技術特征：

技術總結
一種靜態(tài)隨機存取存儲器陣列、追蹤單元以及陣列配置方法。其中，靜態(tài)隨機存取存儲器陣列包括可寫入靜態(tài)隨機存取存儲器單元以及靜態(tài)隨機存取存儲器讀取電流追蹤單元。可寫入靜態(tài)隨機存取存儲器單元以及靜態(tài)隨機存取存儲器讀取電流追蹤單元設置于靜態(tài)隨機存取存儲器陣列的第一列中。靜態(tài)隨機存取存儲器讀取電流追蹤單元包括第一讀取下拉晶體管以及第一讀取通道閘晶體管。第一讀取下拉晶體管包括第一柵極、第一源極/漏極以及第二源極/漏極。第一讀取通道閘晶體管包括第三源極/漏極以及第四源極/漏極。讀取追蹤位元線電性連接至讀取感測放大器時序控制電路。本發(fā)明可提高靜態(tài)隨機存取存儲器的效率。

技術研發(fā)人員：廖忠志
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.08.02
技術公布日：2017.08.08