專利名稱：通過芯片通孔的倒裝片互連的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本系統(tǒng)涉及采用倒裝片型電互連和貫穿芯片的通孔的互連方法和裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)集成電路(IC)的當前狀態(tài)是尺寸不斷縮小，復(fù)雜性不斷提
高。隨著部件密度的提高，由電耦合部件構(gòu)成的系統(tǒng)變得非常關(guān)鍵，因為 物理互連占據(jù)著可用表面積的相當大的部分，從而降低了在可用表面積內(nèi) 設(shè)置電路的能力。
已知這樣一種電互連技術(shù)，其中，通過接觸突起或端頭(stub)形成互 連的一部分，通過接觸焊盤或表面形成互連的另一部分。在制造過程中， 使突起和焊盤相互接觸，以形成電互連。通過引用并入到本文中如同被完 全陳述的美國專利No， 6015652公開了一種這樣的互連系統(tǒng)，其用于安裝在 襯底上的IC且被稱為"倒裝片鍵合"。這一典型的互連系統(tǒng)緩解了一些與 其他電互連系統(tǒng)相關(guān)的問題，但是該系統(tǒng)仍然占據(jù)著很大的本可以為電子 部件所能利用的可用表面積。在對諸如專用集成電路(ASIC)的集成電路 直接進行電互連時，這一問題將更加嚴重。
通過引用并入到本文中如同被完全陳述的PCT專利申請WO 2004/052209公開了一種為形成微型化換能器陣列而將ASIC耦合到多個聲 學(xué)元件的系統(tǒng)。在所示的系統(tǒng)當中，將突起電耦合到聲學(xué)元件或ASIC之一， 并且將悍盤電耦合到聲學(xué)元件或ASIC中的另一個。該系統(tǒng)實現(xiàn)了一種小的 電封裝，例如，可以形成所述電封裝以構(gòu)建用于經(jīng)食道檢查、腹腔鏡檢查 和心臟內(nèi)部檢査的超聲換能器。
當前設(shè)計的微束形成(uBF)換能器一般利用倒裝片工藝以實現(xiàn)諸如聲 傳感器的聲學(xué)元件與微束形成器ASIC的集成。該工藝在解決將成千上萬的 元件互連到uBFASIC上這一難題方面是非常成功的。然而，所得到的裝置存在幾個問題。例如，倒裝片工藝使ASIC直接位于聲學(xué)元件的后面，并且 如所執(zhí)行的鍵合類型(例如，端頭突起)的規(guī)定那樣接近所述聲學(xué)元件的 表面。然而，來自ASIC的熱量可能會影響聲學(xué)元件的性能。因此，從管理 聲學(xué)元件的表面溫度的角度來看，典型的倒裝片互連幾乎將聲學(xué)元件放置 在最差的可能位置上，SP，接近熱源(例如，ASIC)并遠離潛在的散熱表 面。
此外，將聲學(xué)元件緊密耦合到ASIC的有源部分可能會帶來產(chǎn)生由于將 聲能耦合到ASIC內(nèi)而導(dǎo)致的模糊偽影(haze artifact)的不利影響，其中所 述聲能可能傳播并導(dǎo)致聲學(xué)串擾。由于無法將ASIC直接鍵合到聲學(xué)元件 上，因此ASIC和聲學(xué)元件之間的倒裝片工藝也很復(fù)雜。在ASIC和聲學(xué)元 件之間需要物理偏移，以便從切割(dicing)過程的開始到結(jié)束將由聲學(xué)元 件的厚度偏差和切割鋸片的直徑偏差引入的切割容差考慮在內(nèi)。這一間隔 通常是利用具有高長寬比的端頭突起或電鍍突塊引入的，這使組裝工藝變 得復(fù)雜。
當前的uBF ASIC的系統(tǒng)輸入/輸出(I/O)互連局限于將系統(tǒng)I/O設(shè)量 在處于ASIC的頂部有源部分上的兩個方位邊緣上。這需要分配一些空間， 以將來自ASIC的頂表面上的鍵合焊盤的互連提供給諸如柔性電路的下一 級互連。可以利用引線鍵合或者采用各向異性導(dǎo)電膜的鍵合軟線實現(xiàn)互連 目的，然而，在任一種情況下，整個換能器(例如，ASIC、聲傳感器、軟 線)的物理空間的限制降低了可用于換能器的聲學(xué)孔徑的接觸面積的量。 此外，出于空間的考慮，柔性電路通常相對簡單，只具有幾個互連層，這 可能限制電性能和/或增加成本。

發(fā)明內(nèi)容
本系統(tǒng)的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點和/或?qū)ΜF(xiàn)有技術(shù)做出改進。 本系統(tǒng)包括聲學(xué)組件和形成所述組件的方法。所述聲學(xué)組件包括集成 電路封裝，其具有配置成從所述集成電路封裝的有源部分穿過所述集成電 路封裝的底部部分的導(dǎo)電通孔。所述底部部分是所述集成電路封裝的襯底 的底側(cè)。將聲學(xué)元件設(shè)置在所述襯底的所述底側(cè)上，并且將所述通孔設(shè)置 成將所述集成電路封裝的所述有源部分電耦合到所述聲學(xué)元件。在一個實施例中，所述聲學(xué)元件是聲學(xué)疊置體。在另一實施例中，所述聲學(xué)元件是
基于硅的微機械加工的超聲換能器(MUT)。
在形成所述聲學(xué)組件的過程中，對所述聲學(xué)組件進行切割，所述切割 貫穿所述聲學(xué)疊置體，并且進入到所述襯底內(nèi)?？梢栽诓豢紤]所述聲學(xué)元 件和所述集成電路封裝之間的耦合距離的情況下，通過反轉(zhuǎn)倒裝片(inverted flip-chip)互連、導(dǎo)電粘合劑和/或其他適當?shù)鸟詈舷到y(tǒng)將所述聲學(xué)元件耦合 到所述通孔。有利地，可以將所述互連裝置設(shè)置在所述集成電路封裝的接 近所述有源部分的頂側(cè)上，并且使所述互連裝置電耦合到所述集成電路封 裝的系統(tǒng)輸入/輸出(I/O)連接?？梢栽诓恍枰€鍵合和其他用于使系統(tǒng) I/O延伸到所述集成電路封裝的邊緣系統(tǒng)的情況下，通過倒裝片互連和/或其 他適當?shù)鸟詈舷到y(tǒng)將所述互連裝置耦合到所述系統(tǒng)I/O連接。在一個實施例 中，所述互連裝置可以是包括印刷電路板(PCB)的柔性電路。所述集成電 路封裝可以是用于換能器的微束形成器ASIC，所述換能器例如為可以用于 進行經(jīng)食道檢査、腹腔鏡檢查和心臟內(nèi)部檢査的超聲換能器。


將參考附圖通過舉例的方式進一步詳細說明本發(fā)明，在附圖中
圖1示出根據(jù)本系統(tǒng)的實施例制備的晶片級集成電路的一部分的示例
性側(cè)面透視圖2示出根據(jù)本系統(tǒng)的實施例的ASIC的示例性透視圖3示出根據(jù)本系統(tǒng)的實施例的示例性元件，例如，耦合到電部件的 由聲學(xué)元件構(gòu)成的板或疊置體；
圖4示出根據(jù)本系統(tǒng)的耦合到電部件的由聲學(xué)元件構(gòu)成的疊置體在被 切割之后的情況；以及
圖5示出根據(jù)本系統(tǒng)的實施例的互連系統(tǒng)的細節(jié)。
具體實施例方式
下文是對示例性實施例的說明，通過與附圖結(jié)合，所述示例性實施例 將展示上述以及其他特征和優(yōu)點。在下述說明中，出于解釋的目的而不是 限制的目的闡述了諸如架構(gòu)、界面、技術(shù)等具體細節(jié)，用于舉例說明。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然可以理解，其他脫離這些細節(jié)的實施 例也將落在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。而且，為了清晰起見，省略了對公知裝置、 電路和方法的詳細說明，以避免使對本系統(tǒng)的說明難以理解。此外，應(yīng)當 明確理解，包含附圖的目的只是為了舉例說明，而不是表示本系統(tǒng)的范圍。 在附圖和說明書中，采用類似的附圖標記表示類似的元件。
圖1示出根據(jù)本系統(tǒng)的實施例制備的諸如ASIC 100的晶片級集成電路 的一部分的示例性側(cè)面透視圖。ASIC 100形成在硅襯底110上，并且包括 代表ASIC 100的有源部分130的微通道有源體積，其中對來自聲學(xué)元件的 聲信號進行處理。典型地，可以將微通道有源體積形成為側(cè)邊在100-400um 的范圍內(nèi)，例如為250mn的正方形區(qū)域，并且可以將其形成為具有在5-20um 的范圍內(nèi)的深度，例如具有10um的深度。ASIC100還包括通常用于將ASIC 100的有源部分的部分互連到聲學(xué)元件的鍵合焊盤區(qū)域120。 ASIC 100可以 通過典型的工藝動作例如光刻工藝來形成，所述光刻工藝包括對所期望的 層的光沉積、蝕刻、掩模等。
在對ASIC 100的晶片級處理過程中，可以在鍵合焊盤區(qū)域120中形成 貫穿ASIC的通孔。所述貫穿ASIC的通孔提供了從位于ASIC的有源部分 130中的傳感器輸入/輸出(I/O)穿過ASIC的底表面，從而穿過襯底110 的導(dǎo)電通路。可以利用適當?shù)墓饪毯湾兏补に嚴缥g刻和電鍍來形成所述 通孔和導(dǎo)電通路。
圖2示出根據(jù)本系統(tǒng)的實施例的ASIC 200的示例性透視圖。如圖所示， ASIC 200包括貫穿ASIC的通孔240，其提供了從ASIC 200的有源部分202 的I/O穿過襯底210到達ASIC 200的底表面204的導(dǎo)電通路。通過這種方 式，根據(jù)本系統(tǒng)，使通常耦合到諸如聲學(xué)疊置體的聲學(xué)元件的ASIC的I/O 一直走線(route through)到ASIC 200的底部部分204。在形成穿孔240之 后，可以通過使ASIC 200與晶片分離而使ASIC 200單個化，以制備用于 電耦合到聲學(xué)元件的ASIC 200。
圖3示出一種示例性元件，例如耦合到諸如ASIC 300的電部件的由聲 學(xué)元件355構(gòu)成的板或疊置體350。根據(jù)本系統(tǒng)，由于沿ASIC 300的遠離 有源部分330的底部部分304將聲學(xué)元件355耦合到ASIC 300，因此可以 利用任何適當?shù)鸟詈瞎に噷⒙晫W(xué)元件355電耦合到ASIC，而無需考慮耦合的高度方面。例如，可以利用導(dǎo)電粘合劑或引線突起，而無需考慮互連本 身的高度。在一個實施例中，實際上，可以將聲學(xué)元件反轉(zhuǎn)倒裝片鍵合到
ASIC上。術(shù)語"反轉(zhuǎn)倒裝片鍵合"是指，本系統(tǒng)使得聲學(xué)元件鍵合到ASIC 的底側(cè)，這與現(xiàn)有的倒裝片鍵合技術(shù)相反，在現(xiàn)有技術(shù)中將聲學(xué)元件鍵合 到ASIC的緊靠近ASIC 1/0的頂(有源)偵U。與現(xiàn)有系統(tǒng)不同的是，不需 要相對較大的耦合高度來容納切割工藝中所需的容差，因為通過ASIC 300 的襯底310使ASIC的有源部分330與聲學(xué)元件355分開。相應(yīng)地，還可以 在不考慮耦合高度的情況下適當采用其他的用于將聲學(xué)元件355耦合到 ASIC 300的系統(tǒng)。
應(yīng)當指出，ASIC 300的有源部分330通常是產(chǎn)生熱量的部位。根據(jù)本 系統(tǒng)，將有源部分330設(shè)置成進一步遠離聲學(xué)元件355和由聲學(xué)元件355、 ASIC 300等形成的換能器的表面。與現(xiàn)有系統(tǒng)不同的是，通過這種方式， 極大簡化了管理換能器表面溫度的問題。此外，還可以將有源部分330設(shè) 置成與先前的可能接近程度相比更接近熱沉。通過這種方式，根據(jù)本系統(tǒng)， 提高了到聲學(xué)元件的熱阻，同時降低了到熱沉的熱阻。
在使聲學(xué)元件355電耦合到ASIC 300之后，可以施加底層填料，以使 所述板相對于ASIC 300保持穩(wěn)定。底層填料有助于保護聲學(xué)元件355和 ASIC 300之間的電耦合不受環(huán)境條件的影響，為組件提供額外的機械強度， 用作有助于將熱量從聲學(xué)元件355驅(qū)散開的熱沉，并且可以有助于補償所 述疊置體的聲學(xué)元件和ASIC 300之間的任何熱膨脹差異。
可以利用沉積工藝、光刻工藝和/或其他類似工藝為所述疊置體提供二 維切割網(wǎng)格圖案360，以有助于對聲學(xué)疊置體的切割。如圖4所示，可以例 如采用切割鋸(例如，金剛石顆粒鋸)切割疊置體350 (例如，參見切口 470)，從而將疊置體350分成單獨的聲學(xué)元件455。應(yīng)當容易理解，聲學(xué)元 件455可以具有任何類型和結(jié)構(gòu)，包括有助于3維(3D)成像例如可以用 于3D超聲成像應(yīng)用的結(jié)構(gòu)和/或矩陣換能器結(jié)構(gòu)。
通常，如上文討論的所要求的切割容差使得將ASIC 400電耦合到聲學(xué) 元件455的難度增加。分離各個聲學(xué)元件455的切口 470必須深到足以將 疊置體350分成單獨的聲學(xué)元件455。在幾個因素的作用下，要求具有較大 的切割深度容差。例如，疊置體350的厚度存在偏差。通常，所述疊置體是三種或更多種材料的疊層，即，去匹配層452 (例如，碳化鉤)、作為轉(zhuǎn) 發(fā)器的壓電晶體層454、以及一個或多個匹配層456 (例如，石墨)。三種 層疊材料，例如各自具有不同的物理特性，可以導(dǎo)致并非完全平坦的聲學(xué) 疊置體。
此外，形成如此多的切口 (例如，數(shù)千個)將導(dǎo)致切割鋸的鋸片磨損。 因此，即使對于指定深度的切口，由于鋸片磨損，最后的切口的深度也將 小于最初的切口的深度。為了補償這一切口深度的偏差，通常選擇切口深 度以將較淺的后面的切口考慮在內(nèi)。此外，由先前在幾個單獨工藝中結(jié)合
(例如層疊)在一起的很多部件構(gòu)成的結(jié)構(gòu)存在累積容差的問題。例如， 層的厚度的容差，加上層的平坦度的容差，加上鍵合厚度的容差等可能導(dǎo) 致從所述結(jié)構(gòu)的一部分到所述結(jié)構(gòu)的另一部分的大的累積偏差。還必須通 過在切口深度中引入相應(yīng)的大容差來調(diào)節(jié)這一潛在的大偏差。
通常將上文列舉的所有構(gòu)成容差加在一起會導(dǎo)致這樣的要求，即，在 疊置體350和ASIC 400之間具有相對較大(例如，70-100um)的間隙?，F(xiàn) 有系統(tǒng)中的這一對大間隙的要求將轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的大突起高度。然而，根據(jù) 本系統(tǒng)，利用導(dǎo)電的貫穿ASIC的通孔440將疊置體350電耦合到ASIC 400。 相應(yīng)地，將疊置體350設(shè)置在緊鄰ASIC 400的襯底層410、遠離ASIC 400 的頂部部分402的底部部分404上，ASIC 400的有源部分430和I/O位于 所述頂部部分402中。由于襯底410不是ASIC 400的有源部分，因此可以 在幾乎不用擔心對ASIC 400造成潛在損害的情況下切割疊置體350，同時 仍然通過穿過疊置體350以及襯底410的一部分進行切割而將切割容差考 慮在內(nèi)。例如，對于厚度在50um到400um的范圍內(nèi)的ASIC襯底層，可以 容易地使切割切口 470穿過襯底的一部分，而不會影響ASIC的結(jié)構(gòu)或電學(xué) 完整性，如圖4所示。
對襯底的一部分進行切割的額外好處在于，可以通過襯底410的部分 的去耦合(分離)來減少由于將聲能耦合到ASIC中而產(chǎn)生的模糊偽影。此 外，由于將聲學(xué)元件455設(shè)置成更加遠離有源部分430，因此進一步降低了 將聲能耦合到ASIC 400中的可能性。
根據(jù)本系統(tǒng)，由于將聲學(xué)元件設(shè)置在遠離ASIC的I/O的ASIC的底部 部分上，因此為電耦合到其他I/O例如ASIC的傳感器I/O提供了更大的靈活性。圖5示出根據(jù)本系統(tǒng)的實施例的互連系統(tǒng)的細節(jié)。所述系統(tǒng)包括諸 如ASIC 500的電部件，其中使疊置體550的聲學(xué)元件555電耦合到ASIC 500的背面504，從而使頂部部分502可用于電耦合選項的廣泛選擇。ASIC 500包括襯底510和通孔540。根據(jù)本系統(tǒng)可實現(xiàn)的靈活的互連相對于現(xiàn)有 系統(tǒng)具有極大的改進，因為可以在不需要引線鍵合跡線、各向異性導(dǎo)電膜 等的情況下使ASIC 500直接附著到諸如柔性電路580、 PCB 585等的互連 襯底。這通過能夠使更復(fù)雜的互連和電路(旁路電容等)更接近ASIC而提 供提高電性能的能力。利用本系統(tǒng)，可以將更復(fù)雜的互連裝置設(shè)置成與在 采用現(xiàn)有系統(tǒng)不得不使用的相對簡單的柔性電路的情況下可能實現(xiàn)的接近 程度相比更接近ASIC。將互連設(shè)置成與ASIC的I/O直接相鄰的能力還有 助于通過消除對至ASIC的頂表面的引線鍵合、ACF等的需要而簡化互連 過程，在現(xiàn)有系統(tǒng)中，需要所述引線鍵合、ACF等調(diào)節(jié)聲學(xué)元件與ASIC I/O 的典型接近度。最后，由于本系統(tǒng)的系統(tǒng)I/O不必環(huán)繞ASIC的頂部邊緣以 避開聲學(xué)元件，因此根據(jù)本系統(tǒng)的互連方法可以潛在地消除對用于微束形 成陣列的插入物的需要，所述陣列需要平鋪兩行以上的ASIC。
在所示的示例性實施例中，提供了剛性-柔性互連580。利用本領(lǐng)域公 知的接觸球590將圖5示例性示出的互連580耦合到ASIC 500。此外，可 以將互連580倒裝片安裝到ASIC 500上。 '
有利地，根據(jù)本系統(tǒng)的互連系統(tǒng)提供了下列中的一個或多個提高的 熱性能、提高的聲學(xué)性能、工藝簡化、互連改進和互連簡化。
當然，應(yīng)當意識到，根據(jù)本系統(tǒng)，可以將上述實施例或工藝中的任何 一個與一個或者與一個或多個其他實施例或工藝相結(jié)合以提供更進一步的 改進。
最后，上述討論的目的只是對本系統(tǒng)進行舉例說明，不應(yīng)將其視為將 所附的權(quán)利要求限于任何具體的實施例或一組實施例。因此，盡管已經(jīng)參 考本系統(tǒng)的具體示例性實施例(例如，ASIC、聲學(xué)元件等)對本系統(tǒng)進行 了特別詳細的說明，但是還應(yīng)當認識到在不背離如所附權(quán)利要求所述的本 系統(tǒng)的較寬和預(yù)期的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想出各種 變型和可選實施例。相應(yīng)地，應(yīng)當將說明書和附圖視為采取了舉例說明的 方式，其并非旨在限制所附權(quán)利要求的范圍。在解釋所附權(quán)利要求時，應(yīng)當理解
a) "包括" 一詞不排除在指定權(quán)利要求中列出的元件或動作以外的其 他元件或動作的存在；
b) 元件前面的詞"一"或"一個"不排除多個這樣的元件的存在；
c) 權(quán)利要求中的任何附圖標記均不限制權(quán)利要求的范圍；
d) 幾個"裝置"可以由同一項硬件或軟件實施的結(jié)構(gòu)或功能來表示；
e) 所公開的元件中的任何一個都可以由硬件部分(例如，包括分立的 和集成的電子電路)、軟件部分(例如，計算機編程)及其任意組合組成；
f) 硬件部分可以由模擬和數(shù)字部分之一或這二者組成；
g) 可以將所公開的任何裝置或其部分結(jié)合到一起，或者可以將其分成 更多的部分，除非另行明確說明；以及
h) 不旨在要求動作或步驟的任何特定順序，除非另行明確說明。
權(quán)利要求
1、一種聲學(xué)組件，包括集成電路封裝，其包括配置成從所述集成電路封裝的有源部分穿透所述集成電路封裝的底部部分的導(dǎo)電通孔，其中所述底部部分是所述集成電路封裝的襯底的底側(cè)；以及設(shè)置在所述襯底的所述底側(cè)上的聲學(xué)元件，其中將所述通孔設(shè)置成將所述集成電路封裝的所述有源部分電耦合到所述聲學(xué)元件。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)組件，其中所述聲學(xué)元件是聲學(xué)疊置體， 并且其中對所述聲學(xué)組件進行切割，所述切割貫穿所述聲學(xué)疊置體并且進 入到所述襯底內(nèi)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)組件，其中通過反轉(zhuǎn)倒裝片互連將所述 聲學(xué)元件耦合到所述通孔。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)組件，其中通過導(dǎo)電粘合劑將所述聲學(xué) 元件耦合到所述通孔。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)組件，其包括互連裝置，所述互連裝置 設(shè)置在所述集成電路封裝的接近所述有源部分的頂側(cè)上，并且電耦合到所 述集成電路封裝的系統(tǒng)輸入/輸出(I/O)連接。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲學(xué)組件，其中通過倒裝片互連將所述互連 裝置耦合到所述系統(tǒng)I/O連接。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲學(xué)組件，其中所述互連裝置是包括印刷電 路板(PCB)的柔性電路。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)組件，其中所述集成電路封裝是微束形成器ASIC。
9、 一種形成聲學(xué)組件的方法，所述方法包括以下動作 提供集成電路封裝；在所述集成電路封裝中形成導(dǎo)電通孔，所述導(dǎo)電通孔從所述集成電路 封裝的有源部分貫穿到所述集成電路封裝的底部部分，其中所述底部部分 是所述集成電路封裝的襯底的底側(cè)；將聲學(xué)元件設(shè)置在所述襯底的所述底側(cè)上；以及通過所述通孔將所述聲學(xué)元件電耦合到所述集成電路封裝的所述有源 部分。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述聲學(xué)元件是聲學(xué)疊置體， 所述方法包括對所述聲學(xué)組件進行切割的動作，所述切割貫穿所述聲學(xué)疊 置體并且穿過所述襯底的一部分。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中耦合包括執(zhí)行反轉(zhuǎn)倒裝片耦合 工藝的動作。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，包括以下動作 對所述集成電路封裝的接近所述有源部分的頂側(cè)進行蝕刻，以露出系統(tǒng)輸入/輸出(I/O)連接；以及沉積電耦合到所述系統(tǒng)I/O連接的鍵合焊盤。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，包括以下動作將互連裝置設(shè)置在所述頂側(cè)上；以及 將所述互連裝置電耦合到所述系統(tǒng)I/O連接。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中將所述互連裝置電耦合到所述 系統(tǒng)I/O連接的動作包括執(zhí)行倒裝片耦合工藝的動作。
15、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述互連裝置是包括印刷電路板(PCB)的柔性電路。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述集成電路封裝是微束形成 器ASIC。
全文摘要
一種聲學(xué)組件包括具有導(dǎo)電通孔的集成電路封裝，所述導(dǎo)電通孔被配置成從所述集成電路封裝的有源部分穿透所述集成電路封裝的底部部分。所述底部部分是所述集成電路封裝的襯底的底側(cè)。將聲學(xué)元件設(shè)置在所述襯底的所述底側(cè)上，并且將所述通孔設(shè)置成將所述集成電路封裝的有源部分電耦合到所述聲學(xué)元件。在一個實施例中，所述聲學(xué)元件是聲學(xué)疊置體，并且所述集成電路封裝是ASIC?？梢孕纬伤鼋M件以用作微束形成換能器。
文檔編號H01L23/48GK101517737SQ200780035443
公開日2009年8月26日 申請日期2007年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月25日
發(fā)明者A·L·魯濱遜 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司