專利名稱：磁性隨機存取存儲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁性隨機存取存儲器、磁性隨機存取存儲器設(shè)備、用于配置磁性隨機存取存儲器的方法以及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在嵌入式系統(tǒng)和電池供電設(shè)備領(lǐng)域中，很多時候采用包括片上存儲器結(jié)構(gòu)的處理器芯片。在例如移動電話的情況下，這樣的設(shè)備通常包含微處理器或微控制器以及數(shù)字信號處理器(DSP)，其中它們兩者均可包括它們自己的存儲器結(jié)構(gòu)。這樣的片上存儲器結(jié)構(gòu)通常包括ROM結(jié)構(gòu)以及RAM結(jié)構(gòu)，特別是SRAM結(jié)構(gòu)。片上ROM被選擇用于像存儲因例如安全原因而必須不再可改變的數(shù)據(jù)或代碼那樣的片上應(yīng)用，對于支持安全啟動特征的啟動R0M，情況就是這樣的。片上ROM結(jié)構(gòu)還可以被用于穩(wěn)定且無需被改變或更新的明確定義的信號 處理核心算法。另一方面，片上SRAM結(jié)構(gòu)例如被選擇用于起用于讀和寫數(shù)據(jù)或者用于可能需要被改變或更新的某些其他數(shù)據(jù)或代碼的工作存儲器的作用。一個重要的方面在于，在這些片上存儲器中，提供了對片上SRAM或ROM明確定義的劃分，使得某些區(qū)域被預(yù)定義為SRAM區(qū)域和ROM區(qū)域。這種預(yù)定義的劃分以及SRAM和ROM存儲器的大小以后在不重置(re-spin)半導(dǎo)體芯片的情況下不能被改變。另一方面，可能出現(xiàn)期望具有靈活地擴展或取代SRAM和/或ROM存儲器的可能性的情形。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種磁性隨機存取存儲器，其中所述磁性隨機存取存儲器被配置為讀/寫存儲器，并且所述磁性隨機存取存儲器的至少第一區(qū)段被配置為轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。本發(fā)明還提供了一種磁性隨機存取存儲器設(shè)備，其包括磁性隨機存取存儲器，其被配置為讀/寫存儲器，以及轉(zhuǎn)換電路，其被配置為將所述磁性隨機存取存儲器的至少第一區(qū)段轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。本發(fā)明還提供了一種數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其包括處理單元，磁性隨機存取存儲器，以及總線系統(tǒng)，所述總線系統(tǒng)將所述處理單元和所述磁性隨機存取存儲器相互連接。本發(fā)明還提供了一種用于重新配置磁性隨機存取存儲器的方法，其包括將所述磁性隨機存取存儲器配置為讀/寫存儲器，以及將所述磁性隨機存取存儲器的至少第一區(qū)段轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。


附圖被包括以提供對實施例的進(jìn)一步理解，并且附圖被并入本說明書而且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖示意了實施例并且與說明一起被用于解釋實施例的原理。其他實施例以及實施例的許多預(yù)計的優(yōu)點將會容易地被領(lǐng)會，因為通過參照以下詳細(xì)說明它們會變得更好理解。附圖中的元件不一定相對于彼此按比例繪制。相似的參考標(biāo)號表示對應(yīng)的相似部分。圖I示出按照一個實施例的磁性隨機存取存儲器的示意框圖表示。圖2a、圖2b和圖2c分別示出按照一個實施例的磁性隨機存取存儲器的示意框圖表不。圖3示出按照一個實施例的磁性隨機存取存儲器的示意框圖表示。圖4示出按照一個實施例的磁性隨機存取存儲器的示意框圖表示。圖5示出按照一個實施例的磁性隨機存取存儲器的示意框圖表示。圖6示出按照一個實施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的示意框圖表示。圖7示出按照一個實施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的示意框圖表示。
具體實施例方式現(xiàn)在參照附圖來描述各個方面和實施例，其中相似的參考標(biāo)號一般被用于通篇表示相似的元件。為了解釋的目的，在以下說明中闡述了大量具體細(xì)節(jié)，以便提供對實施例的一個或多個方面的透徹理解。但是，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的是，可采用更小程度的具體細(xì)節(jié)來實踐實施例的一個或多個方面。在其他情況下，已知結(jié)構(gòu)和元件以示意形式示出，以便于描述實施例的一個或多個方面。應(yīng)理解的是，可利用其他實施例并且可進(jìn)行結(jié)構(gòu)或邏輯上的改變而不背離本發(fā)明的范圍。還應(yīng)注意的是，附圖不按比例繪制或者不一定要按比例繪制。另外，雖然可僅相對于若干實現(xiàn)中的一種來公開一個實施例的特定特征或方面，但這樣的特征或方面可與對于任何給定或特定應(yīng)用可能是期望的并且有利的其他實現(xiàn)的一個或多個其他特征或方面相結(jié)合。此外，就在詳細(xì)說明或權(quán)利要求中使用術(shù)語“包括”、“具有”、“帶有”或它們的其他變體的程度而言，這樣的術(shù)語旨在以與術(shù)語“包含”相似的方式全部包括(inclusive)?？墒褂眯g(shù)語“耦合”和“連接”及其派生。應(yīng)理解的是，這些術(shù)語可被用于指示兩個元件配合操作或者彼此交互，而與它們是處于直接的物理或電接觸還是它們彼此沒有直接接觸無關(guān)。另外，術(shù)語“示例性的”僅意指作為示例而不是最好或最佳的。因此，以下詳細(xì)說明不應(yīng)從限制性的意義上來理解，并且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來限定。磁性隨機存取存儲器(MRAM)是一種包括并且利用鐵磁材料來存儲信息的存儲設(shè)備。MRAM例如能夠起用于讀和寫信息的存儲設(shè)備的作用，其依靠形成多層鐵磁薄膜并且感測取決于相應(yīng)薄膜的磁化方向的電流變化。MRAM中的數(shù)據(jù)存儲例如能夠通過使用巨磁阻(GMR)現(xiàn)象來實現(xiàn)。GMR設(shè)備依靠發(fā)生于在其之間有非磁性層的兩個磁性層的自旋方向不同時的阻抗變化。按照另一個示例，MRAM中的數(shù)據(jù)存儲還能夠通過其中自旋影響電子傳輸?shù)淖孕龢O化磁傳輸(SPMT)來實現(xiàn)。SPMT技術(shù)利用這樣的現(xiàn)象即當(dāng)自旋方向在兩個磁性層中一致時，更大的電流被傳輸，其中在所述兩個磁性層之間有絕緣層。典型地，SRAM存儲器的特征在于，其無需周期性地刷新。它使用雙穩(wěn)態(tài)鎖存電路來存儲每個比特。通常，SRAM中的每個比特被存儲在形成兩個交叉耦合的倒相器的四個晶體管上。典型地，ROM存儲器由例如其內(nèi)容由集成電路制造商編程的掩模型ROM所提供的非易失性存儲器表征，其中芯片的區(qū)域在光刻工藝期間被掩蔽。ROM的功能例如是存儲程序代碼及其他非易失性數(shù)據(jù)。ROM中所存儲的數(shù)據(jù)不能被修改，或者只能緩慢地或困難地被修改，因此它主要被用于分配固件，即與具體硬件非常緊密地綁定的軟件。參照圖1，其中示出了按照一個實施例的磁性隨機存取存儲器的示意框圖表示。圖I的磁性隨機存取存儲器(MRAM) 10被配置為讀/寫存儲器，并且MRAM 10的至少第一區(qū)段11可轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。按照圖I的MRAM 10的一個實施例，如圖I所示，MRAM 10還包括不可轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的第二區(qū)段12。但是，第二區(qū)段12事實上能夠?qū)嵸|(zhì)為零，這意味著MRAM 10僅由第一區(qū)段11組成，使得事實上整個MRAM 10可轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。另一方面，對于已生產(chǎn)并且交付給客戶的MRAM 10，還可能的是MRAM 10包 括可轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的第一區(qū)段11和已處于只讀存儲器狀態(tài)的第二區(qū)段12，該第二區(qū)段12具有由制造商存儲在其中的可擦除或不可擦除的數(shù)據(jù)。作為其另外的實施例，還可能的是MRAM 10包括不可轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的第三區(qū)段。按照圖I的MRAM 10的一個實施例，第一區(qū)段11被分成可單獨地轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的多個子區(qū)段。所述子區(qū)段可包括以比特或字節(jié)為單位測量的預(yù)先確定的存儲容量。按照圖I的MRAM 10的一個實施例，第一區(qū)段11或其子區(qū)段可以可逆方式轉(zhuǎn)換成只讀存儲器，這意味著已轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的那些子區(qū)段能夠在任何期望的時間轉(zhuǎn)換回讀/寫存儲器。按照圖I的MRAM 10的另一個實施例，子區(qū)段可以不可逆方式轉(zhuǎn)換成只讀存儲器，使得子區(qū)段不能轉(zhuǎn)換回讀/寫存儲器。按照圖I的MRAM 10的一個實施例，第一區(qū)段11或其子區(qū)段可通過轉(zhuǎn)換電路來轉(zhuǎn)換。下面將進(jìn)一步描述這樣的轉(zhuǎn)換電路的示例。按照一個實施例，第一區(qū)段11或其子區(qū)段與轉(zhuǎn)換電路連接。參照圖2a、圖2b和圖2c，其中分別示出了磁性隨機存取存儲器的實施例的示意框圖表示。圖2a、圖2b和圖2c所示的實施例各自示出或者處于MRAM被生產(chǎn)并且交付給客戶時所處的狀態(tài)的MRAM或者處于MRAM在客戶已對MRAM進(jìn)行了一次或多次重新配置之后所取的狀態(tài)的MRAM。圖2a、圖2b和圖2c的所有實施例分別示出具有第一存儲區(qū)段和第二存儲區(qū)段的MRAM，其中第一存儲器由讀/寫存儲器組成并且第二存儲區(qū)段由只讀存儲器組成。按照圖2a、圖2b和圖2c的MRAM的一個實施例，第一存儲區(qū)段或其至少一個部分可轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。按照其一個實施例，該轉(zhuǎn)換或者是可逆的或者是不可逆的，這意味著已轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的部分或者能夠轉(zhuǎn)換回讀/寫存儲器，或者其不能轉(zhuǎn)換回讀/寫存儲器。按照圖2a、圖2b和圖2c的MRAM的一個實施例，MRAM還包括轉(zhuǎn)換電路，該轉(zhuǎn)換電路被配置為將第一存儲區(qū)段的至少一個子區(qū)段轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。按照其一個實施例，該轉(zhuǎn)換電路能夠被設(shè)置成使得轉(zhuǎn)換或者是可逆或者是不可逆的。下面將進(jìn)一步描述轉(zhuǎn)換電路的示例。下面將更詳細(xì)地解釋圖2a、圖2b和圖2c的實施例。應(yīng)說明的是，在所有實施例中，存儲區(qū)段表征為RAM/R0M應(yīng)用意指相應(yīng)的存儲區(qū)段暫時被用作RAM/R0M存儲器，但是RAM能夠轉(zhuǎn)換成R0M，并且ROM能夠轉(zhuǎn)換成RAM。參照圖2a，其中示出了按照一個實施例的磁性隨機存取存儲器(MRAM)的示意框圖表示。MRAM 20包括被配置為讀/寫存儲器(RW-MRAM)的第一存儲區(qū)段21，第一存儲區(qū)段21包括第一存儲區(qū)段容量。MRAM 20還包括被配置為只讀存儲器(RO-MRAM)的第二存儲區(qū)段22，第二存儲區(qū)段22包括第二存儲區(qū)段容量。第一和第二存儲區(qū)段容量是可變的，因為第一存儲區(qū)段21的部分可轉(zhuǎn)換成只讀存儲器，使得已轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的那些部分變成第二存儲區(qū)段22的部分。在第一存儲區(qū)段21與第二存儲器22之間存在嚴(yán)格的分割線，如粗印刷線所指示的那樣。如由起始于這條線并且指向第一存儲區(qū)段21的箭頭進(jìn)一步指示的那樣，第一存儲區(qū)段21的部分轉(zhuǎn)換成只讀存儲器是不可逆的，這意味著已轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的那些部分不能轉(zhuǎn)換回讀/寫存儲器。這個概念旨在針對要求在MRAM 20中實現(xiàn)安全(即不可逆)的只讀區(qū)段的應(yīng)用。因為MRAM 20通常不具有那種性質(zhì)，所以必須提供額外的或擴展的功能。已生產(chǎn)或已交付的MRAM的默認(rèn)操作模式是讀/寫操作模式。MRAM進(jìn)而能夠遞增地被改變?yōu)橹蛔x操作模式。一旦一個部分以這樣的方式被改變，則在圖2a的實施例中其不能被逆轉(zhuǎn)回讀/寫操作模式。MRAM能夠根據(jù)需要逐漸被增加并且這可使用相同版本的芯片在不同時間點發(fā)生。 參照圖2b，其中示出了按照一個實施例的磁性隨機存取存儲器的示意框圖表示。圖2b的MRAM 30包括被配置為讀/寫存儲器(RW-MRAM)的第一存儲區(qū)段31，第一存儲區(qū)段31包括第一存儲區(qū)段容量。MRAM 30還包括被配置為只讀存儲器的第二存儲區(qū)段32，第二存儲區(qū)段32包括第二存儲區(qū)段容量。第一和第二存儲區(qū)段容量是可變的，因為第一存儲區(qū)段31的部分可轉(zhuǎn)變成只讀存儲器，使得那些部分變成第二存儲區(qū)段32的部分。在第一存儲區(qū)段31與第二存儲區(qū)段32之間也存在分割線。但是，按照這個實施例并且如雙箭頭所指示的那樣，第一存儲區(qū)段31的部分向只讀存儲器的轉(zhuǎn)換是可逆的，使得第二存儲區(qū)段32的部分還能夠轉(zhuǎn)換回讀/寫存儲器。第二存儲區(qū)段32在初始的或已生產(chǎn)的MRAM 30中可能實質(zhì)為零。這個概念旨在針對不要求在MRAM結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)安全區(qū)段(即嚴(yán)格地不可重寫的區(qū)段)，而是以在RAM與ROM區(qū)域之間進(jìn)行完全靈活的劃分為目標(biāo)的應(yīng)用。第二存儲區(qū)段32的內(nèi)容仍然能夠在任何期望的時刻被改變。對于代碼補丁不需要額外的機制，從而為補丁存儲器(patch memory)的修補和節(jié)省產(chǎn)生更少的開發(fā)工作量。參照圖2c，其中示出了按照一個實施例的磁性隨機存取存儲器的示意框圖表示。圖2c的MRAM 40包括被配置為讀/寫存儲器的第一存儲區(qū)段41，第一存儲區(qū)段41包括第一存儲區(qū)段容量。MRAM 40還包括第二存儲區(qū)段42，第二存儲區(qū)段42包括第二存儲區(qū)段容量。第一和第二存儲區(qū)段容量是可變的，因為第二存儲區(qū)段包括第一子區(qū)段42. I和第二子區(qū)段42. 2。第二子區(qū)段42. 2和第一存儲區(qū)段41是可變的，因為第一存儲區(qū)段41的部分可以可逆方式轉(zhuǎn)換成只讀存儲器，這意味著第一存儲區(qū)段41的那些部分能夠轉(zhuǎn)換回讀/寫存儲器。但是，只有第二存儲區(qū)段42的第二子區(qū)段42. 2才能夠轉(zhuǎn)換成讀/寫存儲器，這意味著第二存儲區(qū)段42的第一子區(qū)段42. I不能轉(zhuǎn)換成讀/寫存儲器。第二子區(qū)段42. 2在初始的或已生產(chǎn)的MRAM 40中可能實質(zhì)為零。參照圖3，其中示出了按照一個實施例的磁性隨機存取存儲器(MRAM)設(shè)備的示意框圖表示。圖3的磁性隨機存取存儲器設(shè)備50包括磁性隨機存取存儲器(MRAM) 51以及被配置為將MRAM 51的至少一個部分轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的轉(zhuǎn)換電路。按照MRAM設(shè)備50的一個實施例，轉(zhuǎn)換電路52被配置為以可逆方式來轉(zhuǎn)換所述至少一個部分，使得該至少一個部分始終能夠轉(zhuǎn)換回讀/寫存儲器。按照MRAM設(shè)備50的另一個實施例，轉(zhuǎn)換電路52被配置為以不可逆方式轉(zhuǎn)換所述至少一個部分，使得該至少一個部分不能轉(zhuǎn)換回讀/寫存儲器。按照MRAM設(shè)備50的一個實施例，MRAM設(shè)備50包括至少一根寫線，并且轉(zhuǎn)換電路52包括與寫線電連接或者電連接在寫線內(nèi)的熔絲。更具體地，寫線的第一區(qū)段與熔絲的輸入連接，并且寫線的第二區(qū)段與熔絲的輸出以及與MRAM 51的輸入連接，使得熔絲集成在寫線內(nèi)并且燒斷熔絲意味著中斷寫線，使得寫線不再能夠向MRAM 51傳輸任何電信號。這樣的實施例是向只讀存儲器的不可逆轉(zhuǎn)換的示例。按照MRAM設(shè)備50的一個實施例，轉(zhuǎn)換電路52包括存儲介質(zhì)，存儲介質(zhì)存儲了關(guān)于MRAM 51的特定部分是否能夠被寫入的信息。按照其一個實施例，轉(zhuǎn)換電路52的存儲介質(zhì)包括多個比特位置，其中所述比特位置中的每一個與MRAM 51的一個部分關(guān)聯(lián)。特別地，存儲在一個比特位置上的二進(jìn)制值確定MRAM 51的關(guān)聯(lián)部分是否能夠被寫入。在實踐中，相應(yīng)的比特位置可被讀出并且提供給也與寫線連接的邏輯電路。這樣的實施例是向只讀存儲器的可逆轉(zhuǎn)換的示例。·
按照MRAM設(shè)備50的一個實施例，MRAM 51包括第一和第二存儲區(qū)段，其中第一和第二存儲區(qū)段的存儲容量是可變的，特別是相對于彼此可變。按照一個實施例，第一存儲區(qū)段包括第一存儲區(qū)段容量，而第二存儲區(qū)段包括第二存儲區(qū)段容量，并且第一和第二存儲區(qū)段容量以相反方式可變，這意味著第一存儲區(qū)段容量的增加伴隨著第二存儲區(qū)段容量的減少，其中特別地，第一存儲區(qū)段容量的增加量等于第二存儲區(qū)段容量的減少量。按照另一個實施例，第一和第二存儲區(qū)段容量之和是不變的，其中特別地，MRAM 51的總存儲容量對應(yīng)于第一和第二存儲區(qū)段容量之和。參照圖4，其中示出了按照一個實施例的磁性隨機存取存儲器的示意框圖表示。圖4的磁性隨機存取存儲器(MRAM) 60包括可轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的第一存儲區(qū)段61以及不可轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的第二存儲區(qū)段62。第一存儲區(qū)段61被分成多個具有只讀能力的區(qū)段61.1。第一存儲區(qū)段61被分成多個具有RO能力的區(qū)段61. I。MRAM 60與寫信號線64連接，其中寫信號線64與第二存儲區(qū)段62直接連接，并且在一個實施例中寫信號線64包括經(jīng)由中間的寫禁止元件63與第一存儲區(qū)段61的具有RO能力的區(qū)段61. I連接的多根線。更具體地，寫信號線64與寫禁止元件63中的一個的輸入連接，并且寫禁止元件63的輸出與第一存儲區(qū)段61的一個具有RO能力的區(qū)段61. I的輸入連接。寫禁止元件63例如能夠通過熔絲來實現(xiàn)。熔絲中的每一個能夠單獨被尋址并且通過向其提供超過某個閾值的電流而將其燒斷。當(dāng)熔絲被燒斷時，寫信號線64相對于該區(qū)段61. I不可逆地被中斷，使得隨著在寫線64上所傳輸?shù)娜魏螌懶盘柖急恢袛嗟膶懢€有效地阻斷或門控(gated)，相應(yīng)關(guān)聯(lián)的具有RO能力的區(qū)段61. I不可逆地轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。參照圖5，其中示出了按照一個實施例的磁性隨機存取存儲器的示意框圖表示。圖5的磁性隨機存取存儲器(MRAM) 70包括被配置為讀/寫存儲器的存儲區(qū)段71以及被配置為將存儲區(qū)段71的至少一個部分轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的轉(zhuǎn)換電路72。存儲區(qū)段71被分成多個子區(qū)段71. I。轉(zhuǎn)換電路72包括存儲介質(zhì)72. 1，該存儲介質(zhì)72. I包括多個比特位置，這些比特位置中的每一個與存儲區(qū)段71的一個子區(qū)段71. I關(guān)聯(lián)。存儲介質(zhì)72. I及其單獨的比特位置與讀出線72. 2連接，該讀出線72. 2與邏輯設(shè)備72. 3的第一輸入連接。寫信號線74與邏輯設(shè)備72. 3的第二輸入連接。邏輯設(shè)備72. 3的輸出與MRAM設(shè)備70的單獨的子區(qū)段71. I連接。邏輯設(shè)備72. 3以這樣的方式起作用即使得向邏輯設(shè)備72. 3的第一輸入施加例如“I”的第一二進(jìn)制值具有向第二輸入所施加的任何信號都被一直饋送到邏輯設(shè)備72. 3的輸出的效果，并且向第一輸入施加例如“O”的第二二進(jìn)制值具有向第二輸入所施加的任何信號都被阻斷使得在邏輯設(shè)備72. 3的輸出上不存在信號的效果。如果第一存儲區(qū)段71的任意子區(qū)段71. I要轉(zhuǎn)換成只讀存儲器，則存儲介質(zhì)72. I的關(guān)聯(lián)的比特位置被設(shè)置為“O”。假定尋址到這個特定子區(qū)段的寫信號到達(dá)邏輯設(shè)備72. 3的第二輸入，則與這個特定子區(qū)段關(guān)聯(lián)的比特位置的讀出比特“O”被施加至邏輯設(shè)備72. 3的第一輸入。因此，由于邏輯設(shè)備72. 3的功能，在寫信號線74上所提供的信號被有效地阻斷。另一方面，如果“I”被存儲在存儲介質(zhì)72. I的與第一存儲區(qū)段71的某個其他子區(qū)段71. I關(guān)聯(lián)的比特位置上，則在寫信號線74上所提供的信號將由邏輯設(shè)備72. 3有效地傳遞至相應(yīng)的子區(qū)段71. 1，使得在寫信號線74上所提供的數(shù)據(jù)能夠被寫入相應(yīng)的子區(qū)段71. I。因此，只要“I”被存儲在存儲介質(zhì)72. I中，相應(yīng)的子區(qū)段71. I就起讀/寫存儲器的作用，而當(dāng)比特位置被改變成“O”時，相應(yīng)的子區(qū)段以可逆方式轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。邏輯設(shè)備72. 3能夠例如由晶體管來實現(xiàn)。 由此，如上文所描述并且如圖5所描繪的實施例示出將MRAM的區(qū)段可逆地轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的示例。如果不管出于何種原因所決定的是子區(qū)段71. I應(yīng)轉(zhuǎn)換回讀/寫存儲器，則存儲介質(zhì)72. I的相應(yīng)關(guān)聯(lián)的比特位置要被改變成“I”。當(dāng)然，需要設(shè)置用于改變存儲介質(zhì)72. I的比特位置的值的適當(dāng)?shù)目刂蒲b置，此處為了簡潔起見而未示出這樣的控制裝置，而這樣的控制裝置能夠由本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易地實現(xiàn)。參照圖6，其中示出了按照一個實施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的示意框圖表示。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100包括處理單元(PU) 110、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM) 120、磁性隨機存取存儲器(MRAM) 130以及將處理單元110、SRAM 120和MRAM 130相互連接的總線系統(tǒng)140。靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM) 120也能夠被省略或者能夠被像常規(guī)ROM存儲器那樣的ROM存儲器取代。按照圖6的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100的一個實施例，磁性隨機存取存儲器130被配置為讀/寫存儲器，并且MRAM 130的至少第一區(qū)段可轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。另外的實施例能夠采用磁性隨機存取存儲器的上述實施例的特征中的任何一個來形成。按照圖6的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100的一個實施例，該系統(tǒng)還包括轉(zhuǎn)換電路，該轉(zhuǎn)換電路被配置為將第一區(qū)段的至少第一子區(qū)段轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。另外的實施例能夠采用磁性隨機存取存儲器的上述實施例的特征中的任何一個來形成。按照圖6的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100的一個實施例，處理單元110是數(shù)字信號處理器，如果數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)被并入像移動通信單元那樣的通信單元中并且作為其部分，則情況尤其是這樣。按照其另外的實施例，SRAM 120被實現(xiàn)為用于需要被讀/寫的數(shù)據(jù)的工作存儲器。MRAM 130可以被組織和配置為使得第一區(qū)段起讀/寫存儲器的作用，特別地還起工作存儲器的作用，而第二區(qū)段起只讀存儲器的作用，該第二區(qū)段由已從先前的讀/寫存儲器部分轉(zhuǎn)換成只讀存儲器部分并且存儲應(yīng)在某個預(yù)先確定的時間周期內(nèi)被保持但需要在這些預(yù)先確定的時間周期之間被改變或更新的數(shù)據(jù)或代碼的存儲器部分組成。例如，在移動通信單元中，這些可以是要在電話呼叫或其他通信連接期間被保持，但可在終止連接之后被改變的數(shù)據(jù)或代碼。
按照圖6的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100的一個實施例，處理單元110、靜態(tài)隨機存取存儲器120和磁性隨機存取存儲器130被集成在同一個半導(dǎo)體芯片上。按照圖6的處理系統(tǒng)的一個實施例，處理單元110是微處理器或微控制器。按照其一個實施例，MRAM 130可包括被配置為讀/寫存儲器的第一區(qū)段以及被配置為只讀存儲器的第二區(qū)段，并且該第二區(qū)段存儲了某些客戶特定數(shù)據(jù)或代碼。特別地，這種方式的一個優(yōu)點在于，僅需要實現(xiàn)可適用于單獨的目標(biāo)系統(tǒng)的客戶特定部分。實際的基于ROM結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)要求所有被考慮的客戶的客戶特定實現(xiàn)都需要在芯片設(shè)計期間就已經(jīng)被考慮在內(nèi)。
·
按照圖6的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的一個實施例，總線系統(tǒng)140是雙向的，使得處理器單元110、SRAM 120和MRAM 130能夠在彼此之間自由地交換數(shù)據(jù)。參照圖7，其中示出了按照一個實施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的示意框圖表示。圖7的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)200包括處理單元210、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM) 220、磁性隨機存取存儲器(MRAM) 230以及將處理單元210、SRAM 220和MRAM 230相互連接的總線系統(tǒng)240。靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM) 220也能夠被省略或者能夠被像常規(guī)ROM存儲器那樣的ROM存儲器取代。圖7的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)200表示圖6的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的另外的實施例。特別地，MRAM230的特征在于具有如在與MRAM結(jié)構(gòu)相關(guān)的先前的實施例中所描述的那樣的靈活的RAM/ROM劃分。靈活的RAM/R0M劃分以將MRAM 230的第一存儲區(qū)段231與MRAM 230的第二存儲區(qū)段232隔開的分割線為象征。第一存儲區(qū)段231被配置為讀/寫存儲器，并且第二存儲區(qū)段232被配置為只讀存儲器。畫在其中的跨第一存儲區(qū)段231與第二存儲區(qū)段232之間的分割線的雙箭頭象征使該分割線移位的可能性，使得第一存儲區(qū)段231和第二存儲區(qū)段232的存儲容量相對于彼此可變，即以使得兩個存儲容量之和保持恒定的方式可變。MRAM230可包括先前結(jié)合與MRAM結(jié)構(gòu)相關(guān)的實施例所描述的任何另外的特征。特別地，MRAM230可包括用于將第一存儲區(qū)段231的部分轉(zhuǎn)換成只讀存儲器部分的轉(zhuǎn)換電路。在用于重新配置磁性隨機存取存儲器(MRAM)的方法中，MRAM被配置為讀/寫存儲器，并且該方法包括將MRAM的至少第一區(qū)段轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。按照該方法的一個實施例，客戶特定數(shù)據(jù)或代碼被存儲在這樣的只讀存儲器部分中。按照另一個實施例，數(shù)學(xué)算法被存儲在這樣的只讀存儲區(qū)段中。按照該方法的一個實施例，轉(zhuǎn)換以可逆或不可逆方式進(jìn)行。按照該方法的一個實施例，轉(zhuǎn)換通過轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行。該方法的另外的實施例能夠采用結(jié)合MRAM結(jié)構(gòu)的上述實施例所描述的特征來形成。雖然已相對于一種或多種實現(xiàn)示意和描述了本發(fā)明，但可對所示意的示例進(jìn)行變化和/或修改而不背離所附權(quán)利要求的精神和范圍。特別地，關(guān)于由上文所描述的部件或結(jié)構(gòu)(組件、設(shè)備、電路、系統(tǒng)等)所執(zhí)行的各種功能，除非另有指示，否則用于描述這樣的部件的術(shù)語(包括對“裝置”的引用)旨在對應(yīng)于執(zhí)行所描述的部件的指定功能(例如功能上等效)的任何部件或結(jié)構(gòu)，即使這些部件或結(jié)構(gòu)與執(zhí)行本發(fā)明的此處所示意的示例性實現(xiàn)中的功能的所公開的結(jié)構(gòu)不是結(jié)構(gòu)上等效。
權(quán)利要求
1.ー種磁性隨機存取存儲器，其中 所述磁性隨機存取存儲器被配置為讀/寫存儲器，并且 所述磁性隨機存取存儲器的至少第一區(qū)段被配置為轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。
2.如權(quán)利要求1所述的磁性隨機存取存儲器，其中所述至少第一區(qū)段被分成多個子區(qū)段，其中所述子區(qū)段中的每ー個被配置為獨立地轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。
3.如權(quán)利要求2所述的磁性隨機存取存儲器，其中所述多個子區(qū)段包括相等容量。
4.如權(quán)利要求1所述的磁性隨機存取存儲器，其中所述磁性隨機存取存儲器的全部內(nèi)容被配置為轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。
5.如權(quán)利要求1所述的磁性隨機存取存儲器，其中所述至少第一區(qū)段被配置為以可逆方式從所述只讀存儲器轉(zhuǎn)換回所述讀/寫存儲器。
6.如權(quán)利要求1所述的磁性隨機存取存儲器，其中所述至少第一區(qū)段被配置為以不可逆方式轉(zhuǎn)換成所述只讀存儲器。
7.如權(quán)利要求1所述的磁性隨機存取存儲器，其中所述至少第一區(qū)段被配置為由轉(zhuǎn)換電路來轉(zhuǎn)換。
8.—種磁性隨機存取存儲器設(shè)備，其包括 磁性隨機存取存儲器，其被配置為讀/寫存儲器，以及 轉(zhuǎn)換電路，其被配置為將所述磁性隨機存取存儲器的至少第一區(qū)段轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。
9.如權(quán)利要求8所述的磁性隨機存取存儲器設(shè)備，其中所述轉(zhuǎn)換電路被配置為以可逆方式將所述只讀存儲器的至少第一區(qū)段轉(zhuǎn)換回所述讀/寫存儲器。
10.如權(quán)利要求8所述的磁性隨機存取存儲器設(shè)備，其中所述轉(zhuǎn)換電路被配置為以不可逆方式將所述至少第一區(qū)段轉(zhuǎn)換成所述只讀存儲器。
11.如權(quán)利要求9所述的磁性隨機存取存儲器設(shè)備，其中所述設(shè)備還包括至少ー根寫線，并且所述轉(zhuǎn)換電路包括與所述寫線電連接的熔絲。
12.如權(quán)利要求9所述的磁性隨機存取存儲器設(shè)備，其中所述轉(zhuǎn)換電路包括存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)被配置為存儲指示所述第一存儲區(qū)段的區(qū)段是否能夠被寫入的信息。
13.如權(quán)利要求12所述的磁性隨機存取存儲器設(shè)備，其中所述存儲介質(zhì)包括多個比特位置，其中所述比特位置中的每ー個與所述磁性隨機存取存儲器的一個區(qū)段關(guān)聯(lián)。
14.ー種數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其包括 處理單元， 磁性隨機存取存儲器，以及 總線系統(tǒng)，所述總線系統(tǒng)將所述處理単元和所述磁性隨機存取存儲器相互連接。
15.如權(quán)利要求14所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其還包括 靜態(tài)隨機存取存儲器， 其中所述總線系統(tǒng)將所述處理単元、所述靜態(tài)隨機存取存儲器和所述磁性隨機存取存儲器相互連接。
16.如權(quán)利要求14所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中所述磁性隨機存取存儲器被配置為讀/寫存儲器，并且所述磁性隨機存取存儲器的至少第一區(qū)段被配置為轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。
17.如權(quán)利要求14所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其還包括轉(zhuǎn)換電路，所述轉(zhuǎn)換電路被配置為將所述磁性隨機存取存儲器的至少第一區(qū)段轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。
18.如權(quán)利要求14所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中所述處理單元是數(shù)字信號處理器。
19.如權(quán)利要求18所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中數(shù)學(xué)算法被存儲在所述磁性隨機存取存儲器的轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的區(qū)段中。
20.如權(quán)利要求14所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中所述處理單元是微處理器或微控制器。
21.如權(quán)利要求20所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中客戶特定數(shù)據(jù)被存儲在所述磁性隨機存取存儲器的轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的區(qū)段中。
22.如權(quán)利要求20所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中安全啟動特征被存儲在所述磁性隨機存取存儲器的轉(zhuǎn)換成只讀存儲器的區(qū)段中。
23.一種用于重新配置磁性隨機存取存儲器的方法，其包括 將所述磁性隨機存取存儲器配置為讀/寫存儲器，以及 將所述磁性隨機存取存儲器的至少第一區(qū)段轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其還包括 以可逆方式轉(zhuǎn)換所述至少第一區(qū)段。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，其還包括 以不可逆方式轉(zhuǎn)換所述至少第一區(qū)段。
26.如權(quán)利要求23所述的方法，其還包括 通過轉(zhuǎn)換電路來轉(zhuǎn)換所述至少第一區(qū)段。
全文摘要
本發(fā)明的名稱是磁性隨機存取存儲器。磁性隨機存取存儲器被配置為讀/寫存儲器，并且所述磁性隨機存取存儲器的至少第一區(qū)段被配置為轉(zhuǎn)換成只讀存儲器。
文檔編號G11C11/15GK102956259SQ201210287740
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月16日
發(fā)明者U.希爾德布蘭德, J.豪斯納, M.奧伯梅爾, D.伯格曼 申請人:英特爾移動通信有限責(zé)任公司