專利名稱:印刷電路板上的高速信號(hào)的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及利用非線性傳輸結(jié)構(gòu)來(lái)提高高速印刷電路
板互連的信號(hào)質(zhì)量。
背景技術(shù):
將銅傳輸線用于高速信號(hào)的難題之一在于,傳輸線是無(wú) 源線性導(dǎo)體,它趨向于降低信號(hào)強(qiáng)度(衰減)并且趨向于減小上升和下 降時(shí)間(彌散)。 由于衰減和彌散影響差分信號(hào),所以接收器需要對(duì)小電 壓以及其中可對(duì)信號(hào)取樣的較窄時(shí)序更為敏感。彌散和衰減對(duì)電子系 統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響是將電子裝置之間的距離限制到將會(huì)限制彌散和衰減 影響的距離,以及限制可用于傳送信號(hào)的最大頻率
發(fā)明內(nèi)容
通過(guò)以下對(duì)在附圖中所示的優(yōu)選實(shí)施例的描述,本發(fā)明 的各種特征將會(huì)非常明顯,附圖中,相似參考標(biāo)號(hào)一般表示附圖中的
相同部件。附圖不 一 定按照比例繪制,重點(diǎn)是在于示出本發(fā)明的原理。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例、具有非線性傳輸結(jié)構(gòu)
的電子裝置的示意圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例、包括多個(gè)變?nèi)荻O管
(varactor)的非線性傳輸結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3是波前銳化的模擬結(jié)果的圖表。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例、包括陶瓷襯底上的多
個(gè)變?nèi)荻O管的非線性傳輸結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例、設(shè)置在包括多個(gè)變?nèi)?br>
二極管的半導(dǎo)體器件封裝中的非線性傳輸結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例、包括折疊信號(hào)導(dǎo)體的
非線性傳輸結(jié)構(gòu)的示意圖。 圖7是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的流程圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的流程圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的流程圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例、包括電子組件、非
線性傳輸結(jié)構(gòu)、銅信號(hào)線和電子組件的系統(tǒng)的示意圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例、包括電子組件、非
線性傳輸結(jié)構(gòu)、差分對(duì)信號(hào)線和電子組件的系統(tǒng)的示意圖。
圖12是眼圖的模擬結(jié)果的圖表。
具體實(shí)施例方式
為了便于說(shuō)明而不是進(jìn)行限制,以下描述中提出例如特 定結(jié)構(gòu)、體系結(jié)構(gòu)、接口、技術(shù)等具體細(xì)節(jié),以便提供對(duì)本發(fā)明的各 個(gè)方面的透徹理解。然而,獲益于本公開(kāi)的本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)清楚 地知道,也可在背離這些具體細(xì)節(jié)的其它示例中實(shí)施本發(fā)明的各個(gè)方 面。在某些情況下,省略對(duì)眾所周知的裝置、電路和方法的描述,以 免以不必要的細(xì)節(jié)混淆對(duì)本發(fā)明的描述。 參照?qǐng)D1,根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的電子裝置10可 包括印刷電路板襯底12、設(shè)置在印刷電路板襯底12上的銅信號(hào)線14 以及與銅信號(hào)線14耦合的非線性傳輸結(jié)構(gòu)16,其中,非線性傳輸結(jié) 構(gòu)配置成銳化銅信號(hào)線14上的高速信號(hào)脈沖的波前。例如,在一些 實(shí)施例中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)16可包括印刷電路板襯底12上的電壓相 關(guān)介電層。有利的是,在本發(fā)明的一些實(shí)施例中,具有電壓相關(guān)介電層的一小段銅傳輸線可提供波前銳化。在一些實(shí)施例中,非線性傳輸 結(jié)構(gòu)16可設(shè)置有陶瓷襯底上的多個(gè)變?nèi)荻O管。在一些實(shí)施例中,
非線性傳輸結(jié)構(gòu)16可包括設(shè)置在半導(dǎo)體器件封裝中的電壓相關(guān)介電 層。例如,半導(dǎo)體封裝可使用折疊信號(hào)線。 參照?qǐng)D2, #4居本發(fā)明的一些實(shí)施例的電子裝置20可 包括印刷電路板村底22、設(shè)置在印刷電^各板襯底22上的銅信號(hào)線 24(例如FR-4襯底上的銅帶狀線)以及與銅信號(hào)線24耦合的非線性傳 輸結(jié)構(gòu)26,其中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)配置成銳化銅信號(hào)線24上的高速 信號(hào)脈沖的波前。例如,在一些實(shí)施例中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)26可包 括印刷電路板襯底22上的電壓相關(guān)介電層。 例如,在一些實(shí)施例中,電壓相關(guān)介電層可包括設(shè)置在 信號(hào)線24的接收端的多個(gè)變?nèi)荻O管28。在一些實(shí)施例中,電壓相 關(guān)介電層可包括設(shè)置在信號(hào)線24的接收端的陶瓷襯底上的多個(gè)變?nèi)?二極管28。例如,變?nèi)荻O管可間隔在八分之一的高速信號(hào)脈沖特 征波長(zhǎng)之內(nèi)。在一些實(shí)施例中,電壓相關(guān)介電層可設(shè)置在差分對(duì)傳輸 線的接收端。 參照?qǐng)D4,根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的電子裝置40由 具有信號(hào)線44和非線性傳輸結(jié)構(gòu)46的印刷電路板42組成。在一些 實(shí)施例中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)46由陶瓷襯底45和多個(gè)變?nèi)荻O管48 組成。在一些實(shí)施例中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)46設(shè)置成靠近信號(hào)線44的 接收端的電子組件47。 參照?qǐng)D5,根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的電子裝置50由 印刷電路板53組成,印刷電路板53具有信號(hào)線54和設(shè)置在半導(dǎo)體 器件封裝55中的非線性傳輸結(jié)構(gòu)52。在一些實(shí)施例中,非線性傳輸 結(jié)構(gòu)52由半導(dǎo)體器件封裝55中的信號(hào)導(dǎo)體51上的多個(gè)變?nèi)荻O管 58組成,其中非線性傳輸結(jié)構(gòu)52提供波前銳化。 參照?qǐng)D6,根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的電子裝置60由 印刷電路板66組成,印刷電路板66具有信號(hào)線61和設(shè)置在半導(dǎo)體器件封裝68中的非線性傳輸結(jié)構(gòu)62。在一些實(shí)施例中,非線性傳輸 結(jié)構(gòu)62由半導(dǎo)體器件封裝68中的折疊信號(hào)導(dǎo)體67上的多個(gè)變?nèi)荻?極管63組成,其中非線性傳輸結(jié)構(gòu)62提供波前銳化。 參照?qǐng)D7-9,本發(fā)明的一些實(shí)施例涉及提供印刷電路板 襯底(例如在框71)、提供設(shè)置在印刷電路板襯底上的銅信號(hào)線(例如 在框72)、在銅信號(hào)線上提供高速信號(hào)脈沖(例如在框73)以及提供配 置成銳化銅信號(hào)線上的高速信號(hào)脈沖的波前的非線性傳輸結(jié)構(gòu)(例如 在框74)。 例如,在本發(fā)明的一些實(shí)施例中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)包括 電壓相關(guān)介電層,電壓相關(guān)介電層含有設(shè)置在信號(hào)線的接收端的多個(gè) 變?nèi)荻O管(例如在框76)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中,變?nèi)荻O管可 間隔在八分之一的高速信號(hào)脈沖特征波長(zhǎng)之內(nèi)(例如在框77)。在本發(fā) 明的一些實(shí)施例中,電壓相關(guān)介電層設(shè)置在差分對(duì)傳輸線的接收端 (例如在框78)。參照?qǐng)D8,在本發(fā)明的一些實(shí)施例中,電壓相關(guān)介電層 包括陶瓷襯底上的多個(gè)變?nèi)荻O管(例如在框85)。在一些實(shí)施例中, 陶瓷襯底設(shè)置在信號(hào)線的接收端(例如在框86)。在一些實(shí)施例中,變 容二極管可間隔在八分之一的高速信號(hào)脈沖特征波長(zhǎng)之內(nèi)(例如在框 87)。 參照?qǐng)D9,在本發(fā)明的一些實(shí)施例中,所述電壓相關(guān)介 電層包括設(shè)置在半導(dǎo)體封裝中的電壓相關(guān)介電層,其中非線性傳輸結(jié) 構(gòu)配置成銳化半導(dǎo)體封裝中的高速信號(hào)脈沖的波前(例如在框95)。在 一些實(shí)施例中,半導(dǎo)體封裝使用折疊信號(hào)線(例如在框96)。在一些實(shí) 施例中,電壓相關(guān)介電層包括折疊信號(hào)線上的多個(gè)變?nèi)荻O管(例如 在框97)。 本發(fā)明的一些實(shí)施例涉及將與印刷電路板附連的裝置, 其它實(shí)施例涉及對(duì)電路板或裝置封裝的修改。通過(guò)將傳輸線的特性改 變成具有電壓相關(guān)非線性介電常數(shù),信號(hào)質(zhì)量可得到增強(qiáng)。非線性傳輸線可用于通過(guò)保持或恢復(fù)電壓電平以及上升和下降時(shí)間來(lái)使衰減 和彌散的影響最小。為了使成本最小,可使傳輸線靠近接收器的部分 為非線性,以便提高信號(hào)質(zhì)量。在一些實(shí)施例中,在印刷電路板的制造中使用電壓相關(guān)
介電層,以便提高信號(hào)質(zhì)量。在其它實(shí)施例中,介電層處于安裝到電 路板的分立裝置中或者包含在裝置中。介電層可使用變?nèi)荻O管來(lái)創(chuàng) 建電壓相關(guān)特性??蓪?duì)傳輸線的部分或者傳輸線的接收端使用電壓相 關(guān)特性。 印刷電路板(PCB)—般由支承接合或套接的電子器件并 且具有提供電源、地和信號(hào)線的銅跡線的玻璃纖維絕緣層組成。希望 使信號(hào)的速度能夠提高。隨著信號(hào)速度增加,數(shù)據(jù)交換的可靠性可能 由于例如信號(hào)衰減和彌散而受到限制。例如,在常身見(jiàn)印刷電路板中, 銅互連的問(wèn)題可極大地影響高速互連方案、如PCI Express 2.0的總抖 動(dòng)預(yù)算。 在不受限于操作理論的條件下,我們認(rèn)為銅傳輸線的許 多問(wèn)題可源自這類系統(tǒng)是無(wú)源的線性信令機(jī)構(gòu)的事實(shí)。根據(jù)本發(fā)明的 一些實(shí)施例,通過(guò)使銅板的區(qū)域之間的介電常數(shù)電壓相關(guān)(例如轉(zhuǎn)到 非線性線路),可提供信令增強(qiáng)。例如,本發(fā)明的一些實(shí)施例可沿信 號(hào)線嵌入變?nèi)荻O管。各變?nèi)荻O管的電容隨其兩端的電壓增加而減 小。有利的是,根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的非線性傳輸線的短長(zhǎng)度的 合乎需要的影響可以是銳化比特模式的前沿和后沿。 作為說(shuō)明而不是限制,這種銳化可與創(chuàng)建沖擊波相似。 例如,由于信號(hào)波前的大電壓上升減小線路的電容以及由此提高傳播 速度,所以可發(fā)生銳化。因此,波在其頂部的部分(高電壓電平)加速, 直到它們堆積到前沿和后沿(例如與形成潮汐波的方式相似)。波不能 通過(guò)垂直前端溢出,因?yàn)槊}沖的大電壓上升部分的傳播速度比脈沖中 的后續(xù)波要慢。例如,對(duì)于足夠長(zhǎng)的非線性傳輸線,所有脈沖可緊縮 成稱作孤波的唯一穩(wěn)定波形。
在不限制本發(fā)明的情況下,高速互連的量度可用"目艮圖"
來(lái)說(shuō)明。眼圖是許多不同比特模式到覆蓋相當(dāng)于信令時(shí)間的比特特性
時(shí)間的固定窗口的重疊。上線和下線來(lái)自長(zhǎng)序列(run)的1和0。垂直 躍遷表明從1到0又從0到1的不同變化率。長(zhǎng)序列的1和0對(duì)傳輸 線充電,并且需要比交替的1和0更長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)放電。另一方面,長(zhǎng) 序列的相同比特將線路充電到更大的電壓。這些時(shí)間和電壓差創(chuàng)建圖 12所示的特性眼形。 在常規(guī)印刷電路板中,各種損失和相移機(jī)構(gòu)對(duì)銅信令的 最終影響在于"眼圖閉合"。當(dāng)眼的壓差范圍到零時(shí),接收器無(wú)法區(qū)分 l與0。隨著眼開(kāi)啟的時(shí)間變小,檢測(cè)l-O躍遷的時(shí)間量下降(這是抖 動(dòng)的一種形式)。有利的是,本發(fā)明的一些實(shí)施例可提供有效地使眼 圖展開(kāi)的銳化區(qū)域。有利的是,抖動(dòng)次數(shù)可減少,而眼的電壓電平可 增力口。 參照?qǐng)D3,模擬結(jié)果的圖表示出非線性傳輸結(jié)構(gòu)可如何 銳化銅信號(hào)線上的高速信號(hào)脈沖的波前。電子世界迅速耗盡常規(guī)PCB 上的信號(hào)帶寬。有利的是,本發(fā)明的一些實(shí)施例可提供非線性機(jī)構(gòu)來(lái) 克服傳送比特的損失和相移,這在繼續(xù)PC速度提高方面可極為有用。 在一些應(yīng)用中,可能不希望用載有變?nèi)荻O管的段更換 所有高速銅線。例如,成本以及對(duì)PCB制造的影響對(duì)于一些應(yīng)用可 能過(guò)高。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例, 一種備選方式是采用端接器芯片 0艮據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例來(lái)構(gòu)造)取代FR-4玻璃纖維上的銅傳輸線 的末端。例如,端接器芯片可基于低損耗陶瓷,并且包含少部分變?nèi)?二極管。例如,端接器芯片可結(jié)合在FR-4上或者備選地制成接收芯 片封裝的部分。 本領(lǐng)域技術(shù)人員將領(lǐng)會(huì),存在許多用于制造適當(dāng)變?nèi)荻?極管部分的技術(shù)。例如,變?nèi)荻O管可從量子(quantumdot)點(diǎn)來(lái)創(chuàng)建。 電編程可用于控制準(zhǔn)確的銳化量。有源元件也可從納米線或量子點(diǎn)合 成,以便進(jìn)行有源信號(hào)調(diào)節(jié)、如脈沖放大。
參照?qǐng)D10,電子系統(tǒng)100包括印刷電路板102,印刷電 路板102包括襯底、印刷電路板102上的第一電子組件104、印刷電 路板102上的第二電子組件106、設(shè)置在印刷電路板102上的銅信號(hào) 線108以及與銅信號(hào)線108耦合的非線性傳輸結(jié)構(gòu)109,所述銅信號(hào) 線108將第一電子組件104與第二組件106電連接,其中,非線性傳 輸結(jié)構(gòu)109配置成銳化銅信號(hào)線108上的高速信號(hào)脈沖的波前。 在系統(tǒng)100的一些實(shí)施例中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)可包括印 刷電路板襯底上的電壓相關(guān)介電層。例如,電壓相關(guān)介電層可包括設(shè) 置在信號(hào)線的接收端的多個(gè)變?nèi)荻O管。例如,變?nèi)荻O管可間隔在 八分之一的高速信號(hào)脈沖特征波長(zhǎng)之內(nèi)。例如,電壓相關(guān)介電層可設(shè) 置在信號(hào)線的接收端。 在系統(tǒng)100的一些實(shí)施例中,電壓相關(guān)介電層可包括陶 瓷襯底上的多個(gè)變?nèi)荻O管。例如,陶瓷襯底可設(shè)置在信號(hào)線的接收 端。例如,變?nèi)荻O管可間隔在八分之一的高速信號(hào)脈沖特征波長(zhǎng)之 內(nèi)。 在一些實(shí)施例中,第一電子組件104可以是處理器,而 第二電子組件106可以是存儲(chǔ)器裝置。例如,非線性傳輸結(jié)構(gòu)可包括 設(shè)置在處理器封裝中的電壓相關(guān)介電層,其中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)配置 成銳化處理器封裝中的高速信號(hào)脈沖的波前。例如,處理器封裝可使 用折疊信號(hào)線。例如,電壓相關(guān)介電層可包括折疊信號(hào)線上的多個(gè)變 容二極管。 參照?qǐng)D11,電子系統(tǒng)110包括印刷電路板112,印刷電 路板112包括村底、印刷電路板112上的第一電子組件116、印刷電 路板112上的第二電子組件114、設(shè)置在印刷電路板112上的由銅信 號(hào)線118和銅信號(hào)線119組成的差分對(duì)信號(hào)線111以及與銅信號(hào)線 118耦合的非線性傳輸結(jié)構(gòu)120和與銅信號(hào)線119耦合的非線性傳輸 結(jié)構(gòu)121,所述差分對(duì)111將第一電子組件1116與第二組件114電 連接,其中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)120和121配置成銳化差分對(duì)111上的高速信號(hào)脈沖的波前。在系統(tǒng)110的一些實(shí)施例中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)可包括印
刷電路板襯底上的電壓相關(guān)介電層。例如,電壓相關(guān)介電層可包括設(shè) 置在差分對(duì)的接收端的多個(gè)變?nèi)荻O管。例如,變?nèi)荻O管可間隔在 八分之一的高速信號(hào)脈沖特征波長(zhǎng)之內(nèi)。例如,電壓相關(guān)介電層可設(shè) 置在差分對(duì)傳輸線的接收端。 在系統(tǒng)110的一些實(shí)施例中,電壓相關(guān)介電層可包括陶 瓷襯底上的多個(gè)變?nèi)荻O管。例如,陶瓷襯底可設(shè)置在差分對(duì)信號(hào)線 的接收端。例如,變?nèi)荻O管可間隔在八分之一的高速信號(hào)脈沖特征 波長(zhǎng)之內(nèi)。 在一些實(shí)施例中,第一電子組件116可以是處理器,而 第二電子組件114可以是存儲(chǔ)器裝置。例如,非線性傳輸結(jié)構(gòu)可包括 設(shè)置在處理器封裝中的電壓相關(guān)介電層,其中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)配置 成銳化處理器封裝中的高速信號(hào)脈沖的波前。例如,處理器封裝可4吏 用折疊信號(hào)線。例如,電壓相關(guān)介電層可包括折疊信號(hào)線上的多個(gè)變 容二極管。 本發(fā)明的上述及其它方面以單獨(dú)或者組合方式實(shí)現(xiàn)。本 發(fā)明不應(yīng)當(dāng)被理解為要求這些方面的兩個(gè)或兩個(gè)以上,除非具體權(quán)利 要求明確要求。此外,雖然結(jié)合目前認(rèn)為是優(yōu)選示例的方面描述了本 發(fā)明,但是要理解,本發(fā)明并不局限于所公開(kāi)的示例,而是相反,它 意在涵蓋包含于本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)的各種修改及等效布置。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)備,包括印刷電路板襯底;銅信號(hào)線,設(shè)置在所述印刷電路板襯底上;以及與所述銅信號(hào)線耦合的非線性傳輸結(jié)構(gòu),其中,所述非線性傳輸結(jié)構(gòu)配置成銳化所述銅信號(hào)線上的高速信號(hào)脈沖的波前。
2. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備,其中,所述非線性傳輸結(jié)構(gòu)包括 所述印刷電路板襯底上的電壓相關(guān)介電層。
3. 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,所述電壓相關(guān)介電層包括 設(shè)置在所述信號(hào)線的接收端的多個(gè)變?nèi)荻O管。
4. 如權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其中,所述變?nèi)荻O管間隔在所 述高速信號(hào)脈沖的特征波長(zhǎng)的八分之一之內(nèi)。
5. 如權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其中,所述電壓相關(guān)介電層設(shè)置 在差分對(duì)傳輸線的接收端。
6. 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,所述電壓相關(guān)介電層包括 陶瓷襯底上的多個(gè)變?nèi)荻O管。
7. 如權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中,所述陶瓷襯底設(shè)置在信號(hào) 線的接收端。
8. 如權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中,所述變?nèi)荻O管間隔在所 述高速信號(hào)脈沖的特征波長(zhǎng)的八分之一之內(nèi)。
9. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述非線性傳輸結(jié)構(gòu)包括 設(shè)置在半導(dǎo)體器件封裝中的電壓相關(guān)介電層,其中,所述非線性傳輸 結(jié)構(gòu)配置成銳化所述半導(dǎo)體封裝中的高速信號(hào)脈沖的波前。
10. 如權(quán)利要求9所述的裝置,其中,所述半導(dǎo)體封裝使用折疊 信號(hào)線。
11. 如權(quán)利要求10所述的設(shè)備,其中,所述電壓相關(guān)介電層包 括折疊信號(hào)線上的多個(gè)變?nèi)荻O管。
12. —種電子系統(tǒng),包括 印刷電路板,所述印刷電路板包括襯底; 所述印刷電路板上的第 一電子組件;所述印刷電路板上的第二電子組件;設(shè)置在所述印刷電路板襯底上的銅信號(hào)線,所述銅信號(hào)線將所述 第一電子組件與所述第二電子組件電連接;以及與所述銅信號(hào)線耦合的非線性傳輸結(jié)構(gòu),其中,所述非線性傳輸 結(jié)構(gòu)配置成銳化所述銅信號(hào)線上的高速信號(hào)脈沖的波前。
13. 如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng),其中,所述非線性傳輸結(jié)構(gòu)包括所述印刷電路板襯底上的電壓相關(guān)介電層。
14. 如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng),其中,所述電壓相關(guān)介電層包 括設(shè)置在所述信號(hào)線的接收端的多個(gè)變?nèi)荻O管。
15. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng),其中,所述變?nèi)荻O管間隔在 所述高速信號(hào)脈沖的特征波長(zhǎng)的八分之一之內(nèi)。
16. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng),其中,所述電壓相關(guān)介電層設(shè) 置在差分對(duì)傳輸線的接收端。
17. 如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng),其中,所述電壓相關(guān)介電層包括陶瓷襯底上的多個(gè)變?nèi)荻O管。
18. 如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng),其中,所述陶瓷襯底設(shè)置在信 號(hào)線的接收端。
19. 如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng),其中,所述變?nèi)荻O管間隔在 所述高速信號(hào)脈沖的特征波長(zhǎng)的八分之一之內(nèi)。
20. 如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng),其中,所述第一電子組件是處 理器;所述第二電子組件是存儲(chǔ)器裝置。
21. 如權(quán)利要求20所述的系統(tǒng),其中,所述非線性傳輸結(jié)構(gòu)包 括設(shè)置在所述處理器封裝中的電壓相關(guān)介電層,其中,所述非線性傳輸結(jié)構(gòu)配置成銳化所述處理器封裝中的高速信號(hào)脈沖的波前。
22. 如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng),其中,所述處理器封裝使用折疊信號(hào)線。
23. 如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng),其中,所述電壓相關(guān)介電層包 括折疊信號(hào)線上的多個(gè)變?nèi)荻O管。
24. —種方法,包括 ^提供印刷板襯底;提供設(shè)置在所述印刷電路板襯底上的銅信號(hào)線; 在所述銅信號(hào)線上提供高速信號(hào)脈沖;以及 采用非線性傳輸結(jié)構(gòu)來(lái)銳化所述銅信號(hào)線上的所述高速信號(hào)脈 沖的波前。
25. 如權(quán)利要求24所述的方法,其中,所述非線性傳輸結(jié)構(gòu)包括所述印刷電路板襯底上的電壓相關(guān)介電層。
26. 如權(quán)利要求25所述的方法,其中,所述電壓相關(guān)介電層包 括設(shè)置在所述信號(hào)線的接收端的多個(gè)變?nèi)荻O管。
27. 如權(quán)利要求26所述的方法,其中,所述變?nèi)荻O管間隔在 所述高速信號(hào)脈沖的特征波長(zhǎng)的八分之一之內(nèi)。
28. 如權(quán)利要求26所述的方法,其中,所述電壓相關(guān)介電層設(shè) 置在差分對(duì)傳輸線的接收端。
29. 如權(quán)利要求24所述的方法,其中,所述電壓相關(guān)介電層包括陶瓷襯底上的多個(gè)變?nèi)荻O管。
30. 如權(quán)利要求29所述的方法,其中,所述陶瓷襯底設(shè)置在信 號(hào)線的接收端。
31. 如權(quán)利要求30所述的方法,其中,所述變?nèi)荻O管間隔在 所述高速信號(hào)脈沖的特征波長(zhǎng)的八分之一之內(nèi)。
32. 如權(quán)利要求24所述的方法,其中,所述非線性傳輸結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在半導(dǎo)體器件封裝中的電壓相關(guān)介電層,其中,所述非線性傳 輸結(jié)構(gòu)配置成銳化所述半導(dǎo)體封裝中的高速信號(hào)脈沖的波前。
33. 如權(quán)利要求32所述的方法,其中,所述半導(dǎo)體封裝使用折 疊信號(hào)線。
34. 如權(quán)利要求33所述的方法,其中,所述電壓相關(guān)介電層包 括折疊信號(hào)線上的多個(gè)變?nèi)荻O管。
全文摘要
在一些實(shí)施例中,設(shè)備包括印刷電路板襯底、設(shè)置在印刷電路板襯底上的銅信號(hào)線以及與銅信號(hào)線耦合的非線性傳輸結(jié)構(gòu),其中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)配置成銳化銅信號(hào)線上的高速信號(hào)脈沖的波前。在一些實(shí)施例中,非線性傳輸結(jié)構(gòu)可包括印刷電路板襯底上的電壓相關(guān)介電層。在一些實(shí)施例中,電壓相關(guān)介電層可包括設(shè)置在信號(hào)線的接收端的多個(gè)變?nèi)荻O管。
文檔編號(hào)H01P3/08GK101569054SQ200780048300
公開(kāi)日2009年10月28日 申請(qǐng)日期2007年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月28日
發(fā)明者E·C·漢娜, J·C·莫里斯 申請(qǐng)人:英特爾公司