專利名稱：彈性波濾波裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如在移動電話機的RF頻段的帶通濾波器等中使用的彈 性波濾波裝置，更具體而言，涉及一種使用了聲界面波與聲表面波的縱耦 合諧振件型彈性波濾波裝置。
背景技術(shù)：
以往，在移動電話機的RF頻段的帶通濾波器等中廣泛使用了聲表面 波濾波裝置。
在下述的專利文獻l中，公開了這種用途所使用的聲表面波濾波裝置。
如圖9所示，在專利文獻1所記載的聲表面波濾波裝置501中，在壓 電基板502上形成有圖9示意表示的電極構(gòu)造。S卩，在壓電基板502上并 列設(shè)置有一對輸入IDT503、 503。在聲表面波傳播方向上，相對IDT503、 503分別配置有輸出IDT504、 504。
在設(shè)置有成為一對的輸入IDT503及輸出IDT504的部分的表面波傳播 方向兩側(cè)，配置有反射器505、 505。同樣，在設(shè)置有成為另一對的輸入 IDT503及輸出IDT504的區(qū)域的表面波傳播方向兩側(cè)，也配置有反射器 505、 505。而且， 一對輸入IDT503、 503的各一端被公共連接、與輸入端 子506連接，各自的另一端與接地電位連接。 一對輸出IDT504、 504的各 一端被公共連接、與輸出端子507連接，各自的另一端與接地電位連接。
這里，為了降低成為寄生(spurious)的高次橫模，對輸入IDT503、 503及輸出IDT504、 504實施了變跡加權(quán)(apodizing weights)。在正規(guī)型 的IDT中，電極指交叉寬度沿著聲表面波長波方向兩側(cè)不變化，為一定的 大小。與之相對，變跡加權(quán)是一種按照在聲表面波傳播方向上使IDT的電 極指交叉寬度變化的方式實施加權(quán)，以改變交叉寬度的方法。
專利文獻1:特開平10—261936號公報
在專利文獻1所記載的聲表面波濾波裝置中如上所述，通過對IDT實施變跡加權(quán)，降低了高次橫模。
另一方面，在IDT彼此鄰接的部分具有電極指的周期比其他部分短的
狹小間距電極指部的聲表面波濾波裝置中，即利用了 IDT—IDT間諧振模
的縱耦合諧振件型聲表面波濾波裝置中，上述橫模寄生不那么成為問題。 其原因在于，作為導(dǎo)波路的封閉效果小。
不過，近年來，除了聲表面波濾波裝置之外，還開發(fā)了各種利用了聲 界面波的聲界面波濾波裝置。聲界面波濾波裝置與聲表面波濾波裝置相比
存在著下述問題作為導(dǎo)波路的封閉效果強，基于橫模的寄生容易增大。 在這樣的聲界面波濾波裝置中，即使在利用了具有狹窄間距電極指部的
IDT—IDT間的諧振的情況下，基于橫模的寄生也容易變大。
而且，聲表面波濾波裝置或聲界面波濾波裝置中，在為了發(fā)展小型化
而縮小了 IDT的交叉寬度的情況下，也容易出現(xiàn)橫模寄生。
因此，在利用了 IDT間的諧振模式的聲表面波濾波裝置中也發(fā)展了小
型化的情況下，容易出現(xiàn)橫模寄生。
從而，在利用了 IDT—IDT間諧振模式的聲表面波濾波裝置或聲界面
波濾波裝置中，強烈要求能夠進一步降低基于橫模的寄生、實現(xiàn)更低損耗
的濾波裝置。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了滿足這樣的期望而提出，其目的在于，提供一種利用了 IDT 一IDT間諧振模式、且進一步降低損耗的縱耦合諧振件型彈性波濾波裝置。
本發(fā)明提供一種彈性波濾波裝置，是利用了 IDT—IDT間的諧振模式 的縱耦合諧振件型彈性波濾波裝置，具有壓電體；配置在所述壓電體上 的第一IDT;配置在第一IDT的彈性波傳播方向兩側(cè)的第二、第三IDT; 和配置在設(shè)置有第一 第三IDT的部分的彈性波傳播方向兩側(cè)的第一、第 二反射器；在彈性波傳播方向上IDT彼此相鄰的部分，從該IDT鄰接的 IDT側(cè)的端部起，局部部分的電極指的周期比該IDT的剩余部分的電極指 的周期短，由此，設(shè)置了電極指的周期相對小的狹窄間距電極指部，該彈 性波濾波裝置對具有所述狹窄間距電極指部的第一 第三IDT實施了變 跡加權(quán)，使得在除了狹窄間距電極指部的部分中電極指交叉寬度沿著彈性波傳播方向依次變化、且位于狹窄間距電極指部的端部的部分具有最大的 電極指交叉寬度。
在本發(fā)明的彈性波濾波裝置中，優(yōu)選在所述第一 IDT中，按照第一 IDT
的彈性波傳播方向中央的交叉寬度最小、最大交叉寬度部分位于第一 IDT 的被施加了變跡加權(quán)的部分的第二IDT側(cè)的端部及第三IDT側(cè)的端部的方 式，實施了所述變跡加權(quán)，由此，由變跡加權(quán)形成的一對包絡(luò)線所包圍的 部分具有鼓狀的形狀。該情況下，能夠進一步減小頻帶內(nèi)插入損耗。
在本發(fā)明的彈性波濾波裝置中，優(yōu)選按下述方式實施變跡加權(quán)，艮P:
最大交叉寬度部分位于所述第二 IDT的被施加了變跡加權(quán)的部分的所述 第一 IDT側(cè)的端部，最小交叉寬度部分位于所述第二 IDT的被施加了變跡 加權(quán)的部分的第一反射器側(cè)的端部，交叉寬度從最大交叉寬度朝向最小交 叉寬度依次減少，且最大交叉寬度部分位于所述第三IDT的被施加了變跡 加權(quán)的部分的所述第一 IDT側(cè)的端部，最小交叉寬度部分位于所述第三 IDT的被施加了變跡加權(quán)的部分的第二反射器側(cè)的端部，交叉寬度從最大 交叉寬度朝向最小交叉寬度依次減少，由此，能夠有效地抑制通頻帶內(nèi)的 脈動。
在本發(fā)明的彈性波濾波裝置中，優(yōu)選在所述第一、第二IDT鄰接的部 分中，按照位于距所述第一、第二IDT間的中心等距離的位置的第一、第 二 IDT的電極指的交叉寬度近似相同的方式實施了所述變跡加權(quán)，在所述 第一、第三IDT鄰接的部分中，按照位于距第一、第三IDT間的中心等距 離的位置的第一、第三IDT的電極指的交叉寬度近似相同的方式實施了所 述變跡加權(quán)，由此，能夠進一步有效地抑制通頻帶內(nèi)的脈動。
在本發(fā)明的彈性波濾波裝置中，優(yōu)選在設(shè)置有所述第一 第三IDT的 部分的彈性波傳播方向兩側(cè)分別配置有第四、第五IDT，在設(shè)置有所述第 一 第五IDT的部分的彈性波傳播方向兩側(cè)配置有所述第一、第二反射 器。該情況下，由于是5IDT型的縱耦合諧振件型彈性波濾波裝置，所以， 不僅可以提高耐電力性，而且能夠進一步減小插入損耗。
在設(shè)置有第一 第五IDT的構(gòu)成中，優(yōu)選在所述第二IDT中，按照第 二 IDT的彈性波傳播方向中央的交叉寬度最小、最大交叉寬度部分位于第 二 IDT的被施加了變跡加權(quán)的部分的第四IDT側(cè)的端部及第一 IDT側(cè)的端部的方式，實施所述變跡加權(quán)，由此，由變跡加權(quán)形成的一對包絡(luò)線所 包圍的部分具有鼓狀的形狀。該情況下，能夠進一步減小通頻帶內(nèi)插入損 耗。
而且，在設(shè)置有第一 第五IDT的構(gòu)成中，優(yōu)選在所述第三IDT中， 按照第三IDT的彈性波傳播方向中央的交叉寬度最小、最大交叉寬度部分 位于第三IDT的被施加了變跡加權(quán)的部分的第一 IDT側(cè)的端部及第五IDT 側(cè)的端部的方式，實施所述變跡加權(quán)，由此，由變跡加權(quán)形成的一對包絡(luò) 線所包圍的部分具有鼓狀的形狀。該情況下，也能夠進一步減小通頻帶內(nèi) 插入損耗。
并且，優(yōu)選在所述第二IDT與所述第四IDT相鄰接的部分，第二、第 四IDT分別具有狹窄間距電極指部，在所述第三、第五IDT相鄰接的部分， 第三、第五IDT分別具有狹窄間距電極指部，在第四、第五IDT中，對除 了狹窄間距電極指部的部分，實施電極指交叉寬度沿著彈性波傳播方向依 次變化的變跡加權(quán)，第四、第五IDT的被實施了變跡加權(quán)的部分的所述第 二、第三IDT側(cè)的端部的電極指具有最大的交叉寬度。由此，能夠有效抑 制通頻帶內(nèi)脈動。
本發(fā)明的彈性波濾波裝置還可以具備層疊在壓電體上的電介質(zhì)層，該 情況下，利用聲界面波作為彈性波，可以提供聲界面波濾波裝置。另外， 本發(fā)明也可以使用聲表面波作為彈性波，該情況下，可以提供聲表面濾波 裝置。
(發(fā)明效果)
本發(fā)明的彈性波濾波裝置中，在利用了 IDT—IDT間的諧振模式并在 IDT中設(shè)置有狹窄間距電極指部的彈性波濾波裝置中，由于按照除了狹窄 間距電極指部之外，狹窄間距電極指部側(cè)的端部具有最大的電極指交叉寬 度的方式，對第一 第三IDT實施了變跡加權(quán)，所以，能夠減小通頻帶內(nèi) 的插入損耗。
因此，可以提供具有狹窄間距電極指部，并利用了 IDT—IDT間的諧 振模式，不易受到橫模寄生的影響的彈性波濾波裝置，即低損耗的彈性波 濾波裝置。
圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式涉及的聲界面波濾波裝置的電極構(gòu) 造的示意俯視圖。
圖2是圖1所示的聲界面波濾波裝置的示意主視剖面圖。
圖3是表示本發(fā)明的一個實施方式的聲界面波濾波裝置的濾波特性的圖。
圖4是表示第一比較例的聲界面波濾波裝置的電極構(gòu)造的示意俯視圖。
圖5是表示第一比較例的聲界面波濾波裝置的濾波特性的圖。
圖6是表示第二比較例的聲界面波濾波裝置的電極構(gòu)造的示意俯視圖。
圖7是表示第二比較例的聲界面波濾波裝置的濾波特性的圖。 圖8是表示本發(fā)明的其他實施方式涉及的聲界面波濾波裝置的電極構(gòu) 造的概略俯視圖。
圖9是表示現(xiàn)有的聲表面波濾波裝置的一個例子的立體圖。 圖中100 —聲界面波濾波裝置，101—輸入端子，102 —輸出端子， 11卜113 —第一 第三IDT， 111A、 111B —狹窄間距電極指部，112A、 113A —狹窄間距電極指部，114、 115 —第一、第二反射器，120 —聲界面 波濾波裝置，121—不平衡端子，122、 123 —第一、第二平衡端子，124 — 聲界面波諧振件，125 127 —縱耦合諧振件型聲界面波濾波部，128、 129 —聲界面波諧振件，131—聲界面波諧振件，132 134 —縱耦合諧振件型 聲界面波濾波部，135、 136 —聲界面波諧振件。
具體實施例方式
下面，通過參照附圖對本發(fā)明的具體實施方式
進行說明，來明確本發(fā)明。
圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式涉及的聲界面波濾波裝置的電極構(gòu) 造的示意俯視圖，圖2是該聲界面波濾波裝置的示意主視剖面圖。
如圖2所示，聲界面波濾波裝置IOO具有壓電體104、和層疊在壓 電體104上的電介質(zhì)105。在壓電體104與電介質(zhì)105之間形成有電極膜106。本實施方式中，通過上述電極膜106形成了圖1所示的電極構(gòu)造，
由此，構(gòu)成了利用在壓電體104與電介質(zhì)105的交界中傳播的聲界面波的
聲界面波濾波裝置。
壓電體104在本實施方式中由15。 Y切割X傳播的LiNb03晶體基板 構(gòu)成。另外，電介質(zhì)105由Si02構(gòu)成。
上述電極膜106通過形成90nm厚度的Au薄膜，并進行圖案化而形成。
而且，如圖2所示，在電介質(zhì)105上設(shè)置有多個開口 105a、 105b。在 開口 105a、 105b內(nèi)形成有導(dǎo)電圖案107a、 107b。電極膜106的與外部電 連接的部分在開口 105a、 105b中露出。在該電極膜106的與外部電連接 的部分電連接有導(dǎo)電圖案107a、 107b。導(dǎo)電圖案107a、 107b被設(shè)置成到 達電介質(zhì)105的上面，與外部端子108a、 108b電連接。
由上述電極膜106形成了圖1所示的電極構(gòu)造。g卩，在輸入端子IOI 與輸出端子102之間構(gòu)成了圖示的縱耦合諧振件型聲界面波濾波部。其中， 在中央配置有第一IDTlll，在IDTlll的聲界面波傳播方向兩側(cè)配置有第 二、第三IDT112、 113。而且，在設(shè)置有IDT111 113的區(qū)域的聲界面波 傳播方向兩側(cè)配置有反射器114、 115。 IDT111 113中，在兩個IDT相鄰 的部分，雙方的IDT設(shè)置有狹窄間距電極指部。例如，在IDT112與IDT111 相鄰的部分設(shè)置有狹窄間距電極指部112A、 111A。狹窄間距電極指部是 指在IDT的端部，電極指的周期比其他的電極指的周期小的部分。在 IDT111與IDT113相鄰的部分，IDT111設(shè)置有狹窄間距電極指部111B， IDT113設(shè)置有狹窄間距電極指部113A。
本實施方式中，在3IDT型的縱耦合諧振件型聲界面波濾波部設(shè)置有 上述狹窄間距電極指部111A、 111B、 112A、 113A，由此，在利用了IDT 一IDT間的諧振模式的縱耦合諧振件型聲界面波濾波部中，可實現(xiàn)插入損 耗的降低。
并且，在IDT111 113中，對除了狹窄間距電極指部之外的部分實施 了變跡加權(quán)，以使位于狹窄間距電極指部側(cè)端部的部分具有最大的電極指 交叉寬度。
本實施方式中，按照第一IDTlll中聲界面波傳播方向中央的交叉寬
1度最小、最大交叉寬度部分位于被實施了加權(quán)的部分的第二 IDT112側(cè)的
端部及第三IDT113側(cè)的端部的方式，實施了變跡加權(quán)。因此，連接包絡(luò)
線的形狀成為鼓狀的形狀。
最大交叉寬度部分位于第二 IDT112的被實施了加權(quán)的部分的第一 IDT111側(cè)的端部，被實施了加權(quán)的部分的第一反射器114側(cè)的端部處的 交叉寬度為最小交叉寬度，交叉寬度從最大交叉寬度向最小交叉寬度依次 減小。同樣，在第三IDT113中，最大交叉寬度部分也位于被實施了加權(quán) 的部分的第一IDTlll側(cè)的端部，最小交叉寬度部分位于被實施了加權(quán)的 部分的第二反射器115側(cè)的端部，交叉寬度從最大交叉寬度部分朝向最小 交叉寬度部分依次減小。
優(yōu)選在第一IDTlll與第二IDT112相鄰的部分，按照距離第一、第二 IDTlll、 112間的中心為等距離處的電極指的交叉寬度近似相同的方式， 實施變跡加權(quán)。同樣，在第一、第三IDTlll、 113彼此鄰接的部分，也按 照距離第一、第三IDT111 、 113間的中心為等距離處的第一、第三IDT111 、 113的電極指的交叉寬度近似相同的方式，實施上述變跡加權(quán)。由此，能 夠進一步有效地抑制橫模脈動。
本實施方式中，通過上述變跡加權(quán)，可降低通頻帶內(nèi)的橫模寄生，從 而能夠得到插入損耗小的良好濾波特性。對此進行更具體的說明。
通過以下的方式，制造了具有圖l所示的電極構(gòu)造的本實施方式的聲 界面波濾波裝置100。
第一IDT111:包含狹窄間距電極指部的電極指的總數(shù)=35個、最小 交叉寬度部分的交叉寬度二28pm、最大交叉寬度部分的交叉寬度4(^m
第二、第三IDT112、 113:包含狹窄間距電極指部的電極指的總數(shù)= 19個、最小交叉寬度部分的交叉寬度^28pm、最大交叉寬度部分的交叉 寬度二40)im
第一、第二反射器114、 115:電極指的個數(shù)=25個 對于電極指的周期而言，在IDT111 113中，除了狹窄間距電極指部 之外為0.804|am，狹窄間距電極指部lllA、 lllB、 112A、 113A為0.739pm， 一個狹窄間距電極指部的電極指的個數(shù)為3個。而且，反射器114、 115 中的電極指的周期為0.797)am。在為了比較而準備的圖4所示的聲界面波濾波裝置600中，設(shè)
IDT611 613的交叉寬度為40|im。
其中，當(dāng)進行上述變跡加權(quán)時，在狹窄間距電極指部111A、 111B、 112A、 113A內(nèi)不實施變跡加權(quán)。g口，在狹窄間距電極指部中，交叉寬度 被設(shè)為上述最大交叉寬度。
圖4是表示用于比較而準備的現(xiàn)有聲界面波濾波裝置的電極構(gòu)造的示 意俯視圖。圖4所示的聲界面波濾波裝置600中，在輸入端子601與輸出 端子602之間形成有未圖示的電極構(gòu)造。即，除了不實施上述的變跡加權(quán) 之外，形成有與聲界面波濾波裝置100同樣的電極構(gòu)造。在第一 IDT611 的兩側(cè)配置有第二、第三IDT612、 613，在設(shè)置有IDT611 613的部分的 界面波傳播方向兩側(cè)設(shè)置有反射器614、 615。在聲界面波濾波裝置600 中也設(shè)置有狹窄間距電極指部611A、 611B、 612A、 613A。圖3表示如上 所述而制造的本實施方式的縱耦合諧振件型聲界面波濾波裝置的濾波特 性，圖5表示上述比較例的聲界面波濾波裝置的濾波特性。
根據(jù)圖5可知，現(xiàn)有的聲界面波濾波裝置600中，在作為通頻帶的PCS 接收頻帶的1930 1990MHz中大量出現(xiàn)大的脈動，通頻帶內(nèi)的最大插入 損耗大至4.2dB左右。
與之相對，根據(jù)圖3可知，在上述實施方式的縱耦合諧振件型聲界面 波濾波裝置100中，幾乎不出現(xiàn)因橫模引起的脈動，通頻帶內(nèi)的最大插入 損耗為1.7dB左右，能夠顯著減小插入損耗。
圖6是表示第二比較例的縱耦合諧振件型聲界面波濾波裝置的電極構(gòu) 造的示意俯視圖，圖7是表示第二比較例的聲界面波濾波裝置的濾波特性 的圖。
第二比較例的聲界面波濾波裝置200除了與聲界面波濾波裝置100不 同地實施了變跡加權(quán)之外，與聲界面波濾波裝置100同樣地構(gòu)成。
在第一IDT211及第二、第三IDT212、 213中，按照位于中央的電極 指的交叉寬度最大、越朝向IDT的端部交叉寬度越小的方式，對IDT211 213實施了變跡加權(quán)。在設(shè)置有IDT211 213的部分的兩側(cè)配置有反射器 214、 215。最大交叉寬度及最小交叉寬度的尺寸與聲界面波濾波裝置100 的情況相同。如圖7所示，聲界面波濾波裝置200與聲界面波濾波裝置600相比，可減少通頻帶內(nèi)的脈動，但在通頻帶中央的1960MHz附近出現(xiàn)了 由箭頭A表示的大的脈動。因此可知，通頻帶內(nèi)最大插入損耗惡化至2.2dB左右。
從而可知，需要如聲界面波濾波裝置100那樣，按照在狹窄間距電極 指部側(cè)的端部成為最大交叉寬度的方式實施變跡加權(quán)。
另外，本實施方式中優(yōu)選在IDT彼此鄰接的部分，對相鄰的IDT間的 中心，使兩側(cè)的IDT中的加權(quán)對稱。在聲界面波濾波裝置100中，對于 IDTlll的變跡加權(quán)而言，IDTlll的IDT112側(cè)的1/2部分的交叉寬度加權(quán) 與IDT112的交叉寬度加權(quán)相對IDT111、 112間的中心對稱形成。同樣， IDTlll的IDTU3側(cè)的1/2部分的變跡加權(quán)與IDT113的變跡加權(quán)相對 IDTlll、 113間的中心對稱。因此，能夠通過上述變跡加權(quán)更有效地進行 橫模的抑制，從而可以更有效地抑制通頻帶內(nèi)的橫模脈動。
另外，上述實施方式中對3IDT型的縱耦合諧振件型聲界面波濾波裝 置進行了說明，但也可以是在設(shè)置有第一 第三IDT的部分的聲界面波傳 播方向兩側(cè)分別配置有第四、第五IDT的5IDT型的縱耦合諧振件型聲界 面波濾波裝置。該情況下，第一、第二反射器被設(shè)置在設(shè)置有第一 第五 IDT的部分的聲界面波傳播方向兩側(cè)。而且，在5IDT型的縱耦合諧振件 型聲界面波濾波裝置的情況下，在第二、第四IDT相鄰的部分及第三、第 五IDT彼此相鄰的部分中，第二、第四IDT及第三、第五IDT分別具有 狹窄間距電極指部，在第四、第五IDT中實施了電極指交叉寬度沿著聲界 面波傳播方向依次變化的變跡加權(quán)，在第四、第五IDT中，按照第二、第 三IDT側(cè)的端部的電極指具有最大交叉寬度的方式實施變跡加權(quán)。而且， 該情況下，按照最大交叉寬度部分位于第四、第五IDT側(cè)的端部的方式， 對第二、第三IDT的第四、第五IDT側(cè)端部實施變跡加權(quán)。艮卩，與圖1 所示的第一 IDT同樣地對第二、第三IDT實施變跡加權(quán)。
這樣，通過在具有第一 第五IDT的5IDT型的縱耦合諧振件型聲界 面波濾波裝置中，也按照本發(fā)明實施變跡加權(quán)，可有效抑制通頻帶內(nèi)的橫 模的脈動。
另外，本發(fā)明不限定于圖1所示的一個3IDT型的縱耦合諧振件型聲 界面波濾波裝置100，也可以應(yīng)用在如圖8所示連接多個3IDT型縱耦合諧振件型聲界面波濾波裝置而成的具有平衡一不平衡變換功能的聲表面 波裝置中。圖8中，雖然IDT的構(gòu)造簡化成由在矩形部分中劃上X的記
號表示，但第一 第三IDT與縱耦合諧振件型聲界面波濾波裝置100的情 況同樣，具有狹窄間距電極指部、且與第一 第三IDT111 113同樣地被 施加了變跡加權(quán)。
圖8所示的聲界面波濾波裝置120中，在不平衡端子121與第一、第 二平衡端子122、 123之間連接有圖示的電極構(gòu)造。目卩，不平衡端子121 上借助單端口型聲界面波諧振件124連接有3個3IDT型縱耦合諧振件型 聲界面波濾波部125 127?？v耦合諧振件型聲界面波濾波部125 127是 與縱耦合諧振件型聲界面波濾波裝置100同樣構(gòu)成的3IDT型的縱耦合諧 振件型聲界面波濾波器。縱耦合諧振件型聲界面波濾波部125 127借助 相互并聯(lián)連接的單端口型聲界面波諧振件128、 129與第一平衡端子122 連接。
另一方面，不平衡端子121上借助單端口型聲界面波諧振件131連接 有3個3IDT型的縱耦合諧振件型聲界面波濾波部132 134。而且，3個 3IDT型的縱耦合諧振件型聲界面波濾波部132 134通過相互并聯(lián)連接的 單端口型聲界面波諧振件135、 136與第二平衡端子123連接。
在將不平衡端子121作為輸入端子時，按照相對于從第一平衡端子 122取出的輸出信號的相位，從第二平衡端子123取出的輸出信號的相位 相差180。的方式，調(diào)整縱耦合諧振件型聲界面波濾波部132 134的第一 第三IDT、和縱耦合諧振件型聲界面波濾波部125 127的第一 第三IDT 的相位。因此，在聲界面波濾波裝置120中可實現(xiàn)平衡一不平衡變換功能， 并且，根據(jù)本發(fā)明，由于在IDT彼此相鄰的部分具有狹窄間距電極指部、 且第一 第三IDT與聲界面波濾波裝置100同樣地被實施了變跡加權(quán)，所 以，能夠充分減小通頻帶內(nèi)的橫模脈動，且可以實現(xiàn)插入損耗的降低。
另外，作為壓電體，除了LiNb03之外，還可以使用LiTa03或水晶等 各種壓電單晶體或壓電陶瓷，而且，對于電介質(zhì)而言，也可以由Si02以外 的氧化硅或SiN等其他電介質(zhì)材料形成。電極材料也沒有特別的限定，可 以由層疊了多個金屬層的金屬膜形成包含IDT的電極膜。
此外，本發(fā)明不限于在聲界面波濾波裝置中的應(yīng)用，還能夠在壓電體的上面形成包含IDT的電極構(gòu)造而成的聲表面波濾波裝置中應(yīng)用，同樣可 抑制因橫模引起的脈動、降低插入損耗，由于和聲表面波濾波裝置相比， 在聲界面波濾波裝置中容易強烈出現(xiàn)橫模脈動，所以，本發(fā)明在聲界面波 濾波裝置中更有效果。
權(quán)利要求
1、一種彈性波濾波裝置，是利用了IDT-IDT間的諧振模式的縱耦合諧振件型彈性波濾波裝置，具有壓電體；配置在所述壓電體上的第一IDT；配置在第一IDT的彈性波傳播方向兩側(cè)的第二、第三IDT；和配置在設(shè)置有第一～第三IDT的部分的彈性波傳播方向兩側(cè)的第一、第二反射器；在彈性波傳播方向上IDT彼此相鄰的部分，從該IDT鄰接的IDT側(cè)的端部起，局部部分的電極指的周期比該IDT的剩余部分的電極指的周期短，由此，設(shè)置了電極指的周期相對小的狹窄間距電極指部，該彈性波濾波裝置對具有所述狹窄間距電極指部的第一～第三IDT實施了變跡加權(quán)，使得在除了狹窄間距電極指部的部分中電極指交叉寬度沿著彈性波傳播方向依次變化、且位于狹窄間距電極指部的端部的部分具有最大的電極指交叉寬度。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波濾波裝置，其特征在于， 在所述第一 IDT中，按照第一 IDT的彈性波傳播方向中央的交叉寬度最小、最大交叉寬度部分位于第一 IDT的被施加了變跡加權(quán)的部分的第二 IDT側(cè)的端部及第三IDT側(cè)的端部的方式，實施了所述變跡加權(quán)，由此， 由變跡加權(quán)形成的一對包絡(luò)線所包圍的部分具有鼓狀的形狀。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的彈性波濾波裝置，其特征在于， 按下述方式實施了變跡加權(quán)，艮P:最大交叉寬度部分位于所述第二 IDT的被施加了變跡加權(quán)的部分的 所述第一 IDT側(cè)的端部，最小交叉寬度部分位于所述第二 IDT的被施加了 變跡加權(quán)的部分的第一反射器側(cè)的端部，交叉寬度從最大交叉寬度朝向最 小交叉寬度依次減少，且最大交叉寬度部分位于所述第三IDT的被施加了變跡加權(quán)的部分 的所述第一 IDT側(cè)的端部，最小交叉寬度部分位于所述第三IDT的被施加 了變跡加權(quán)的部分的第二反射器側(cè)的端部，交叉寬度從最大交叉寬度朝向 最小交叉寬度依次減少。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任意一項所述的彈性波濾波裝置，其特征在于，在所述第一、第二 IDT鄰接的部分中，按照位于距所述第一、第二 IDT間的中心等距離的位置的第一、第二 IDT的電極指的交叉寬度近似相同的方式實施了所述變跡加權(quán)，在所述第一、第三IDT鄰接的部分中，按照位于距第一、第三IDT 間的中心等距離的位置的第一、第三IDT的電極指的交叉寬度近似相同的 方式實施了所述變跡加權(quán)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的彈性波濾波裝置，其特征在于， 在設(shè)置有所述第一 第三IDT的部分的彈性波傳播方向兩側(cè)分別配置有第四、第五IDT，在設(shè)置有所述第一 第五IDT的部分的彈性波傳播 方向兩側(cè)配置有所述第一、第二反射器。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的彈性波濾波裝置，其特征在于， 在所述第二 IDT中，按照第二 IDT的彈性波傳播方向中央的交叉寬度最小、最大交叉寬度部分位于第二 IDT的被施加了變跡加權(quán)的部分的第四 IDT側(cè)的端部及第一IDT側(cè)的端部的方式，實施了所述變跡加權(quán)，由此， 由變跡加權(quán)形成的一對包絡(luò)線所包圍的部分具有鼓狀的形狀。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的彈性波濾波裝置，其特征在于， 在所述第三IDT中，按照第三IDT的彈性波傳播方向中央的交叉寬度最小、最大交叉寬度部分位于第三IDT的被施加了變跡加權(quán)的部分的第一 IDT側(cè)的端部及第五IDT側(cè)的端部的方式，實施了所述變跡加權(quán)，由此， 由變跡加權(quán)形成的一對包絡(luò)線所包圍的部分具有鼓狀的形狀。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5 7中任意一項所述的彈性波濾波裝置，其特征在于，在所述第二IDT與所述第四IDT相鄰的部分，第二、第四IDT分別 具有狹窄間距電極指部，在所述第三、第五IDT相鄰的部分，第三、第五 IDT分別具有狹窄間距電極指部，在第四、第五IDT中，對除了狹窄間距 電極指部的部分，實施了電極指交叉寬度沿著彈性波傳播方向依次變化的 變跡加權(quán)，第四、第五IDT的被實施了變跡加權(quán)的部分的所述第二、第三 IDT側(cè)的端部的電極指具有最大的交叉寬度。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1 8中任意一項所述的彈性波濾波裝置，其特征在于，還具備層疊在所述壓電體上的電介質(zhì)層，利用所述聲界面波作為所述 彈性波。
10、根據(jù)權(quán)利要求1 8中任意一項所述的彈性波濾波裝置，其特征 在于，利用聲表面波作為所述彈性波。
全文摘要
本發(fā)明提供一種利用了IDT-IDT間諧振模式、且能夠進一步降低損耗的縱耦合諧振件型彈性波濾波裝置(100)。在利用了IDT-IDT間的諧振模式的縱耦合諧振件型彈性波濾波裝置中，對具有狹窄間距電極指部(111A、111B、112A、113A)的第一～第三IDT(111～113)，按照除了狹窄間距電極指部之外，電極指交叉寬度沿著彈性波傳播方向依次變化、且位于狹窄間距電極指部(111A、111B、112A、113A)的IDT端部的部分具有最大的電極指交叉寬度的方式，實施了變跡加權(quán)。
文檔編號H01L41/09GK101517894SQ20078003545
公開日2009年8月26日 申請日期2007年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月28日
發(fā)明者矢田優(yōu), 藤井裕久 申請人:株式會社村田制作所