于期間P52、P54、P56及P58所傳送的電能為依序提聞。
[0056]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，期間P51、P53、P55及P57的時(shí)間長(zhǎng)度可設(shè)定為完全相同，但在其他實(shí)施例，期間P51、P53、P55及P57的時(shí)間長(zhǎng)度可設(shè)定為完全不同，例如期間P51、P53、P55及P57的時(shí)間長(zhǎng)度依序增加。
[0057]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，期間P52、P54、P56及P58的時(shí)間長(zhǎng)度可設(shè)定為完全相同，但在其他實(shí)施例，期間P52、P54、P56及P58的時(shí)間長(zhǎng)度可設(shè)定為完全不同，例如期間P52、P54、P56及P58的時(shí)間長(zhǎng)度依序增加。
[0058]在本實(shí)施例中，各個(gè)寫入組合SETl?SET4的波形類似圖3實(shí)施例所示驅(qū)動(dòng)波形(即寫入信號(hào)WRb所示波形)，但在其他實(shí)施例中，各個(gè)寫入組合SETl?SET4的波形可使用圖2實(shí)施例所示的驅(qū)動(dòng)波形(即寫入信號(hào)WRa所示波形)，但本發(fā)明實(shí)施例不以此為限。
[0059]圖6為依據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的寫入信號(hào)的驅(qū)動(dòng)波形示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1、圖2及圖6,其中相同或相似兀件使用相同或相似標(biāo)號(hào)。在本實(shí)施中，期間P62及P63中寫入信號(hào)WRd的波形分別類似期間P21及P22中寫入信號(hào)WRa的波形，其中寫入電壓LW3可相同或不同于寫入電壓LW1，但本發(fā)明實(shí)施例不以此為限。并且，寫入信號(hào)WRd于期間P61?P63的波形可視為一寫入組合(如SETl?SET4)。
[0060]在本實(shí)施例中，寫入信號(hào)WRd還包括期間P61 (對(duì)應(yīng)第五期間)，并且在期間P61中，會(huì)通過(guò)設(shè)定寫入信號(hào)WRd由接地電壓(亦即電壓O)上升至寫入電壓LW3以傳送電能(對(duì)應(yīng)第五電能)至可變阻抗元件VRE。其中，寫入信號(hào)WRd于期間P61所傳送的電能(對(duì)應(yīng)于寫入電壓LW3與期間P61的時(shí)間長(zhǎng)度的乘積的一半)小于寫入信號(hào)WRd于期間P62所傳送的電能(對(duì)應(yīng)于寫入電壓LW3與期間P62的時(shí)間長(zhǎng)度的乘積)。
[0061]圖7為依據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的寫入信號(hào)的驅(qū)動(dòng)波形示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1、圖3及圖7，其中相同或相似元件使用相同或相似標(biāo)號(hào)。在本實(shí)施中，期間P72及P73中寫入信號(hào)WRe的波形分別類似期間P31及P32中寫入信號(hào)WRb的波形，其中寫入電壓LW4可相同或不同于寫入電壓LW2，維持電壓LW3可相同或不同于維持電壓LM1，但本發(fā)明實(shí)施例不以此為限。并且，寫入信號(hào)WRe于期間P71?P73的波形可視為一寫入組合(如SETl?SET4)。
[0062]在本實(shí)施例中，寫入信號(hào)WRe還包括期間P71 (對(duì)應(yīng)第五期間)，并且在期間P71中，會(huì)通過(guò)設(shè)定寫入信號(hào)WRe為維持電壓LM2以傳送電能(對(duì)應(yīng)第五電能)至可變阻抗元件VRE。其中，寫入信號(hào)WRe于期間P71所傳送的電能(對(duì)應(yīng)于為維持電壓LM2與期間P71的時(shí)間長(zhǎng)度的乘積)小于寫入信號(hào)WRe于期間P72所傳送的電能(對(duì)應(yīng)于寫入電壓LW4與期間P72的時(shí)間長(zhǎng)度的乘積)。
[0063]在本實(shí)施例中，維持電壓LM2等于寫入電壓LW4的一半(即1/2倍)，并且期間P71不相鄰于期間P72，以及期間P71的時(shí)間長(zhǎng)度等于期間P72的時(shí)間長(zhǎng)度，但在其他實(shí)施例中，維持電壓LM2可等于寫入電壓LW4的1/3?2/3倍，并且期間P71可相鄰于期間P72，以及期間P71的時(shí)間長(zhǎng)度可等于期間P72的時(shí)間長(zhǎng)度的0.5?3倍，但本發(fā)明實(shí)施例不以此為限。此外，期間P71與P72的間隔可設(shè)定為小于期間P72的時(shí)間長(zhǎng)度，但此為依據(jù)測(cè)試環(huán)境而定，本發(fā)明實(shí)施例不以此為限。
[0064]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，在寫入電壓的期間后，寫入信號(hào)仍傳送能量至可變阻抗元件，以延長(zhǎng)可變阻抗元件中的氧離子的移動(dòng)時(shí)間，增加絲狀導(dǎo)電路徑的形成并減緩熱化學(xué)效應(yīng)產(chǎn)生的高溫對(duì)絲狀導(dǎo)電路徑的影響。
[0065]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的變動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視附屬的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中該電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元包括串接的一可變阻抗元件及一開關(guān)元件，包括: 當(dāng)該開關(guān)元件導(dǎo)通時(shí)，提供一寫入信號(hào)至該可變阻抗元件以設(shè)定該可變阻抗元件的阻抗值； 在一第一期間，設(shè)定該寫入信號(hào)為一第一寫入電壓以傳送一第一電能至該可變阻抗兀件；以及 在一第二期間，通過(guò)該寫入信號(hào)傳送一第二電能至該可變阻抗元件，其中該第二期間位于該第一期間之后，該第一電能及該第二電能大于零，且該第二電能小于該第一電能。2.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，還包括: 在該第二期間，設(shè)定該寫入信號(hào)由該第一寫入電壓遞減至一接地電壓。3.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，還包括: 在該第二期間，設(shè)定該寫入信號(hào)為一第一維持電壓。4.如權(quán)利要求3所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中該第一維持電壓等于該第一寫入電壓的1/3?2/3倍。5.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中該第二期間的時(shí)間長(zhǎng)度等于該第一期間的時(shí)間長(zhǎng)度的0.5?3倍。6.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，還包括: 在多個(gè)第三期間，依序設(shè)定該寫入信號(hào)為多個(gè)第二寫入電壓以依序傳送多個(gè)第三電能至該可變阻抗元件，該些第三期間位于該第二期間之后；以及 在多個(gè)第四期間，通過(guò)該寫入信號(hào)依序傳送多個(gè)第四電能至該可變阻抗元件，其中該些第四期間分別位于該些第三期間其一之后，該些第三電能及該些第四電能大于零，且各該些第四電能小于對(duì)應(yīng)的第三期間中該寫入信號(hào)所傳送的該第三電能。7.如權(quán)利要求6所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中該第一寫入電壓及該些第二寫入電壓彼此相同。8.如權(quán)利要求6所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中該第一寫入電壓及該些第二寫入電壓彼此不同。9.如權(quán)利要求8所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中該第一寫入電壓及該些第二寫入電壓依序提高。10.如權(quán)利要求6所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中該第二電能及該些第四電能彼此相同。11.如權(quán)利要求6所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中該第二電能及該些第四電能彼此不同。12.如權(quán)利要求11所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中該第二電能及該些第四電能依序提聞。13.如權(quán)利要求6所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中該第一期間及該些第三期間的時(shí)間長(zhǎng)度彼此相同。14.如權(quán)利要求6所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中該第一期間及該些第三期間的時(shí)間長(zhǎng)度彼此不同。15.如權(quán)利要求14所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中該第一期間及該 些第三期間的時(shí)間長(zhǎng)度依序增加。
【專利摘要】一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的工作方法，其中電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元包括串接的一可變阻抗元件及一開關(guān)元件。工作方法包括下列步驟。當(dāng)開關(guān)元件導(dǎo)通時(shí)，提供一寫入信號(hào)至可變阻抗元件以設(shè)定可變阻抗元件的阻抗值。在一第一期間，設(shè)定寫入信號(hào)為一第一寫入電壓以傳送一第一電能至可變阻抗元件。在一第二期間，通過(guò)寫入信號(hào)傳送一第二電能至可變阻抗元件，其中第二期間位于第一期間之后，第一電能及第二電能大于零，且第二電能小于第一電能。
【IPC分類】G11C13/00
【公開號(hào)】CN105225691
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410316844
【發(fā)明人】何家驊, 廖紹憬, 王炳琨, 林孟弘
【申請(qǐng)人】華邦電子股份有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請(qǐng)日】2014年7月4日