專利名稱：單面三維線路芯片倒裝先蝕后封制造方法及其封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種單面三維線路芯片倒裝先蝕后封制造方法及其封裝結(jié)構(gòu)。屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝流程如下所示
步驟一、參見圖57，取一玻璃纖維材料制成的基板，
步驟二、參見圖58，在玻璃纖維基板上所需的位置上開孔，
步驟三、參見圖59，在玻璃纖維基板的背面披覆一層銅箔，
步驟四、參見圖60，在玻璃纖維基板打孔的位置填入導(dǎo)電物質(zhì)，
步驟五、參見圖61，在玻璃纖維基板的正面披覆一層銅箔，
步驟六、參見圖62，在玻璃纖維基板表面披覆光阻膜，
步驟七、參見圖63，將光阻膜在需要的位置進行曝光顯影開窗，
步驟八、參見圖64，將完成開窗的部分進行蝕刻，
步驟九、參見圖65，將基板表面的光阻膜剝除，
步驟十、參見圖66，在銅箔線路層的表面進行防焊漆(俗稱綠漆)的披覆，
步驟十一、參見圖67，在防焊漆需要進行后工序的裝片以及打線鍵合的區(qū)域進行開窗， 步驟十二、參見圖68，在步驟十一進行開窗的區(qū)域進行電鍍，相對形成基島和引腳，
步驟十三、完成后續(xù)的裝片、打線、包封、切割等相關(guān)工序。上述傳統(tǒng)高密度基板封裝結(jié)構(gòu)存在以下不足和缺陷
1、多了一層的玻璃纖維材料，同樣的也多了一層玻璃纖維的成本；
2、因為必須要用到玻璃纖維，所以就多了一層玻璃纖維厚度約10(Tl50Mffl的厚度空
間；
3、玻璃纖維本身就是一種發(fā)泡物質(zhì)，所以容易因為放置的時間與環(huán)境吸入水分以及濕氣，直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性等級；
4、玻璃纖維表面被覆了一層約5(Tl00Mffl的銅箔金屬層厚度，而金屬層線路與線路的蝕刻距離也因為蝕刻因子的特性只能做到5(Tl00Mffl的蝕刻間隙(蝕刻因子最好制做的能力是蝕刻間隙約等同于被蝕刻物體的厚度，參見圖69)，所以無法真正的做到高密度線路的設(shè)計與制造；
5、因為必須要使用到銅箔金屬層，而銅箔金屬層是采用高壓粘貼的方式，所以銅箔的厚度很難低于50Mm的厚度，否則就很難操作如不平整或是銅箔破損或是銅箔延展移位等等;
6、也因為整個基板材料是采用玻璃纖維材料，所以明顯的增加了玻璃纖維層的厚度10(Tl50Mm,無法真正的做到超薄的封裝；
7、傳統(tǒng)玻璃纖維加貼銅箔的工藝技術(shù)因為材質(zhì)特性差異很大(膨脹系數(shù))，在惡劣環(huán)境的工序中容易造成應(yīng)力變形，直接的影響到元件裝載的精度以及元件與基板粘著性與可靠性
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種單面三維線路芯片倒裝先蝕后封制造方法及其封裝結(jié)構(gòu)，其工藝簡單，不需使用玻璃纖維層，減少了制作成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了玻璃纖維材料帶來的環(huán)境污染，而且金屬基板線路層采用的是電鍍方法，能夠真正做到高密度線路的設(shè)計和制造。本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的一種單面三維線路芯片倒裝先蝕后封制造方法，所述方法包括以下步驟
步驟一、取金屬基板
步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅
在金屬基板表面鍍一層銅材薄膜；
步驟三、貼光阻膜作業(yè)
在完成預(yù)鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜； 步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜；
步驟五、電鍍惰性金屬線路層
在步驟四中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上惰性金屬線路層；
步驟六、電鍍金屬線路層
在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上多層或是單層金屬線路層；
步驟七、去除光阻膜 步驟八、包封
將步驟七中的金屬基板背面采用塑封料進行塑封；
步驟九、貼光阻膜作業(yè)
在步驟八的金屬基板正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；
步驟十、塑封料表面開孔
在金屬基板背面預(yù)包封塑封料的表面進行開孔作業(yè)；
步驟十一、挖溝槽
在塑封料表面進行后續(xù)電路線的挖溝槽動作；
步驟十二、電鍍導(dǎo)電金屬
在金屬基板背面電鍍一層導(dǎo)電金屬；
步驟十三、金屬化前處理
在基板背面進行電鍍金屬線路層的金屬化前處理；
步驟十四、電鍍金屬線路層
在步驟十三中的金屬基板背面鍍上多層或是單層金屬線路層；
步驟十五、去除光阻膜 步驟十六、包封
將步驟十五中的金屬基板背面再塑封一層塑封料；步驟十七、貼光阻膜作業(yè)
在金屬基板的正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；
步驟十八、金屬基板正面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟十七完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜；
步驟十九、化學(xué)蝕刻
將步驟十八中完成曝光顯影的區(qū)域進行化學(xué)蝕刻；
步驟二十、電鍍金屬線路層
在惰性金屬線路層表面鍍上單層或是多層的金屬線路層，金屬電鍍完成后即在金屬基板上形成相應(yīng)的引腳或基島和引腳或基島、引腳和靜電釋放圈；
步驟二十一、去除光阻膜 步驟二十二、裝片及芯片底部填充
在步驟二十的引腳正面或基島正面和引腳正面倒裝芯片及芯片底部填充環(huán)氧樹脂； 步驟二十三、包封
將完成裝片后的金屬基板正面進行塑封料包封工序；
步驟二十四、塑封料表面開孔
在金屬基板背面預(yù)包封塑封料的表面進行后續(xù)要植金屬球的區(qū)域進行開孔作業(yè)；
步驟二十五、清洗
在金屬基板背面塑封料開孔處進行氧化物質(zhì)、有機物質(zhì)的清洗；
步驟二十六、植球
在金屬基板背面塑封體開孔處內(nèi)植入金屬球；
步驟二十七、切割成品
將步驟二十六完成植球的半成品進行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得單芯片倒裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結(jié)構(gòu)，可采用常規(guī)的鉆石刀片以及常規(guī)的切割設(shè)備即可。本發(fā)明還提供一種單面三維線路芯片倒裝先蝕后封封裝結(jié)構(gòu)，它包括芯片和引 腳，所述芯片的正面倒裝于引腳正面，所述芯片底部與引腳正面之間設(shè)置有底部填充膠，所述引腳與引腳之間的區(qū)域、引腳上部的區(qū)域、引腳下部的區(qū)域以及芯片和金屬線外均包封有塑封料，所述引腳背面的塑封料上開設(shè)有第二小孔，所述第二小孔與引腳背面相連通，所述第二小孔內(nèi)設(shè)置有金屬球，所述金屬球與引腳背面相接觸。所述步驟二十五對金屬基板背面塑封料開孔處進行清洗同時進行金屬保護層被覆。所述封裝結(jié)構(gòu)包括基島，所述芯片的正面倒裝于基島正面和引腳正面，所述芯片底部與基島正面和引腳正面之間設(shè)置有底部填充膠。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果
1、本發(fā)明不需要使用玻璃纖維層，所以可以減少玻璃纖維層所帶來的成本；
2、本發(fā)明沒有使用玻璃纖維層的發(fā)泡物質(zhì)，所以可靠性的等級可以再提高，相對對封裝體的安全性就會提高；
3、本發(fā)明不需要使用玻璃纖維層物質(zhì)，所以就可以減少玻璃纖維材料所帶來的環(huán)境污染；
4、本發(fā)明的三維金屬基板線路層所采用的是電鍍方法，而電鍍層的每一層總厚度約在l(Tl5Mffl，而線路與線路之間的間隙可以輕松的達到25ΜΠ1以下的間隙，所以可以真正地做到高密度內(nèi)引腳線路平鋪的技術(shù)能力；
5、本發(fā)明的三維金屬基板因采用的是金屬層電鍍法，所以比玻璃纖維高壓銅箔金屬層的工藝來得簡單，且不會有金屬層因為高壓產(chǎn)生金屬層不平整、金屬層破損以及金屬層延展移位的不良或困惑。


圖廣圖27為本發(fā)明單面三維線路芯片倒裝先蝕后封制作方法實施例I的各工序示意圖。圖28為本發(fā)明單面三維線路芯片倒裝先蝕后封封裝結(jié)構(gòu)實施例I的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖29 圖55為本發(fā)明單面三維線路芯片倒裝先蝕后封制作方法實施例2的各工序不意圖。圖56為本發(fā)明單面三維線路芯片倒裝先蝕后封封裝結(jié)構(gòu)實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。圖57 圖68為傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝流程圖。圖69為玻璃纖維表面銅箔金屬層的蝕刻狀況示意圖。其中
金屬基板I 銅材薄膜2 光阻膜3
惰性金屬線路層4 金屬線路層5 塑封料6 第一小孔7 溝槽8
金屬化前處理層9 底部填充膠10 芯片11 第二小孔12 金屬保護層13 金屬球14 基島15 引腳16。
具體實施例方式本發(fā)明一種單面三維線路芯片倒裝先蝕后封制造方法及其封裝結(jié)構(gòu)如下
實施例一、無基島
步驟一、取金屬基板參見圖1，取一片厚度合適的金屬基板，金屬基板的材質(zhì)可以依據(jù)芯片的功能與特性進行變換，例如銅材、鐵材、鎳鐵材、鋅鐵材等。步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅
參見圖2，在金屬基板表面鍍一層銅材薄膜，目的是為后續(xù)電鍍做基礎(chǔ)。(電鍍的方式可以采用化學(xué)電鍍或是電解電鍍)。步驟三、貼光阻膜作業(yè)
參見圖3，在完成預(yù)鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜，以保護后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜。步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜
參見圖4，利用曝光顯影設(shè)備將步驟三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進行電鍍的區(qū)域圖形。步驟五、電鍍惰性金屬線路層
參見圖5，在步驟四中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上惰性金屬線路層，作為后續(xù)蝕刻工作的阻擋層，惰性金屬可采用鎳或鈦或銅，電鍍方式可以使化學(xué)電鍍或是電解電鍍方式。步驟六、電鍍金屬線路層
參見圖6，在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上多層或是單層金屬線路層，所述金屬線路層可采用金鎳、銅鎳金、銅鎳鈀金、鈀金、銅材中的一種或者多種，電鍍方式可以是化學(xué)電鍍也可以是電解電鍍的方式。步驟七、去除光阻膜
參見圖7，去除金屬基板表面的光阻膜，采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水噴除的方式去除光阻膜。步驟八、包封
參見圖8，將步驟七中的金屬基板背面采用塑封料進行塑封，塑封方式可以采用模具灌膠方式、噴涂方式或是用貼膜方式。所述塑封料可以采用有填料物質(zhì)或是無填料物質(zhì)的環(huán)氧樹脂。步驟九、貼光阻膜作業(yè)
參見圖9，在步驟八的金屬基板正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜。步驟十、塑封料表面開孔
參見圖10，在金屬基板背面預(yù)包封塑封料的表面進行開孔作業(yè)，可以采用干式激光燒結(jié)或是濕式化學(xué)腐蝕的方法進行開孔。步驟^^一、挖溝槽
參見圖11，在塑封料表面進行后續(xù)電路線的挖溝槽動作，可以采用干式激光燒結(jié)或是濕式化學(xué)腐蝕的方法進行挖溝槽動作。步驟十二、電鍍導(dǎo)電金屬
參見圖12，在金屬基板背面電鍍一層導(dǎo)電金屬，電鍍方式可以是化學(xué)電鍍也可以是電解電鍍的方式。步驟十三、金屬化前處理參見圖13，在基板背面進行電鍍金屬線路層的金屬化前處理，金屬化前處理可用涂布方法(噴灑方式、印刷方式、淋涂方式、浸泡的方式等)。步驟十四、電鍍金屬線路層
參見圖14，在步驟十三中的金屬基板背面鍍上多層或是單層金屬線路層，所述金屬線路層可采用金鎳、銅鎳金、銅鎳鈀金、鈀金、銅材中的一種或者多種，電鍍方式可以是化學(xué)電鍍也可以是電解電鍍的方式。步驟十五、去除光阻膜
參見圖15，去除金屬基板表面的光阻膜，采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水噴除的方式去除光阻膜。
步驟十六、包封
參見圖16，將步驟十五中的金屬基板背面再塑封一層塑封料，塑封方式可以采用模具灌膠方式、噴涂方式或是用貼膜方式。所述塑封料可以采用有填料物質(zhì)或是無填料物質(zhì)的環(huán)氧樹脂。步驟十七、貼光阻膜作業(yè)
參見圖17，在金屬基板的正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜。步驟十八、金屬基板正面去除部分光阻膜
參見圖18，利用曝光顯影設(shè)備將步驟十七完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進行化學(xué)蝕刻的區(qū)域圖形。步驟十九、化學(xué)蝕刻
參見圖19，將步驟十八中完成曝光顯影的區(qū)域進行化學(xué)蝕刻，化學(xué)蝕刻直至惰性金屬線路層為止，蝕刻藥水可以采用氯化銅或是氯化鐵。步驟二十、電鍍金屬線路層
參見圖20，在惰性金屬線路層表面鍍上單層或是多層的金屬線路層，金屬電鍍完成后即在金屬基板上形成相應(yīng)的引腳，鍍層種類可以是銅鎳金、銅鎳銀、鈀金、金或銅等，電鍍方法可以是化學(xué)電鍍或是電解電鍍。步驟二十一、去除光阻膜
參見圖21，去除金屬基板表面的光阻膜，采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水噴除的方式去除光阻膜。步驟二十二、裝片及芯片底部填充
參見圖22，在步驟二十的引腳正面倒裝芯片及芯片底部填充環(huán)氧樹脂。步驟二十三、包封
參見圖23，將完成裝片后的金屬基板正面進行塑封料包封工序，目的是利用環(huán)氧樹脂將芯片以及金屬線進行固定與保護，包封方法采用模具灌膠、噴涂方式或刷膠方式進行，塑封料可以采用有填料或是無填料的環(huán)氧樹脂。步驟二十四、塑封料表面開孔
參見圖24，在金屬基板背面預(yù)包封塑封料的表面進行后續(xù)要植金屬球的區(qū)域進行開孔作業(yè)，可以采用干式激光燒結(jié)或是濕式化學(xué)腐蝕的方法進行開孔。
步驟二十五、清洗
參見圖25，在金屬基板背面塑封料開孔處進行氧化物質(zhì)、有機物質(zhì)的清洗，同時可進行金屬保護層的被覆，金屬保護層采用抗氧化材料。步驟二十六、植球
參見圖26，在金屬基板背面塑封體開孔處內(nèi)植入金屬球，使金屬球與引腳背面相接觸，可以采用常規(guī)的植球機或是采用金屬膏印刷再經(jīng)高溫溶解之后即可形成球狀體，金屬球的材料可以是純錫或錫合金。步驟二十七、切割成品
參見圖27，將步驟二十六完成植球的半成品進行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得單芯片倒裝先蝕刻后封 裝基島埋入封裝結(jié)構(gòu)，可采用常規(guī)的鉆石刀片以及常規(guī)的切割設(shè)備即可。如圖28所示，本發(fā)明還提供一種單面三維線路芯片倒裝先蝕后封的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括芯片11和引腳16，所述芯片11的正面倒裝于引腳16正面，所述芯片11底部與引腳16正面之間設(shè)置有底部填充膠10，所述引腳16與引腳16之間的區(qū)域、引腳16上部的區(qū)域、引腳16下部的區(qū)域以及芯片11外均包封有塑封料6，所述引腳16背面的塑封料
6上開設(shè)有第二小孔12，所述第二小孔12與引腳16背面相連通，所述第二小孔12內(nèi)設(shè)置有金屬球14，所述金屬球14與引腳16背面之間設(shè)置有金屬保護層13，所述金屬球14采用錫或錫合金材料。實施例二、有基島 步驟一、取金屬基板
參見圖29，取一片厚度合適的金屬基板，金屬基板的材質(zhì)可以依據(jù)芯片的功能與特性進行變換，例如銅材、鐵材、鎳鐵材、鋅鐵材等。步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅
參見圖30，在金屬基板表面鍍一層銅材薄膜，目的是為后續(xù)電鍍做基礎(chǔ)。(電鍍的方式可以采用化學(xué)電鍍或是電解電鍍)。步驟三、貼光阻膜作業(yè)
參見圖31，在完成預(yù)鍍銅材薄膜的金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜，以保護后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜。步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜
參見圖32，利用曝光顯影設(shè)備將步驟三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進行電鍍的區(qū)域圖形。步驟五、電鍍惰性金屬線路層
參見圖33，在步驟四中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上惰性金屬線路層，作為后續(xù)蝕刻工作的阻擋層，惰性金屬可采用鎳或鈦或銅，電鍍方式可以使化學(xué)電鍍或是電解電鍍方式。步驟六、電鍍金屬線路層
參見圖34，在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上多層或是單層金屬線路層，所述金屬線路層可采用金鎳、銅鎳金、銅鎳鈀金、鈀金、銅材中的一種或者多種，電鍍方式可以是化學(xué)電鍍也可以是電解電鍍的方式。步驟七、去除光阻膜
參見圖35，去除金屬基板表面的光阻膜，采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水噴除的方式去除光阻膜。步驟八、包封
參見圖36，將步驟七中的金屬基板背面采用塑封料進行塑封，塑封方式可以采用模具灌膠方式、噴涂方式或是用貼膜方式。所述塑封料可以采用有填料物質(zhì)或是無填料物質(zhì)的環(huán)氧樹脂。步驟九、貼光阻膜作業(yè)
參見圖37，在步驟八的金屬基板正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜，光 阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜。步驟十、塑封料表面開孔
參見圖38，在金屬基板背面預(yù)包封塑封料的表面進行開孔作業(yè)，可以采用干式激光燒結(jié)或是濕式化學(xué)腐蝕的方法進行開孔。步驟^^一、挖溝槽
參見圖39，在塑封料表面進行后續(xù)電路線的挖溝槽動作，可以采用干式激光燒結(jié)或是濕式化學(xué)腐蝕的方法進行挖溝槽動作。步驟十二、電鍍導(dǎo)電金屬
參見圖40，在金屬基板背面電鍍一層導(dǎo)電金屬，電鍍方式可以是化學(xué)電鍍也可以是電解電鍍的方式。步驟十三、金屬化前處理
參見圖41，在基板背面進行電鍍金屬線路層的金屬化前處理，金屬化前處理可用涂布方法(噴灑方式、印刷方式、淋涂方式、浸泡的方式等)。步驟十四、電鍍金屬線路層
參見圖42，在步驟十三中的金屬基板背面鍍上多層或是單層金屬線路層，所述金屬線路層可采用金鎳、銅鎳金、銅鎳鈀金、鈀金、銅材中的一種或者多種，電鍍方式可以是化學(xué)電鍍也可以是電解電鍍的方式。步驟十五、去除光阻膜
參見圖43，去除金屬基板表面的光阻膜，采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水噴除的方式去除光阻膜。步驟十六、包封
參見圖44，將步驟十五中的金屬基板背面再塑封一層塑封料，塑封方式可以采用模具灌膠方式、噴涂方式或是用貼膜方式。所述塑封料可以采用有填料物質(zhì)或是無填料物質(zhì)的環(huán)氧樹脂。步驟十七、貼光阻膜作業(yè)
參見圖45，在金屬基板的正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜。步驟十八、金屬基板正面去除部分光阻膜
參見圖46，利用曝光顯影設(shè)備將步驟十七完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進行化學(xué)蝕刻的區(qū)域圖形。步驟十九、化學(xué)蝕刻
參見圖47，將步驟十八中完成曝光顯影的區(qū)域進行化學(xué)蝕刻，化學(xué)蝕刻直至惰性金屬線路層為止，蝕刻藥水可以采用氯化銅或是氯化鐵。步驟二十、電鍍金屬線路層
參見圖48，在惰性金屬線路層表面鍍上單層或是多層的金屬線路層，金屬電鍍完成后即在金屬基板上形成相應(yīng)的基島和引腳，鍍層種類可以是銅鎳金、銅鎳銀、鈀金、金或銅等，電鍍方法可以是化學(xué)電鍍或是電解電鍍。 步驟二十一、去除光阻膜
參見圖49，去除金屬基板表面的光阻膜，采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水噴除的方式去除光阻膜。步驟二十二、裝片及芯片底部填充
參見圖50，在步驟二十的基島正面和引腳正面倒裝芯片及芯片底部填充環(huán)氧樹脂。步驟二十三、包封
參見圖51，將完成裝片后的金屬基板正面進行塑封料包封工序，目的是利用環(huán)氧樹脂將芯片以及金屬線進行固定與保護，包封方法采用模具灌膠、噴涂方式或刷膠方式進行，塑封料可以采用有填料或是無填料的環(huán)氧樹脂。步驟二十四、塑封料表面開孔
參見圖52，在金屬基板背面預(yù)包封塑封料的表面進行后續(xù)要植金屬球的區(qū)域進行開孔作業(yè)，可以采用干式激光燒結(jié)或是濕式化學(xué)腐蝕的方法進行開孔。步驟二十五、清洗
參見圖53，在金屬基板背面塑封料開孔處進行氧化物質(zhì)、有機物質(zhì)的清洗，同時可進行金屬保護層的被覆，金屬保護層采用抗氧化材料。步驟二十六、植球
參見圖54，在金屬基板背面塑封體開孔處內(nèi)植入金屬球，使金屬球與引腳背面相接觸，可以采用常規(guī)的植球機或是采用金屬膏印刷再經(jīng)高溫溶解之后即可形成球狀體，金屬球的材料可以是純錫或錫合金。步驟二十七、切割成品
參見圖55，將步驟二十六完成植球的半成品進行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得單芯片倒裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結(jié)構(gòu)，可采用常規(guī)的鉆石刀片以及常規(guī)的切割設(shè)備即可。如圖56所示，本發(fā)明還提供一種單面三維線路芯片倒裝先蝕后封的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括芯片11、基島15和引腳16，所述芯片11的正面倒裝于基島15正面和引腳16正面，所述芯片11底部與基島15正面和引腳16正面之間設(shè)置有底部填充膠10，所述基島15外圍的區(qū)域、基島15和引腳16之間的區(qū)域、引腳16與引腳16之間的區(qū)域、基島15和引腳16上部的區(qū)域、基島15和引腳16下部的區(qū)域以及芯片11外均包封有塑封料6，所述引腳16背面的塑封料6上開設(shè)有第二小孔12，所述第二小孔12與引腳16背面相連通，所述第二小孔12內(nèi)設(shè)置有金屬球14，所述金屬球14與引腳16背面之間設(shè)置有金屬保護層13，所述金屬球14采用錫或錫合金材料。 ·
權(quán)利要求
1.一種單面三維線路芯片倒裝先蝕后封制造方法，所述方法包括以下步驟 步驟一、取金屬基板 步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅 在金屬基板表面鍍一層銅材薄膜； 步驟三、貼光阻膜作業(yè) 在完成預(yù)鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜； 步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜 利用曝光顯影設(shè)備將步驟三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜； 步驟五、電鍍惰性金屬線路層 在步驟四中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上惰性金屬線路層； 步驟六、電鍍金屬線路層 在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上多層或是單層金屬線路層； 步驟七、去除光阻膜 步驟八、包封 將步驟七中的金屬基板背面采用塑封料進行塑封； 步驟九、貼光阻膜作業(yè) 在步驟八的金屬基板正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜； 步驟十、塑封料表面開孔 在金屬基板背面預(yù)包封塑封料的表面進行開孔作業(yè)； 步驟十一、挖溝槽 在塑封料表面進行后續(xù)電路線的挖溝槽動作； 步驟十二、電鍍導(dǎo)電金屬 在金屬基板背面電鍍一層導(dǎo)電金屬； 步驟十三、金屬化前處理 在基板背面進行電鍍金屬線路層的金屬化前處理； 步驟十四、電鍍金屬線路層 在步驟十三中的金屬基板背面鍍上多層或是單層金屬線路層； 步驟十五、去除光阻膜 步驟十六、包封 將步驟十五中的金屬基板背面再塑封一層塑封料； 步驟十七、貼光阻膜作業(yè) 在金屬基板的正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜； 步驟十八、金屬基板正面去除部分光阻膜 利用曝光顯影設(shè)備將步驟十七完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜； 步驟十九、化學(xué)蝕刻 將步驟十八中完成曝光顯影的區(qū)域進行化學(xué)蝕刻； 步驟二十、電鍍金屬線路層在惰性金屬線路層表面鍍上單層或是多層的金屬線路層，金屬電鍍完成后即在金屬基板上形成相應(yīng)的引腳或基島和引腳或基島、引腳和靜電釋放圈； 步驟二十一、去除光阻膜 步驟二十二、裝片及芯片底部填充 在步驟二十的引腳正面或基島正面和引腳正面倒裝芯片及芯片底部填充環(huán)氧樹脂； 步驟二十三、包封 將完成裝片后的金屬基板正面進行塑封料包封工序； 步驟二十四、塑封料表面開孔 在金屬基板背面預(yù)包封塑封料的表面進行后續(xù)要植金屬球的區(qū)域進行開孔作業(yè)； 步驟二十五、清洗 在金屬基板背面塑封料開孔處進行氧化物質(zhì)、有機物質(zhì)的清洗； 步驟二十六、植球 在金屬基板背面塑封體開孔處內(nèi)植入金屬球； 步驟二十七、切割成品 將步驟二十六完成植球的半成品進行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得單芯片倒裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結(jié)構(gòu)，可采用常規(guī)的鉆石刀片以及常規(guī)的切割設(shè)備即可。
2.一種如權(quán)利要求I所述的單面三維線路芯片倒裝先蝕后封封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括芯片(11)和引腳(16)，所述芯片(11)的正面倒裝于引腳(16)正面，所述芯片(11)底部與引腳(16)正面之間設(shè)置有底部填充膠(10)，所述引腳(16)與引腳(16)之間的區(qū)域、弓丨腳(16)上部的區(qū)域、引腳(16)下部的區(qū)域以及芯片(11)外均包封有塑封料(6)，所述引腳(16)背面的塑封料(6)上開設(shè)有第二小孔12)，所述第二小孔(132)與引腳(16)背面相連通，所述第二小孔(12)內(nèi)設(shè)置有金屬球(14)，所述金屬球(14)與引腳(16)背面相接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種單面三維線路芯片倒裝先蝕后封的制作方法，其特征在于所述步驟二十五對金屬基板背面塑封料開孔處進行清洗同時進行金屬保護層被覆。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單面三維線路芯片倒裝先蝕后封的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封裝結(jié)構(gòu)包括基島(15)，所述芯片(11)的正面倒裝于基島(15)正面和引腳(16)正面，所述芯片(11)底部與基島(15)正面和引腳(16)正面之間設(shè)置有底部填充膠(10)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種單面三維線路芯片倒裝先蝕后封制造方法及其封裝結(jié)構(gòu)，所述方法包括以下步驟取金屬基板；金屬基板表面預(yù)鍍銅；貼光阻膜作業(yè)；金屬基板背面去除部分光阻膜；電鍍惰性金屬線路層；電鍍金屬線路層；去除光阻膜；包封；塑封料表面開孔；挖溝槽；電鍍導(dǎo)電金屬；金屬化前處理；電鍍金屬線路層；化學(xué)蝕刻；電鍍金屬線路層；裝片及芯片底部填充；清洗；植球和切割成品。本發(fā)明的有益效果是降低了制造成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了環(huán)境污染，能夠真正做到高密度線路的設(shè)計和制造。
文檔編號H01L21/48GK102723280SQ20121018844
公開日2012年10月10日 申請日期2012年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月9日
發(fā)明者李維平, 梁志忠, 王新潮 申請人:江蘇長電科技股份有限公司