技術(shù)編號：6988580
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。三維層疊的非易失性存儲部件背景新型存儲器已展現(xiàn)出與常用類型的存儲器相媲美的顯著可能性。例如，非易失性自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機存取存儲器(在本文中稱為“STRAM”)和電阻性隨機存取存儲器(在本文中稱為“RRAM”)兩者被認為是下一代存儲器的好的候選?？赏ㄟ^增加可在芯片上形成存儲部件(存儲單元及其相關(guān)聯(lián)的驅(qū)動設(shè)備)的密度來最大化與所確立的存儲器類型更有效競爭的STRAM和RRAM (諸如FLASH存儲器(NAND或NOR))的能力。概述在本文中公開了一種存儲部件，該...
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