以維持第二周邊區(qū)222中的硅膠主劑與硅膠硬化劑的成分比例。
[0028]在步驟140中，將第一硅膠層310及第二硅膠層320固化，讓基板200與對向基板400粘結(jié)在一起，如圖5所示。圖5是將圖4所示的滾壓后的整體結(jié)構(gòu)上下翻轉(zhuǎn)180度而繪制，因此圖5的基板200位在對向基板400的上方。在一實(shí)施方式中，可以使用熱制程來固化第一硅膠層310及第二硅膠層320。熱制程的腔室溫度可例如為約200°C至約250°C。
[0029]固化后的第一硅膠層310及第二硅膠層320具有不同的剝離強(qiáng)度(粘著力)。如上述步驟120所述，第一硅膠層310中硅膠主劑與硅膠硬化劑的體積比為約12:1至約15:1，第二硅膠層320中硅膠主劑與硅膠硬化劑的體積比為約1:1至約5:1。圖8繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的硅膠主劑與硅膠硬化劑的體積比與剝離強(qiáng)度(或稱粘著力)之間的關(guān)系。如圖8所示，當(dāng)硅膠主劑與硅膠硬化劑的體積比為約12:1至約15:1時(即第一硅膠層)，剝離強(qiáng)度為約0.02牛頓(N)至約0.05牛頓(N)。當(dāng)硅膠主劑與硅膠硬化劑的體積比為約1:1至約5:1時(即第二硅膠層)，剝離強(qiáng)度為約0.15N至約0.31N。因此，位在離型區(qū)210的第一硅膠層310的剝離強(qiáng)度較小，而位在周邊區(qū)220的第二硅膠層320的剝離強(qiáng)度較大。此夕卜，因?yàn)榻M成過渡區(qū)230的硅膠層的組成是介于第一硅膠層310與第二硅膠層320之間，所以組成過渡區(qū)230的硅膠層的剝離強(qiáng)度也會介于第一硅膠層310與第二硅膠層320之間，而且是漸變性地從鄰近周邊區(qū)220的一測向鄰近離型區(qū)210的一側(cè)遞減。
[0030]第一硅膠層310及第二硅膠層320包含有相同的硅膠主劑以及相同的硅膠硬化齊U，而且第一硅膠層310及第二硅膠層320之間形成漸變性的組成變化，讓固化后的第一硅膠層310及第二硅膠層320具有極佳的穩(wěn)定性。更詳細(xì)地說，根據(jù)本發(fā)明一比較例，在基板200的離型區(qū)210與周邊區(qū)220中分別形成紫外光硬化型的膠層及熱硬化型的膠層，硬化后的兩種膠層雖然可以粘結(jié)基板200與對向基板400，但是在后續(xù)制程中，這兩種膠層之間的介面會發(fā)生裂縫。本發(fā)明的發(fā)明人研究分析其原因后發(fā)現(xiàn)，因?yàn)檫@兩種膠層的基本組成不同，所以兩種膠層之間的介面是非連續(xù)性的組成變化。在高溫環(huán)境中，組成不連續(xù)的介面因受到熱應(yīng)力而發(fā)生裂縫。基于上述的研究發(fā)現(xiàn)，而提出本發(fā)明。因此，本發(fā)明的其中一特征在于，第一硅膠層310及第二硅膠層320包含有相同的硅膠主劑以及相同的硅膠硬化劑。除此之外，根據(jù)許多實(shí)驗(yàn)結(jié)果和詳細(xì)分析，含有硅膠成分的多劑型膠材(例如，包含主劑及硬化劑的膠材)能夠形成較佳的連續(xù)性介面。根據(jù)本發(fā)明的其他比較例，環(huán)氧樹脂種類的膠材或壓克力樹脂種類的膠材的熱穩(wěn)定性不佳，而且不易形成連續(xù)性的介面。
[0031]在進(jìn)行步驟140之后，可選擇性地在基板200上制造其他元件。在一實(shí)施方式中，在固化第一硅膠層310及第二硅膠層320之后，可非必要性地在可撓性的基板200的離型區(qū)210上形成半導(dǎo)體元件240，如圖6A所示。此半導(dǎo)體元件240可以是任何型態(tài)或結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件，例如晶體管、二極管、光傳感器、太陽能電池或其他光電元件。在圖6A繪示的實(shí)施方式中，半導(dǎo)體元件240包含柵極241、絕緣層242、半導(dǎo)體層243、蝕刻終止層244、源極245S、漏極24?、保護(hù)層246以及像素電極247。柵極241配置于基板200上，可使用例如濺鍍、脈沖激光氣相沉積、電子束蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積等方法形成柵極241。柵極241可以是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。柵極241可為具有導(dǎo)電性的金屬材料所制成，例如鉬、金、鎳、鋁、鑰、銅、釹、上述材料的合金或上述材料的組合。此外，可利用光刻蝕刻制程來形成圖案化的柵極241。絕緣層242覆蓋柵極241，用以避免柵極241與源極245S、漏極24?及半導(dǎo)體層243直接接觸。能夠利用濺鍍、脈沖激光氣相沉積、電子束蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積等方法來形成絕緣層242。絕緣層242可包含諸如氧化娃(SiOx)或氮化娃(SiNy)等無機(jī)材料或是具有介電特性的高分子有機(jī)材料。半導(dǎo)體層243配置在絕緣層242上。半導(dǎo)體層243可包含例如氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化錫(ZnO)、氧化鎘.氧化鍺(2Cd0*Ge02)、氧化鎳鈷(NiCo204)或上述的組合。在其他實(shí)施例中，半導(dǎo)體層243也可以是非晶硅或多晶硅所制成。蝕刻終止層244覆蓋半導(dǎo)體層243的一部分，但另一部分的半導(dǎo)體層243未被蝕刻終止層244覆蓋而暴露出。更具體地說，半導(dǎo)體層243的不同兩側(cè)是暴露在蝕刻終止層244之外。蝕刻終止層244可例如為氧化硅所制成，但本發(fā)明不限于此。源極245S和漏極24?分別形成在半導(dǎo)體層243的不同兩側(cè)上，并且源極245S和漏極24?覆蓋一部分的蝕刻終止層244。在形成源極245S和漏極24?的過程中，通常會使用蝕刻制程成來形成源極245S和漏極24?，因此設(shè)置蝕刻終止層244以在蝕刻過程中保護(hù)半導(dǎo)體層243。在形成源極245S和漏極24?之后，形成保護(hù)層246覆蓋源極245S、漏極24?、絕緣層242以及蝕刻終止層244。保護(hù)層246用以保護(hù)其下的元件，并阻隔水氣及氧氣的滲透。保護(hù)層246可具有至少一個開口 246H露出源極245S及/或漏極24?的一部分。像素電極247形成在保護(hù)層246上，并且像素電極247經(jīng)由開口 246H連接漏極24?。本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的通常知識者應(yīng)了解，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件并不限于圖6A繪示的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，當(dāng)基板200為可撓性基板時，能夠在可撓性基板上形成有源陣列結(jié)構(gòu)，而形成可撓性的有源陣列基板。此可撓性的有源陣列基板可以應(yīng)用在可撓性的液晶面板、可撓性的有機(jī)發(fā)光二極管面板、可撓性的電致發(fā)光裝置或其他可撓性的裝置中。
[0032]在另一實(shí)施方式中，在固化第一硅膠層310及第二硅膠層320之后，可非必要性地在基板200的離型區(qū)210上形成彩色濾光層250，如圖6B所示。彩色濾光層250可包含例如紅色光阻層250R、綠色光阻層250G及藍(lán)色光阻250B。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，當(dāng)基板200為可撓性基板時，能夠在可撓性的基板200上形成彩色濾光層250，而形成可撓性的彩色濾光片。換言之，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，能夠制造出可撓性的有源陣列基板以及可撓性的彩色濾光片。上述可撓性的有源陣列基板以及可撓性的彩色濾光片能夠用以制造可撓性的液晶顯示面板。
[0033]在步驟150中，將基板200的一部分200a與對向基板400分離，如圖7所示。更具體地說，步驟150包含將基板200位于離型區(qū)210的部分200a與對向基板400分離。在一具體實(shí)例中，進(jìn)行步驟140之后，在進(jìn)行步驟150之前，對可撓性基板200進(jìn)行切割，以形成切割道260。切割道260可位于離型區(qū)210內(nèi)，或者切割道260可以介于離型區(qū)210與周邊區(qū)220之間，如圖6A及圖6B所示。
[0034]根據(jù)以上的揭露的數(shù)個實(shí)施方式，當(dāng)可撓性基板與剛性基板粘結(jié)后，其中的硅膠層具有極高的穩(wěn)定性，能夠承受后續(xù)制程的高溫環(huán)境及嚴(yán)峻條件。因此，以上揭露的實(shí)施方式能夠應(yīng)用于制造可撓性的顯示面板或其他可撓性的的電子裝置。
[0035]雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種基板的粘結(jié)及分離的方法，包含: 提供一基板，該基板具有一離型區(qū)以及一周邊區(qū)圍繞該離型區(qū)； 形成一第一硅膠層于該離型區(qū)以及形成一第二硅膠層于該周邊區(qū)，其中該第一硅膠層及該第二硅膠層分別包含相同的一硅膠主劑以及相同的一硅膠硬化劑，且該第一硅膠層的該硅膠主劑與該硅膠硬化劑的體積比為約12:1至約15:1，該第二硅膠層的該硅膠主劑與該硅膠硬化劑的體積比為約1:1至約5:1 ; 貼合一對向基板至該第一硅膠層及該第二硅膠層； 固化該第一硅膠層及該第二硅膠層，以粘結(jié)該基板與該對向基板；以及 將該基板的一部分與該對向基板分尚。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該基板與該對向基板的其中一者為一可撓性基板，另一者為一剛性基板。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，分離該基板的該部分與該對向基板的步驟包含:將該基板位于該離型區(qū)的一部分與該對向基板分離。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該基板為一可撓性基板，且該對向基板為一剛性基板。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在分離該基板的該部分與該對向基板的步驟前，更包含:形成一切割道于該可撓性基板上，且該切割道位于該離型區(qū)內(nèi)或介于該離型區(qū)與該周邊區(qū)之間。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在固化該第一硅膠層及該第二硅膠層之后，更包括:形成一半導(dǎo)體元件于該可撓性基板上。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在固化該第一硅膠層及該第二硅膠層之后，更包括:形成一彩色濾光層于該可撓性基板上。
8.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，貼合該對向基板至該第一硅膠層及該第二硅膠層的步驟包括:使用一滾筒將該可撓性基板滾壓到該剛性基板上。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該基板具有可撓性，且該基板的該周邊區(qū)包含一第一周邊區(qū)以及一第二周邊區(qū)，分別位于該基板的相對兩側(cè)，且其中形成在該第二周邊區(qū)的該第二硅膠層的總量大于形成在該第一周邊區(qū)的該第二硅膠層的總量。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，貼合該對向基板至在該第一硅膠層及該第二硅膠層的步驟包括:使用一滾筒將形成有該第一硅膠層和該第二硅膠層的該基板，以該第一周邊區(qū)的一側(cè)為起點(diǎn)，將該基板滾壓到該對向基板。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，貼合該對向基板至該第一硅膠層及該第二硅膠層的步驟包括:在該第一硅膠層與該第二硅膠層之間形成連續(xù)性的一組成過渡區(qū)。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成該第一硅膠層于該離型區(qū)以及形成該第二硅膠層于該周邊區(qū)的步驟包含:使用一噴嘴將該第一硅膠層噴涂到該離型區(qū)，以及使用另一噴嘴將該第二硅膠層噴涂到該周邊區(qū)。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成該第一硅膠層于該離型區(qū)以及形成該第二硅膠層于該周邊區(qū)的步驟中，該第一硅膠層僅覆蓋該離型區(qū)的一部分，且該第二硅膠層僅覆蓋該周邊區(qū)的一部分。
【文檔編號】H01L21/00GK103560075SQ201310558036
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
【發(fā)明者】孫碩陽, 黃婉真, 林威廷, 鄭君丞 申請人:友達(dá)光電股份有限公司