專利名稱：三維層疊的非易失性存儲部件的制作方法
三維層疊的非易失性存儲部件背景新型存儲器已展現(xiàn)出與常用類型的存儲器相媲美的顯著可能性。例如，非易失性自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機存取存儲器(在本文中稱為“STRAM”)和電阻性隨機存取存儲器(在本文中稱為“RRAM”)兩者被認為是下一代存儲器的好的候選。可通過增加可在芯片上形成存儲部件(存儲單元及其相關聯(lián)的驅(qū)動設備)的密度來最大化與所確立的存儲器類型更有效競爭的STRAM和RRAM (諸如FLASH存儲器(NAND或NOR))的能力。概述在本文中公開了一種存儲部件，該存儲部件包括跨越存儲部件的第一層中的第一晶體管區(qū)的第一晶體管；跨越存儲部件的第二層中的第二晶體管區(qū)的第二晶體管；跨越存儲部件的第三層中的第一存儲器區(qū)的第一電阻感測存儲(RSM)單元；以及跨越存儲部件的第三層中的第二存儲器區(qū)的第二 RSM單元，其中第一晶體管電耦合到第一 RSM單元、并且第二晶體管電耦合到第二 RSM單元，其中第二層位于第一層和第三層之間，其中第一和第二晶體管具有晶體管重疊區(qū)，并且其中第一存儲器區(qū)和第二存儲器區(qū)未延伸超出第一晶體管區(qū)和第二晶體管區(qū)。在本文中公開了一種RSM部件，該RSM部件包括跨越存儲部件的第一層中的第一晶體管區(qū)的第一晶體管；跨越存儲部件的第二層中的第二晶體管區(qū)的第二晶體管；以及跨越存儲部件的第三層中的存儲器區(qū)的RSM單元，其中第一晶體管電耦合到第二晶體管、并且第二晶體管電耦合到RSM單元，其中第二層位于第一層和第三層之間，其中第一晶體管和第二晶體管具有晶體管重疊區(qū)，并且其中存儲器區(qū)未延伸超出第一和第二晶體管區(qū)。在本文中還公開了使用RSM部件的方法，該方法包括設置RSM部件，該部件包括 跨越存儲部件的第一層中的第一晶體管區(qū)的第一晶體管；跨越存儲部件的第二層中的第二晶體管區(qū)的第二晶體管；以及跨越存儲部件的第三層中的存儲器區(qū)的RSM單元，其中第一晶體管電耦合到第二晶體管、并且第二晶體管電耦合到RSM單元，其中第二層位于第一層和第三層之間，其中第一晶體管和第二晶體管具有晶體管重疊區(qū)，并且其中存儲器區(qū)未延伸超出第一和第二晶體管區(qū)；以及只激活第一或第二晶體管來確定RSM單元的電阻狀態(tài)。通過閱讀以下詳細描述，這些以及各個其他特征和優(yōu)點將是顯而易見的。附圖
簡述考慮以下結合附圖對本公開的各個實施例的詳細描述，可更完整地理解本公開， 在附圖中圖IA和IB是示例性STRAM單元的示意圖；并且圖IC是示例性RRAM單元的示意圖；圖2A是如本文中所公開的存儲部件的實施例的示意圖；圖2B是使用如本文中所公開的單存儲單元-單晶體管配置的存儲部件的實施例的示意圖；圖2C是圖2B所示的存儲部件的立體圖；并且圖2D是圖2B所示的存儲部件的電路圖；圖3A是使用如本文中所公開的單存儲單元_單晶體管配置的存儲部件的實施例的示意圖；圖3B是從圖3A所示的存儲部件的不同角度看的示意圖；并且圖3C是使用STRAM單存儲單元_單晶體管的存儲部件的示意圖；圖4A是使用如本文中所公開的單存儲單元_單晶體管配置的存儲部件的實施例的示意圖；圖4B是從圖4A所示的存儲部件的不同角度看的示意圖；并且圖4C是使用STRAM 單存儲單元_單晶體管的存儲部件的示意圖；圖5A是使用單存儲單元_雙晶體管配置的存儲部件的電路圖；圖5B是這種存儲部件的示意圖；圖5C是從圖5B所示的存儲部件的不同角度看的示意圖；圖5D是使用如本文中所公開的單存儲單元-單晶體管配置的存儲部件的實施例的示意圖；圖5E是使用 STRAM單存儲單元-雙晶體管配置的存儲部件的示意圖；并且圖5F是從圖5D所示的存儲部件的不同角度看的示意圖；圖6是配置有訪問存儲單元的其他元件的存儲部件的一部分的實施例的示意圖； 以及圖7是包括如本文中所公開的存儲部件的示例性存儲器陣列的示意性立體圖。這些附圖不一定按比例示出。附圖中所使用的相同數(shù)字表示相同組件。然而，應當理解，在給定附圖中使用數(shù)字表示組件并不旨在限制在另一附圖中用相同數(shù)字標記的組件。詳細描述在以下描述中，參考形成本說明書一部分的一組附圖，其中通過圖示示出了若干具體實施例。應當理解，構想并可作出其他實施例而不背離本公開的范圍或精神。因此，以下詳細描述不采取限制性含義。除非另外指示，否則在說明書和權利要求書中使用的表示特征大小、量和物理性質(zhì)的所有數(shù)字應當理解為在任何情況下均由術語“約”修飾。因此，除非相反地指出，否則在上述說明書和所附權利要求中闡明的數(shù)值參數(shù)是近似值，這些近似值可利用本文中公開的教示根據(jù)本領域技術人員所尋求獲得的期望性質(zhì)而變化。通過端點對數(shù)值范圍的陳述包括歸入該范圍內(nèi)的所有數(shù)字(例如，1至5包括1、 1. 5、2、2. 75,3,3. 80、4和5)和該范圍內(nèi)的任何范圍。如本說明書和所附權利要求書中所使用的，單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”涵蓋具有復數(shù)引用物的實施例，除非該內(nèi)容另外明確地指出。如本說明書和所附權利要求書中所使用的，術語“或”一般以包括“和/或”的含義來使用，除非該內(nèi)容另外明確地指出?？臻g相關的術語，包括但不限于“較低”、“較高”、“在下方”、“下面” “上面”和“在上面”，如果在本文中使用，則用于便于說明以描述一個元件與另一元件的空間關系。除附圖中所示的和本文中所描述的特定方向以外，這些空間相關的術語涵蓋在使用或操作中的設備的不同方向。例如，當附圖中所示的制品被顛倒或翻轉(zhuǎn)，先前描述的如在其他元件下面或下方的部分隨后將在那些其他元件上方。如本文中所使用的，例如當元件、組件或?qū)颖幻枋鰹椤霸谏戏健?、“連接至”、“耦合” 或“接觸”另一元件、部件或?qū)訒r，其可直接在上方、直接連接到、直接耦合、直接接觸，或居間元件、部件或?qū)涌稍谏戏?、連接、耦合或接觸特定元件、組件或?qū)?。例如當元件、組件或?qū)颖环Q為開始“直接在上方”、“直接連接到”、“直接耦合”、或“直接接觸”另一元件時，則不存在居間元件、組件或?qū)印ＶT如STRAM和RRAM之類的非易失性存儲單元需要相對大的驅(qū)動電流，例如，一些STRAM單元需要約400微安(μΑ)的驅(qū)動電流。常用金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)的驅(qū)動能力一般約為800 μ A/微米(μ m)。因此，能夠提供該必需的驅(qū)動電流的 MOSFET 一般必須是約0. 5 μ m。假設當前可用的半導體制造技術的最小尺寸為90nm(F)，有用MOSFET的寬度約為5. 6F。常用存儲部件配置一般具有與單晶體管相關聯(lián)的單存儲單元。 假設存儲單元的尺寸為F χ 2F并且存儲部件一般在F的每個存儲部件之間需要間隔，常用存儲部件配置的面積為(5. 6F+F)M2F+F+F)，其約等于沈.4F2。當你將所需的總面積沈.4F2 與只有存儲單元的面積2F2比較時，可以看出，在常用存儲部件配置中，晶體管需要比存儲單元大很多的面積，并且它是單個功能存儲單元需要相對大的面積的主要原因。諸如本文中所公開的那些存儲部件之類的存儲部件提供了存儲單元和晶體管的替換配置，這些配置使用小很多的面積并且可因此提供成本和效率方面的優(yōu)點。所公開的存儲部件通過用兩個更小的晶體管給一個存儲單元供電、或通過將兩個晶體管排列在兩個垂直的疊加層中且將兩個存儲單元放置在兩個晶體管上方的共享第三層上以改變晶體管及其相關聯(lián)的存儲單元的三維配置來提供了這些優(yōu)點。將在本文中討論可用于獲得這些優(yōu)點的各種不同的配置。計算(與以上類似)這些配置必需的面積將參考每個實施例來討論。如在本文中使用的術語“存儲部件”可指電連接到一個或多個設備的一個或多個存儲單元，這些設備可用來允許電流流經(jīng)一個或多個存儲單元。在一個實施例中，存儲部件可包括電連接至兩個晶體管的一個存儲單元。在一個實施例中，一個存儲單元可電連接到兩個晶體管之一，該晶體管電連接到另一晶體管。這種配置可被稱為單存儲單元-雙晶體管配置。在一個實施例中，存儲部件可包括電連接到第一晶體管的第一存儲單元和電連接到第二晶體管的第二存儲單元。這種配置可被稱為單存儲單元-單晶體管配置。用于如本文中所述的存儲設備的存儲單元可包括許多不同類型的存儲器。可用于本文中所公開的設備的示例性類型的存儲器包括但不限于非易失性存儲器，諸如，電阻感測存儲(RSM)單元。RSM單元是具有可變電阻的存儲單元，該RSM單元使用RSM單元的不同電阻狀態(tài)來提供數(shù)據(jù)存儲。示例性RSM單元包括但不限于鐵電RAMO^RAM或FRAM)；磁阻 RAM(MRAM)；電阻性RAM(RRAM)；也被稱為PRAM、PCRAM禾Π C-RAM的相變存儲器(PCM)；也被稱為導電橋接RAM或CBRAM的可編程金屬化單元(PMC)；以及也被稱為STRAM的自旋扭矩轉(zhuǎn)移RAM。在各個實施例中，RSM單元可以是STRAM單元。STRAM存儲單元包括MTJ(磁性隧道結)，MTJ —般包括被薄的絕緣層分開的兩個磁性電極層，該絕緣層也被稱為隧道阻擋層。 在圖IA中示出MTJ的一個實施例。圖IA的MTJ100包括被絕緣層120分開的第一磁性層 110和第二磁性層130。圖IB示出與第一電極層140和第二電極層150接觸的MTJ 100。 第一電極層140和第二電極層150分別將第一磁性層110和第二磁性層130電連接到控制電路(未示出)，從而經(jīng)由磁性層提供讀寫電流。第一磁性層110和第二磁性層130的磁化向量的相對方向可由跨MTJ 100的電阻來確定；并且跨MTJ 100的電阻可由第一磁性層 110和第二磁性層130的磁化向量的相對方向確定。第一磁性層110和第二磁性層130 —般由諸如鐵(Fe)、鈷(Co)和鎳(Ni)合金之類的鐵磁合金制成。在各個實施例中，第一磁性層Iio和第二磁性層130可由i^Mn、NiO、 IrMn, PtPdMn, NiMn和TbCo之類的合金制成。絕緣層120 —般由諸如氧化鋁(Al2O3)或氧化鎂(MgO)之類的絕緣材料制成。
磁性層之一的磁化(例如第一磁性層110) —般被釘扎在預定方向上，而另一磁性層的磁化方向(例如第二磁性層130)在自旋扭矩的影響下自由地旋轉(zhuǎn)。第一磁性層110 的釘扎可經(jīng)由例如使用與諸如PtMn、IrMn及其他的反鐵磁有序材料交換偏磁來實現(xiàn)。在各個實施例中，RSM單元可以是RRAM單元。圖IC是說明性電阻性隨機存取存儲 (RRAM)單元160的示意圖。RRAM單元160包括介質(zhì)層112，RRAM單元160通過改變介質(zhì)層 112的電阻對電流或電壓作出響應。這種現(xiàn)象可被稱為電脈沖誘發(fā)的變阻效應。該效應將存儲器的電阻(即，數(shù)據(jù)狀態(tài))，例如，從一個或多個高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)。介質(zhì)層 112插在第一電極114和第二電極116之間，并且作為RRAM單元的數(shù)據(jù)存儲材料層。第一電極114和第二電極116電連接到電壓源(未示出)。第一電極114和第二電極116可由諸如例如金屬之類的任何有用的導電材料構成。構成介質(zhì)層112的材料可以是任何已知有用的RRAM材料。在各個實施例中，構成介質(zhì)層112的材料可包括諸如金屬氧化物之類的氧化物材料。在一些實施例中，金屬氧化物是二元氧化物材料或復合金屬氧化物材料。在其他實施例中，構成介質(zhì)層112的材料可包括硫族化物固體電解質(zhì)材料或有機/聚合物材料。二元金屬氧化物材料可被表示為MxOy的化學式。在該式中，字符“Μ”、“0”、“χ”和 “y”分別指金屬、氧、金屬組分比和氧組分比。金屬“M”可以是過渡金屬和/或鋁(Al)。在此情況下，過渡金屬可以是鎳(Ni)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、鋯(&)、鉿(Hf)、鈷(Co)、鐵(Fe)、銅 (Cu)和/或鉻(Cr)?？捎米鹘橘|(zhì)層112的二元金屬氧化物的具體示例包括Cu0、Ni0、Co0、 ZnO、CrO2、Ti02、HfO2、ZrO2、Fe2O3 禾口 Nb2O5。在各個實施例中，金屬氧化物可以是任何有用的復合金屬氧化物，諸如例如具有式卩！^^^^勸…或SrTiO3、或SWrO3的復合氧化物材料、或者摻雜有Cr或Nb的這些氧化物。該復合物還可包括LaCuO4、或Bi2Sr2CaCu2CV固體硫族化物材料的一個示例是包含銀 (Ag)成分的鍺-硒化物(GexSeicl(1_x)。有機材料的一個示例是聚(3，4_亞乙二氧基噻吩) (即，PED0T)。RSM單元還可包括具有與圖IC相類似的結構、使用諸如鋯鈦酸鉛(稱為“PZT”) 或SrBi2Ta2O9(稱為“SBT”)之類的材料的鐵電電容器。在這些存儲單元中，電流可用于切換偏振方向并且讀電流可檢測偏振是向上還是向下。在這些實施例中，讀操作是破壞性過程，其中單元將丟失包含其中的數(shù)據(jù)，從而需要刷新以將數(shù)據(jù)寫回到單元。如此處所公開的存儲部件還包括晶體管。一般而言，使用場效應晶體管(FET)。所有常用FET具有柵極、漏極、源極和主體(或襯底)。柵極一般控制FET的導通和截止，類似于物理柵極。柵極通過創(chuàng)建或消除源極和漏極之間的溝道來準許電子流過(導通時)或阻斷其通過(截止時)。電子在受所施加的電壓影響時從源極端子流向漏極端子。主體或襯底是柵極、源極和漏極位于其中的半導體的體。在各個實施例中，如此處所公開的存儲部件可使用金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。MOSFET —般由η型或ρ型半導體材料的溝道構成，并且分別被稱為NM0SFET 或PM0SFET (通常還稱為nM0S、pM0S)。各個實施例還可使用互補的金屬氧化物半導體晶體管(“CMOS”晶體管)。存儲部件中的晶體管可以，但不需要是相同類型的晶體管。如此處所公開的存儲部件的實施例可從圖2A看出。圖2A中的存儲部件200包括第一晶體管210、第二晶體管220和至少第一 RSM單元230。一般而言，如此處所公開的存儲部件具有使用如圖2A所示的高度尺寸、減少寬度尺寸的ζ軸、如圖2A所示的χ軸的配置。 如從圖2A看出，第二晶體管220置于在第一晶體管210上方，而至少第一 RSM單元230置于第二晶體管220上方。第一晶體管210和第二晶體管220在χ維度上重疊，從而形成所謂的晶體管重疊區(qū)240。晶體管重疊區(qū)240在χ維度上越長，整個存儲部件需要的寬度將越第一晶體管210位于存儲部件的第一層中；第二晶體管220位于存儲部件的第二層內(nèi)，并且第一 RSM單元230位于存儲部件的第三層中。一般而言，第二層位于第一層和第三層之間。如參考存儲部件使用的詞“層”是指包含組件(諸如第一晶體管210、第二晶體管230或第一 RSM單元230)的存儲部件的一部分(一般在ζ軸的方向上占據(jù)存儲部件的一部分，如從圖2Α看出)。一般而言，此處所公開的所有實施例共享基本的三層和晶體管重疊區(qū)配置。這種配置通過在高度尺寸(圖2Α中的ζ軸)上層疊組件和共享χ軸(或在一些實施例中的y 軸)的至少一部分在寬度尺寸或長度尺寸(在圖2A中，y軸或χ軸)上節(jié)省空間。此處所公開的各個實施例將取決于兩個晶體管是否是相同尺寸、它們是彼此完全重疊還是僅部分重疊、是包括一個還是兩個存儲單元、以及存儲單元是電連接到一個還是兩個晶體管來改變。由于兩個晶體管的重疊(在ζ軸上)，此處所公開的存儲部件有利地利用了空間， 這兩個晶體管比RSM單元大很多。以此方式配置的、包括兩個晶體管和兩個相關聯(lián)的RSM 單元的存儲部件將提供其每個功能存儲單元寬度都比常用存儲部件小的存儲部件。如以上所討論的，常用存儲配置可提供由晶體管的寬度指示的功能存儲單元寬度(一個存儲單元和相關聯(lián)的晶體管占據(jù)的寬度)，該功能存儲單元寬度可基于RSM單元所必需的驅(qū)動電流估計，為約5. 6F(其中F是基于可制造的特征的最小寬度的因子)。此處所公開的存儲部件的實施例可具有小于5. 6F的功能存儲單元寬度。在各個實施例中，此處所公開的存儲部件可具有不大于約4. OF(5. 6F的約80%)的功能存儲單元寬度。在各個實施例中，此處所公開的存儲部件可具有不大于約3.9F(5.6F的約70%)的功能存儲單元寬度。在各個實施例中，此處所公開的存儲部件可具有不大于約3. 4F(5. 6F的約60% )的功能存儲單元寬度。在各個實施例中，此處所公開的存儲部件可具有等于約3F的功能存儲單元寬度。在各個實施例中，此處所公開的存儲部件可具有等于約2. 8F的功能存儲單元寬度。在圖2B中示出了另一示例性實施例。圖2B所示的實施例包括第一晶體管210、第二晶體管220、第一 RSM單元230和第二 RSM單元250。第一晶體管210電耦合到第一 RSM 單元230，這由第一電連接215示出；而第二晶體管220電耦合到第二 RSM單元250，這由第二電連接225示出。在各個實施例中，第一和第二晶體管210和220兩者都包括源區(qū)和漏區(qū)，并且電連接215和225分別經(jīng)由第一和第二晶體管210和220的漏區(qū)連接到RSM單元 230和250。在這種實施例中，RSM單元中的每一個由其自己的單個晶體管驅(qū)動。在各個實施例中，第一和第二 RSM單元230和250可以是相同類型的RSM單元。在各個實施例中，第一和第二 RSM單元230和250可以都是STRAM、或可以都是RRAM。在各個實施例中，第一和第二晶體管210和220可以是相同類型的晶體管。在各個實施例中，第一和第二晶體管210 和220可以是MOSFET。如從圖2B看出，存儲部件200 —般具有三個維度，如χ軸、y軸和ζ軸所示。在各個實施例中，在X軸或1軸上減小存儲部件的長度可用來減小存儲部件所占據(jù)的面積。在各個實施例中，諸如圖2B所示，在χ維度上減小存儲部件的寬度可用來減小存儲部件所占據(jù)的面積。如從圖2B看出，該示例性存儲部件200的長度在χ軸的方向上為xl。在諸如圖 2B所公開的實施例中，存儲部件在χ軸平面上的寬度一般可比常用存儲配置的寬度的兩倍示例性存儲部件200包括第一晶體管210和第二晶體管220。第二晶體管220 — 般在ζ軸的方向上置于第一晶體管210上方。第一晶體管210 —般具有一寬度，并且橫跨 χ軸的平面中存儲部件內(nèi)部的區(qū)域(稱為第一晶體管區(qū))。第二晶體管220同樣具有一寬度，并且橫跨χ軸的平面中存儲部件內(nèi)部的區(qū)域(稱為第二晶體管區(qū))。第二晶體管區(qū)在χ 軸的平面中與第一晶體管區(qū)至少部分地重疊。該區(qū)域在圖2B中示出，并且被稱為晶體管重疊區(qū)240。換言之，存在可通過ζ軸和y軸所定義的平面取得的將包括第一晶體管210和第二晶體管220兩者的存儲部件的至少一個橫截面；并且可存在(但不是必需的)可通過 ζ軸和y軸所定義的平面取得的將只包括第一晶體管210或第二晶體管220之一的至少一個橫截面。示例性存儲部件200還包括第一 RSM單元230和第二 RSM單元250。第一和第二 RSM單元230和250兩者一般在ζ軸方向上置于第二晶體管220上方。由于第二晶體管220 在ζ軸的平面中置于第一晶體管210上方，因此第一和第二 RSM單元230和250同樣置于第一晶體管210上方。第一 RSM單元230 —般具有一寬度，并且橫跨χ軸的平面中的存儲部件內(nèi)部的區(qū)域(稱為第一存儲器區(qū))。第二 RSM單元250同樣具有一寬度，并且橫跨χ軸的平面中的存儲部件內(nèi)部的區(qū)域(稱為第二存儲器區(qū))。第一存儲器區(qū)和第二存儲器區(qū)都未延伸超出第一晶體管區(qū)和第二晶體管區(qū)。換言之，不存在可通過ζ軸和y軸所定義的平面取得的，將包括RSM單元230或250中任一個、但不包括第一晶體管或第二晶體管210或 220中的一個或兩者的存儲部件的橫截面。第一晶體管210可位于存儲部件的第一層中，第二晶體管220可位于存儲部件的第二層中，而RSM單元230和250可位于存儲部件的第三層中。一般而言，第二層置于第一層和第三層之間。位于三個覆蓋層、第一和第二晶體管的晶體管重疊區(qū)240、以及RSM單元的相對較小的面積(允許兩者置于單個晶體管所占據(jù)的區(qū)域內(nèi))中的組件使得該配置能最小化功能存儲單元寬度。這種存儲部件的另一視圖可從圖2C看出。應當注意，在該視圖中未示出第一和第二電連接215和225。圖2C中的示圖可被認為是圖2B所示的存儲部件的“俯”視圖。該視圖示出第一晶體管210和第二晶體管220在χ軸的平面上至少部分地重疊，作為晶體管重疊區(qū)240。該視圖還示出第一 RSM單元230的第一存儲器區(qū)和第二 RSM單元250的第二存儲器區(qū)未延伸超出第一晶體管210和第二晶體管220，或者更具體地，在χ軸的平面上未延伸超出第一晶體管210和第二晶體管220。從該示圖中可以看出，兩個晶體管重疊越多 (即，晶體管重疊區(qū)240越大)，寬度xl變得越小，該寬度越接近單個晶體管的寬度，并且因此，存儲部件的總面積越小。圖2D示出圖2B和2C所示的配置的電路圖。第一晶體管210電連接到第一 RSM 單元230，而第二晶體管220電連接到第二 RSM單元250。兩個晶體管在ζ軸的平面上的定位、兩個RSM單元在兩個晶體管所占據(jù)的寬度上的定位、以及兩個單獨的晶體管電連接到兩個單獨的RSM單元使存儲部件具有約為2. 8F的最小功能存儲單元寬度(一個存儲單元和相關聯(lián)的晶體管占據(jù)的寬度)。在各個實施例中，部件寬度可大于2. 8F、但小于5. 6F。在各個實施例中，由于金屬路由、附加外圍電路、更復雜的解碼、其他考慮、或其組合，功能存儲單元寬度可僅僅接近2. 8F。如此處所公開的存儲部件可經(jīng)由電連接連接到其他存儲部件、其他電子組件、或兩者。在各個實施例中，稱為位線、源線和字線的電連接可用于提供到存儲部件的各個部分的電連接。包括這些(或另一)電連接的存儲部件可意味著，存儲部件連接到這種電連接并且該電連接可延伸超出存儲部件。位線一般用于電連接到RSM單元。一般而言，位線電連接到RSM單元的頂電極(或等效結構)。源線一般用于電連接到晶體管，由此通過晶體管 /存儲單元完成電路(當晶體管導通時)。一般而言，源線電連接到晶體管的源極(或等效結構)。字線一般用于使晶體管導通和截止。一般而言，字線電連接到晶體管的襯底(或等效結構)、或位于晶體管的襯底內(nèi)。 圖3A示出如本文中所公開的存儲部件的實施例的示意圖。圖3A的示圖不一定是橫截面，以致示圖可能難以區(qū)分所有的各個組件。該示例性實施例包括第一晶體管310、第二晶體管320、第一 RSM單元330和第二 RSM單元350，如上所討論的。如從此處看出，第二晶體管320置于第一晶體管310上方，并且在晶體管重疊區(qū)340與第一晶體管310至少部分地重疊。第一和第二 RSM單元330和350置于第二晶體管320上方，并且未延伸超出第一和第二晶體管310和320。此處所使用的示例性第一和第二晶體管310和320包括源區(qū)311和321 ；漏區(qū) 313和323 ；襯底317和327 ；以及柵區(qū)319和329。如從圖3A看出，源區(qū)311和321以及漏區(qū)313和323被相反地配置。換言之，第一晶體管310包括在第一晶體管310左側(cè)的源區(qū) 311，而第二晶體管320包括在第二晶體管320右側(cè)的源區(qū)321。同樣包括在該示圖中的是源線360。如從圖3A看出，源線360分別經(jīng)由第一源極電連接315和第二源極電連接325電連接至第一和第二晶體管310和320的源區(qū)311和321。 源線360 —般設置在第一晶體管310和第二晶體管320之間。第一 RSM單元330經(jīng)由第一漏極電連接318電連接到第一晶體管310的漏區(qū)313 ；并且類似地，第二 RSM單元350經(jīng)由第二漏極電連接328電連接到第二晶體管320的漏區(qū)323。如從圖3A看出，源線360的一部分通過通孔絕緣體362與第一漏極電連接318電絕緣。通孔絕緣體362可由電絕緣材料制成，或替換地可能沒有材料(例如，空氣可用作絕緣體)。一般而言，通孔絕緣體362涵蓋第一漏極電連接318，無論在什么情況下其都可以其他方式接觸源線360。圖3A所示的實施例還包括第一位線370和第二位線380。第一位線370電連接到第一 RSM單元330 ；而第二位線380電連接到第二 RSM單元350。雖然此處未示出，但是經(jīng)由RSM單元的頂電極實現(xiàn)位線到RSM單元的電連接。圖3B示出圖3A所示的存儲部件的俯視圖。相同組件以與圖3A相同的方式標記。 用短劃線示出晶體管重疊區(qū)340。如從圖3B看出，第一位線370和第二位線380分別經(jīng)由第一和第二漏極電連接318和328電連接到第一和第二存儲單元330和350。同樣在該視圖中可看出通孔絕緣體362使第一漏極電連接318與源線360絕緣。同樣在該視圖中可看到第一和第二字線390和395。字線一般穿過來自圖3A的第一和第二襯底317和327、存在于其內(nèi)部、或者是第一和第二襯底317和327。圖3A示出如本文中所公開的存儲部件的另一實施例的示意圖。圖3C所示的存儲部件類似于圖3A和:3B所示的存儲部件，并且相同元件被類似地標記。同樣參考圖3A和;3B 找到并討論圖3C所示的實施例的多個組件，并且因此將不再單獨地討論。再次用短劃線示出晶體管重疊區(qū)；340。圖3C所示的實施例包括作為RSM單元的STRAM單元。如從圖3C看出，該實施例中的RSM單元、第一 RSM單元330和第二 RSM單元350包括多個層、釘扎層332 和352、隧道結334和354、以及自由層336和356。隧道結334和3M分別設置在釘扎層 332和335與自由層336和338之間。第一和第二 RSM單元330和350包括、或電連接到第一和第二底電極333和353。第一和第二底電極333和353隨后分別經(jīng)由第一和第二漏極電連接318和328電連接到第一和第二晶體管310和320的漏極313和323。圖4A示出如本文中所公開的存儲部件的另一實施例的示意圖。圖4A的示圖不一定是橫截面，以致示圖可能難以區(qū)分所有的各個組件。該示例性實施例包括第一晶體管 410、第二晶體管420、第一 RSM單元430和第二 RSM單元450，如上所討論的。如從此處看出，第二晶體管420置于第一晶體管410上方，并且與第一晶體管410至少部分地重疊。如圖所示，用短劃線示出晶體管重疊區(qū)440。第一和第二 RSM單元330和350置于第二晶體管 320上方，并且未延伸超出第一和第二晶體管310和320。如從圖4A看出，源區(qū)411和421以及漏區(qū)413和423在χ軸的平面中具有平行配置。換言之，第一晶體管410包括在第一晶體管410左側(cè)的源區(qū)411，而第二晶體管420也包括在第二晶體管420左側(cè)的源區(qū)421。在這些實施例中，晶體管不一定是相同尺寸。具體而言，第一晶體管410的漏區(qū)413可比第二晶體管420的漏區(qū)423大。第一晶體管410的漏區(qū)413可在χ軸的平面中比第二晶體管420的漏區(qū)423延伸更遠。第一晶體管410的其他部分還可(但不必需)比第二晶體管420的類似部分大。這些組件允許第二晶體管420 置于第一晶體管410上方，同時仍然允許第一 RSM單元430經(jīng)由第一漏極電連接418電連接到第一晶體管410，而無需絕緣其可能通過的與其他結構的電連接。這可提供的優(yōu)點在于， 其可被更有效地和/或更節(jié)約成本地生產(chǎn)，然而與其他單存儲單元-單晶體管配置相比，其具有稍大的面積開銷。本實施例中的源線460 —般置于第一晶體管410和第二晶體管420之間。與圖3A 所示的、其中單獨的電連接結構(第一源極電連接315和第二源極電連接32 被設置成使第一和第二晶體管310個320的源區(qū)311和321電連接到源線360的實施例相反，源區(qū)460 一般不需要電連接的單獨結構、并且可被形成為用作到第一和第二晶體管410和420的源區(qū)411和421的其自己電連接。這可提供給這種配置的優(yōu)點在于，其可被更有效地和/或更節(jié)約成本地生產(chǎn)。如從圖4A看出，第二 RSM單元450可(但不需要)具有與第一 RSM單元430不同的結構(或操作耦合的附加元件)。在各個實施例中，第二 RSM單元450可具有延伸超出第二 RSM單元450的其余部分的底電極451。本領域技術人員應當理解，通過閱讀本說明書， 諸如底電極451之類的各個組件的布局例如可被設計成(tailored)節(jié)約面積。圖4B示出圖4A所示的存儲部件的俯視圖。相同組件以與圖4A相同的方式標記。 如從圖4B看出，第一位線470和第二位線480分別經(jīng)由第一和第二漏極電連接418和4 電連接到第一和第二存儲單元430和450。圖4B示出第二 RSM單元450的底電極451提供了經(jīng)由第二漏極電連接428電連接到第二位線480。同樣在該視圖中看到的是第一和第二字線490和495。雖然在圖4B不可區(qū)分，但是基于第二晶體管420直接置于第一晶體管上方，第二字線495同樣可置于第一字線490上方、并且一般可穿過來自圖4A的第一和第二襯底417和427、存在于其內(nèi)、或者是第一和第二襯底417和427。再次用短劃線示出晶體管重疊區(qū)440。圖4C示出如本文中所公開的存儲部件的另一實施例的示意圖。圖4C所示的存儲部件類似于圖4A和4B所示的存儲部件，并且相同元件被類似地標記。同樣參考圖4A和4B 找到并討論圖4C所示的實施例的多個組件，并且因此將不再單獨地討論。圖4C所示的實施例包括作為RSM單元的STRAM單元。如從圖4C看出，本實施例中的RSM單元、第一 RSM 單元430和第二 RSM單元450包括釘扎層432和452、隧道結層434和454、以及自由層436 和456，如參考圖3C所討論的。第一和第二 RSM單元430和450包括、或電連接到第一和第二底電極433和453。如在本示例性實施例中看出，第二底電極453可比第一底電極433 大。再次用短劃線示出晶體管重疊區(qū)440。如此處所公開的存儲部件的另一實施例使單個RSM單元電連接到晶體管，該晶體管電連接(串聯(lián))到另一晶體管。圖5A示出這種配置的電路圖。第一晶體管510電連接到第二晶體管520。第一晶體管510和第二晶體管520的寬度一般可比常用晶體管的寬度小，因為它們并聯(lián)連接，所以兩個晶體管的寬度只是傳統(tǒng)使用的晶體管的寬度一半。雖然兩個晶體管只需要襯底上的一半面積，但是它們能夠提供跨兩個垂直層擴展的相同驅(qū)動能力。RSM單元530隨后電連接到第二晶體管520。兩個晶體管的定位、一個在另一個上方 (參考圖5B、5C、5D和5E進一步解釋)、以及兩個晶體管所占據(jù)的寬度上方的RSM單元使存儲部件具有約2. 8F的功能存儲單元寬度(一個存儲單元和相關聯(lián)的晶體管占據(jù)的寬度)。在各個實施例中，部件寬度可大于2. 8F、但小于5. 6F。在各個實施例中，由于金屬路由、附加外圍電路、更復雜的解碼、其他考慮、或其組合，功能存儲單元寬度可僅僅接近 2. 8F。在圖5B中示意性地示出存儲部件的另一實施例。存儲部件200 —般具有三個維度，如X軸、y軸和Z軸所示。存儲部件500包括第一晶體管510、第二晶體管520和第一 RSM單元530。第一晶體管510經(jīng)由晶體管連接505電連接到第二晶體管520。晶體管連接 505允許第一和第二晶體管510和520相對于RSM部件用作單個晶體管。第二晶體管520 經(jīng)由存儲連接507電連接到RSM部件530。存儲連接507允許第一晶體管和第二晶體管兩者都驅(qū)動RSM單元530。如從圖5B看出，存儲部件500的寬度一般在χ軸的平面上為χ2。一般而言，χ2比常用晶體管的長度小。示例性存儲部件500包括第一晶體管510和第二晶體管520。第二晶體管520 —般在ζ軸的方向上置于第一晶體管510上方。第一晶體管510 —般具有一寬度，并且橫跨χ軸的平面中存儲部件內(nèi)的區(qū)域(稱為第一晶體管區(qū))。第二晶體管520同樣具有一寬度，并且橫跨χ軸的平面中存儲部件內(nèi)的一區(qū)域(稱為第二晶體管區(qū))。第二晶體管區(qū)在ζ軸的平面上與第一晶體管區(qū)至少部分地重疊。在各個實施例中，第二晶體管區(qū)在ζ軸的平面上與第一晶體管區(qū)基本重疊。在各個實施例中，第一晶體管510和第二晶體管520 —般在χ軸的平面上具有基本類似的寬度，并且在ζ軸的方向上基本重疊。在各個實施例中，第一晶體管510和第二晶體管520 —般在χ軸的方向上具有相同的寬度，并且在ζ軸的平面上完全重疊。在圖5B中示出晶體管重疊區(qū)540。示例性存儲部件500還包括RSM單元530。RSM單元530 —般置于第二晶體管520 上方。由于第二晶體管520置于第一晶體管510上方，因此RSM單元530同樣一般置于第一晶體管510上方。第一 RSM單元530 —般具有一寬度，并且橫跨χ軸的平面中存儲部件內(nèi)部的一區(qū)域(稱為存儲器區(qū))。第一存儲區(qū)未延伸超出第一晶體管區(qū)和第二晶體管區(qū)。 換言之，不存在可通過ζ軸和y軸所定義的平面取得的、將包括RSM單元530、但不包括第一晶體管或第二晶體管510或520中的一個或兩者的存儲部件的橫截面。在各個實施例中， 不存在可通過ζ軸和y軸所定義的平面取得的，包括RSM單元530、但不包括第一晶體管或第二晶體管510和520兩者的、存儲部件的橫截面。在各個實施例中，第一和第二晶體管510和520兩者包括源區(qū)和漏區(qū)，并且晶體管電連接505可包括兩個單獨的電連接。晶體管連接505的一部分將第一晶體管510的源極連接到第二晶體管520的源極；而另一部分將第一晶體管510的漏極連接到第二晶體管 520的漏極。在這種實施例中，存儲連接507可將第二晶體管520的漏極電連接到RSM單元 530。在各個實施例中，RSM單元530可以是STRAM單元或RRAM單元。在各個實施例中，第一和第二晶體管510和520可以是相同類型的晶體管。在各個實施例中，第一和第二晶體管510和520可以是M0SFET。圖5C可被認為是圖5B所示的存儲部件的俯視圖。應當注意，在該視圖中未示出晶體管連接505和存儲連接507。在圖5C所示的實施例中，第一和第二晶體管510和520 具有基本類似的尺寸，并且因此在高度方向(例如，ζ軸的平面)上基本完全或完全重疊， 其中第二晶體管520置于第一晶體管510上方。如從圖5C看出，晶體管重疊區(qū)540與兩個晶體管相鄰，因為它們的尺寸基本類似。應當注意，在這一實施例中的兩個晶體管不需要基本類似。RSM單元530置于第一和第二晶體管510和520上方，并且置于其周邊內(nèi)。圖5D示出如本文中所公開的存儲部件的實施例的示意圖。圖5D的示圖不一定是橫截面。該示例性實施例包括第一晶體管510、第二晶體管520和RSM單元530，如以上所討論的。如從此處看出地，第二晶體管520置于第一晶體管510上方，并且與第一晶體管510 至少部分地重疊。至少部分的重疊由晶體管重疊區(qū)540展示。RSM單元530置于第二晶體管520上方，并且未延伸超出第一和第二晶體管510和520。此處所使用的示例性第一和第二晶體管510和520包括源區(qū)511和521 ；漏區(qū) 513和523 ；襯底517和527 ；以及柵區(qū)519和529。如從圖5D看出，源區(qū)511和521以及漏區(qū)513和523具有平行配置。換言之，第一晶體管510和第二晶體管520兩者都包括在兩個晶體管左側(cè)的源區(qū)511和521、以及在右側(cè)的漏區(qū)513和523 (或反之亦然)。第一晶體管510的源區(qū)511通過源極電連接502電連接到第二晶體管520的源區(qū)521 ；而第一晶體管510的漏區(qū)513通過漏極電連接501電連接到第二晶體管520的漏區(qū)523。源極電連接 502和漏極電連接501 —起形成晶體管連接(在圖5B中稱為元件505)。同樣包括在該示圖中的是源線560。如從圖5D看出，源線560電連接到第一晶體管510的源區(qū)511。源線560 —般置于第一晶體管510下方。圖5D所示的實施例還包括位線570。位線570電連接到RSM單元530。雖然此處未示出，但是可經(jīng)由RSM單元的頂電極實現(xiàn)位線到RSM單元的電連接。圖5E示出如本文中所公開的存儲部件的另一實施例的示意圖。圖5E所示的存儲部件類似于圖5B、5C和5D所示的存儲部件，并且相同元件被類似地標記。至少部分的重疊由晶體管重疊區(qū)540展示。同樣參考圖5B、5C和5D找到并討論圖5E所示的實施例的多個組件，并且因此將不再單獨地討論。圖5E所示的實施例包括STRAM RSM單元。如從圖5E 看出，RSM單元530包括釘扎層532、隧道結層534和自由層536，如以上參考圖3C所討論的。RSM單元530包括底電極531，或電連接到底電極531。圖5F示出圖5E所示的存儲部件的俯視圖。相同組件以與圖5E相同的方式標記。 再次，用短劃線示出晶體管重疊區(qū)540。如從圖5F看出，位線570經(jīng)由存儲連接518電連接到RSM單元530。同樣在該視圖中看到的是字線590。雖然在該存儲部件中存在兩個晶體管，但是只存在一條字線590，因為這些晶體管就像單個晶體管一樣來控制。字線590 —般穿過第一襯底517、存在其內(nèi)、或者是第一襯底517 (從圖5E看出)。此處所公開的、將單個晶體管電連接到單個RSM單元的存儲部件可用于存儲“數(shù)據(jù)”，如通常已知的。圖6示出包括如此處所公開的存儲部件的一部分的系統(tǒng)，該系統(tǒng)可包括RSM單元610及其相關聯(lián)的(或電連接的)晶體管615。這種存儲部件的每個部分都被配置(在三個維度空間上)有如上所討論的第二部分以使存儲部件提供小的功能存儲單元寬度。RSM單元610及其電連接的晶體管615操作地耦合在位線620和源線625之間。讀 /寫電路635控制要讀或?qū)懩臈l電流流經(jīng)的位線620和源線625。讀/寫電路635還可控制從源線625施加到位線620兩端的電壓(或反之亦然)。根據(jù)位線620和源線625兩端的電壓差確定電流流經(jīng)存儲部件610的方向。特定存儲部件610可通過激活其相應的晶體管615來讀取，晶體管615在導通時允許電流從位線620通過存儲部件610流向源線625 (或反之亦然)。通過字線630來激活和停用晶體管615。字線630操作地耦合到晶體管615并將電壓供應給晶體管615，從而導通該晶體管以使電流能流向存儲單元610。隨后感測放大器640從源線625檢測取決于存儲單元610的電阻的電壓(例如)。表示存儲單元610的電阻的、位線620和源線625之間的電壓差(或反之亦然)隨后與基準電壓645比較，并且被感測放大器640放大，從而確定存儲單元610是包含“ 1 ”還是“0 ”。此處所公開的存儲部件(諸如參考圖5A至5F所描述的存儲部件)的單存儲單元_雙晶體管配置的實施例可與其他常用存儲部件不同地使用。然而，還應當注意，還可使用如參考圖6所描述的這些實施例。確定RSM單元的電阻狀態(tài)(讀數(shù)據(jù))所需的電流比改變RSM單元的電阻狀態(tài)(寫數(shù)據(jù))所需的電流小。在兩個晶體管電連接以用作一個晶體管的實施例中，只有一個晶體管需要導通來確定RSM單元的電阻狀態(tài)(即，讀數(shù)據(jù))。在各個實施例中，只有第一晶體管能導通以確定RSM單元的電阻狀態(tài)。在各個實施例中，使用第一晶體管來進行讀操作可使解碼電路較不復雜。在各個實施例中，第一和第二晶體管兩者可導通以設置RSM單元的電阻狀態(tài)。圖7示出包括多個存儲部件710a和710b的示例性存儲器陣列700，如此處所公開的。從存儲器陣列700看出的配置用于包括電連接到第一和第二晶體管(諸如圖5A至 5F所示的)的單個RSM單元的存儲部件。然而，通過閱讀本說明書，本領域技術人員應當理解，此處所公開的其他實施例還可配置成三維陣列。一般而言，多個指至少兩個、且一般指兩個以上。圖7中所示例化的陣列700示出六個(6)存儲部件，但是應當理解，可使用比此處所示的存儲部件多或少的存儲部件。如從圖7看出，可通過字線790a和790b、源線760a和760b、位線770a和770b、或其組合、以各種方式和配置來電連接存儲部件710a和710b 中的每一個。同樣可預想此處所公開的存儲部件的陣列所使用的其他配置。如本文中所討論的儲存設備可用于各種應用，并且一般可用于諸如PC(例如，筆記本計算機；臺式計算機)、服務器、或其可以是諸如相機和視頻或音頻回放設備等專用機器之類的計算機系統(tǒng)。由此，公開了三維層疊的非易失性存儲部件的各個實施例。上述實現(xiàn)及其他實現(xiàn)在以下權利要求書的范圍內(nèi)。本領域技術人員應當理解，本公開可用除所公開的實施例以外的實施例來實施。所公開的實施例出于說明而非限制的目的而呈現(xiàn)，并且本公開僅由所附權利要求書來限定。
權利要求
1.一種存儲部件，包括跨越所述存儲部件的第一層中的第一晶體管區(qū)的第一晶體管；跨越所述存儲部件的第二層中的第二晶體管區(qū)的第二晶體管；跨越所述存儲部件的第三層中的第一存儲器區(qū)的第一 RSM單元；以及跨越所述存儲部件的第三層中的第二存儲器區(qū)的第二 RSM單元，其中所述第一晶體管電耦合到所述第一 RSM單元，而所述第二晶體管電耦合到所述第二 RSM單元，其中所述第二層位于所述第一層和第三層之間，其中所述第一和第二晶體管具有晶體管重疊區(qū)，并且其中所述第一存儲器區(qū)和第二存儲器區(qū)未延伸超出所述第一晶體管區(qū)和第二晶體管區(qū)。
2.如權利要求1所述的存儲部件，其特征在于，所述第一晶體管包括源區(qū)和漏區(qū)，并且所述第一晶體管的漏區(qū)經(jīng)由第一漏極電連接電耦合到所述第一 RSM單元。
3.如權利要求1或2任一項所述的存儲部件，其特征在于，所述第二晶體管包括源區(qū)和漏區(qū)，并且所述第二晶體管的漏區(qū)電耦合到所述第二 RSM單元。
4.如權利要求1至3中任一項所述的存儲部件，其特征在于，還包括第一位線和第二位線，其中所述第一 RSM單元電耦合到所述第一位線并且所述第二 RSM單元電耦合到所述第二位線。
5.如權利要求3或4任一項所述的存儲部件，其特征在于，所述第一晶體管和第二晶體管的源區(qū)和漏區(qū)被相反地配置。
6.如權利要求5所述的存儲部件，其特征在于，還包括設置在所述存儲部件的第一層和第二層之間的源線，其中所述第一晶體管和第二晶體管分別電連接到所述源線。
7.如權利要求6所述的存儲部件，其特征在于，還包括將所述第一漏極電連接與所述源線電絕緣的通孔絕緣體。
8.如權利要求3至7中任一項所述的存儲部件，其特征在于，所述第一晶體管和第二晶體管的源區(qū)和漏區(qū)具有平行配置。
9.如權利要求3至8中任一項所述的存儲部件，其特征在于，所述第一晶體管的漏區(qū)大于所述第二晶體管的漏區(qū)。
10.如權利要求8所述的存儲部件，其特征在于，還包括設置在所述第一晶體管和第二晶體管之間的源線，其中所述源線電連接所述第一晶體管和第二晶體管。
11.如權利要求1至10中任一項所述的存儲部件，其特征在于，所述存儲部件具有的功能存儲單元寬度小于約5. 6F。
12.如權利要求1至11中任一項所述的存儲部件，其特征在于，所述存儲部件具有的功能存儲單元寬度不大于約3F。
13.如權利要求1至12中任一項所述的存儲部件，其特征在于，所述第一和第二RSM單元是自旋扭矩轉(zhuǎn)移隨機存取存儲(STRAM)單元。
14.如權利要求1至13中任一項所述的存儲部件，其特征在于，所述第一和第二RSM單元是電阻性隨機存取存儲(RRAM)單元。
15.一種RSM部件，包括跨越所述存儲部件的第一層中的第一晶體管區(qū)的第一晶體管； 跨越所述存儲部件的第二層中的第二晶體管區(qū)的第二晶體管；以及跨越所述存儲部件的第三層中的存儲器區(qū)的RSM單元；其中所述第一晶體管電耦合到所述第二晶體管，而所述第二晶體管電耦合到所述RSM 單元，其中所述第二層位于所述第一層和第三層之間， 其中所述第一晶體管和第二晶體管具有晶體管重疊區(qū)，并且其中所述存儲器區(qū)未延伸超出所述第一和第二晶體管區(qū)。
16.如權利要求15所述的RSM部件，其特征在于，所述第一晶體管包括源極和漏極，并且所述第二晶體管包括源極和漏極，所述第一晶體管的源極電連接到所述第二晶體管的源極，并且所述第一晶體管的漏極電連接到所述第二晶體管的漏極。
17.如權利要求15或16的任一個所述的RSM部件，其特征在于，所述RSM單元電耦合到所述第二晶體管的漏區(qū)。
18.如權利要求15至17中任一項所述的RSM部件，其特征在于，還包括電耦合到所述 RSM單元的位線。
19.一種使用RSM部件的方法， 設置RSM部件，所述RSM部件包括跨越所述存儲部件的第一層中的第一晶體管區(qū)的第一晶體管； 跨越所述存儲部件的第二層中的第二晶體管區(qū)的第二晶體管；以及跨越所述存儲部件的第三層中的存儲器區(qū)的RSM單元； 其中所述第一晶體管電耦合到所述第二晶體管，而所述第二晶體管電耦合到所述RSM單元，其中所述第二層位于所述第一層和第三層之間， 其中所述第一晶體管和第二晶體管具有晶體管重疊區(qū)，并且其中所述存儲器區(qū)未延伸超出所述第一和第二晶體管區(qū)；以及只激活所述第一或第二晶體管來確定所述RSM單元的電阻狀態(tài)。
20.如權利要求19所述的方法，其特征在于，還包括激活所述第一和第二晶體管兩者來設置所述RSM單元的電阻狀態(tài)。
全文摘要
存儲部件包括跨越存儲部件的第一層中的第一晶體管區(qū)的第一晶體管；跨越存儲部件的第二層中的第二晶體管區(qū)的第二晶體管；跨越存儲部件的第三層中的第一存儲器區(qū)的第一電阻感測存儲(RSM)單元；以及跨越存儲部件的第三層中的第二存儲器區(qū)的第二RSM單元，其中第一晶體管電耦合到第一RSM單元、并且第二晶體管電耦合到第二RSM單元，其中第二層位于第一層和第三層之間，其中第一和第二晶體管具有晶體管重疊區(qū)，并且其中第一存儲器區(qū)和第二存儲器區(qū)未延伸超出第一晶體管區(qū)和第二晶體管區(qū)。
文檔編號H01L27/24GK102439723SQ201080023587
公開日2012年5月2日 申請日期2010年4月9日 優(yōu)先權日2009年4月16日
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